【課題】セラミック積層基板のような焼結構造体を製造する際に、生積層体を焼成する過程において、セラミックグリーンシートが１５〜３０％程度収縮するため、焼結構造体の寸法精度を高めることが難しいという課題があった。
【解決手段】本発明の一態様に係る焼結構造体の製造方法は、板状体および基体を準備する準備工程と、板状体および基体を焼成一体化する焼成工程と、個片に分割する分割工程とを有しており、板状体に含まれる第１焼結材料と同じ焼成条件における焼結収縮率が第１焼結材料よりも小さい第２焼結材料を含み、複数の開口部を２次元配列して設けているとともに隣接する開口部間の隔壁の厚さを等しくした基体を用いることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を異常放電や割れを抑制しつつ成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化インジウムと；Ｔｉ、Ｍｇ、Ａｌ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも１種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ_mＩｎ₂Ｏ_3+m（ｍは５〜７の整数）相、Ｉｎ₂Ｏ₃、及びＺｎＯの各結晶相を含むと共に、相対密度９５％以上、比抵抗０．１Ω・ｃｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】高強度で、多結晶セラミックス基材の変形が少なく、半導体や液晶の製造装置用部材として使用されてもコンタミネーションの発生が少ない多結晶セラミックス接合体およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｙ_２Ｏ_３を主体相として含む第１の多結晶セラミックス基材と、Ａｌ_２Ｏ_３またはＹ_２Ｏ_３を主体相として含む第２の多結晶セラミックス基材とが、接合層を介して接合された多結晶セラミックス接合体であって、前記接合層は、Ｙ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２およびＺｒＯ_２から選ばれる少なくとも３種類の酸化物を含む複合酸化物からなる多結晶セラミックス接合体。 （もっと読む）

【課題】耐電圧特性に優れた絶縁材料及びこれを用いた点火プラグを提供すること。
【解決手段】アルミナ結晶を主相とし、該アルミナ結晶を構成する結晶粒１１の粒界に非晶質の粒界相１２を有するアルミナ質焼結体１からなる絶縁材料である。アルミナ質焼結体１において、粒界相１２は、ＳｉＯ₂にＣａＯ及び／又はＭｇＯが添加されたガラス成分中に、特定成分として希土類元素の酸化物及び／又は周期律表第４族元素の酸化物を含有する。アルミナ質焼結体１の断面においては、アルミナ結晶の結晶粒１１の平均結晶粒径が２μｍ以下であり、粒界相１２の外周形の円形度の平均が０．４〜０．６である。また、アルミナ質焼結体１からなる絶縁材料を絶縁碍子として用いた点火プラグである。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜の成膜における異常放電を抑制し、スパッタリング法による安定した成膜が可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化インジウムと；Ｔｉ、Ｍｇ、Ａｌ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも１種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ_mＩｎ₂Ｏ_3+m（ｍは５〜７の整数）相を主相とし、平均粒径１０μｍ以下、且つ粒径３０μｍ以上の結晶粒の割合が１５％以下であり、相対密度８５％以上である。 （もっと読む）

【課題】孔径および気孔率が大きく、クラック等の不具合が生じ難い品質安定性に優れたセラミック多孔体を製造する方法を提供する。
【解決手段】セラミック多孔体を製造する方法であって、少なくともセラミック粉末と有機バインダと界面活性剤と水とを非水溶性有機溶剤中に含有しているセラミック多孔体形成用組成物を調製Ｓ１０すること、ここで、該組成物中における水の含有量はセラミック粉末とバインダと非水溶性有機溶剤との合計質量に対して１質量％〜５０質量％に相当する量である；該組成物を所定の形状に成形Ｓ２０すること；及び、その成形体を焼成Ｓ３０してセラミック多孔体を得ること；を包含する。 （もっと読む）

【課題】焼結後の接合部にクラックまたは剥離が生じることを抑制できるセラミックス接合体の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス接合体３の製造方法は、互いに同種材料からなる第１および第２のセラミックス成形体１，２を個別に成形する工程（Ｓ１０，Ｓ２０）と、第１および第２のセラミックス成形体１，２を等方圧成形を用いて接合することによってセラミックス接合体３を成形する工程（Ｓ３０）と、セラミックス接合体３を焼結する工程（Ｓ４０）とを備えている。等方圧成形前の第１および第２のセラミックス成形体１，２のそれぞれは、セラミックス接合体３より低い成形密度を有している。 （もっと読む）

