【課題】ロール・ツー・ロールで搬送される長尺の樹脂フィルムの両面に金属薄膜を成膜する場合に、第１の面の金属薄膜の表面と第２の面の金属薄膜の表面とがくっつくことによる、しわ、膜剥がれ等の不具合を防ぐことができ、両面積層基板の生産効率を低下させることのない金属薄膜積層基板の製造方法を提案する。
【解決手段】長尺のフィルム基板Ｆの両面に金属薄膜を真空成膜により成膜したのち、該金属薄膜の少なくとも一方の金属薄膜の表面に金属酸化物の薄膜を形成し、その後金属薄膜積層基板Ｆをロール状に巻き取ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐食性および導電性に優れる耐食導電性皮膜を提供する。
【解決手段】本発明の耐食導電性皮膜は、Ｐ、ＴｉおよびＯからなるアモルファス相を少なくとも一部に有してなる。この耐食導電性皮膜が基材表面に形成された耐食導電材は、従来になく優れた耐食性および導電性を発現する。特にＴｉ原子比（Ｔｉ／Ｔｉ＋Ｐ）が０．５〜０．８である場合やＮが導入された場合、その耐食導電性皮膜の耐食性は、導電性を低下させることなく著しく向上する。本発明の耐食導電性皮膜は、腐食環境下で高い導電性が要求される電極等に用いられると好ましい。例えば、本発明の耐食導電性皮膜により表面が被覆された燃料電池用セパレータは、耐食性および導電性に優れて好適である。 （もっと読む）

【課題】簡素な構成として、既存のスパッタ装置に容易に搭載可能であって、スパッタ源であるターゲットをスパッタ装置に取り付けた状態で、孔の開く直前の限界まで使用することが可能となるスパッタ源終端検出機構を提供する。
【解決手段】ターゲット終端検出器１０は、スパッタ装置のターゲットホルダ２５の表面に形成された溝２５ｃに収納されて、その上に載置されているターゲットＴ１の裏面に光を照射する導光体１１と、導光体１１に接続した光源１２とを備え、導光体１１は、ターゲットＴ１におけるスパッタ装置により消費される部位の裏側に配置され、ターゲットＴ１が薄肉化して孔の開く直前になると、導光体１１から発光した光がターゲットＴ１を透過して、表面側で検知されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング用分割ターゲット装置及びそれを利用したスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】ベースプレート１１０と、ベースプレートの一面に規則的な列をなして付着した複数の小片ターゲット１２０、及びベースプレートの他面に複数の小片ターゲットとそれぞれ対になって付着した複数の磁石１３０とを備えた複数のソースユニット１４０と、を備え、ソースユニットは、列の方向である第１方向と、それに垂直である第２方向との間の角度において相互平行に配列されたスパッタリング用分割ターゲット装置１００である。これにより、製造及び取扱の容易な小片ターゲットを使用しつつも均一な蒸着品質が得られ、結果的に、ディスプレイ装置の輝度を画面全体にわたって均一にしうる。 （もっと読む）

【課題】焼結後の冷却時における割れの発生を抑制することができる酸化物スパッタリングターゲット及びその製造方法並びにこれに用いる緩衝粉を提供すること。
【解決手段】焼結後の冷却時に膨張する金属酸化物粉を含む圧粉体を形成する工程と、該圧粉体を型内に配置し該型内の前記圧粉体の外周に緩衝粉を充填した状態で熱間加工して酸化物スパッタリングターゲットとなる酸化物焼結体４を作製する工程とを有し、緩衝粉３を、熱間加工時の加熱により焼結すると共に焼結後の冷却時に酸化物焼結体４の膨張により緩衝粉３による焼結体が割れる粉末とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程で高温下に曝された場合であっても、ヒロックの発生が抑制されて耐熱性に優れ、かつ膜自体の電気抵抗率が低く抑えられたＡｌ合金膜を有する半導体電極構造を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも、基板側から順に、高融点金属の窒化物薄膜と、Ａｌ合金膜とを備えた半導体電極構造であって、前記Ａｌ合金膜は、５００℃で３０分間保持する加熱処理を行った後に下記（ａ）〜（ｃ）を全て満たし、かつ膜厚が３００ｎｍ〜５μｍであることを特徴とする半導体電極構造。（ａ）Ａｌマトリックスの最大粒径が１μｍ以下（ｂ）ヒロック密度が１×１０^９個／ｍ^２未満（ｃ）電気抵抗率が１０μΩｃｍ以下 （もっと読む）

