【課題】摩擦力、剪断力、衝撃力などの機械的な外力が加えられることによって生じる変形によって発光する新規な発光材料を提供する。
【解決手段】本発明の発光材料は、ウルツ鉱型構造の酸化亜鉛と、立方晶又はウルツ鉱型構造の硫化亜鉛と、立方晶の酸化マンガンとの結晶構造の中から少なくとも２種類以上の結晶構造を有するものや、一般式（Ｃａ_１−ｘＡ’_ｘ）_ｙＢａ_１−ｙＴｉＯ_３、（Ｍｇ_１−ｘＡ’_ｘ）_ｙＢａ_１−ｙＴｉＯ_３、及び（Ｓｒ_１−ｘＡ’_ｘ）ｙＢａ_１−ｙＴｉＯ_３（０．０００１≦ｘ≦０．０５，０．００５≦ｙ≦０．９９５，Ａ’はＤｙ，Ｌａ，Ｇｄ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｙ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｐｒ，Ｅｒからなる群より選ばれる希土類元素）からなるもの等のような、複数の結晶構造が混在した混相を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】直流スパッタリング法が使用できる程度にバルク抵抗値が低いスパッタリングターゲットを効果的に製造することのできる方法を提供する。
【解決手段】Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇａ及びＴｉから選択される１又は２以上の金属元素を含有し、金属元素の一部が、金属元素の価数よりも高い金属元素で置換固溶されている酸化物を含む原料粉末を、加圧下で直流パルス電流を通電して通電焼結させることを特徴とする酸化物焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＤＣ放電ができる程度にバルク抵抗値が低いスパッタリングターゲットを効果的に製造する方法を提供する。
【解決手段】亜鉛原子及び酸素原子を含有する亜鉛化合物と、スズ原子及び酸素原子を含有するスズ化合物を含む原料粉末を、加圧下で直流パルス電流を通電して通電焼結させることを特徴とする酸化物焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】スパッタ時のノジュールの発生を抑制できる酸化インジウムスパッタリングターゲット並びに酸化インジウム焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化インジウムスパッタリングターゲットを酸化インジウム相と金属相を有する酸化インジウム焼結体により構成する。また、インジウム化合物と金属微粒子を混合した粉末又はインジウム化合物と金属酸化物微粒子を混合した粉末を放電プラズマ焼結することにより、酸化インジウム相と金属相を有する酸化インジウム焼結体を製造する。 （もっと読む）

【課題】
精密な温度制御による溶融凝固過程や高配向性基体上の薄膜成長過程を経ることなしに、高い２軸もしくは３軸配向性を高い再現性で実現する超伝導体の提供。
【解決手段】
発明１の酸化物超伝導焼結体は、三軸を有する超伝導酸化物粉末が焼結されてなる酸化物超伝導焼結体であって、前記超伝導酸化物粉末の三軸が、それぞれ同一方向に配向されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】鉛やアルカリ金属を使用せず、広い温度領域で安定した結晶構造を有し、高い絶縁性及び圧電性を備えている圧電材料およびそれを用いた圧電素子を提供する。
【解決手段】正方晶の結晶構造を有する、Ｂａ（Ｓｉ_ｘＧｅ_ｙＴｉ_ｚ）Ｏ_３（ただし０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される酸化物からなる圧電材料。上記の圧電材料が一対の電極によって挟持された圧電素子において、前記一対の電極の少なくとも一つがＳｒＲｕＯ_３またはＮｉである圧電素子。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ＨＩＰ処理を必要とせずに高い透光性を有するＭｇＯ系固溶体の透光性セラミックスを得ることにある。
【解決手段】本発明の透光性セラミックスの製造方法は、第１成分であるＭｇＯに、第２成分であるＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｍｎ、およびＺｎからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を含む化合物が固溶した固溶体からなる透光性セラミックスの製造方法であって、前記第１成分および第２成分の金属元素を含む原料粉末を溶融状態にして溶融体を得る第一の工程と、該溶融体を固化させて固溶体を得る第二の工程と、該固溶体を熱処理して結晶化させる第三の工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、２体積パーセント未満の多孔度を有する、ダイヤモンド粒子と、炭化ホウ素とを含む炭化ホウ素複合材料に関する。本発明は、このような材料を製造するための方法であって、複数のダイヤモンド粒子を炭化ホウ素でコーティングするステップと、この複数のダイヤモンド粒子を合わせることによって、グリーン体を形成するステップと、このグリーン体を、摂氏約１２００度から約２０００度の範囲の温度及び約２０００Ｍｐａを超えない圧力又は真空にさらすステップとを含む方法にさらに関する。
（もっと読む）

