【課題】グラフェントランジスタ及び電子機器に関し、グラフェン膜を用いたチャネル層の特性を各場所で最適化することにより、グラフェントランジスタの性能を向上する。
【解決手段】一層以上のグラフェンからなる炭素膜１２をキャリアが走行する能動領域とするとともに、前記能動領域を構成する前記炭素膜のキャリアの走行方向に垂直な方向の幅を場所によって変化させる。 （もっと読む）

【課題】電流利得、高周波特性が良好であり、かつ微細化することができるようにする。
【解決手段】基板１上に、コレクタ層３、ベース層４、エミッタ層およびキャップ層９を順次積層する。エミッタ層が、ベース層４に接したバリア層１４とキャップ層９に接したキャリア供給層１３との積層構造から形成されている。バリア層１４のバンドギャップが、キャリア供給層１３のバンドギャップよりも大きく、バリア層１４とキャリア供給層１３とが、タイプＩ型のヘテロ接合を形成している。キャリア供給層１３を構成する半導体が、不純物添加によって縮退している。 （もっと読む）

【課題】Ａｕの拡散を抑制して、電流利得が突然劣化するのを防止する。
【解決手段】基板１上にサブコレクタ層２を形成し、サブコレクタ層２上にコレクタ層３を形成し、コレクタ層３上にベース層４を形成し、ベース層４上にエミッタ層５を形成し、エミッタ層５上にエミッタコンタクト層６を形成し、エミッタコンタクト層６上にＴｉからなるコンタクト用金属層７を形成し、コンタクト用金属層７上にＷからなるＡｕ拡散防止用のバリアメタル層８を形成し、バリアメタル層８上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉからなる低抵抗金属層９を形成し、エミッタ層５、エミッタコンタクト層６およびコンタクト用金属層７、バリアメタル層８、低抵抗金属層９からなるエミッタ電極の側面を覆うシリコン窒化膜１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】高耐圧電子デバイスおよび耐環境電子デバイスを提供する。
【解決手段】本発明においては、ダイオードやトランジスタ等の電子デバイス中で電子が走行する領域に、高純度の酸化モリブデンであって、その禁制帯幅が３．４５ｅＶ以上であるような酸化モリブデンが用いられる。本発明によれば、高耐圧特性および高耐環境特性を有する電子デバイスが実現できる。 （もっと読む）

【課題】高周波用送信パワーアンプに適用されるヘテロ接合バイポーラトランジスタには、高耐圧性が要求される。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１０１上から順に、ｎ⁺型ＧａＡｓサブコレクタ層１０２と、ｎ型ＧａＡｓコレクタ層１０３と、ｐ型ＧａＡｓベース層１０４と、ｎ型ＩｎＧａＰエミッタ層１０５と、ｎ型ＧａＡｓエミッタキャップ層１０７よりドーピング濃度が低いｎ型ＧａＡｓ耐圧調整層１０６と、ｎ型ＧａＡｓエミッタキャップ層１０７と、ｎ⁺型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１０８とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路装置の高集積化及び低コスト化を可能にする複数のトランジスタセルを含む半導体装置を提供することを第１の目的とし、高密度に集積化された小型の半導体集積回路装置を安価に提供する。
【解決手段】基板上に、それぞれ第１層、ベース層、及び、第２層を順に有し、前記第１層、及び、前記第２層の一方がコレクタ層であり、他方がエミッタ層であるトランジスタセルを複数含み、前記各トランジスタセルの前記第１層に接続される第１電極が、前記第１層に形成されたエッチング溝に形成された半導体装置において、前記エッチング溝は、その長手方向に沿った側面が順メサ面となっており、複数のトランジスタセル間の前記第１電極が、前記各順メサ面に交差するように設けられた、まとめ配線によって接続される半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】製造工程数が増加するのを抑制しながら、第１素子のゲート電極および第２素子の電極部のそれぞれの側面を覆うサイドウォール絶縁膜の幅を異ならせることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置１００の製造方法は、シリコン基板１１の領域Ｂ上にゲート電極２８を形成する工程と、シリコン基板１１の領域Ａにスペーサ絶縁膜４２を、ゲート電極２８の側面および領域Ａを覆うように形成することにより、領域Ａを覆う保護膜と、ゲート電極２８の側面を覆う絶縁膜４２ａを形成する工程と、その後、領域Ａ上にエミッタ電極２５を形成する工程と、ゲート電極２８およびエミッタ電極２５を覆うようにシリコン酸化膜４９を形成する工程と、スペーサ絶縁膜４２およびシリコン酸化膜４９をエッチングすることにより、絶縁膜４２ａを覆う絶縁膜３０ａを形成するとともに、エミッタ電極２５の側面を覆うサイドウォール絶縁膜２６を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】レーザダイオード、トランジスタ、光検出器などの半導体構造に使用され、相分離を抑制または解消するとともに発光効率を向上させるIII族窒化物４元及び５元材料系並びに方法を提供する。
【解決手段】典型的な実施形態では、半導体構造は、ほぼ相分離なく形成された第１導電型のBAlGaN材料系を用いた４元材料層と、ほぼ相分離のないBAlGaN材料系を用いた４元材料活性層と、ほぼ相分離なく形成された逆導電型のBAlGaN材料系を用いた別の４元材料層を備えている。 （もっと読む）