【課題】プラズマを用いて被処理基板に対してプラズマ処理を行なうプラズマ処理装置において、被処理基板載置部材の上に載置された被処理基板に傷が付くことを抑制する。
【解決手段】被処理基板１００に対してプラズマ処理を行なうプラズマ処理装置１Ａは、被処理基板載置部材５と、被処理基板載置部材５の表面５ａ上に設けられ、被処理基板載置部材５の上に載置された被処理基板１００を上方支持することによって、被処理基板１００と被処理基板載置部材５との間に隙間Ｓを形成する支持部材４と、被処理基板１００に面するようにプラズマを生成することによって、被処理基板１００にプラズマ処理を行なうプラズマ生成部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】分割ターゲット装置、及びそれを利用したスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】ベースプレートに規則的な列をなして付着した複数個の分割ターゲットを備え、分割ターゲット間の間隙が、列の方向である第１方向と、それに垂直な第２方向との間の角度に沿って配列される分割ターゲット装置である。かかる構造の分割ターゲット装置を利用してスパッタリングを行えば、製造と取扱とが容易な分割ターゲットを使用しつつも、基板上に均一な蒸着品質が得られ、結果的にディスプレイ装置の輝度を画面の全体にわたって均一にすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程で高温下に曝された場合であっても、ヒロックの発生が抑制されて耐熱性に優れ、かつ膜自体の電気抵抗率が低く抑えられた半導体装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】５００℃で３０分間保持する加熱処理を行った後に下記（ａ）〜（ｃ）を全て満たし、かつ膜厚が５００ｎｍ〜５μｍであることを特徴とする半導体装置用Ａｌ合金膜。（ａ）Ａｌマトリックスの最大粒径が８００ｎｍ以下（ｂ）ヒロック密度が１×１０^９個／ｍ^２未満（ｃ）電気抵抗率が１０μΩｃｍ以下 （もっと読む）

【課題】ロールツーロール技術において、作業の効率化、或いは、改善を更に図った成膜方法を提供する。
【解決手段】長尺の基体１０に連続的に真空成膜を行う方法であって、ロール状に巻かれた長尺の基体を第１ロール室Ｗ１から第２ロール室Ｗ２へ向う第１の方向に第１ロール室から繰り出す段階、第１の方向に繰り出された基体を脱ガスする段階、脱ガスされた基体の面に第２成膜室４２において第２の膜材料を成膜する段階、第２の膜材料が成膜された基体を第２ロール室で巻取る段階、第２ロール室で巻き取った基体を第２ロール室から第１ロール室へ向う第２の方向に第２ロール室から繰り出す段階、第２の方向に繰り出された基体の面に第１成膜室４１において第１の膜材料を成膜する段階、第２の膜材料の上に第１の膜材料が積層された基体を第１ロール室で巻取る段階、を備える。 （もっと読む）

【課題】バイポーラ型のＰＢＩＩ装置用電源を用いて低真空下での良好な非晶質炭素膜の成膜を可能とする成膜方法、および、該成膜方法で得られる非晶質炭素膜を提供する。
【解決手段】バイポーラ型のＰＢＩＩ装置用電源を用いた低真空下（１０００〜３００００Ｐａ程度）での非晶質炭素膜の成膜方法であって、チャンバー１内に、ＰＢＩＩ装置用電源６に接続される電源側電極３と、電極３と対向するアース側電極４とを設け、電源側電極３およびアース側電極４のいずれか一方に基材２を配置し、基材２と、基材２を配置しない電極との間において、希ガスと炭化水素系ガスのプラズマを発生させて、基材２の表面に非晶質炭素膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 低圧下でマイクロ波プラズマを生成可能なマイクロ波プラズマ生成装置、および表面の凹凸が小さい薄膜を形成可能なマグネトロンスパッタ成膜装置を提供する。
【解決手段】 マイクロ波プラズマ生成装置４は、マイクロ波を伝送する矩形導波管４１と、該マイクロ波が通過するスロット４２０を有するスロットアンテナ４２と、スロット４２０を通過した該マイクロ波が入射する誘電体部４３と、を備え、スロット４２０から誘電体部４３へ入射する該マイクロ波の入射方向は、マイクロ波プラズマＰ１が生成される誘電体部４３の表面４３０に平行である。マグネトロンスパッタ成膜装置１は、マイクロ波プラズマ生成装置４を備え、基材２０とターゲット３０との間にマイクロ波プラズマＰ１を照射しながら、マグネトロンプラズマＰ２による成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】高温特性がより一層優れた硬質皮膜を提供する。
【解決手段】硬質皮膜は、下記式（１ａ）で示されかつ厚さが１〜８０ｎｍである第１の層と、下記式（２ａ）で示されかつ厚さが１〜８０ｎｍである第２の層とが、交互に複数積層されたものである。
（Ｃｒ_(1-a)Ａｌ_a）（Ｃ_(1-x)Ｎ_x） …（１ａ）
（Ｚｒ_(1-k)Ｈｆ_k）（Ｃ_(1-y)Ｎ_y） …（２ａ）
［式中の添字は、原子比を示す；これら添字は、以下の関係を満足する；
０．２≦ａ≦０．８
０．７≦ｘ≦１
０≦ｋ≦１
０．５≦ｙ≦１ ］ （もっと読む）

