【課題】材料の遅延時間を監視することで、次工程での材料処理のスケジュールを調整可能にする基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板を処理する基板処理装置１００と、前記基板処理装置１００の少なくとも一台に接続される管理装置１０を含む基板処理システムであって、基板処理装置１００は、少なくとも基板処理の遅延許容時間を設定する操作画面を有し、材料処理の遅延時間を監視する遅延時間監視処理プログラムを実行して、前記基板処理装置１００における材料処理の遅延時間が遅延許容時間を超えた場合に警告を発すると共に管理装置１０に通知される。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハを非接触状態で持ち上げた際に半導体ウェーハが反ってしまったり自重で外周部が垂れ下がったりする場合にも、半導体ウェーハの水平方向の移動を規制する。
【解決手段】ベース部２０の中心領域２０ａに非接触式吸引保持部２１を備え、ベース部２０の外周領域２０ｂにワークＷの水平方向の移動を規制する規制部２２を備え、ワークＷとの接触面２２３ａを有する規制部２２は、接触面２２３をベース部２０に対して上下方向に移動可能に配設される。接触面２２３ａは、湾曲したワークＷの中央部上面よりも下に位置するワークの外周部上面Ｗ１に接触面２２３ａが接触する下位置と、下位置に位置づけられた接触面２２３ａがワークＷを介してテーブル５上に押し付けられることにより下位置から上方向に逃げる上位置との間で上下動することで、ワークＷを持ち上げた際にワークＷが反ってしまったりした場合でも、板状物の水平方向の移動を規制することができる。 （もっと読む）

【課題】熱処理プレートに基板を受け渡すときの基板の横滑りによる位置ずれが起きないようにして加熱処理の適正な処理が行われる熱処理装置（方法）を提供すること。
【解決手段】熱処理プレート６０の基板載置面と基板の裏面との間に第１の隙間距離をとるための伸縮自在な弾性部材からなる複数の第１の載置支持部材６４と、基板載置面と基板の裏面との間に前記第１の隙間距離よりも小さい隙間距離となる第２の隙間距離を設けるための複数の第２の載置支持部材６２と、熱処理プレート６０の基板載置面に設けられ前記基板の裏面との隙間の空間を吸引するための複数の吸引孔６３と、を備えて、前記吸引孔により第１の載置支持部材６４上に支持された基板を吸引することで第１の載置支持部材６４を収縮させて第２の載置支持部材６２に基板を支持させる。 （もっと読む）

【課題】平板状の基板を複数本の基板支持ハンドにより固定載置して搬送可能とする基板搬送台車において、基板の破損や基板へのキズや汚れ無しに、基板支持ハンド上の基板の位置を容易に修正または回転させることができるようにする基板搬送台車を提供すること。
【解決手段】基板支持ハンドが、基板載置状態を維持しつつ、載置した基板と基板支持ハンドとの相対位置を移動可能とする可動接触部を有効／無効の切り換え可能に有し、特に、ボールベアリングを平面配置した複数点からなる。 （もっと読む）

