【課題】プラズマ耐性を高めることが可能な炭化ケイ素焼結体及び炭化ケイ素焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素焼結体５０の製造方法は、平均粒径が０．５μｍ以上１．５μｍ以下である炭化ケイ素粉１０及び分散剤３０をスラリー化する第１工程と、第１工程によって得られたスラリー４０を焼結し、焼結体５０を得る第２工程とからなっている。 （もっと読む）

【課題】焼結条件を変更することなく炭化ケイ素焼結体の高密度化を実現する。
【解決手段】本願発明の発明者は、鋭意研究を重ねた結果、炭化ケイ素粉末と燃結助剤を含むスラリーにフェノールを添加することにより、焼結条件を変更することなく炭化ケイ素焼結体の高密度化を実現できることを知見した。具体的には、発明者は、炭化ケイ素粉末重量の８〜１６％の範囲内のフェノールを添加することにより、炭化ケイ素焼結体の密度が上がり、プラズマ耐性が１０〜８０％の範囲内向上することを知見した。これは、スラリーにフェノールを添加することにより、焼結性が向上し、燃結助剤によってガラス相が生成されることにより、炭化ケイ素焼結体中の気孔率が減少したためであると推察される。 （もっと読む）

【課題】窒化けい素セラミックス基板を用いて各種パワーモジュールを構成した際にリーク電流の発生を効果的に抑制することができ、大電力化および大容量化したパワーモジュールにおいても絶縁性および動作の信頼性を大幅に向上させることが可能な半導体モジュールおよびそれを用いた電子機器を提供する。
【解決手段】気孔率が容量比で２．５％以下であり、粒界相中の最大気孔径が０．３μｍ以下であり、厚さが１．５ｍｍ以下である窒化けい素焼結体から成り、温度２５℃，湿度７０％の条件下で上記窒化けい素焼結体の表裏間に１．５Ｋｖ−１００Ｈｚの交流電圧を印加したときの電流リーク値が１０００ｎＡ以下であり、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３点曲げ強度が５００ＭＰａ以上である窒化けい素セラミックス基板２と、この窒化けい素セラミックス基板２に接合された金属回路板３と、この金属回路板上に搭載された半導体素子と、を備えることを特徴とする半導体モジュールである。 （もっと読む）

【課題】 半導体の性能や信頼性を高く維持できる半導体製造用部品を提供する。
【解決手段】 窒化珪素結晶粒子３と粒界相とからなり、相対密度が９８％以上の窒化珪素焼結体からなる基体１に、該基体１の表層の粒界相を除去して、窒化珪素結晶粒子３が３次元的に連結した多孔質層５を設けてなるもので、多孔質層５上にシリコンウエハを載置し、搬送する場合であっても、従来の粒界相を構成する、例えば希土類元素、アルミニウム等の元素がシリコンウエハと接触することがなく、これによりシリコンウエハを汚染し、半導体の性能や信頼性を損ねたりすることがない。 （もっと読む）

【課題】従来の結晶粒径が大きくて、粒径分布も広い、多結晶チタンシリコンカーバイドセラミックスが示す低い切削加工精度と大きなチッピングの発生の改善を期待できる、結晶粒径が小さくて、粒径分布も狭い、多結晶チタンシリコンカーバイドセラミックスの効率的な製造方法、及びその用途を提供する。
【解決手段】粒子径の平均値が３μｍ以下で、粒子径の標準偏差３μｍ以下の水素化チタン粉末に、ケイ素粉末、炭化チタン粉末を混合し、混合粉末を加圧焼結して、結晶粒径の平均値が６μｍ以下、標準偏差が３μｍ以下、平均値＋３×標準偏差で定義した最大結晶粒径が１５μｍ以下の組織を有することで特徴付けられる多結晶チタンシリコンカーバイドセラミックスの効率的な製造方法、及びその製品。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素焼結体の表面に付着している汚染物を簡易且つ短時間で確実に洗浄除去し得る炭化ケイ素焼結体の洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄液供給手段１１と、気体供給手段１３と、を備え、洗浄液供給手段１１による洗浄液と、気体供給手段１３による気体とを２流体ジェット流として噴出口１５から噴出させる２流体ジェットノズルを用いて、炭化ケイ素焼結体の表面に付着している汚染物を除去する炭化ケイ素焼結体の洗浄方法において、洗浄液に、濃度が６０［％］以下の硝酸、濃度が５０［％］以下のフッ化水素酸、或いは、硝酸、フッ化水素酸および純水または超純水の混合液を用い、また気体に窒素ガスあるいはアルゴンあるいは空気を用いる。 （もっと読む）

