【課題】高い信頼性を持つ高熱伝導窒化ケイ素セラミックス、その製造方法及びその応用製品を提供する。
【解決手段】ケイ素粉末の反応焼結を利用して合成した反応焼結窒化ケイ素焼結体であって、β相窒化ケイ素を主成分とし、Ｙ、Ｙｂ、Ｎｄ、Ｓｍの少なくとも一種を酸化物に換算して０．５〜７ｍｏｌ％含有し、Ｍｇの存在量が酸化物に換算して２ｍｏｌ％以下であり、１００Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率、６００ＭＰａ以上の３点曲げ強度、及び予き裂導入破壊試験法で測定した破壊靱性が７ＭＰａｍ^１／２以上であることを特徴とする窒化ケイ素焼結体、その製造方法、及びその応用製品。
【効果】低品位のＳｉ原料を含む多様なＳｉ原料粉末を出発原料として用いることが可能で、しかも優れた特性を有する窒化ケイ素焼結体を低コストで合成できる。 （もっと読む）

【課題】多くの不純物酸素を含む低品位のケイ素粉末を出発原料として用いることができ、従来の成形、焼成プロセスを用いて、優れた機械特性と高熱伝導性を併せ持つ窒化ケイ素焼結体を製造し、パワーモジュール用基板に適した高熱伝導窒化ケイ素基板を提供する。
【解決手段】ケイ素粉末に、ケイ素を窒化ケイ素に換算した際の比率において、０．５〜７ｍｏｌ％の希土類元素の酸化物と、１〜７ｍｏｌ％のマグネシウム混合物とを、上記ケイ素粉末に含まれる不純物酸素とマグネシウム化合物からの酸素との総量が０．１〜１．８質量％となるように混合し、該混合物を成形して窒化し、得られた窒化体を０．１ＭＰａ以上の窒素中で加熱して相対密度が９５％以上になるように緻密化し、得られた板状の窒化ケイ素焼結体の少なくとも一方の面に、マグネシウム、チタン、ジルコニウムのうち少なくとも一種の金属元素を含むろう材を用いて金属板を接合する。 （もっと読む）

【課題】 窒化アルミニウム焼結体の粒界強度の低下を極力防ぐことにより、パーティクルの発生の少ない、すなわち発塵性の少ないサセプタを提供する
【解決手段】 本発明の窒化アルミニウム焼結体は、含有するゲルマニウムとイオウの量を一定値以下に制御する。すなわち、窒化アルミニウムを主成分とする窒化アルミニウム焼結体において、窒化アルミニウム焼結体中のゲルマニウムの含有量が１００ｐｐｍ以下であり、かつイオウの含有量が２００ｐｐｍ以下であることを特徴とする。前記窒化アルミニウム焼結体に、抵抗発熱体が形成されていることが好ましく、半導体加熱用部品として使用されることが好ましい。 （もっと読む）

本発明は、内容積を規定する底面および側壁を有する基体を含んでなる、溶融シリコンを処理するための坩堝に関する。本発明によると、基体は、少なくとも６５重量％の炭化ケイ素、酸化ケイ素または窒化ケイ素から選択される１２から３０重量％の成分を含んでなる。さらに、基体は、従来技術の坩堝とは反対に、少なくとも１つの酸化ケイ素および／または窒化ケイ素被膜を、少なくとも坩堝の内容積を規定する表面上に含み、そのような坩堝は、その物理的完全性の明らかな劣化なしに数回使用することができる。 （もっと読む）

【課題】所定の気孔率と強度を備える炭化ケイ素多孔体を提供する。
【解決手段】気孔率が５０〜６５％で圧力損失の傾きが１×１０^８Ｐａ／ｍ^２以下である炭化ケイ素多孔体。 （もっと読む）

