【課題】良質な配線構造、及びその形成方法を提供する。
【解決手段】第１の導電材及び第１の絶縁層を有する第１の配線層と、前記第１の絶縁層上の第２の配線層とを備え、前記第２の配線層は第２の絶縁層と、ヴィア及びトレンチを有する開口部とを有し、前記開口部は、第２の導電材と、前記第２の導電材と、前記第２の絶縁層との間の２層以上のバリア層とを有し、前記第２の導電材は、前記第１の導電材と電気的に接続され、前記２層以上のバリア層は、前記開口内の前記第２の絶縁層と第１のバリア層とが接触し、且つ前記第１のバリア層とＭｎＯ_ｘ含有バリア層とが接触する領域と、前記第２の絶縁層と前記ＭｎＯ_ｘ含有バリア層が接触する領域とを有する。 （もっと読む）

本方法は、例えば相互接続ラインを形成するために、薄い結晶（８）のシートを、基板（１）のトレンチに堆積される、このシートと同一のタイプであるが、アモルファスであるか小さな粒径である金属（６）に固定することを含む。焼鈍しは、このラインにシートの結晶構造を徐々に与える。結晶（８）が除去されると、高度の導電結晶ラインが得られる。それは、その粒径が非常に拡大されているからである。金属は、銅、銀及びアルミニウムから選択される。
（もっと読む）

【課題】配線構造におけるクリティカルディメンションの制御性を向上させる。
【解決手段】配線構造の製造方法が提供される。本発明の一態様によれば、絶縁層内に溝またはビアが形成される際、別のビアおよび／または溝の側壁面が金属酸化層で覆われている。金属酸化層は、側壁面の侵食を防止するおよび／または抑制することができる。その結果、方法は、ビアおよび溝のクリティカルディメンションの制御性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板と、半導体基板の第１面側に形成された半導体素子と、半導体基板の第１面側に形成されて半導体素子と電気的に接続された配線を有する配線層と、半導体基板の第１面側に形成された電極パッド部と、半導体基板の第１面からその反対側の第２面まで貫通する貫通孔内に形成された貫通電極とを備え、前記電極パッド部は、半導体基板の第１面に部分的に積層された単一導電層と、単一導電層に積層された混成導電層とを有し、前記単一導電層は、貫通電極と電気的に接続する導電領域部からなり、前記混成導電層は、単一導電層と前記配線とを電気的に接続する導電領域部と、単一導電層と配線とを電気的に絶縁する絶縁領域部とが混成されてなる半導体装置。 （もっと読む）

【課題】基板の表裏を導通する導通部における電気特性を向上した貫通電極基板及びそれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の貫通電極基板１００は、表裏を貫通する貫通孔１０４を有する基板１０２と、貫通孔１０４内に充填される金属材料を含む導通部１０６と、を備え、導通部１０６の一端は、導通部１０６の他端より面積重み付けした平均結晶粒径が大きい金属材料を少なくとも含む。また、導通部１０６は、結晶粒径が１３μｍ以上の金属材料を含む。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域に印加される応力分布のピークとソース領域近傍に発生する電位分布のピークの位置を最適化することで、キャリア速度を向上させて飽和電流特性を向上させることを可能にする。
【解決手段】半導体基板１１に形成されたチャネル領域１２と、前記チャネル領域１２の一方側に形成されたソース領域１９と、前記チャネル領域１２の他方側に形成されたドレイン領域２０と、前記チャネル領域１２上にゲート絶縁膜１３を介して形成されたゲート電極１４と、前記チャネル領域１２に応力を印加する第１、第２応力導入層２１、２３を有し、前記チャネル領域１２と前記ソース領域１９とのｐｎ接合境界と、前記チャネル領域１２と前記ドレイン領域２０とのｐｎ接合境界の間に、前記ソース領域１９側の応力分布のピークと前記ドレイン領域２０側の応力分布のピークが位置する。 （もっと読む）

【課題】Ｒｕ含有膜の表面に形成される金属含有膜の成膜性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、以下の工程を含むものである。基板（半導体素子や層間膜が形成された半導体基板など）にＲｕ含有膜を形成する工程（Ｓ１００）、Ｒｕ含有膜の表面と接するように、Ｒｕより酸化還元電位が低い金属を含有する膜を形成する工程（Ｓ１０２）、基板をめっき液に浸漬させて、当該膜にめっき液を接触させる工程（Ｓ１０４）、基板をめっき液に浸漬させた状態で、当該膜を電気分解により除去してＲｕ含有膜を露出させるとともに、露出したＲｕ含有膜の表面に金属含有膜を電解めっきにより形成する工程（Ｓ１０６）。 （もっと読む）