約１Ｅ５Ωｃｍ以上の抵抗率を有し、再結晶炭化ケイ素体中の結合した窒素原子を含む窒素含有率が約２００ｐｐｍ以下である、再結晶炭化ケイ素体を提供する。
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【課題】窒化シリコン−二酸化シリコン高寿命消耗プラズマ処理構成部品
【解決手段】プラズマエッチングチャンバの平均洗浄間隔時間及びチャンバパーツの寿命を延ばす方法が提供される。イオン衝撃及び／又はイオン化ハロゲンガスに曝される少なくとも１つの焼結窒化シリコン構成部品を使用しつつ、チャンバ内において一度に１枚ずつ半導体基板がプラズマエッチングされる。焼結窒化シリコン構成部品は、高純度の窒化シリコンと、二酸化シリコンからなる焼結助剤とからなる。焼結窒化シリコン構成部品を含むプラズマ処理チャンバが提供される。プラズマ処理時のシリコン基板の表面上における金属汚染を軽減する方法が、１つ又は２つ以上の焼結窒化シリコン構成部品を含むプラズマ処理装置によって提供される。プラズマエッチングチャンバ内においてイオン衝撃及び／又はプラズマ浸食に曝される構成部品を製造する方法は、高純度の窒化シリコンと二酸化シリコンとからなる粉末組成を成形することと、該成形構成部品を緻密化することとを含む。 （もっと読む）

【課題】熱サイクル時における亀裂の進展が抑制されるとともに、耐久性が向上されるパワーモジュール用基板を提供することにある。
【解決手段】セラミックス基板２は、形状の異なる複数種類のＡｌＮ粒子からなるセラミックス焼結体２０で形成されており、前記ＡｌＮ粒子は、板状ＡｌＮ粒子２ａと、繊維状ＡｌＮ粒子２ｂと、球状ＡｌＮ粒子２ｃとを有しており、前記板状ＡｌＮ粒子２ａは、外形寸法が５μｍ以上３０μｍ以下とされており、前記繊維状ＡｌＮ粒子２ｂは、短軸径が０．０５μｍ以上３μｍ以下、且つアスペクト比が３以上２０以下とされており、前記球状ＡｌＮ粒子２ｃは、粒子径が１ｎｍ以上５００ｎｍ以下とされており、これら各ＡｌＮ粒子は夫々の前記セラミックス基板２に占める割合が、５体積％以上５０体積％以下とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温における全放射率が高く、基板載置装置に適した窒化アルミニウム焼結体を提供し、また、高温域においても充分な熱応答性を有する低パーティクル性の基板載置装置を提供する。
【解決手段】２００℃における全放射率が６０％以上であることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体を用いた基板載置装置。発熱抵抗体を備える基体と、前記基体の表面に形成された突起部と、を具備する基板載置装置であって、前記基体の２００℃における全放射率が６０％以上である。 （もっと読む）

【課題】
ＳｉＣ焼結体の焼結手段として、Ａｌ、Ｂ、Ｃ元素やＡｌ_８Ｂ_４Ｃ_７化合物を焼結助剤にする方法はある。Ａｌ、Ｂ、Ｃ元素は懸濁液を作りにくく、混合に難点がある、また、Ａｌ_８Ｂ_４Ｃ_７化合物は合成が難しく、事実上単体合成ができない。従来方法では粉末成形と焼結に難点があった。
【解決手段】
高温で安定な化合物Ａｌ_３ＢＣ_３焼結助剤を見いだし、しかも容易にＳｉＣ粉末と懸濁液を作り、成型法と焼結法が改善できた。 （もっと読む）