【課題】反りが小さく、色ムラやシミの少ない半導体用ホウ素ドープ材の製造が可能となる窒化ホウ素焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】比表面積５〜１５ｍ２／ｇ、酸素量１質量％以下の窒化ホウ素粉末４８〜８９質量％と、比表面積２５〜６０ｍ２／ｇ、酸素量２質量％以下の窒化ホウ素粉末１０〜４８質量％と、ホウ酸カルシウム粉末１〜４質量％とを含む混合粉をホットプレス焼結することを特徴とする窒化ホウ素焼結体の製造方法。本発明においては、窒化ホウ素焼結体が、窒化ホウ素９６〜９９質量％、酸化カルシウム０．４〜２質量％、酸化ホウ素０．５〜３質量％を含み、密度が１．７〜２．０ｇ／ｃｍ３であることが好ましい。また、窒化ホウ素焼結体が、ＢＮウェハの製造に用いるものであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 窒化アルミニウム焼結体の粒界強度の低下を極力防ぐことにより、パーティクルの発生の少ないサセプタを提供する。
【解決手段】 本発明の窒化アルミニウム焼結体は、含有するカドミウムとリンの量を一定値以下に制御する。すなわち、窒化アルミニウムを主成分とする窒化アルミニウム焼結体において、窒化アルミニウム焼結体中のカドミウムの含有量が１５０ｐｐｍ以下であり、かつリンの含有量が１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする。前記窒化アルミニウム焼結体に、抵抗発熱体が形成されていることが好ましく、半導体加熱用部品として使用されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＮのマトリックスの優れた特性を維持した状態で、高い導電性を有する導電性セラミックスを提供すること。
【解決手段】本発明の導電性セラミックスは、ＡｌＮをマトリックス相とし、粒界相に希土類元素含有炭素化合物を含むものである。この希土類元素含有炭素化合物は粒界相の三重点を介して三次元的に網目状に連続した導電ネットワークを形成する。この導電ネットワークが粒界相の抵抗を大幅に低下させることにより、焼結体全体の電気抵抗を低下させ、導電性セラミックスの導電率を、１０^−９Ｓ／ｃｍから１０^１Ｓ／ｃｍまでの広範囲に亘り変化させる。希土類元素含有炭素化合物はマトリックス相に実質的に存在しないので、マトリックス相であるＡｌＮのハロゲン系腐食性ガス及びそのプラズマに対する耐食性や高熱伝導性や高強度を低下させることがない。 （もっと読む）

【課題】 炭化ケイ素焼結体からなる立体成形体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
炭化ケイ素粉末を溶媒中に分散して得られるスラリー状の混合粉体を得る工程と、鋳型の表面にアルギン酸塩膜を設ける工程と、上記混合粉体を成形型に流し込み乾燥させてグリーン体を得る工程と、得られたグリーン体を真空雰囲気下５５０℃〜６５０℃まで昇温する第１の加熱工程と、さらに真空又は不活性ガス雰囲気下で１５００℃以上の温度まで昇温した後、上記真空又は不活性ガス雰囲気下の温度条件に保持して炭化ケイ素焼結体を得る第２の加熱工程と、を有することを特徴とする炭化ケイ素焼結体からなる立体成形体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
静電チャック部材、半導体製造部材等として好適な高剛性で低熱膨張係数を有するアルミニウム合金−炭化珪素窒化珪素質複合体を提供する。
【解決手段】
炭化珪素粉及び珪素粉、或いは、炭化珪素粉、窒化珪素粉及び珪素粉を使用し、反応焼結により珪素粉を窒化させてセラミックス多孔体を作製し、アルミニウムを主成分とする金属を含浸することを特徴とし、未反応の残存珪素粉が、セラミックス多孔体中の１０質量％以下であることを特徴とするアルミニウム合金−炭化珪素窒化珪素質複合体の製造方法。炭化珪素粉及び窒化珪素粉を含み、相対密度が６０〜８５％であるセラミックス多孔体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸することを特徴とするアルミニウム合金−炭化珪素窒化珪素質複合体。
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【課題】メタライズ不良発生率を抑えた窒化アルミニウム基板及びそれを用いた半導体装置用基板の提供であり、メタライズ形成性を向上させ生産性に優れた窒化アルミニウム基板、およびそれを用いて作成される品質に優れた半導体装置用基板の提供。
【解決手段】液相成分を有する窒化アルミニウム基板であって、その基板表面にブラックライトを照射した際にオレンジ色に発光する発光面積が前記基板表面の９０％以上である窒化アルミニウム基板。又、液相成分はＹ−Ａｌ−Ｏ系化合物であり、窒化アルミニウム基板は、焼結助剤として酸化イットリウムを１重量％以上１０重量％以下添加されたものからなる。 （もっと読む）

【課題】スプラッシュの低減を可能としたボートを提供する。
【解決手段】二硼化チタンと窒化硼素及び／又は窒化アルミニウムを主成分とするセラミックス焼結体からなり、金属蒸発面の通電方向に対する垂直方向の算術平均粗さ（Ｒａ）の比が０．７〜１．３であるか、又は金属蒸発面の通電方向に対する垂直方向の最大高さ（Ｒｍａｘ）の比が０．７〜１．３であることを特徴とする金属蒸発発熱体である。この場合において、通電方向及び通電方向に対して垂直方向の算術平均粗さ（Ｒａ）がいずれも２〜５μｍであり、また通電方向及び通電方向に対して垂直方向の最大高さ（Ｒｍａｘ）がいずれも３０〜６０μｍであること、算術平均粗さ（Ｒａ）又は最大高さ（Ｒｍａｘ）の調整が、サンドブラスト処理によって行われていること、及び金属蒸発面にキャビティを有すること、の実施態様から選ばれた少なくとも一つを備えていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く放熱性が優れた半導体装置用基板を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９の比（ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０３であり、熱伝導率が２２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２５０ＭＰａ以上である窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする半導体装置用基板である。 （もっと読む）

