【課題】強度、靭性等の機械的特性や耐久性の改善された、高い信頼性と耐久性を有するシリコン／炭化ケイ素複合材料の製造方法を提供すること。
【解決手段】平均粒径０．１μｍから１０μｍの炭化ケイ素と平均粒径０．００５μｍから１μｍのカーボン粉末との混合粉末を、所定の形状の成形体に加圧成形し、成形体をシリコンの融点以上の温度に加熱し、シリコンの融点以上の温度に加熱されている成形体に溶融したシリコンを含浸させる。 （もっと読む）

【課題】 高熱伝導率であると同時に高強度を有する窒化アルミニウム焼結体、及びその製造方法、並びにこの窒化アルミニウム焼結体を用いた半導体基板を提供する。
【解決手段】 気相化学合成法で得られた平均粒径１.０μｍ以下のＡｌＮ粉末１〜９５重量％と、残部が他のＡｌＮ粉末からなる原料粉末を調整し、この原料粉末を非酸化性雰囲気中で焼結した焼結体で、平均粒径が２μｍ以下、Ｘ線回析により得られる（３０２）面回析線の半価幅が０.２４ｄｅｇ以下である。この焼結体上に金属化層を形成することにより、半導体基板とすることができる。 （もっと読む）

【課題】 高温下でハロゲン系腐食性ガスやそのプラズマに曝されても腐食や摩耗が少なく、かつパーティクルの発生が極めて少ない窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】 窒化アルミニウム質焼結体中にＡｌ、Ｎ、Ｏを合計で９９．５重量％以上含み、ＡｌＮを主結晶相とするとともに、他の結晶相として上記Ａｌ、Ｎ、Ｏの３成分を含む化合物を含有し、上記焼結体をＸ線回折（Ｘ線の発生源：銅）にて測定した時、上記ＡｌＮの回折ピーク強度Ｉ１（面間隔：２．６８乃至２．７１）に対する上記化合物の回折ピーク強度Ｉ２（面間隔：２．５６乃至２．６２）の強度比（Ｉ２／Ｉ１）が１〜８％で、かつ面間隔：１．５２乃至１．５３７と上記ＡｌＮの（１０１）面の面間隔乃至上記ＡｌＮの（００２）面の面間隔とに回折ピーク強度を実質的に持たないようにする。 （もっと読む）

【課題】適正な通気性、強度を兼備した状態で、圧力損失が低く、熱応答性、放熱性の良好な珪素−炭化珪素複合部材を提供する。
【解決手段】複数の炭化珪素の結晶粒子１を３次元的に配置させるとともに、隣り合う炭化珪素の結晶粒子１間を珪素相３により接合した立体的な網目構造を形成した珪素−炭化珪素複合部材であって、珪素相３の間隙および気泡を非連結部とし、珪素−炭化珪素複合部材の断面を平面視したときの２２００μｍ×１７００μｍの範囲における非連結部の面積比率＝（非連結部の面積）／（珪素相３の面積＋非連結部の面積）×１００（％）が３．５％以下であること。 （もっと読む）

【課題】 耐プラズマ性が充分高く、寿命の長いドライエッチング装置用電極を提供する。
【解決手段】 例えば窒化アルミニウム粉末１００質量部および希土類酸化物０．５〜２０質量部を含むグリーン体を還元性雰囲気中で焼結することにより窒化アルミニウム粒界に希土類窒化物を生成させることにより得られる導電性の窒化アルミニウムで表面の一部又は全部を構成した貫通孔を有する成形体をドライエッチング装置用電極として用いる。 （もっと読む）