【課題】焼結後の接合部にクラックまたは剥離が生じることを抑制できるセラミックス接合体の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス接合体３の製造方法は、互いに同種材料からなる第１および第２のセラミックス成形体１，２を個別に成形する工程（Ｓ１０，Ｓ２０）と、第１および第２のセラミックス成形体１，２を等方圧成形を用いて接合することによってセラミックス接合体３を成形する工程（Ｓ３０）と、セラミックス接合体３を焼結する工程（Ｓ４０）とを備えている。第１および第２のセラミックス成形体１，２を個別に成形する際のそれぞれの成形圧力は等方圧成形の成形圧力より低い。 （もっと読む）

【課題】電気特性の向上及び加工容易性の向上を図ることができるアルミナ質焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】主原料であるＡｌ_２Ｏ_３、第１副原料としてのＴｉ化合物及び第Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇ及びＢａのうち少なくとも１種を複合させた、第１副原料とは異なる２副原料が混合されることにより原料が調製される。各副原料の添加量が、ｐ₁＝０．０５〜１．５０及びｐ₂＝０．０５〜２．５０により定義される「第１添加量範囲」又はｐ₁＝０．０５〜０．６０及びｐ₂＝０．０５〜１．２０により定義される「第２添加量範囲」に含まれるように調節される。 （もっと読む）

【課題】電気特性の向上、加工容易性の向上及び呈色の一様性を図ることができるアルミナ質焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】主原料であるＡｌ_２Ｏ_３の１００重量部に対して副原料としてのＴｉ化合物をＴｉＯ_２換算で０．１〜２．０重量部添加されることにより原料が調製される。当該原料から作成された成形体の雰囲気１［ｍ³］当たりに対する空気供給量を８〜２５［Ｌ／ｍｉｎ］に制御されながら前記成形体を１４００〜１６００［℃］で３時間以上にわたり焼成される。成形体の雰囲気温度の降温速度が５〜３０［℃／ｈｒ］に制御されながら成形体が冷却される。 （もっと読む）

【課題】キャスタブルの施工性を損なうことなくスラグライン部直下のライニング厚みを増すことにより、湯面低下による損傷増に対応し、且つ、熱ロスを抑制し清浄鋼製造に耐えうる優れた製鋼用容器の内張り耐火物ライニング構造を提供する。
【解決手段】鋼浴部２が不定形流し込み材で、スラグライン部１がマグネシア−カーボン質煉瓦で構成される製鋼用容器の内張りライニング構造において、鋼浴部の上部とスラグライン部の下部を繋ぐつなぎ煉瓦３として、１２００℃以下の温度で熱処理された不焼成アルミナ−マグネシア質煉瓦を使用することを特徴とする製鋼用容器の内張りライニング構造にある。 （もっと読む）

【課題】希少金属を使用しない遠赤外線放射セラミックスを提供する。
【解決手段】アルミナ（Al₂O₃）を45.82wt%、シリカ(SiO₂)を15.2wt%、チタニア(TiO₂)
を3.8wt%、酸化第2鉄(Fe₂O₃)
を1.2wt%、酸化マグネシウム（MgO）を0.02wt%、酸化カルシウム(CaO)を0.2wt%、酸化ナトリウム(Na₂0)を0.23wt%、5酸化リン(P₂O₅)を2.35wt%、ジルコニア(ZrO₂)を20.5wt%、酸化ランタン(La₂O₃)を3.45wt%、及び水分を7.23wt%の重量比で混合して焼成したことを特徴とする遠赤外線放射セラミックス。 （もっと読む）