【課題】 高周波特性を改善可能なＨＢＴを提供する。
【解決手段】 実施形態に係るグレーデッド層１Ｇとバラスト抵抗１Ｒとの間の界面近傍のエネルギー準位Ｅｃは、スムーズに連続している。これは、当該界面近傍におけるｎ型不純物濃度Ｃ_ＩＯＮを増加させたため、イオン化したドナー（正の電荷を有する）が界面近傍に存在しているためである。すなわち、ドナーのイオンは、この界面近傍においてポテンシャルの負方向に突出したスパイク状のポテンシャル障壁φ_{ＢＡＲＲＩＥＲ}を相殺している。したがって、室温におけるＨＢＴの抵抗値は低くなり、高周波特性が改善する。 （もっと読む）

【課題】 ＨＢＴのエミッタ層とエミッタキャップ層とのヘテロ接合界面におけるキャリアの空乏化の問題を解決すること。
【解決手段】 ＨＢＴのエミッタ層として働くｎ型ＩｎＧａＰ層７とその上に形成されるＧａＡｓ層８の間に、高ドープ層である電荷補償層１１を形成することでその界面におけるキャリアの空乏化の現象によるベース電流の増加を抑制し、ＨＢＴの低コレクタ電流での電流増幅率の低下を防ぐようにした。さらに、この空乏化の現象の影響を低減するために導入したｎ型不純物の量が多すぎてエミッタ−ベース間の逆方向の耐圧が低下することがないよう、ｎ型不純物の量を定量的に調整し、エミッタ−ベース間の逆方向の耐圧をたもちつつ、低コレクタ電流での電流増幅率の低下を防止するようにした。 （もっと読む）

【課題】電流利得が高いトランジスタ素子を提供する。
【解決手段】基板２上にヘテロバイポーラトランジスタ３が形成され、該ヘテロバイポーラトランジスタ３上に高電子移動度トランジスタ４が形成されたトランジスタ素子１において、上記ヘテロバイポーラトランジスタ３のベース層８の層厚が１２０ｎｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】コレクタ耐圧の低下を防止し、コレクタ抵抗を低減させることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半絶縁性ＧａＡｓ基板１０１の第１領域上に形成されたＨＢＴと、半絶縁性ＧａＡｓ基板１０１の第２領域上に形成されたＨＦＥＴとを備え、ＨＢＴは、第１領域上に順次形成された、第１導電型のエミッタ層１０３、エミッタ層１０３よりバンドギャップの小さい第２導電型のベース層１０４、第１導電型又はノンドープのコレクタ層１０５、及びコレクタ層１０５より高不純物濃度の第１導電型のサブコレクタ層１０６を有し、ＨＦＥＴは、エミッタ層１０３の一部により構成された電子供給層１１０と、電子供給層１１０の下方に形成されたチャネル層１０２とを有する。 （もっと読む）

【課題】有機金属気相成長法によるエピタキシャルウエハの製造において、原料の利用効率を向上させ、成長時間を短縮することによる生産性の向上により、低コスト化が可能な化合物半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の化合物半導体製造装置は、基板上に化合物半導体エピタキシャル層を成長させる有機金属気相成長装置であって、成長ガス流路を形成する上壁の一部として円板状のサセプタを有し、前記サセプタに対向して前記成長ガス流路の下壁を構成する対向板を有し、前記サセプタと同心円状に複数の前記基板を前記サセプタに配設し、かつ前記基板の成長面を前記成長ガス流路側に向けて支持し、前記対向板における前記サセプタ中心に対面する部分から成長ガスを導入し、前記サセプタの外側に向かって前記成長ガスを排気する構造において、
前記成長ガスの流量を15〜80 NL/minとし、前記成長ガス流路の高さを１〜30 mmに制御する構成とする。 （もっと読む）

【課題】二酸化ケイ素や窒化ケイ素など非常に薄い低応力誘電体材料と半導体層とで
形成された可とう性の膜で集積回路（２４、２６、２８、．．．３０）を製造する汎用手
法を提供する。
【解決手段】膜（３６）の半導体層中に半導体デバイス（２４、２６、２８．．．３
０）を形成する。最初に、標準厚さの基板（１８）から半導体膜層（３６）を形成し、次
いで、基板の薄い表面層をエッチングまたは研磨する。他のバージョンでは、ボンディン
グされた従来の集積回路ダイ用の支持および電気的相互接続として可とう性膜を使用し、
膜中の複数の層に相互接続部を形成する。１つのそのような膜に複数のダイを接続するこ
とができ、膜は次いでマルチチップ・モジュールとしてパッケージされる。 （もっと読む）

