【課題】 特定の金属を含有する透明導電材料を画素電極、透明電極に使用することにより、バリヤーメタル等を堆積するための工程が不要な簡略化されたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板の製造方法を提供することである。
【解決手段】 酸化インジウムを主成分とし、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄからなる第１金属群Ｍ１から選ばれた１種又は２種以上の金属又はその金属の酸化物と、ランタノイド系金属からなる第２金属群Ｍ２から選ばれた１種又は２種以上の金属の酸化物と、を含むスパッタリングターゲットを利用して、透明導電膜を作製する。この透明導電膜を画素電極として利用することによって、ソース電極７等との接触抵抗を小さく抑えることができる。更に、バリヤーメタル等を用いる必要がなくなったため、バリヤーメタル等を堆積する工程をなくすことができ、ＴＦＴ基板の製造工程が簡略化される。 （もっと読む）

【課題】例えば７００℃を超える高温環境下においても十分な耐電圧特性及び機械的強度を発揮する絶縁体を備えたスパークプラグを提供すること。
【解決手段】中心電極２と絶縁体３と接地電極６とを備えたスパークプラグ１であって、前記絶縁体３は、Ｓｉ成分と第２族元素（２Ａ）成分と希土類元素（ＲＥ）成分とを含有するアルミナ基焼結体で構成され、このアルミナ基焼結体はＲＥ−β−アルミナ結晶相を有し、このＲＥ−β−アルミナ結晶相の平均結晶粒径Ｄ_Ａ（ＲＥ）とアルミナの平均結晶粒径Ｄ_Ａ（Ａｌ）とが下記条件（１）を満足することを特徴とするスパークプラグ１。
条件（１）：０．２≦Ｄ_Ａ（ＲＥ）／Ｄ_Ａ（Ａｌ）≦３．０ （もっと読む）

【課題】水分または有機成分を含有した大型の成形体を電磁波加熱による透明導電膜用焼結体の製造方法において焼成割れを防止し、高密度な品質の安定した製品を容易に製造可能な方法を提供する。
【解決手段】水分と有機成分を総量で０．３〜２．０重量％含有した最小厚みが５ｍｍ以上でかつ、体積が５０ｃｍ^３以上である成形体と、この成形体に接触しないよう、上下及び／又は側面にＳｉＣ質材料を設置し、当該ＳｉＣ質材料の温度によりマイクロ波加熱炉内の温度制御を行う、電磁波加熱によって当該成形体を焼結する方法であって、室温から４００℃までの温度域を１００〜３００℃／時間の昇温速度で加熱することで、焼成割れが低減され、円筒形状であれば真円度が高い焼結体、平板形状であれば反りの少ない焼結体を歩留まり良く製造することができる。 （もっと読む）

少なくとも１つのセラミック成形部品を作成するための方法および装置であって、少なくとも１つの雌型と少なくとも１つの雄型との間に空洞を設けることと、Ｓｉ含有粉末組成物を空洞にもたらすことと、Ｓｉ粉末組成物を反応ガス雰囲気中で反応によって境界付けられたセラミック成形部品が得られる温度へと加熱することとを含んでいる方法および装置、ならびにその使用。
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【課題】金属ワイヤを内包するセラミック焼成体の製造において、クラックの発生しない製造方法を提供する。
【解決手段】金属ワイヤ（コイル１１）を型（金型２１）内に配置し、その型内に「熱ゲル化特性又は熱硬化性を有するセラミックスラリー」を注ぐ。次に、セラミックスラリーを硬化及び乾燥させ焼成前セラミック成形体を作成し、そのセラミック成形体を焼成する。この焼成工程においては、先ず、セラミック成形体の脱脂を行い、その後、セラミック成形体の温度を「金属ワイヤが軟化し且つセラミック成形体が焼成する第２温度」まで第２昇温速度にて上昇させる。第２昇温速度は、セラミック成形体の温度が第２温度にまで上昇した時点において「セラミック成形体の収縮率が所定閾値収縮率以下の収縮率となる」ように、即ち、金属ワイヤの軟化がセラミック成形体の実質的な焼成開始よりも先行するように、設定されている。 （もっと読む）

【課題】 焼結後に反りや、変形などを小さくした焼結体が得られる積層圧電セラミックス体の製造方法を提供する。
【解決手段】 内部導体層３に用いることができる導体ペーストを用いて、積層体４の上下面にペースト膜６を形成し、そのペースト膜６で覆われた積層体４ａを乾燥して焼結することで、その焼結体に生じる反りと変形とを低減した積層圧電セラミックス体にできる。また、本発明のペースト膜６で覆われた脱バインダー体を８００℃以上、９５０℃以下の温度で予焼して予焼体７ａにし、予焼体７ａの上面と下面とを反転させて焼結することで、焼結体５ａに生じる反りと変形とをさらに低減した積層圧電セラミックス体にできる。 （もっと読む）