【課題】環境汚染がなく、且つ低融点低抵抗金属と同時焼成可能で基板の反りが少なく、白色性が強い無鉛ガラスセラミックス組成物を提供すること。
【解決手段】本発明は40〜55重量%のガラス粉末と45〜60重量%の無機フィラーを配合・焼成されてなり、該ガラス粉末のガラス組成が、重量%でSiO₂を55〜60%、Al₂O₃を11〜12%、CaOを16〜18%、ZnOを0〜4%含有しており、且つ実質的にPbO、MgOおよびAs₂O₃、Sb₂O₃を含有しないことを特徴とする無鉛白色ガラスセラミックス組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＭｏＳ_２を主成分とするスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、Ｈｆ，Ｒｅ，Ｔａ，Ｗ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｖ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｙ，Ｓｃ，Ｍｇ，Ｃａからなる群から選ばれた少なくとも一種類以上の元素を合計で０．１〜１０．０ｗｔ％含有し、残部がＭｏＳ_２および不可避的不純物からなることを特徴とするスパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】高密度かつ低抵抗のスパッタリングターゲット、電界効果移動度の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】Ｇａをドープした酸化インジウム、又はＡｌをドープした酸化インジウムを含み、正４価の原子価を示す金属を、Ｇａとインジウムの合計又はＡｌとインジウムの合計に対して１００原子ｐｐｍ超１１００原子ｐｐｍ以下含み、結晶構造が、実質的に酸化インジウムのビックスバイト構造からなる焼結体を含むスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットに利用された場合には異常放電等が抑制され、蒸着用タブレットに利用された場合にはスプラッシュ現象が抑制されるZn-Si-O系酸化物焼結体とその製法等を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とし、Siを含有するZn-Si-O系酸化物焼結体であって、Siの含有量が、Si／(Zn + Si)原子数比で0.1〜10原子％であり、Si元素がウルツ鉱型酸化亜鉛相に固溶していると共に、SiO₂相および珪酸亜鉛（Zn₂SiO₄）であるスピネル型複合酸化物相を含有していないことを特徴とする。上記焼結体の製法は、原料粉末であるZnO粉末とSiO_２粉末から得られた造粒粉を成形し、その成形体を焼成して上記焼結体を製造する際、700〜900℃の温度域を昇温速度5℃／分以上の速さで昇温させる工程と、成形体を焼成炉内において900℃〜1400℃で焼成する工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ライトオフ性能、触媒担持性能、及び強度の各性能のうちのいずれかを犠牲にすることなく、耐熱衝撃性を向上させることが可能なハニカム構造体を提供する。
【解決手段】流体の流路となる複数のセル２を区画形成する隔壁１を備え、隔壁１が、コージェライトからなり、隔壁１の平均細孔径の値をｘ（μｍ）、隔壁１の気孔率の値をｙ（％）とした場合に、ｘとｙとの関係がｙ≦−８．３３ｘ＋８６．６６であり、かつ０．５≦ｘ≦５、３５≦ｙ≦７０を満たすハニカム構造体１００。 （もっと読む）

【課題】ナノ構造を有し、酸素イオン伝導性に優れたイオン伝導体を提供すること。
【解決手段】酸素イオン伝導性材料および酸素イオン非伝導性材料のうちの一方の無機成分からなるマトリックス中に、酸素イオン伝導性材料および酸素イオン非伝導性材料のうちの他方の無機成分が、球状、柱状およびジャイロイド状からなる群から選択される形状で、三次元的且つ周期的に配置しており、繰り返し構造の一単位の長さの平均値が１ｎｍ〜１００ｎｍである三次元的周期構造を有していることを特徴とするナノヘテロ構造イオン伝導体。 （もっと読む）

【課題】色度バラツキがなく、安定的に発光する白色又は有色ＬＥＤを得るために、青色光を均一に波長変換することができ、発光分布のバラツキが抑制されたセラミックス複合体を提供する。
【解決手段】セラミックス複合体を、Ａｌ₂Ｏ₃で構成されるマトリックス相２と、前記マトリックス相２内に形成され、一般式Ａ₃Ｂ₅Ｏ₁₂：Ｃｅ（ＡはＹ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｙｂ及びＬｕのうちから選ばれる少なくとも１種であり、ＢはＡｌ、Ｇａ及びＳｃのうちから選ばれる少なくとも１種である。）で表される物質で構成される主蛍光体相３と、前記マトリックス相２及び前記主蛍光体相３中に混在しているＣｅＡｌ₁₁Ｏ₁₈相４とを備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】比較的低コストで製造でき、低い静電正接を有し、加工性に優れた酸化アルミニウム焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化アルミニウムの純度が９９．０重量％以上の酸化アルミニウム焼結体であって、酸化チタンおよび二酸化ケイ素が合計で０．２重量％以上０．８重量％以下含有され、酸化アルミニウム粒子の長尺方向の平均粒径が２０μｍ以上である。このように、酸化チタンが含有されることで、酸化アルミニウム粒子が粗大化し、酸化アルミニウム粒子同士の粒界が少なくなるため、誘電正接を低下させることができる。一方で、二酸化ケイ素が含有されるため、安定的に誘電正接を低下させることができる。また、粒子が粗大化することによって加工性を向上させることができる。また、極端に高い酸化アルミニウムの純度は不要であり、低コスト化できる。 （もっと読む）