【課題】ベース・コンタクト（２１）が設けられたベース領域（１）と、ベース領域から少数キャリアを抽出するように構成されたエミッタ領域およびコレクタ領域（２、３）と、ベース・コンタクトを経由してベース領域内への少数キャリアの侵入を妨げるための排除構造とを有する縦型構造のバイポーラ・トランジスタを提供する。
【解決手段】ベース領域は、０．５ｅＶよりも大きいバンドギャップおよび１０^１７ｃｍ^−３よりも大きいドーピング・レベルを有する。ベースは、ベース・コンタクト（２１）からのキャリアの侵入を防止する排除用ヘテロ接合（４）を含むが、その代わりにベース領域は、「高−低」ドーピングホモ接合を備えている。当該構造は、マルチフィンガー・トランジスタにおいてさえも熱暴走に対して改善された抵抗を示す。このことは、高電力、高周波数トランジスタ、例えば、ヒ化ガリウムインジウム上のベース、に対して特に有用である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の耐湿性向上を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】半絶縁性基板であるＧａＡｓ基板４０において、素子形成領域にＨＢＴ３０を形成し、絶縁領域に素子分離領域４７を形成する。絶縁領域に形成される素子分離領域４７は、ＨＢＴ３０のサブコレクタ用半導体層４１とコレクタ用半導体層４２と同層の半導体層にヘリウムを導入することにより形成されている。外周領域において、保護膜５２、５５から露出するように導電層４９を形成し、この導電層４９を裏面電極と接続する。裏面電極にはＧＮＤ電位が供給されるので、導電層４９はＧＮＤ電位に固定される。この導電層４９は、ＨＢＴ３０のサブコレクタ用半導体層４１とコレクタ用半導体層４２と同層の半導体層により形成される。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れた半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。
【解決手段】半絶縁性ＩｎＰ基板１上にＩｎＧａＡｓバッファー層２、ＩｎＰサブコレクタ層３、ＩｎＧａＡｓコレクタコンタクト層４、ＩｎＰ層５、ＩｎＧａＡｓコレクタ層６、ＩｎＧａＡｓベース層７、薄膜ＩｎＰ層８を順次積層し、薄膜ＩｎＰ層８上にシリコン窒化膜９を堆積し、それの開口部内においてＩｎＰエミッタ層１０、ＩｎＰ層１１、ＩｎＧａＡｓエミッタコンタクト層１２を順次エピタキシャル再成長させ、エミッタコンタクト層１２表面全体を含むようにエミッタ電極メタル１３を形成し、シリコン窒化膜９を開口部周辺の一部を残して除去し、露出した薄膜ＩｎＰ層８を除去し、ベース層７を露出させる工程を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】期待される高周波特性を得ること、ならびに後続の回路で必要とされる駆動電流を得ることが可能なホットエレクトロントランジスタを提供する。
【解決手段】このホットエレクトロントランジスタ１００は、コレクタ層３と、ベース層５と、エミッタ層７と、コレクタ層３とベース層５との間に形成されたコレクタバリア層４と、ベース層５とエミッタ層７との間に形成されたエミッタバリア層６とを備えている。そして、エミッタバリア層６とエミッタ層７との間のエネルギー障壁は実質的に存在しないとともに、コレクタバリア層４のエネルギー障壁の高さはエミッタバリア層６のエネルギー障壁の高さよりも低い。 （もっと読む）

【課題】エミッタ領域とコレクタ領域の間に存在する転位欠陥を実質上含まないＳｉＧｅバイポーラ・トランジスタを形成する方法を提供すること。
【解決手段】（ａ）少なくともバイポーラ・デバイス領域を含む構造を設けるステップであって、前記バイポーラ・デバイス領域が、半導体基板内に形成された第１の伝導タイプのコレクタ領域を少なくとも含むステップと、
（ｂ）前記コレクタ領域上にＳｉＧｅベース領域を堆積させるステップであって、堆積中に炭素を、前記コレクタ領域の全体および、前記ＳｉＧｅベース領域の全体にわたって連続的に成長させるステップと、
（ｃ）前記ＳｉＧｅベース領域上に、パターン形成されたエミッタ領域を形成するステップとを含む方法。 （もっと読む）

【課題】バイポーラトランジスタおよびその製造方法に関し、エミッタ・ベース接合部における正孔に対する価電子帯端のエネルギー障壁を大きくするとともに、欠陥の少ないエミッタ・ベース接合部を形成してベース電流の再結合電流成分を抑えることで、電流増幅率を大きくすることができる。
【解決手段】Ｓｉ元素からなるコレクタ層と、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｃの元素から成るベース層と、Ｓｉ，Ｃの元素から成るＳｉＣｘ（ｘはＣの元素の組成比）を含むエミッタ層を備え、前記エミッタ層と前記ベース層との界面で、前記エミッタ層のＳｉＣｘはｘ＝０であり、前記エミッタ層と前記ベース層との界面から前記エミッタ層に向かう方向に、前記エミッタ層のＳｉＣｘのｘの値が増加することを特徴とする。 （もっと読む）