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Fターム[5F031GA43]の内容

ウエハ等の容器、移送、固着、位置決め等 (111,051) | 移送装置、手段 (13,292) | アーム部 (5,670) | 駆動機構 (1,726) | リンク機構 (995)

Fターム[5F031GA43]に分類される特許

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【課題】レジスト膜の除去断面の傾斜がなだらかになるダレ現象の発生を防止して、周辺露光精度を向上させることができる周辺露光装置及びその方法を提供すること。
【解決手段】ウエハWに形成されるレジスト膜のパターン領域Pの周辺に形成される周辺領域Eを露光する周辺露光装置であって、光束を照射するための光源と、光源により照射された光束のうち少なくとも一部を遮光可能であって、透光領域のウエハの周方向の幅及び周方向と直交する方向の幅を可変可能に形成する液晶シャッタ50と、制御部と、を具備し、制御部からの信号に基づいて、液晶シャッタを制御して、透光領域B1を形成して、周辺領域内のパターン領域側に近接する位置に設定される開始位置Sに、周方向と直交する方向の幅L1が最も広い光束を照射し、透光領域B1の外周側に透光領域B2を形成して露光処理を行う。 (もっと読む)


【課題】真空ロボットによる試料搬送時の位置ずれを補正するための簡単な機構を備えた検査装置を提供する。
【解決手段】試料ステージのロードポジション(XL,YL)及びアンロードポジション(XU,YU)と、プリアライナの回転角(θL)を保存する。プリアライナ上のウエハを基準方位に対して回転角(θL)だけ回転させるプリアライメントを実行し、更に、プリアライナに対するウエハの偏心量(Δx1,Δy1)を測定する。この偏心量(Δx1,Δy1)に基づいて、試料ステージのロードポジション(XL,YL)を補正する。 (もっと読む)


【課題】ダミーウェハを適切に使用することで生産処理とダミー処理とを効率よく実行する基板処理装置を提供する。
【解決手段】ダミー基板と製品基板とを含む基板に処理を施す複数の処理室と、前記各処理室へ基板を基板保持部に保持して搬送する第一搬送手段を備えた第一搬送室と、大気圧状態で基板を搬送する第二搬送手段を備えた第二搬送室と、前記第一搬送室と前記第二搬送室を連結する減圧可能な予備室と、前記搬送室と前記予備室に対して設けられる排気手段と、複数の基板が収納された基板収納手段と前記処理室との間の前記第一搬送手段および前記第二搬送手段の搬送を制御する制御手段とを設けた基板処理装置である。前記制御手段は、複数のダミー基板の使用状態を個別に管理し、ダミー基板の使用状態が予め定められた使用状態に達したか否かを判定する。 (もっと読む)


【課題】基板ホルダの識別情報を管理して、基板貼り合せ装置の故障を防止する。
【解決手段】複数の基板を貼り合わせる基板貼り合わせ装置であって、複数の基板をそれぞれ保持し、固有の識別情報が割り当てられた複数の基板ホルダと、前記複数の基板ホルダに保持された前記複数の基板を貼り合わせる貼り合わせ部と、前記複数の基板ホルダに割り当てられた前記識別情報を認識する認識部と、前記認識部により認識された識別情報が重複する場合に、その旨を出力する出力部とを備える基板貼り合わせ装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】搬送手段によりウエハを搬送する製造ラインであって、制御がより簡単な製造ラインを提供する。
【解決手段】循環する経路に沿ってウエハを搬送する搬送手段と、複数の加工装置と、各ウエハの周回数をカウントする周回数カウント手段と、加工を行う周回数を記憶している記憶手段と、制御手段を備えている。前記経路上には、加工装置毎に判定領域が設けられている。制御装置は、各加工装置と搬送手段を、(1)判定領域内に位置するウエハの周回数がその判定領域に対応する加工装置で加工を行う周回数と一致しているときに、その加工装置によって加工を行ってからそのウエハを下流側に送り出し、(2)判定領域内に位置するウエハの周回数がその判定領域に対応する加工装置で加工を行う周回数と一致していないときに、その加工装置によって加工を行わないでそのウエハを下流側に送り出すように制御する。 (もっと読む)