【課題】 反りや変形がなく、寸法精度に優れた板状の窒化アルミニウム焼結体、及びその表面に金属化層を設けた半導体用基板として好適な窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】 成形体の厚み方向及び表面方向の密度バラツキを制御し、この成形体を焼成することにより、反り量が３５μｍ／１０ｍｍ以下、厚みのバラツキが１６０μｍ／ｍｍ以下の窒化アルミニウム焼結体を得る。密度のバラツキを制御した上記成形体は、表面粗さがＲａで０.１μｍ以下の成形面を有する成形型を用い、成形体の加圧方向断面積Ａ（ｍｍ^２）と成形圧力Ｓ（ｋｇ／ｍｍ^２）とがＳ／Ａ≧０.００２の関係を満たす条件下で成形する。 （もっと読む）

【課題】 直接窒化法による、歪みや転位あるいは亜粒界の量が多いＡｌＮ原料粉末を用いて、高熱伝導性の窒化アルミニウム焼結体を安価に提供する。
【解決手段】 Ｘ線回析におけるＡｌＮの（２１３）面の２θの半値幅が０．３５ｄｅｇ以上であるＡｌＮ原料粉末７０〜９９．９重量％と、半値幅が０．３５ｄｅｇ未満であるＡｌＮ原料粉末３０〜０．１重量％とを混合し、混合物を形成して焼結することにより、単一粒子内の転位密度が１０μｍ／μｍ^３以下で熱伝導率が１７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体を得る。 （もっと読む）

【課題】 炭化ケイ素焼結体の焼成時間の短縮を図る。
【解決手段】
（イ）炭化ケイ素粉末及び炭素源を有機溶媒に混合してスラリー溶液を調製する工程と、（ロ）上記スラリー溶液を乾燥させ造粒粉を得る工程と、（ハ）上記造粒粉を焼成して脱脂粉を得る工程と、（ニ）上記脱脂粉表面にバインダーをコーティングして炭化ケイ素焼結体用粉体を得る工程と、を備える炭化ケイ素焼結体用粉体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 耐プラズマ性が確保されており、クリーニング処理を繰り返しても長期間使用可能で、経済的に有利なプラズマプロセス装置用チャンバー部材を提供すること。
【解決手段】 気孔率が１％以下で、かつ、破断面が粒内破壊の性状を呈する窒化アルミニウム焼結体からなることを特徴とするプラズマプロセス装置用チャンバー部材。 （もっと読む）

【課題】
半導体製造工程あるいは液晶パネル製造工程で用いられる基板処理装置用部材等を構成する窒化珪素質焼結体を提供する。
【解決手段】
β−Ｓｉ_３Ｎ_４を主成分とし、β−ＲＥ_２Ｓｉ_２Ｏ_７（ＲＥは周期律表第３族元素）を３体積％以上、２０体積％以下の範囲で含有してなり、室温における熱膨張係数が１．４×１０^−６／Ｋ以下、室温における熱伝導率が２５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の窒化珪素質焼結体を提供することができ、特に半導体製造装置用部材・液晶製造装置用部材として用いた際に、温度変化が生じた際においても熱膨張の非常に小さい焼結体であるため、位置精度を高いものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム質焼結体の強度、靭性を向上させる。
【解決手段】窒化アルミニウム粉末に周期律表第３ａ族元素の酸化物の中から選ばれる少なくとも一種以上を０．１〜３０重量％含み、第４ａ族元素、第５ａ族元素、第６ａ族元素の窒化物、炭化物、ケイ化物、硼化物の中から選ばれる少なくとも一種以上を０．１〜３０重量％含み、さらに第６ａ族元素の酸化物の中から選ばれる少なくとも一種以上を０．１〜５重量％含む窒化アルミニウム質焼結体である。 （もっと読む）

【課題】 架橋剤の添加や微粒子の分散を必要とせずに、簡単な工程で安価に微細孔を有する炭化珪素系多孔質成形体を製造する方法を提供する。
【解決手段】 架橋剤を使用せずに、ポリカルボシラン等の炭化珪素前駆体高分子を不活性気体中において４００℃以下で加熱して熱的に架橋した炭化珪素前駆体を形成し、該架橋前駆体を熱処理することにより炭化珪素系多孔質成形体を製造する。
炭化珪素前駆体高分子は、不活性気体中において２００〜４００℃で、１時間以上加熱して熱的に架橋することが好ましく、架橋した炭化珪素前駆体は５００〜１３００℃で、１時間以上熱処理することが好ましい。 （もっと読む）