【課題】エネルギーコストが低く、短時間で成形体全体を均一に加熱して成形体に含まれる揮発分を効率的に除去することができる耐火物の製造方法を提供する。
【解決手段】耐火物原料組成物を成形してなる成形体を加熱処理して得られる耐火物の製造方法であって、成形体の内部温度が２００〜４８０℃となるようにマイクロ波を照射して加熱処理することを特徴とする耐火物の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】表面に凹凸がある基板でも、前記基板上に直接コランダム結晶膜を形成して基板表面の硬質化や装飾性の向上化に役立つコランダム結晶膜の形成方法、および、コランダム結晶膜積層体を提供することを目的とする。
【解決手段】塗布により製膜可能なアルミニウム含有化合物を含む金属酸化物膜形成用溶液を基板に塗布して酸化アルミニウム膜の前駆体を得た後、直接、前記金属酸化物前駆体をコランダム結晶化温度以上に加熱するか、または、一旦前記前駆体を酸化アルミニウム膜形成温度以上に加熱して酸化アルミニウム膜を得、次いで前記酸化アルミニウム膜をコランダム結晶化温度以上に加熱して、前記基板上にコランダム結晶膜を形成させるコランダム結晶膜を形成する方法。および、基板と、前記基板上に形成された表面が平滑な粒状構造のコランダム結晶を含むコランダム層とを有するコランダム結晶膜積層体。 （もっと読む）

【課題】アーキングやノジュールの発生を低減させ、製品の品質が安定しているＩＴＯ等の酸化物焼結体よりなるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】酸化物焼結体からなる酸化物スパッタリングターゲットにおいて、ターゲットの被スパッタリング領域の算術平均粗さ（Ｒａ）や最大高さ粗さ（Ｒｚ）と酸化物焼結体の結晶粒径（ｄ）とが以下の少なくとも１式を満たすことにより、アーキングやノジュールの発生を低減することができる。
０．０５μｍ≦Ｒａ（μｍ）≦ｄ（μｍ）×０．２ （１）式
０．４μｍ≦Ｒｚ（μｍ）≦ｄ（μｍ）×１．８ （２）式 （もっと読む）

【課題】アスベスト（クリソタイル：Mg₃Si₂O₅(OH)₄）を使って、高周波フォルステライト（Mg₂SiO₄）磁器を作製する。アスベストは天然鉱物であるため不純物が多く、そのままフォルステライトの原料に使っては、その高周波特性の性能指標であるQ・ｆ値の大きなものが得られない。そのためアスベストから酸処理により鉄などの不純物を取り除くことで得た原料を使って高品質なフォルステライトを作製する。
【解決手段】アスベスト（クリソタイル：Mg₃Si₂O₅(OH)₄）を塩酸処理することによってMg²⁺イオンと同時に不純物の鉄を溶出でき、高純度の非晶質SiO₂ファイバーとすることができた。このSiO₂ファイバーと反応活性なMgOとを固相反応させることによりフォルステライト粉末を作製できた。得られたフォルステライト粉末をパルス通電焼結させることにより緻密なフォルステライト磁器が得られ、その磁器のQ・ｆ値は100,000GHzを超えた。 （もっと読む）

【課題】工業的製法に適した、短時間かつ簡便な透光性セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の透光性セラミックスの製造方法は、例えば、粉末のアルミナと、酸化マグネシウムと、バインダーとを混合・分散（Ｓ１）した後、この混合物を造粒（Ｓ２）後、均一に加圧成形（Ｓ３）する。次いで、成形体を加熱してバインダーを除去する（Ｓ４）。そして、密度が５０％以上の均質な成形体のみ（Ｓ５）を、マイクロ波プラズマ焼結によって、焼結する（Ｓ６）。このようにして得られた焼結体は、粒内および粒界の気孔率が小さく、純度も高く、微細構造が制御されている。このため、焼結体は、高い透光性を示す。この製造方法は、操作が簡便であり、製造時間も非常に短くなるので、工業的製法として有用である。 （もっと読む）

【課題】ノボラック系フェノール樹脂を用いて成形されたＡｌまたは／及びＡｌ−Ｍｇ合金添加のＭｇＯ―Ｃれんがの強度を、従来よりも高いものとする。
【解決手段】アプリケーター１内に、ノボラック系フェノール樹脂で成形されたＡｌまたは／及びＡｌ−Ｍｇ合金添加のＭｇＯ―Ｃれんが２１を収容し、マイクロ波発振機１１からのマイクロ波によって、ＭｇＯ―Ｃれんが２１を加熱処理する。処理温度は、４００℃〜８５０℃の温度範囲とする。Ａｌ成分からＡｌ_４Ｃ_３やＡｌＮが生成せず、ノボラック系フェノール樹脂から揮発分を完全に除去することができから、強度の高いれんがを提供できる。 （もっと読む）