【課題】誘電特性及び圧電特性の良好な圧電体又は誘電体磁器組成物を得ることで、多岐に渡る圧電体デバイス及び誘電体デバイス開発の要望に答え、延いてはＰＺＴを主成分とする圧電体又は誘電体磁器組成物を代替し、環境負荷を低減する。
【解決手段】主成分が組成式（１−ｘ）ＫＮｂＯ_３＋ｘＫＭｅＯ_３で表される圧電体又は誘電体磁器組成物あって、０＜ｘ≦０．０５であり、Ｍｅが、４価のＴｉ、３価のＭｎ、２価のＭｎ及び２価のＺｎから選ばれるいずれかの金属元素と、６価のＷとの組み合わせであり、組み合わせたときの総価数が５価であることを特徴とする。前記主成分を１００ｍｏｌとしたときに、副成分としてＭｎをＭｎＯ換算で１．０〜２．０ｍｏｌ含有していることが好ましい。また、前記圧電体磁器組成物を用いた圧電体デバイス及び前記誘電体磁器組成物を用いた誘電体デバイスである。 （もっと読む）

本発明は、以下の化学分析値、重量％でＺｒＯ_２＋ＨｆＯ_２：３５〜４５．５％；Ａｌ_２Ｏ_３：４３．７〜６５％；他の酸化物：＜１０％；ＳｉＯ_２： ＜０．８％；
を示す、溶融されたアルミナ／ジルコニア粒子の混合物に関する。本発明は同時に、粒度分析の条件及び密度の条件に関する。 （もっと読む）

本発明は、誘電体製造用焼結前駆体粉末およびその製造方法に関する。より詳しくは、本発明は、第１物質の粉末と第２物質の粉末を含む誘電体製造用焼結前駆体粉末、第１物質からなるコアと第２物質からなるシェルの構造を持つコア−シェル構造の誘電体製造用焼結前駆体粉末、およびこれらの製造方法に関する。前記第１物質の相対誘電定数が前記第２物質の相対誘電定数より大きい。
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【課題】ターゲット材、特に無機ＥＬ素子形成用ターゲット材としての硫化亜鉛成型体およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】硫化亜鉛または硫化亜鉛と銀、銅、マンガンおよび希土類元素の少なくとも１種の元素を含む硫化物とを含む複合硫化物からなり、一方の面と他方の面の硫黄／亜鉛の比が０．９以上であって、これら硫黄／亜鉛の比の差が±０．０５以下であるターゲット材。 （もっと読む）

【課題】配向度の高い結晶配向セラミックスの製造方法を提供すること。
【解決手段】結晶粒の特定の結晶面Ａが配向する結晶配向セラミックスの製造方法である。製造にあたっては、まず結晶面Ａと格子整合性を有する結晶面が配向して配向面を形成している異方形状の配向粒子からなる異方形状粉末と成形助剤と溶媒とを混合して異方形状粉末スラリーを作製する。また、異方形状粉末と共に焼結させることにより目的組成を生成する微細粉末と成形助剤と溶媒とを混合して微細粉末スラリーを作製する。次いで、異方形状粉末２１の配向面２２が略同一の方向に配向するように異方形状粉末スラリーを所定の厚みで成形し乾燥させることにより、異方形状粉末成形体２を形成する。異方形状粉末成形体２上に、微細粉末スラリーを乾燥させてなる微細粉末成形体３を所定の厚み比で積層形成し、積層成形体４を作製する。積層成形体４を加熱し、結晶配向セラミックスを得る。 （もっと読む）

【課題】製造が容易であり、且つ大量生産に適し、低コストで良好な熱電変換性能を有する熱電変換材料を提供する。
【解決手段】粒子とその表面を被覆する粒界相とよりなり、該粒子がペロブスカイト型酸化物、例えば、ＳｒＴｉＯ_３等の絶縁体であり、該粒界相がペロブスカイト型酸化物、例えば、ＳｒＴｉＯ_３等に金属をドープした半導体であり、粒子の平均一次粒径が２〜１００ｎｍであり、粒界相の厚みが０．２〜８ｎｍである熱電変換材料。 （もっと読む）

【課題】アーキング発生頻度を低減するスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明では、インジウム、スズ及び酸素を含んでなり、少なくともＩｎ_２Ｏ_３相と中間化合物相を有する焼結体であって、スズの含有量がＳｎＯ_２換算で、ＳｎＯ_２／（Ｉｎ_２Ｏ_３＋ＳｎＯ_２）で１０重量％以上１５重量％以下の場合、Ｘ線回折スペクトルにおける中間化合物相の（０１２）面又は（０２１）面とＩｎ_２Ｏ_３相の（２１１）面との回折ピーク強度の比をそれぞれ３．０％以下とし、スズの含有量がＳｎＯ_２換算で、ＳｎＯ_２／（Ｉｎ_２Ｏ_３＋ＳｎＯ_２）で１５重量％より大きく２０重量％以下の場合、Ｘ線回折スペクトルにおける中間化合物相の（０１２）面又は（０２１）面とＩｎ_２Ｏ_３相の（２１１）面との回折ピーク強度の比がそれぞれ９．０％以下とすることで、放電中のアーキングの発生率が低減する。 （もっと読む）