【課題】リンクアーム機構を有する搬送装置において、特にリンクアーム機構を冷却し、高温状態のワークからの輻射熱の影響を減少させることができる搬送装置を提供する。
【解決手段】搬送装置100は、真空空間内においてワーク200を搬送するためのリンクアーム機構2と、リンクアーム機構2を鉛直軸周りに回転可能に軸支する旋回軸3と、を備える搬送装置であって、リンクアーム機構2は、下段アーム31L・31Rと、下段アーム31L・31Rと連結される上段アーム33L・33Rと、上段アーム33L・33Rの他端と連結されるワーク200を支持する水平移動部材22L・22Rと、を有し、上段アーム33L・33Rと水平移動部材22L・22Rとの間に冷却板25L・25Rを配置した。 (もっと読む)


【課題】材料の遅延時間を監視することで、次工程での材料処理のスケジュールを調整可能にする基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板を処理する基板処理装置100と、前記基板処理装置100の少なくとも一台に接続される管理装置10を含む基板処理システムであって、基板処理装置100は、少なくとも基板処理の遅延許容時間を設定する操作画面を有し、材料処理の遅延時間を監視する遅延時間監視処理プログラムを実行して、前記基板処理装置100における材料処理の遅延時間が遅延許容時間を超えた場合に警告を発すると共に管理装置10に通知される。 (もっと読む)


【課題】位置計測用のマークが存在しない移動体の位置を管理することを可能にする。
【解決手段】 所定形状のプレート50が着脱可能に搭載された移動体WSTの位置をその移動座標系を規定する計測装置18等で計測しつつ、プレート50の一部をアライメント系ALGで検出するとともにその検出結果と対応する前記計測装置の計測結果とに基づいてプレート50の外周エッジの位置情報を取得する。このため、その移動体WST上に位置計測用のマーク(基準マーク)などが存在しなくても、プレートの外周エッジの位置情報に基づいて、プレートの位置、すなわち移動体の位置を前記計測装置で規定される移動座標系上で管理することが可能になる。 (もっと読む)


【課題】コンパクトに構成され、且つ、半導体ウエハを収納する収納容器の清浄度を正しく検査することのできる信頼性の高い半導体ウエハ収納容器検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】収納容器を搬送する搬送ロボット46と、搬送ロボット46により搬送された収納容器を保持して回動させる容器回動ユニット48と、収納容器の開口部に装着される蓋を開閉する蓋開閉ユニット50と、収納容器の内部に検査液を供給する検査液供給ユニット52と、収納容器の内部に供給された検査液をサンプリングするサンプリングユニット54と、サンプリングされた検査液の清浄度を検査する検査ユニットと56を備え、容器回動ユニット48は、検査液が供給された収納容器を回動させ、サンプリングユニット54は、回動された後の収納容器から検査液をサンプリングして検査ユニット56に供給する。 (もっと読む)