【課題】Ｌａ及びＣｕを含有するオキシカルコゲナイドを主成分とするＰ型透明導電材料用ターゲットの密度を向上させ、ターゲットを大型化しかつ低コストで製造できるようにするとともに、該ターゲット中の未反応物の存在を無くし、ターゲットの割れの発生を抑制することにより製品歩留りを上げ、さらに成膜の品質を向上させる。
【解決手段】構成元素の単体、酸化物又はカルコゲン化物から選択した１種以上の粉末を原料とし、ガス成分を除き、焼結用原料粉末の平均粒径が５０μｍ以下、比表面積が０．２ｍ^２／ｇ以上であり、焼結工程中に８５０°Ｃ以下の温度で１時間以上保持する反応工程を含み、この反応工程後に反応工程温度以上の温度である５００〜１０００°Ｃの温度で焼結することにより、相対密度９０％以上であるＬａ及びＣｕを含有するオキシカルコゲナイドを主成分とするスパッタリングターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】非常に高い緻密化度と１００％またはそれに近い反応収率とを有するヨードアパタイトを得ることができる技術を提供すること。
【解決手段】本発明は、ヨードアパタイトを合成および緻密化するための、フラッシュ焼結として知られる技術の使用に関する。好ましくは、本発明は、ａ）ヨード化合物と下記式（Ｉ）の化合物とを混合すること、次いで、ｂ）得られた混合物をフラッシュ焼結技術により反応性焼結することを含む：
Ｍ_３（ＸＯ_４）_２−２ｘ（ＰＯ_４）_２ｘ （Ｉ）
ここで、Ｍは、鉛またはカドミウムから選択され；Ｘは、バナジウムまたはヒ素から選択され；ｘは、０に等しいか、０より大きくて１より小さく；ヨード化合物および式（Ｉ）の化合物は粉末形態である。 （もっと読む）

【課題】緻密な構造であり、高周波特性に優れ、熱膨張係数が小さいとともに、簡便な手段で製造できるタングステン酸ジルコニウム−酸化ケイ素複合焼結体、当該複合焼結体の製造方法、及び当該複合焼結体を備えた成形体を提供すること。
【解決手段】本発明は、タングステン酸ジルコニウム粉体と酸化ケイ素の焼結粉体からなり、ゾル・ゲル法により得られたタングステン酸ジルコニウ粉体と酸化ケイ素のアモルファス粉体を混合し、放電プラズマ焼結して複合化することにより得ることができる。かかる複合焼結体は、緻密な構造となり、熱膨張係数が小さく加熱に対する寸法安定性に優れるとともに、低誘電損失であるため高周波特性にも優れるため、機能性セラミックス材料として、優れた高周波特性を必要とし、熱膨張の制御が課題とされる高周波デバイス・機器分野に加え、光学分野、熱エネルギー分野、電子材料分野等において適用することができる。 （もっと読む）

【課題】導電性セラミックスの製造においては、品質の安定化のため、密度分布が均一な導電性セラミックスが求められており、特に電磁波加熱による導電性セラミックスの製造法では焼結体中央部の密度低下を抑制することが求められている。
【解決手段】
導電性セラミックス原料粉末の成形体を電磁波加熱によって焼結する導電性セラミックス焼結体の製造法において、焼成時の最高温度が、通常焼成時の最高温度より１００℃から２００℃低いことを特徴とする、導電性セラミックス焼結体の製造法。 （もっと読む）

【課題】導電性セラミックス焼結体の製造においては、品質の安定化のため、密度分布が均一な導電性セラミックス焼結体が求められており、特に電磁波加熱による導電性セラミックス焼結体の製造方法では焼結体中央部の密度低下を抑制することが求められている。
【解決手段】
ＩＴＯやＡＺＯ等の導電性セラミックス原料粉末の成形体を電磁波加熱によって焼結する導電性セラミックス焼結体の製造方法において、焼結時の最高温度より少なくとも２００℃低い温度から最高温度までの昇温速度を２００℃／時間以下にして、導電性セラミックス焼結体を製造する。 （もっと読む）

【課題】ドメインの分極方向が電場下において可逆的変換を示し、歪率が増大した圧電／電歪体、その製造方法、及び圧電／電歪素子を提供する。
【解決手段】組成式ＡＢＯ_３で表される母相と、その母相に少なくとも正方晶の結晶構造を有する組成式ＡＢＯ_３で表される母相とは異なる添加材相を含んだ圧電／電歪体である。例えば、ニオブ酸アルカリ系の母相を形成する母材に、添加材相を形成する添加材として正方晶のニオブ酸アルカリ系のものやＢａＴｉＯ_３、ＰＺＴ、ＰｂＴｉＯ_３、（Ｂｉ_０．５，Ｎａ_０．５）ＴｉＯ_３を添加して形成する。添加材の添加量は、母材に対する体積比で５Ｖｏｌ％以上３０Ｖｏｌ％以下（Ｍｎが添加された組成を有する添加材を用いる場合、５Ｖｏｌ％以上４５Ｖｏｌ％以下）である。 （もっと読む）