【課題】高強度、高靭性を得るとともに、ばらつきを抑えたシリコン／炭化珪素複合材とその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素と炭素の混合造粒粉を、成形、仮焼して、混合造粒粉間の最大空隙幅が１μｍ以下である仮焼前駆体を形成し、この仮焼前駆体を、溶融シリコンに含侵、焼成する （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生が少なく、半導体製造装置またはフラットパネルディスプレイ製造装置に好適な多孔体を提供する。
【解決手段】１００質量％のＳｉＣ粉末と、５質量％以下のカーボンと、２０質量％以上の金属シリコンからなることを特徴とする多孔体であって、前記金属シリコンの粒子同士がネッキングした構造を有する。１００質量％のＳｉＣ粉末と、５質量％以下のカーボン粉末または５質量％以下のカーボンを含む有機系バインダーと、２０質量％以上の金属シリコン粉末との混合粉末をプレス成形して成形体とする工程と、前記成形体を非酸化雰囲気中、１２００〜１３５０℃で熱処理することにより金属シリコンの粒子同士をネッキングさせる工程を含む製造方法。 （もっと読む）

【課題】α型炭化ケイ素粉末を原料とする導電性が良好な炭化ケイ素焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】α型炭化ケイ素粉砕粉及び非金属系焼結助剤を含む混合物を得る工程と、混合物を４００ＫＰａ〜６００ＫＰａの窒素加圧雰囲気下でホットプレス法を用いて焼結する工程と、を含む炭化ケイ素焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高周波領域における低い誘電損失とともに高い熱伝導を有する低損失誘電体材料とその製造方法及び部材を提供する。
【解決手段】窒化ケイ素を主体とし、周期律表第３ａ族化合物、及び、不純物的酸素を含有する窒化ケイ素質焼結体からなり、該焼結体の粒界が結晶化され、かつ２ＧＨｚと３ＧＨｚにおける誘電損失が２×１０^−４以下であり、熱伝導率が９０Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１以上の高周波用低損失誘電体材料、その製造方法及び部材。
【効果】２ＧＨｚと３ＧＨｚにおける誘電損失が２×１０^−４以下で、かつ熱伝導率が９０Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１以上である高熱伝導・低誘電損失の高周波用低損失緻密質誘電体材料及び部材等を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素焼結体の簡易な高純度化方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素焼結体を不活性ガス雰囲気下で１７００℃〜２０００℃で加熱する炭化ケイ素焼結体の高純度化方法。 （もっと読む）

【課題】高耐久性炭化ケイ素焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】多孔質炭化ケイ素焼結体を酸化防止液に含浸させ、多孔質炭化ケイ素焼結体の気孔に酸化防止液を充填させる工程と、酸化防止液を乾燥させ多孔質炭化ケイ素焼結体内部及び表面に熱膨張係数が炭化ケイ素に近似する酸化防止膜を形成する工程と、を含む高耐久性炭化ケイ素焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】減圧環境下で使用されるセラミックス部品において、処理物への汚染の少ないセラミックス部品の装着方法および有機物の汚染の少ない半導体製造装置用セラミックス部品の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｘ線光電子分光法で表面の深さ方向の測定をし、表面から５ｎｍ以深の深さで検出される炭素量が５ｍａｓｓ％以下である状態で半導体製造装置に装着することを特徴とする半導体製造装置用非汚染性セラミックス部品の装着方法である。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２膜に替わる特性を備えた高誘電体ゲート絶縁膜として使用することが可能であるＨｆＯ_２・ＳｉＯ_２膜の形成に好適な、耐脆化性に富むハフニウムシリサイドターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＨｆＳｉ_{０．８２−０．９８}からなるゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲットに関する。ＨｆＳｉ_{０．８２−０．９８}からなる組成の粉末を合成し、これを１００メッシュ以下に粉砕したものを１７００°Ｃ〜２１２０°Ｃ、１５０〜２０００ｋｇｆ／ｃｍ^２で、ホットプレス又は熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）することによりゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】流動性の高い射出成形用窒化アルミニウム組成物、保形性が良好かつ脱脂性に優れるグリーン成形体、および寸法精度の高い窒化アルミニウム焼結体の実現に好適な射出成形用窒化アルミニウム粉末を提供すること。
【解決手段】下記条件（１）および（２）を充足する射出成形用窒化アルミニウム粉末；
（１）Ｄ₉₀／Ｄ₁₀≦３．５
（２）Ｄ₅₀≦１．０μｍ
〔Ｄ₉₀は、窒化アルミニウム粒子の粒度分布における累積体積％が９０％のときの粒子径であり、Ｄ₁₀は、窒化アルミニウム粒子の粒度分布における累積体積％が１０％のときの粒子径であり、Ｄ₅₀は、窒化アルミニウム粒子の粒度分布における累積体積％が５０％のときの粒子径である。〕。 （もっと読む）