【課題】動作回数を重ねても、機構部の軸動作のズレが累積することを抑制できる基板処理技術を提供する。
【解決手段】基板処理レシピ記憶部と、当該基板処理装置を構成する機構部の原点出しを行うイニシャルレシピ記憶部と、イニシャル処理を行う基準回数を記憶するイニシャル基準記憶部と、実行済みの基板処理回数記憶部と、基板処理レシピを実行する基板処理実行部と、イニシャルレシピを実行するイニシャル処理実行部と、基板処理回数を更新する処理回数更新部と、基板処理回数記憶部に記憶した基板処理回数が、イニシャル基準記憶部に記憶した基準回数に達したか否かを判定する処理終了判定部と、イニシャル処理可能状態であるか否かを判定するイニシャル可否判定部とを備え、基板処理回数が前記基準回数に達すると当該基板処理装置における新たな基板処理開始を保留し、イニシャル処理可能状態になるとイニシャルレシピを実行するよう基板処理装置を構成する。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理されたウエハの異常原因を分析する。
【解決手段】クラスタ型のプラズマ処理システム10に配置された2以上のプロセスモジュールの少なくともいずれかにおいてプラズマ処理されたウエハWの異常原因分析方法であって、ウエハWがフープ115a〜115cから搬出され、前記2以上のプロセスモジュールの少なくともいずれかに搬送された後、前記フープ115a〜115cに戻るまでの搬送経路の情報を前記ウエハW毎に該ウエハの識別情報に関連付けて記憶する記憶工程と、処理済のウエハWの状態を検査する検査工程と、前記検査工程の結果、異常と判定されたウエハWの前記記憶された搬送経路の情報と、正常と判定されたウエハWの前記記憶された搬送経路の情報とを比較し、比較の結果に基づき異常原因の分析を行う異常分析工程と、を含む異常原因分析方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】高温ウエハを急速冷却し、ウエハズレ起因の異物発生を防止及び抑制できる真空処理装置及び処理方法を提供する。
【解決手段】本発明は被処理体を処理する処理室と、前記処理室で処理された高温の前記被処理体を冷却する冷却室と、真空搬送ロボットを内部に設置し前記処理室と前記冷却室とを接続した真空搬送室とを備える真空処理装置において、前記冷却室は、前記冷却室内を減圧にする排気手段と、前記冷却室にガスを供給するガス供給手段と、前記冷却室内の圧力を制御する圧力制御手段と、前記高温の被処理体を支持する支持手段と、前記支持手段に支持された被処理体を近接保持する載置台とを具備し、前記載置台は、前記載置台表面の温度を前記高温の被処理体を冷却できる温度に温調する温調手段を有し、前記支持手段は昇降速度可変手段を有することを特徴とする真空処理装置である。 (もっと読む)


【課題】 研削面に研削屑等のコンタミの付着を防止可能なウエーハ搬送機構を提供することである。
【解決手段】 ウエーハを保持して搬送するウエーハ搬送機構であって、アームと、該アームの先端に弾性支持手段を介して支持されたウエーハを吸引保持する保持パッドとを具備し、該保持パッドは、ウエーハの外周を吸引保持する環状の吸引保持部と、該環状の吸引保持部に囲繞され吸引保持されたウエーハとの間で空間を形成する凹部と、該凹部に液体を供給する液体供給部と、該凹部から液体を排出する該環状の吸引保持部に形成され排出部と、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板貼り合わせ装置構造を簡略化して、基板位置合せ精度を高める。
【解決手段】移動可能な第1ステージと、第1ステージ上に配され、第1ステージに対して移動可能であって、基板を支持する第2ステージと、第1ステージに配され、基板を誘導加熱する誘導加熱部とを備えるステージ装置が提供される。本体に対する第1ステージ可動範囲は、第1ステージに対する第2ステージの可動範囲よりも大きくてもよい。第2ステージは、第1ステージに駆動されるステージ本体と、ステージ本体に対してエアギャップを有して保持され、誘導加熱部の電磁誘導により加熱されて基板に伝熱する発熱体とを有してもよい。 (もっと読む)


【課題】巻き乱れなどの不具合なくロール巻きした原反テープをナイフエッジに導いて、その供給過程で基板形状に切断した両面粘着テープ片をキャリアテープから剥離して基板に精度よく貼付けることができる。
【解決手段】長尺のキャリアテープctに長尺の両面粘着テープtを貼合わせた原反テープTをナイフエッジ14に導いて折り返し走行させるとともに、ナイフエッジ14の手前において、両面粘着テープtをキャリアテープct上において基板形状に対応した形状のトムソン刃11によって切断し、原反テープTをナイフエッジ14において折り返し走行させることで、基板形状に切断された両面粘着テープ片taをキャリアテープctから剥離し、剥離した両面粘着テープ片taを剥離速度と同調して相対走行される基板に貼付けてゆく。 (もっと読む)