平坦な支持表面３ｂを有すると共に容易に大型化できかつ破壊靭性を向上させた定盤を提供する。支持表面３ｂを有する定盤３であって、セラミックスからなる主物質ａと、金属からなる補助物質ｂとの複合物質Ａによって形成される。
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【課題】 ウェハ全面に均一に成膜でき、且つパーティクルの発生の少ない半導体製造装置用ウェハ保持体およびそれを搭載した半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 本発明のウェハ保持体は、発熱体および高周波電極を埋設したセラミックス製のウェハ保持体であって、前記セラミックス中に埋設された高周波電極の直径が、高周波電極に対向する上部高周波電極の直径よりも大きいことを特徴とする。前記セラミックスの主成分は、窒化アルミニウムであることが好ましく、また、前記高周波電極が、膜形状であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 低い体積抵抗率が要求されると共に、金属による汚染を嫌う用途、例えば、半導体製造装置用部材として好適に使用することができる窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】 平均結晶粒径が１５〜３０μｍであり、酸素濃度が０．１質量％〜０．６質量％、金属不純物量が１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体であって、かかる窒化アルミニウム焼結体は、室温における体積抵抗率が１．０×１０^８Ωｃｍ以下である。また、上記焼結体は、平均粒子径０．１〜２０μｍの窒化アルミニウム粉末、及び、該窒化アルミニウム粉末に対して焼結助剤を０〜０．１質量部含有する成形体を、中性又は還元雰囲気下で、平均結晶粒径が１５〜３０μｍに到達するまで焼結することによって得られる。 （もっと読む）

【課題】例えば真空蒸着室の内面に電気絶縁性かつ易剥離性のダミー壁を形成するのに好適なスラリーを提供する。
【解決手段】窒化硼素粉末を５〜３０質量％含有するスラリーであって、窒化硼素粉末が、粉末Ｘ線回折による黒鉛化指数が３〜３０、酸化硼素含有率が０．５〜５質量％、比表面積が２０ｍ^２／ｇ以上、平均粒径が１０μｍ以下、最大粒径が４０μｍ以下であることを特徴とする窒化硼素含有スラリーである。とくに、真空蒸着室の内面にダミー壁を形成させるための窒化硼素含有スラリーである。 （もっと読む）

【課題】酸化処理後の拡散可能時間を更に延長させたホウ素拡散材を提供するる。
【解決手段】本発明は、Ａｌ２Ｏ３成分とＳiＯ２成分とＢＮ成分とを含み、Ａｌ２Ｏ３成分とＳiＯ２成分の合計含有率が２０〜８０質量％、ＢＮ成分の含有率が２０〜８０質量％であり、しかもＡｌ２Ｏ３／ＳiＯ２のモル比が1.０〜２．４、開気孔率が１３〜４３％のセラミックス焼結体で構成されてなることを特徴とするホウ素拡散材である。また、本発明は、Ａｌ２Ｏ３／ＳiＯ２のモル比が２.４〜1.０である、Ａｌ２Ｏ３成分とＳiＯ２成分とを含む混合物及び／又は化合物を２０〜８０質量％と、窒化ホウ素を２０質量％〜８０質量％とを含む混合粉末をＣＩＰ成型した後、非酸化雰囲気で焼結することを特徴とする上記ホウ素拡散材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】例えば容積が３０００ｃｍ^３以上の大形品にして３０ＭＰａの曲げ強度を有する窒化ホウ素焼結体を、焼結助剤を用いなくても、容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】六方晶窒化ホウ素粉を含む一軸加圧成形体に、第１と第２の少なくとも２回の冷間等方圧加圧処理を増圧して行った後、焼成することを特徴とする窒化ホウ素焼成体の製造方法。この場合において、第２の冷間等方圧加圧処理の圧力が、第１の冷間等方圧加圧処理の圧力の１．５〜５倍であることなどが好ましい。 （もっと読む）

【課題】優れた均熱性を有するセラミックス部材を提供する。
【解決手段】セラミックス部材１０は、セラミックス焼結体１１と、セラミックス焼結体１１に接して形成された、金属元素を含む金属部材１２とを備える。セラミックス焼結体１１における金属部材１２周辺の変質層１１ａの厚さｔは３００μｍ以下に抑えられている。 （もっと読む）

【課題】高い耐食性を有する窒化アルミニウム質セラミックスを提供する。
【解決手段】希土類元素又はアルカリ土類元素の少なくとも１つを含有する結晶相を含む粒界相２を備える窒化アルミニウム質セラミックスであって、粒界相２の中心線３の長さの総和が５×１０⁴μｍ／ｍｍ²以上であり、中心線３の分岐点４の数が１×１０²個／ｍｍ²以上である粒界連続層を備える。 （もっと読む）