【課題】物体を載置するための開口が形成されたプレート開口の位置や形状などを算出することを可能にする。
【解決手段】計測方法は、移動体ＷＳＴ上に着脱可能に搭載され、物体を載置するための開口５０ａが形成されたプレート５０の一部を検出し、その検出結果に基づいて開口５０ａの内周エッジの位置情報を取得する内周エッジ位置取得工程を含む。これによれば、プレートの一部を検出し、その検出結果に基づいて開口の内周エッジの位置情報を取得することにより、該位置情報に基づいて、開口の位置や形状などを算出することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】処理ユニットの設置スペースを小さくして、装置の小型化を図ると共に、基板の処理時間の短縮化及び搬送時間の短縮化によりスループットの向上を図れるようにすること。
【解決手段】ウエハＷを加熱するための加熱部５０を形成する熱板５１と、熱板５１の下方に配設され、ウエハを冷却するための冷却部４０を形成する冷却プレート４１と、上下に配設された加熱部５０及び冷却部４０と対向する位置に配設され、ウエハＷに対して処理液の液膜を形成する複数の現像処理部６０と、冷却部４０及び現像処理部６０に対してウエハＷを搬入又は搬出するためのメインアームＡ１と、メインアームＡ１から受け取ったウエハＷを冷却部４０に受け渡すと共に、加熱部５０に近接する位置に移動する昇降可能な支持ピン８０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】タッチパネル電極層を下面にしてカラーフィルタ層を形成する基板を搬送し、複数の装置間での基板の受渡しをロボットハンドによって行う場合に、基板搬送面であるタッチパネル電極層の最表面である有機膜面の傷や汚れの発生を抑制するとともに、基板の受け渡しの位置ずれがなく安定して受け渡すことを可能とするリフトピンを備えた基板搬送装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、載置された基板を搬送するコロと、基板を前記コロの上方に持ち上げるリフトピンと、前記リフトピンが設けられた支持台を昇降する手段と、前記リフトピンの先端部に設けられ流体吹き出し孔と流体吸い込み孔を有する基板支持部と、前記流体吹き出し孔に流体を送り込む手段と、前記流体吸い込み孔から流体を吸い込む手段と、を備え、基板をリフトピン先端部に接することなく持ち上げることを特徴とする基板搬送装置。 （もっと読む）

【課題】 基板搬送用ロボットのフィンガーの変形を精度よく検出する。
【解決手段】 基板を保持可能なフィンガーを有した基板搬送用のロボット、及び、前記ロボットにより基板を搬出入させるための基板搬送口を備えた搬送チャンバと、前記基板搬送口に着脱可能に接続され、前記搬送チャンバ内部に連通する開口を有し、外部に対して密閉された内部空間を形成する筐体、及び、前記内部空間に挿入される前記フィンガーの変形を検出するための変位センサを備えたセンシングポートと、前記搬送チャンバに設けられる排気口を介して、前記搬送チャンバ及び前記筐体内部を排気する排気手段と、前記排気手段により前記搬送チャンバ及び筐体内部を減圧させた状態で、前記筐体の内部空間に挿入されたフィンガーの形状の前記変位センサによる検出結果を取得する制御手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】スループットを低下させることなく、かつ装置構成上の問題を伴うことなくフットプリントを小さくすることができ、かつ処理の自由度が高い、複数の処理ユニットを備えた処理装置を提供すること。
