【課題】可撓性透明基材上に結晶性の透明導電体層を有する透明導電性フィルムにおいて、透明導電体層がパターン化された場合であっても、タッチパネル等に組み込んだ際に、パターン開口部とパターン形成部との境界が視認されることによる見栄えの低下を抑制する。
【解決手段】可撓性透明基材の一方の面に結晶性導電性金属酸化物からなる透明導電体層が形成された透明導電性フィルムであって、可撓性透明基材の厚みは８０μｍ以下である。本発明の透明導電性フィルムは、１４０℃で３０分加熱した際の寸法変化率Ｈ_１と、透明導電性フィルムから透明導電体層をエッチングにより除去したものを１４０℃で３０分加熱した際の寸法変化率Ｈ_２との差Ｈ_１−Ｈ_２が−０．０２％〜０．０４３％である。そのため、タッチパネル等に組み込んだ際のパターン境界での段差が低減され、見栄えの低下が抑制される。 （もっと読む）

【課題】透明導電体層がパターン化されている透明導電性フィルムにおいて、基材の厚みを８０μｍ以下と小さくした場合でも、透明導電体層のパターン境界が視認されることによる、見栄えの低下を抑止する。
【解決手段】本発明の製造方法は、可撓性透明基材上にパターン化されていない透明導電体層が形成された積層体を準備する積層体準備工程、透明導電体層の一部を除去して可撓性透明基材上に透明導電体層を有するパターン形成部と可撓性透明基材上に透明導電体層を有していないパターン開口部とにパターン化するパターン化工程、および透明導電体層がパターン化された後の前記積層体を加熱する熱処理工程、を有する。熱処理工程における、パターン形成部の寸法変化率Ｈ_１とパターン開口部の寸法変化率Ｈ_２との差Ｈ_１−Ｈ_２の絶対値は０．０３％未満であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明者が開発したマグネシウム・炭素系材料（Ｍｇ（ＯＨ）_２・Ｃ）を用いた透明導電膜について、量産工程に適し、かつ、成膜後の経時変化を低減できる実用レベルの製造方法を実現する。
【解決手段】マグネシウムを含むターゲットと炭素を含むターゲットとを同時に用いてスパッタリングを行うことにより、基板上にマグネシウムと炭素と含む透明導電膜を成膜する成膜工程と、前記成膜した透明導電膜を水を含む雰囲気に保持する透明化工程と、表面材ターゲットを用いてスパッタリングを行うことにより、前記基板上に成膜した透明導電膜の膜面上に表面材薄層を形成する被覆工程とを実行する透明導電膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に対して成膜の初期段階から持続的に除電を行なうことによって、異常放電の発生を抑制することが可能なスパッタリング装置を得る。
【解決手段】スパッタリング処理によって被処理基板１００に対して導電膜１０３を形成するスパッタリング装置は、処理室と、金属製のローラ基部３Ｌおよびローラ基部３Ｌの全周に設けられる樹脂材３Ｒを含む搬送ローラ３と、樹脂材３Ｒの表面を被覆しつつローラ基部３Ｌに電気的に導通された導電部３Ｓと、を備え、処理室内で被処理基板１００に導電膜１０３を形成するとき、被処理基板１００は、導電部３Ｓに当接して搬送ローラ３に搬送され、導電部３Ｓを通して除電されつつスパッタリング処理される。 （もっと読む）

【課題】広範な波長領域の光に対する散乱性能を高めた透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電膜の製造方法は、酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜を基体上にスパッタリング法によって形成する膜形成工程と、透明導電膜をアニール処理するアニール工程と、透明導電膜をウェットエッチングするエッチング工程と、を備える。アニール工程は、エッチング工程よりも前に行われてもよい。透明導電膜のアニール処理の温度が３００〜６００℃であってもよい。 （もっと読む）

【課題】ヘッドスペーシングの拡大、および磁性層の磁気異方性の低下を抑制することができる垂直磁気記録媒体の製造方法の提供。
【解決手段】（１）規則合金を構成する金属および炭素を含むターゲットを用いるスパッタ法によって、非磁性基板上に、規則合金の結晶粒子および炭素からなる粒界層を含む磁気記録層と、磁気記録層上に存在し、炭素からなる保護層前駆体とを形成する工程と、（２）保護層前駆体に、炭化水素系ガスに対するプラズマ放電により生成した炭化水素系イオンを照射して、保護層前駆体を保護層に変化させる工程とを含み、炭化水素系イオンは保護層前駆体に到達する際に３００ｅＶ以上のエネルギーを有することを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングにより微細加工を行った場合に、エッチング残渣が少なく、後工程における信頼性が高い非鉛の圧電体膜素子の製造方法、圧電体膜素子及び圧電体デバイスを提供する。
【解決手段】圧電体膜素子１の製造方法は、基板２上に、組成式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３で表されるペロブスカイト構造を有する非鉛のアルカリニオブ酸化物系化合物からなる圧電体膜５を形成する工程と、圧電体膜５を、フッ素系反応ガスを含む雰囲気中で低圧プラズマを用いてエッチングを行う工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 膜の良好な平坦性および耐紫外線性を有すると共に酸化による反射率の低下を防ぐことができる光記録媒体の反射膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびこのターゲットを用いて成膜した光記録媒体の反射膜を提供する。
【解決手段】 反射膜形成用銀合金スパッタリングターゲットが、Ｉｎ：０．５〜１０質量％およびＺｎ：０．５〜１０質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる組成の銀合金からなる。または、Ｉｎ：０．５〜１０質量％、Ｚｎ：０．５〜１０質量％およびＣｕ：０．５〜２質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる組成の銀合金からなる。 （もっと読む）