【課題】高温、高電圧環境における高体積抵抗の窒化アルミニウム焼結体、半導体製造用部材及び窒化アルミニウム焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化アルミニウム焼結体は、窒化アルミニウムを主成分とし、０．４〜２．５ｗｔ％のマグネシウムと、２．０〜５．０ｗｔ％のイットリウムとを含有し、平均粒径が、１．０μｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ナトリウム金属等を含むフラックスを使用して単結晶を育成するのに際して、高温で単結晶を育成した場合であっても、反応容器内のフラックスによる反応容器の膨潤や浸潤を防止できるようにすることである。
【解決手段】アルカリ金属とアルカリ土類金属との少なくとも一方を含むフラックスを使用して単結晶を育成するのに使用する反応容器２５であって、窒化チタンと窒化ジルコニウムとの一方または双方を主成分として含むセラミックスからなる反応容器２５を提供する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、不純物が少なく優れた熱伝導率とシャープな粒度分布を有すると共に、焼結時の熱収縮率が低い窒化アルミニウム粉末を安価に得ることのできる、窒化アルミニウム粉末の製造法を提供する。
【解決手段】 還元窒化法における窒化アルミニウム粉末の製造法において、出発原料としてアルミナ粒子粉末の粒子表面が表面改質剤によって被覆されていると共に該表面改質剤被覆アルミナ粒子表面に炭素粉末が付着している複合粒子粉末を用いる窒化アルミニウム粉末の製造法である。 （もっと読む）

【課題】 炭化ケイ素表面リッチ層を簡易に設けることができる炭化ケイ素焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】
炭化ケイ素粉末を含むスラリーを鋳型に流し込みグリーン体を得る工程と、上記グリーン体を圧縮して仮成形体を得る工程と、上記仮成形体の表面に炭素源をコーティングし表面炭素層を形成する工程と、上記表面炭素層にケイ素蒸気を暴露し、上記炭素源とケイ素を反応させて炭化ケイ素表面リッチ層を形成する工程と、を備えることを特徴とする炭化ケイ素焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造装置、液晶デバイス製造装置用の絶縁性部材等として好適に用いることができ、また、前記部材等の大型化、高精度化、複雑化にも対応することができる高比抵抗炭化ケイ素焼結体を提供する。
【解決手段】 常圧焼結法により、窒素含有量が０．４ｗｔ％以上０．５ｗｔ％以下であり、前記窒素の一部が炭化ケイ素結晶に固溶しており、残部が炭化ケイ素結晶粒界に窒化ホウ素結晶として存在し、かつ、比抵抗が０．１ＧΩ・ｃｍ以上である高比抵抗の炭化ケイ素焼結体を得る。 （もっと読む）

【課題】曲げ強度を容易に向上させることができるｈＢＮ質焼結体の製造方法を提供すること。
【解決手段】比表面積が３０ｍ^２／ｇ以上で、粒度分布の最大値が１０μｍ以上４０μｍ以下の領域にある窒化硼素粉末単身又はそれを含む原料粉末を成形した後、常圧焼結又はホットプレス焼結することを窒化硼素質焼結体の製造方法。本発明においては、成形体を窒化硼素製容器又は窒化硼素で内張りされた容器に入れ、窒素体積分率が８０％以上の非酸化性ガス雰囲気中、温度１８００℃以上で焼結することが好ましい。また、原料粉末が、本発明に係る窒化硼素粉末を２０重量％以上含むものであることが好ましい。 （もっと読む）

本発明は、導電性ＡｌＮからなる導電性セラミックス及びその製造方法並びにその導電性セラミックスを用いた半導体製造装置用部材に関する。
従来のＡｌＮセラミックスでは室温で高い導電性を得ることは困難であったが、本発明の導電性ＡｌＮからなる導電性セラミックスは、粒界相に希土類窒化物を含んでおり、該希土類窒化物が三次元的に網目状に連続した導電ネットワークを形成し、室温における導電率が１０^−１０Ｓ／ｃｍ以上となる。
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