【解決手段】所定の方向Ｘの一方側へ被処理基板を移動させつつ、該被処理基板を処理する第１処理系統Ａと、第１処理系統Ａに対して所定の方向Ｘと直交する方向Ｙに空間４０を設けた状態で配置され、所定の方向Ｘの他方側へ被処理基板を移動させつつ、該被処理基板を処理する第２処理系統Ｂと、空間４０に配置され、水平支持される被処理基板を受け取り載置する載置部４１と、第１処理系統Ａの他方側の上流側処理ユニット２２、２１、３１と、一方側の下流側処理ユニット３２、２３との間に配置され、上流側処理ユニット２２、２１、３１から載置部４１へ、および載置部４１から下流側処理ユニット３２、２３へ被処理基板を搬送する搬送装置３３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板が収容されるチャンバに対して基板位置検出装置を高い位置決め精度で取り付けなくても、基板の位置を高い精度で検出できる基板位置検出装置を提供する。
【解決手段】サセプタを動かして基板載置部を撮像装置の撮像領域に位置させる工程と、処理容器内において撮像装置の撮像領域内に位置するように設けられる２つの第１位置検出マークであって、２つの第１位置検出マークの第１垂直二等分線がサセプタの回転中心を通る２つの第１位置検出マークを検出する工程と、サセプタにおいて基板載置部に対して設けられる２つの第２位置検出マークであって、２つの第２位置検出マークの第２垂直二等分線がサセプタの回転中心と基板載置部の中心とを通る２つの第２位置検出マークを検出する工程と、検出した２つの第１位置検出マーク及び２つの第２位置検出マークに基づいて基板載置部が所定の範囲に位置するかを判定する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】動作回数を重ねても、機構部の軸動作のズレが累積することを抑制できる基板処理技術を提供する。
【解決手段】基板処理レシピ記憶部と、当該基板処理装置を構成する機構部の原点出しを行うイニシャルレシピ記憶部と、イニシャル処理を行う基準回数を記憶するイニシャル基準記憶部と、実行済みの基板処理回数記憶部と、基板処理レシピを実行する基板処理実行部と、イニシャルレシピを実行するイニシャル処理実行部と、基板処理回数を更新する処理回数更新部と、基板処理回数記憶部に記憶した基板処理回数が、イニシャル基準記憶部に記憶した基準回数に達したか否かを判定する処理終了判定部と、イニシャル処理可能状態であるか否かを判定するイニシャル可否判定部とを備え、基板処理回数が前記基準回数に達すると当該基板処理装置における新たな基板処理開始を保留し、イニシャル処理可能状態になるとイニシャルレシピを実行するよう基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理されたウエハの異常原因を分析する。
【解決手段】クラスタ型のプラズマ処理システム１０に配置された２以上のプロセスモジュールの少なくともいずれかにおいてプラズマ処理されたウエハＷの異常原因分析方法であって、ウエハＷがフープ１１５ａ〜１１５ｃから搬出され、前記２以上のプロセスモジュールの少なくともいずれかに搬送された後、前記フープ１１５ａ〜１１５ｃに戻るまでの搬送経路の情報を前記ウエハＷ毎に該ウエハの識別情報に関連付けて記憶する記憶工程と、処理済のウエハＷの状態を検査する検査工程と、前記検査工程の結果、異常と判定されたウエハＷの前記記憶された搬送経路の情報と、正常と判定されたウエハＷの前記記憶された搬送経路の情報とを比較し、比較の結果に基づき異常原因の分析を行う異常分析工程と、を含む異常原因分析方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ウエハ表面から保護テープを精度よく剥離する保護テープ剥離方法および保護テープ剥離装置を提供する。
【解決手段】バックグラインド域を囲焼する環状凸部を裏面に残存形成されたウエハＷの当該環状凸部を第１保持テーブル６ａで吸着保持するとともに、環状凸部の内壁に近接する外周壁を有する第２保持テーブル６ｂを環状凸部内側の扁平凹部に挿入し、その扁平面を吸着保持した状態で、ウエハＷの表面の保護テープに剥離用の粘着テープＴを貼付け、当該粘着テープＴを剥離することにより，ウエハＷの表面から保護テープを一体にして剥離する。 （もっと読む）