【課題】 スパッタ法により良好にＮａ添加されたＧａ添加濃度１〜４０原子％のＣｕ−Ｇａ膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 スパッタリングターゲットのＦ，Ｓ，Ｓｅを除く金属成分として、Ｇａ：１〜４０ａｔ％、Ｎａ：０．０５〜２ａｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる成分組成を有し、Ｎａがフッ化ナトリウム、硫化ナトリウム、セレン化ナトリウムのうち少なくとも１種の状態で含有され、酸素含有量が１００〜１０００ｐｐｍである。 （もっと読む）

【課題】複数の成膜バッチを連続して安定に行うことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜プロセス領域及び反応プロセス領域が配置される成膜室に対し、開閉可能な隔絶手段１１ｂを介して接続されたロードロック室１１Ｂには、内壁面より内側を加熱可能な加熱装置９０が設けられ、ロードロック室１１Ｂ内を排気可能な真空ポンプ１５’が接続されている。ロードロック室１１Ｂには、ロードロック室１１Ｂの内部に浮遊する不純物成分としての水分を凝結捕捉可能なガス凝結捕捉装置７０を設ける。ガス凝結捕捉装置７０は、ロードロック室１１Ｂの内壁面付近に配置され、低温流体の、ロードロック室外からの導入とロードロック室内での循環を許容する配管７２を含み、低温流体を配管７２に導入し循環させることによって低温化した配管７２の外側表面にロードロック室１１Ｂの内部に浮遊する不純物成を凝結捕捉させる。 （もっと読む）

【課題】外部電極の電気的特性及び部品本体への密着力の双方が良好であり且つ小型化に適したチップ状電子部品を提供する。
【解決手段】内部電極１１が埋設された部品本体１０と該部品本体１０の外面に形成された外部電極２０とを備えたチップ状電子部品１において、外部電極２０は、少なくとも部品本体１０に接する部位において物理的蒸着法で形成されてなり且つ第１の電極材料２３と第２の電極材料２４とが混合された混合層２１を含み、該混合層２１は部品本体から離れるにしたがって第１の電極材料２３に対する第２の電極材料２４の混合率が漸小している。 （もっと読む）

【課題】 割れや、バッキングプレートやバッキングチューブに対する剥がれが生じ難いスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、ＣｕＧａ合金粉末とＣｕ粉末との混合粉末を、金属基体上に溶射してスパッタリングターゲットを形成する工程を有する。これによって作製されたターゲットは、互いに不定形なＣｕＧａ合金相と純Ｃｕ相とが、相互に食い込み合った組織を有している。 （もっと読む）

【課題】 機械加工性に優れ、主としてＣｕ，Ｇａを含有する化合物膜が成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のスパッタリングターゲットは、Ｇａ：２０〜４０ａｔ％、Ｓｂ：０．１〜３ａｔ％、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる成分組成を有する。このスパッタリングターゲットの製造方法は、少なくともＣｕ，ＧａおよびＳｂの各元素を単体またはこれらのうち２種以上の元素を含む合金として粉末とした原料粉末を作製する工程と、前記原料粉末を真空、不活性雰囲気、または還元性雰囲気で熱間加工する工程を有し、前記原料粉末に含まれるＧａがＣｕＧａ合金またはＧａＳｂ合金として含有されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性に優れ、苛酷な使用環境でも硼化物皮膜が剥離しないよう、高い密着強度を有した状態で被覆した被覆工具およびその製造方法を提供する。
【解決手段】工具の基材表面に中間皮膜を介して硬質皮膜を被覆した被覆工具であって、前記硬質皮膜は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒから選択される１種以上の元素の硼化物であって、六方晶の結晶構造であり、前記中間皮膜は、ＡｌｘＭｙからなる窒化物又は炭窒化物（但し、ｘ、ｙは原子比を示し、ｘ＋ｙ＝１００、かつ、４０≦ｘ≦９５、かつ、５≦ｙ≦６０、ＭはＴｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂから選択される１種以上）であり、前記基材側が立方晶の結晶構造、前記硬質皮膜側が六方晶の結晶構造である耐摩耗性に優れる被覆工具。硬質皮膜は、Ｔｉの硼化物であることが好ましい。中間皮膜は、基材側から硬質皮膜側に向けてＡｌの含有量が増加することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットを用いたときの成膜速度（スパッタレート）が高められ、好ましくはスプラッシュの発生を防止できるＡｌ基合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明のＡｌ基合金スパッタリングターゲットは、Ｔａを含有するものである。好ましくは、ＡｌおよびＴａを含むＡｌ−Ｔａ系金属間化合物の平均粒子直径は０．００５μｍ以上１．０μｍ以下で、且つ、Ａｌ−Ｔａ系金属間化合物の平均粒子間距離は０．０１μｍ以上１０．０μｍ以下を満足するものである。 （もっと読む）