【課題】自己整合的にバリア膜を形成する配線構造の信頼性を向上できるようにする。
【解決手段】半導体基板の上に酸素及び炭素を含む層間絶縁膜１１を形成し、該層間絶縁膜１１に溝部１３を形成し、溝部１３の底面上及び側壁上に所定の第１の金属元素及び第２の金属元素を含む補助膜１４を形成し、熱処理を行い、銅を主成分とする配線本体層１９を、溝部１３の内部を埋め込むように形成する。熱処理を行うことにより、補助膜１４中の第１の金属元素を補助膜１４と対向する層間絶縁膜１１に拡散させ、溝部１３の底面及び側壁における層間絶縁膜１１の上において、第１の金属元素と層間絶縁膜１１の酸素元素との化合物を主成分とする第１のバリア膜１５を形成させた後、補助膜１４中の第２の金属元素が補助膜１４と対向する層間絶縁膜１１に拡散させ、第２の金属元素と層間絶縁膜１１の炭素元素との化合物を主成分とする第２のバリア膜１７を形成する。 （もっと読む）

【課題】バリアメタルの被覆性を向上させる。
【解決手段】本発明の半導体装置は、キャップ絶縁膜１ｄ上に形成された絶縁膜と、絶縁膜に形成された配線溝と、配線溝の底面に形成されたビア孔と、少なくともビア孔の側壁を覆うバリアメタル膜と、を有する。ビア孔は、径が異なる複数の孔から構成されており、複数の孔は、下に向けて径が小さくなるように深さ方向に接続し、複数の孔の接続部にキャップ絶縁膜に対してほぼ平行な面を有する。 （もっと読む）

【課題】配線層にスリットを設けたり、下層に位置する配線層にライン幅及びスペース間隔の比率を制限したりすることなく、ＳＯＧ膜を含む層間絶縁膜におけるクラックの発生を防止する。
【解決手段】下地絶縁膜３上に第１配線層５が形成されている。下地絶縁膜３上及び第１配線層５上に第１層間絶縁膜７が形成されている。回転塗布法及びエッチバック処理により第１層間絶縁膜７上に第２層間絶縁膜９が形成されている。第１層間絶縁膜７上及び第２層間絶縁膜９上に第３層間絶縁膜１１が形成されている。第３層間絶縁膜１１上に第２配線層１３が形成されている。第１配線層５のうち幅寸法が１０.０μｍ以上の幅広第１配線層５に対して、第２配線層１３のうち幅寸法が１０.０μｍ以上の幅広第２配線層１３は、上方から見て、幅広第１配線層５と１.０μｍ以上の重なりをもって配置されているか、幅広第１配線層５とは２.０μｍ以上の間隔を設けて配置されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁破壊に至らない微量の電荷の蓄積を抑制した半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１１の上に形成された半導体素子１及び保護ダイオード２を備えている。半導体基板１１の上には、半導体素子１及び保護ダイオード２を覆うように第１の層間絶縁膜２２が形成されている。第１の層間絶縁膜２２には、半導体素子１と電気的に接続された第１のプラグ２５と、保護ダイオード２と電気的に接続された第２のプラグ２３、２４とが形成されている。第２のプラグ２３、２４の上面の面積は、第１のプラグ２５の上面の面積よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】配線材との密着性が良く、バリア性の高い金属膜をもつ半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁膜、金属からなるバリアメタル膜、及びＣｕ配線金属膜がこの順で積層された積層構造を具備してなり、バリアメタル膜の酸化物のＸ線回折測定による回折強度が、バリアメタル膜とＣｕ配線金属膜との化合物の回折強度の１０倍以下である。 （もっと読む）

【課題】 相互接続構造の信頼性及び拡張性を改善する相互接続構造のための冗長金属拡散バリア層を提供する。
【解決手段】 冗長金属拡散バリア層は、誘電体材料内に設けられた開口内に配置され、且つ開口内に存在する拡散バリア層及び導電性材料の間に配置される。冗長拡散バリア層は、Ｒｕ並びに純粋なＣｏ若しくはＮ，Ｂ及びＰのうちの少なくとも１つを含むＣｏ合金からなる単層若しくは多層構造である。 （もっと読む）