【課題】高温ウエハを急速冷却し、ウエハズレ起因の異物発生を防止及び抑制できる真空処理装置及び処理方法を提供する。
【解決手段】本発明は被処理体を処理する処理室と、前記処理室で処理された高温の前記被処理体を冷却する冷却室と、真空搬送ロボットを内部に設置し前記処理室と前記冷却室とを接続した真空搬送室とを備える真空処理装置において、前記冷却室は、前記冷却室内を減圧にする排気手段と、前記冷却室にガスを供給するガス供給手段と、前記冷却室内の圧力を制御する圧力制御手段と、前記高温の被処理体を支持する支持手段と、前記支持手段に支持された被処理体を近接保持する載置台とを具備し、前記載置台は、前記載置台表面の温度を前記高温の被処理体を冷却できる温度に温調する温調手段を有し、前記支持手段は昇降速度可変手段を有することを特徴とする真空処理装置である。 （もっと読む）

【課題】 保持部材の姿勢に異常があるか否かを確実かつ容易に検出すること。
【解決手段】 保持部材であるフォーク３Ａを前進させたときに、当該フォーク３Ａがその前を通過するように、フォーク３Ａの進行方向に対して側方にラインセンサ４を設ける。そして、フォーク３Ａをラインセンサ４に対して進退させたときに、当該フォーク３Ａの上下方向の位置と、フォーク３Ａの進退方向の位置とを対応付けたデータを取得する。この取得されたデータに基づいて前記進退方向の位置に対して上下方向の位置を二次微分した値を演算し、この値に基づいて保持部材の姿勢の異常の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】 研削面に研削屑等のコンタミの付着を防止可能なウエーハ搬送機構を提供することである。
【解決手段】 ウエーハを保持して搬送するウエーハ搬送機構であって、アームと、該アームの先端に弾性支持手段を介して支持されたウエーハを吸引保持する保持パッドとを具備し、該保持パッドは、ウエーハの外周を吸引保持する環状の吸引保持部と、該環状の吸引保持部に囲繞され吸引保持されたウエーハとの間で空間を形成する凹部と、該凹部に液体を供給する液体供給部と、該凹部から液体を排出する該環状の吸引保持部に形成され排出部と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板貼り合わせ装置構造を簡略化して、基板位置合せ精度を高める。
【解決手段】移動可能な第１ステージと、第１ステージ上に配され、第１ステージに対して移動可能であって、基板を支持する第２ステージと、第１ステージに配され、基板を誘導加熱する誘導加熱部とを備えるステージ装置が提供される。本体に対する第１ステージ可動範囲は、第１ステージに対する第２ステージの可動範囲よりも大きくてもよい。第２ステージは、第１ステージに駆動されるステージ本体と、ステージ本体に対してエアギャップを有して保持され、誘導加熱部の電磁誘導により加熱されて基板に伝熱する発熱体とを有してもよい。 （もっと読む）

【課題】基板の搬送経路を複数有する処理部であっても、当該処理部から本装置とは別体の露光機へ基板を搬送する順番を好適に管理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理部３は、基板Ｗを略水平方向に搬送しつつ基板Ｗに処理を行う基板処理列Ｌｕ、Ｌｄを上下方向に設けて構成される。ＩＦ部５は、各基板処理列Ｌｕ、Ｌｄから払い出された基板Ｗを、本装置１０とは別体の露光機ＥＸＰに搬送する。ここで、露光機ＥＸＰに搬送する基板Ｗの順序（順番ＯＥ）は、処理部３に搬入された基板の順番ＯＡどおりである。このように基板処理列Ｌｕ、Ｌｄを上下方向に設けているので、フットプリントを増大させることなく、本装置１０のスループットを大きく向上できる。また、露光機ＥＸＰに搬送する基板Ｗの順番ＯＥは、処理部３に搬入された基板Ｗの順番ＯＡと一致するので、各基板Ｗを容易に管理することができる。 （もっと読む）

【課題】成膜時に半導体ウエハの内周部の温度分布をより均一化することができるとともに、可動部材上への膜の成長を防止することができる支持台を提供する。
【解決手段】成膜時にウエハ７０が載置される支持台であって、載置部材４０と可動部材３０を備えている。載置部材４０は、ウエハ７０が載置されるときに、ウエハ７０の裏面の外周部を支持する第１支持面４４を備えている。可動部材３０は、ウエハ７０を搬送するときに、ウエハ７０の裏面の外周部を支持する第２支持面３４を備えている。第２支持面３４は、第１支持面４４の内周端４４ａよりも外周側に位置している。可動部材３０は、上部位置と下部位置との間を移動可能である。第１支持面４４に支持されたウエハ７０を平面視したときに、可動部材３０全体がウエハ７０と重なる範囲内に位置する。 （もっと読む）

【課題】 反りが発生している半導体ウエハの下面全面を吸着テーブル上に確実に吸着させる。
【解決手段】 反りが発生している半導体ウエハ２１Ａを吸着テーブル５７の上面に載置する。次に、吸着テーブル５７上に載置された半導体ウエハ２１Ａ上の封止膜１１上にフィルム７９を半導体ウエハ２１Ａおよびその周囲における吸着テーブル５７を覆うように載置する。次に、吸着テーブル５７の吸引孔５７ａが減圧状態になると、フィルム７９下の空気が吸引孔５７ａ内に吸引され、フィルム７９下が減圧状態となり、フィルム７９で半導体ウエハ２１Ａを全面的に押え付けることにより、半導体ウエハ２１Ａがその反りを矯正されて吸着テーブル５７の上面に吸着される。 （もっと読む）