【課題】 ターゲット材の割れ防止のため、熱衝撃に強い透明導電膜用焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】
インジウム化合物粉末やスズ化合物粉末などの透明導電膜用の原料粉末を混合後に造粒し、当該造粒粉末を成形した成形体を電磁波加熱により焼結することで、焼結体の平均結晶粒径を２μｍ以下に制御することができ、熱衝撃試験により求めた最大許容温度差が１５０℃以上となり、スパッタリング中の割れ発生率が大幅に低下する。 （もっと読む）

【課題】焼結体の表面を除いた内部の色むらを抑制した複合酸化物焼結体を提供することである。
【解決手段】酸化亜鉛と、Ａｌ、Ｇａ、Ｂ、Ｎｂ、Ｉｎ、Ｙ、Ｓｃから選ばれる元素の酸化物を少なくとも１種以上含む複合酸化物焼結体において、当該焼結体の焼き上がり面を除去した焼結体表面部と焼結体中心部とのＣＩＥ１９７６空間で測定されるＬ^＊ａ^＊ｂ^＊色差：ΔＥ^＊が３．０以下である、色むらの少ない、放電特性等の安定性に優れた複合酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】光学エンジンや液晶を用いた各種の表示装置用に、熱歪による偏光を原因とする鮮明度やコントラスト比の低下がなく、優れた映像を形成することが可能である透明基板を提供する。
【解決手段】光学的に偏光性を持たない透明板材と、その周辺部を保持する構造体とで形成されており、透明板材は、透明板材の熱膨張係数と異なる熱膨張係数を有する材料よりなる枠を用いて、透明板材の周囲から応力を加える圧縮手段による圧縮応力或いは引張手段による引張応力を有している透明基板。透明板材は、立方晶を有する透明セラミックスからなる板材であり、透明セラミックスは、スピネル、ＹＡＧまたはＭｇＯである。 （もっと読む）

【課題】５７３°Ｋ〜８７３°Ｋの範囲で、ＭｏとＳｉの同時酸化が起こり、さらにＭｏ酸化物の蒸発減少が伴うという、ペスト（粉化現象）を効果的に防止できるＭｏＳｉ_２粉末、同粉末の製造方法、同粉末を用いた発熱体及び発熱体の製造方法の提供。
【解決手段】ＭｏＳｉ_２粉末を酸化性の酸又は酸化剤を含む酸で洗浄し、ＭｏＳｉ_２粉末の比表面積が０．２ｍ^２／ｇ以上であり、かつ表面に酸化皮膜を備え、また酸素含有量が２０００ｐｐｍ以上であるＭｏＳｉ_２粉末とし、さらに、該粉末を用いてペスト（粉化現象）を効果的に防止できるＭｏＳｉ_２粉末を主成分とする発熱体を得る。 （もっと読む）

【課題】 磁気ヘッドスライダの製造における研磨加工において、高い研磨加工性が得られるとともに、加工面のボイドの発生を抑制することも可能な焼結体を提供すること。
【解決手段】 本発明の焼結体は、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＣＯ、Ａｌ及びＴｉを含む複合酸化物並びにＣの結晶相を少なくとも含む。 （もっと読む）

【課題】ＰＤＰの保護膜上又は背面板上に配置することで放電速度を向上するため紫外線領域でフォトルミネッセンス発光を示しながらも、駆動電圧を低減することが可能な酸化マグネシウム粒子を提供する。
【解決手段】波長２６０〜３３０ｎｍの範囲にフォトルミネッセンス発光ピークを有し、周期表第ＩＩＢ族元素を酸化物換算で１〜４５モル％の含量で固溶していることを特徴とする酸化マグネシウム固溶体粒子。 （もっと読む）

【課題】 平坦で焼成班のないセラミック基板を簡便に効率よく製造する方法を提供すること。
【解決手段】 少なくとも複数のグリーンシートが積層された焼成前のグリーンセラミック基板１１の両主面１１ａ、１１ｂが、多孔質セラミック焼成体５ａ、５ｂに直接挟持されたユニット８を形成する工程と、前記ユニット８を焼成する焼成工程と、を有し、前記多孔質セラミック焼成体５ａ、５ｂには、表裏面を貫通する貫通孔が多数形成されているセラミック基板の製造方法。 （もっと読む）