【課題】可動の支持部により基板を支持しながら、基板を支持する構成の軽量化を図ること。
【解決手段】基板を支持する支持手段と、前記支持手段を所定の基板受け渡し地点に移動させる移動手段と、を備えた基板搬送装置であって、前記支持手段は、前記基板を支持する支持位置と基板の支持を解除する支持解除位置との間で移動可能な可動支持部を少なくとも含み、前記基板を支持する複数の支持部と、前記可動支持部を、前記支持位置に位置させる方向に付勢する付勢手段と、を含み、前記基板搬送装置は、更に、前記基板受け渡し地点に配置され、前記付勢手段の付勢力に抗して前記可動支持部を前記支持位置から前記支持解除位置に移動する支持部移動手段を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】搬送チャンバー内にシリコン基板を搬送したときに、シリコン基板が面内温度分布に起因して反ることがない真空処理装置の提供。
【解決手段】真空雰囲気でシリコン基板26に回路を形成する複数の処理を、それぞれ順次実行する為の複数のプロセスチャンバー2〜5と、複数のプロセスチャンバー2〜5に隣接し、シリコン基板26をプロセスチャンバー2〜5内へ搬入しプロセスチャンバー2〜5内から搬出する搬送機構19を有する搬送チャンバー1とを備える真空処理装置。ガスを吹き出す吹出口22〜25と、搬送チャンバー1内のガスを外部へ排気する排気口31とを搬送チャンバー1内に備え、搬送機構19がプロセスチャンバー22〜25から搬出し停止させたシリコン基板26へ吹出口22〜25からガスを吹出させる構成である。 (もっと読む)


【課題】単一のセンサを利用してハンドに載置したウェーハの位置と正規の載置位置との差異を正確に求める。
【解決手段】XY座標系上で移動するハンド23に着脱可能に取り付けた治具5を用いて、単一のセンサ6に対するウェーハの半径Wを算出し、その半径の値Wを利用してハンドに載置したウェーハの位置と正規の載置位置との差異を求める。具体的には、円盤状搬送対象物の半径Wと同一の半径Wであり且つ中心51aをX軸上に一致させた第1部分円弧部51のセンサ6に対する通過距離と、円盤状搬送対象物の半径Wと同一の半径Wであり且つ中心52aをY軸方向に所定寸法変位させた第2部分円弧部52のセンサ6に対する通過距離と、中心51a,52a間のY軸方向の変位量ΔYaとを利用してセンサ6に対するウェーハの計算上の半径Wを算出する。 (もっと読む)


【課題】ウエハ処理の効率化を図り、真空処理室あるいは搬送中継室内の雰囲気ガスが他の真空搬送室あるいは搬送中継室内に流出することによる汚染を抑制する。
【解決手段】被処理基板をロック室に搬送する大気搬送装置を収容した大気搬送室106と、第1の真空処理装置を備え、前記ロック室にある被処理基板を前記第1の処理装置に搬入、搬出する第1の搬送装置を備えた第1の真空搬送室104と、第2の真空処理装置を備え、処理基板を前記第2の処理装置に搬入、搬出する第2の搬送装置を備えた第2の真空搬送室111と、第1の真空搬送室と第2の真空搬送室の間で被処理基板を受け渡しするための搬送中継室112と、前記第1および第2の真空搬送室にガスを供給するとともに、前記処理室、第1および第2の真空搬送室、および搬送中継室のガスを排気するガス供給系を備え、前記真空搬送室のガス圧は、真空処理室および搬送中継室よりも高く設定する。 (もっと読む)


【課題】単一のセンサを利用してハンドに載置したウェーハの位置と正規の載置位置との差異を正確に求め、ウェーハを正確に搬送する。
【解決手段】ハンドに載置したウェーハ7のセンサ6に対する通過距離と、ハンド上における正規の載置位置に載置保持したウェーハ7がセンサ6を通過する距離と、ウェーハの半径とを利用して、ハンドに載置したウェーハ7の位置と正規の載置位置との差異を求める載置位置差異算出手段42と、その差異を旋回軸31a及びアーム2のロボット動作極座標系における補正値に変換して算出する補正値算出手段43と、その補正値を出力する補正値出力手段44とを有する搬送ロボット1とした。 (もっと読む)


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