【課題】 規則化温度の低い膜を成膜することができると共にパーティクルの発生が抑制可能な磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットが、一般式：｛（Ｆｅ_ｘＰｔ_{１００−ｘ}）_{（１００−ｙ）}Ｉｎ_ｙ｝_{（１００−ｚ）}Ｃ_ｚ、原子比により３０≦ｘ≦８０、１≦ｙ≦２０、３≦ｚ≦６５で表される組成を有した焼結体からなる。また、このスパッタリングターゲットの製造方法は、ＩｎＰｔ合金粉と、ＦｅＰｔ合金粉と、Ｐｔ粉と、グラファイト粉またはカーボンブラック粉と、の混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有している。 （もっと読む）

【課題】大型ターゲット等の製造コストの低減を図った上で、ターゲットに起因するパーティクルの発生を抑制したスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲット１の製造方法は、基体２と金属原料粒子とを準備する工程と、基体２にコールドスプレー法を適用して金属原料粒子を高速で吹付け、基体２上に金属粒子４の堆積膜からなるターゲット層３を形成する工程とを具備する。ターゲット層３のＸ線回折チャートにおける第１ピークと第２ピークとの比率をＰ１、金属原料粒子のＸ線回折チャートにおける第１ピークと第２ピークとの比率をＰ２としたとき、Ｐ１とＰ２との差が１０％以内となるように、金属原料粒子を基体２に吹付ける。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して信頼性が劣る場合があった。そこで、信頼性が高い酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜に含まれる水素、窒素および炭素などの不純物は酸化物半導体膜の半導体特性を低下させる要因となる。例えば、酸化物半導体膜に含まれる水素および窒素は、酸化物半導体膜を用いたトランジスタのしきい値電圧をマイナス方向へシフトさせてしまう要因となる。また、酸化物半導体膜に含まれる窒素、炭素および希ガスは、酸化物半導体膜中に結晶領域が生成されることを阻害する。そこで、酸化物半導体膜の不純物濃度を低減することで、高い信頼性を有するトランジスタを作製する。 （もっと読む）

【課題】反射膜の膜厚が約２５ｎｍ以下に薄く調整されていても、光情報記録媒体での反射率やジッター値などの初期特性に優れていることは勿論のこと、高温高湿下で長期間保管した場合であってもこれらの特性が劣化することがなく、耐久性に優れた光情報記録媒体用反射膜を提供する。
【解決手段】本発明の光情報記録媒体用反射膜は、Ｓｉを０．５〜１０％、および／またはＧｅを０．５〜１０％と、高融点金属元素を０．２〜１．０％含むＡｌ基合金からなる。上記反射膜の膜厚は２５ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】複数の蒸発源用磁場印加機構による磁場の相互干渉を抑制することができる真空成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る真空成膜装置は、成膜チャンバーと、成膜チャンバー内に設けられるスパッタリング蒸発源用磁場印加機構１ａ、及び同一の成膜チャンバー内に設けられるアーク蒸発源用磁場印加機構と、これらのうちどちらかの蒸発源用磁場印加機構、好ましくはスパッタリング蒸発源用磁場印加機構１ａの一部又は全部を覆うように設けられる磁場遮蔽部２１，２２とを有することを特徴とする。また、磁場遮蔽部２１，２２の開閉部２１ｂ，２２ｂの一部（閉じた状態でターゲット材１２と対向する部分）を非磁性体２１ａ，２２ａで構成することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】酸素欠陥が少なく、圧電特性に優れた圧電体膜を形成する。
【解決手段】一般式(Ｎａ_ｘＫ_ｙＬｉ_ｚ)ＮｂＯ_３ (０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１)で表されるペロブスカイト構造のアルカリニオブ酸化物からなる
圧電体膜であって、前記アルカリニオブ酸化物は、擬立方晶、正方晶、斜方晶、単斜晶、菱面体晶、またはそれらが共存した結晶構造を有しており、前記アルカリニオブ酸化物のＫ原子周囲の結合状態において、Ｋ−Ｏ結合とＫ−Ｍｅｔａｌ結合との合計を１００％としたとき、前記Ｋ−Ｏ結合の割合が４６．５％以上、前記Ｋ−Ｍｅｔａｌ結合の割合が５３．５％以下の圧電体膜である。 （もっと読む）