【課題】
ボディ・コンタクトを半導体オン・インシュレータ・デバイスに設け、それにより、デバイスに寄生容量の低減をもたらすこと。
【解決手段】
１つの実施形態において、本発明は、絶縁層の上を覆うように配置された半導体層を含む基板であって、半導体層は、半導体ボディと、半導体ボディの外周の周りに存在する分離領域とを含む基板と、基板の半導体層の上を覆うゲート構造体であって、半導体ボディの上面の第１の部分上に存在するゲート構造体と、非シリサイド半導体領域によって半導体ボディの第１の部分から分離される半導体ボディの第２の部分と直接物理的に接触しているシリサイド・ボディ・コンタクトとを含む、半導体デバイスの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕとの密着性を良好とすることが可能な酸化マンガン膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】 酸化物１０２上にマンガンを含むガスを供給し、酸化物１０２上に酸化マンガン膜１０３を形成する酸化マンガン膜１０３の形成方法であって、酸化マンガン膜１０３を形成する際の成膜温度を、１００℃以上４００℃未満とする。 （もっと読む）

【課題】貫通電極を備える半導体装置、及びその製造方法が提供される。
【解決手段】本発明は、パッド４０８が含まれた基板４０２ｓの一部を除去してビアホール４２０を形成する。前記基板の上に絶縁膜４１０を形成する。前記絶縁膜の一部を除去して前記パッドの一部を露出させる複数の開口を含む開口部４３５ａ，４３５ｂを形成する。前記ビアホールを満たして前記複数の開口のうちの何れか１つを通じて前記パッドと電気的に連結する貫通電極４４０を形成する。前記複数の開口の中の他の１つを通じて前記パッドの一部を開放する。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層の金属配線に対する密着性を向上させつつ、金属配線の低抵抗化を図った半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜１５に形成された凹部１６、１７内には、その底部および側壁部に沿ってバリアメタル層２０が形成されている。バリアメタル層２０は側壁部上に堆積された第１の部分と底部上に堆積された第２の部分とを有する。凹部１６、１７内にはバリアメタル層を介して金属配線層が形成される。バリアメタル層２０の第１の部分はＴｉ含有量が５０原子％を超えるＴｉＮ_x膜からなり、第２の部分は第１の部分よりＴｉ含有量が多いＴｉＮ_x膜またはＴｉ膜からなる。 （もっと読む）

【課題】ビア構造とそれを形成するビアエッチングプロセスを提供する。
【解決手段】ビアエッチングプロセスは、丸角とテーパ型側壁プロファイルを有するスルーサブストレートビアを形成する。その方法は、半導体基板を提供するステップと、半導体基板上に、ハードマスク層とパターン化フォトレジスト層を形成するステップと、ハードマスク中に開口を形成して、半導体基板の一部を露出するステップと、パターン化されたフォトレジスト層とハードマスク層をマスキング要素として、半導体基板の少なくとも一部を通過するビアを形成するステップと、トリミングプロセスを実行して、ビアの頂角を丸くするステップと、フォトレジスト層を除去するステップと、からなる。 （もっと読む）

【課題】低誘電率で、かつ、強度に優れ、膜厚の不本意なばらつきが抑制された絶縁膜を提供すること、前記絶縁膜の形成に好適に用いることができる膜形成用組成物を提供すること、また、前記絶縁膜を備えた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の膜形成用組成物は、重合性の官能基を有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含むものであり、前記重合性化合物は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造Ａと、重合反応に寄与する２つの重合性反応基とを有するものである。そして、前記重合性反応基は、芳香環と、当該芳香環に直接結合する２つのエチニル基とを有するものであり、前記重合性化合物は、前記部分構造Ａを中心に、前記重合性反応基が対称的に結合した構造を有するものである。 （もっと読む）

【課題】ＶＬＳＩ技術及びＵＬＳＩ技術において多段相互接続は、アスペクト比の高いバイアや他の相互接続が注意深く処理されることを要する。これらの相互接続の確実な形成技術を提供する。
【解決手段】窒素と水素を含有する化合物、一般にアンモニアを使用し、次層を上へ堆積するに先立ち相対的に低い温度で酸化物又は他の汚染物質を還元する、プラズマ還元プロセスを提供する。酸化物の層の典型的な物理的スパッタ洗浄プロセスと比較して、層の粘着特性が改善され酸素の存在が減少する。このプロセスは、デュアルダマシン構造、とりわけ銅が応用されている場合の複雑な要求に特に有効であろう。 （もっと読む）