【課題】高コストのインジウムの含有量を抑制しつつ、キャリアが高濃度、安定に存在し、赤外光透過率が低い透明導電膜を提供する。
【解決手段】少なくともインジウム、錫及び亜鉛を含有し、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表わされる原子比が０．２５〜０．６であり、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表わされる原子比が０．１５〜０．３であり、かつＺｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表わされる原子比が０．１５〜０．５であり、可視領域の光線透過率が７０％以上であり、赤外領域の光線透過率が６５％以下である透明導電膜。 （もっと読む）

【課題】透明性および導電性に優れる透明導電膜を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜は、Ｔｉ、Ｐ、ＯおよびＮを必須元素とし、任意元素として、Ｖ、ｎ、Ｓｉ、Ｆｅ等を含むものでもよい。この透明導電膜が基材表面に形成された導電部材は、従来になく優れた透明性および導電性を発現する。特にＴｉ原子比（Ｔｉ／（Ｔｉ＋Ｐ））が０．５〜０．８である場合にその傾向が顕著である。本発明の透明導電膜は、従来の透明導電膜に必須であったＩｎやＮｂ等の希少元素を含まない。従って本発明によれば、資源的リスクがなく、低コストな透明導電膜の提供が可能となる。このような透明導電膜は、各種の薄型ディスプレイ、タッチパネル、太陽電池、バイオ刺激電極などの部材に利用可能である。 （もっと読む）

【課題】時間や手間をかけずに磁気トラックを容易に変更できるとともに、コスト低減も図り得る磁石ユニット、磁界発生装置及びマグネトロンスパッタ装置を提案する。
【解決手段】異なる磁極を有し、磁性板20に回転自在に軸支した第２磁石22を設け、第２磁石22を回転させることで磁極を変化させ、ターゲット13の表面に形成される磁気トラックJTの形状を変化させるようにしたことにより、磁性板20上に配置された磁極を取り外すことなく、磁気トラックJTの形状を最適な形状へと変えることができ、かくして磁極を取り外す時間や手間をかけずに磁気トラックJTを容易に変更できるとともに、その分だけコスト低減も図り得る。 （もっと読む）

【課題】基板の位置をターゲットに正対する位置から基板表面に平行な方向にずらした位置とした斜め入射スパッタ法を用いた従来の結晶軸傾斜膜の製造方法と比較して、製造時間を短縮し、膜厚の均一性を向上させる。
【解決手段】ターゲット１０に正対する位置から基板表面２０に平行な方向にずらした位置に基板２０を配置した斜め入射スパッタ法により、基板表面２０ａ上に結晶軸傾斜膜のシード層２１を形成するシード層形成工程と、形成したシード層２１の表面を平坦化する平坦化工程と、ターゲット１０に正対する位置に基板２０を配置した垂直入射スパッタ法により、平坦化されたシード層２１の表面上に、シード層２１と同じ材料にてエピタキシャル成長させた成長層２３を形成する成長層形成工程とを行う。 （もっと読む）

【課題】軸受鋼からなる軸受部品の軌道面または転動面への硬質膜を形成する方法として、高負荷環境で十分な耐久性を有する硬質膜が形成できる方法を提供する。
【解決手段】上レース１の軌道溝１ａと下レース２の軌道溝２ａに、炭素と珪素と水素からなるＤＬＣ膜５を形成する際に、珪素ターゲットおよび炭素ターゲットを用い、メタンガスとアルゴンガスを導入した非平衡マグネトロンスパッタリング法を採用する。また、スパッタリング装置内の試料支持台をヒーターで加熱し、ヒーターの温度を制御することで、試料支持台に支持された上下のレース１，２の軌道溝１ａ，２ａの温度を１５０〜１８０℃の範囲に保持する。また、ＤＬＣ膜５の厚さが１．０〜１．６μｍとなるように時間を設定して成膜する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成・制御で高い品質の透明導電膜を生成する。
【解決手段】Ｉｎ−Ｓｎ合金膜１２０をガラス基板１２上に成膜し、成膜されたＩｎ−Ｓｎ合金膜１２０を、エッチングしてパターニングした後、水蒸気生成装置４２の処理室４００に格納する。水蒸気生成装置４２によって水蒸気を生成させて、その基板１２を格納する処理室４００に水蒸気を導入する。Ｉｎ−Ｓｎ合金膜１２０が水蒸気に曝された状態を所定の時間保持することで、ＩＴＯ膜１４０となるようにＩｎ−Ｓｎ合金膜１２０を酸化反応させる。 （もっと読む）