【課題】歩留りが高く信頼性の高い面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板に対し垂直な方向にレーザ光を出射する面発光レーザにおいて、前記レーザ光が出射される出射面において、前記レーザ光の発光の中心部分の周囲の周辺部分には、前記中心部分よりも反射率を低くするための誘電体膜により形成された透明膜を有し、前記透明膜は、複数に分割されており、前記分割された透明膜は、前記レーザ光の発光の中心に対し、前記レーザ光の偏光方向となる両側、及び、前記偏光方向に直交する方向となる両側の各々に存在しているものであることを特徴とする面発光レーザを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】光遷移領域において伝搬損失が抑制される構造とすることにより、変換特性が向上されるスポットサイズ変換器、それを備える半導体光素子、及びそれらの製造方法の提供。
【解決手段】下部コア層と、前記下部コア層より屈折率が大きい上部コア層と、を含む複数層が積層される多層構造が、ｎ型半導体基板上に形成され、前記多層構造は、光遷移領域において、光の出射方向に沿って前記上部コア層の幅が徐々に小さくなり、前記下部コア層の幅が徐々に大きくなっており、一方の端面より入射される光が、前記上部コア層を伝搬し、前記光遷移領域において光が前記上部コア層から前記下部コア層へ遷移し、さらに、前記下部コア層を伝搬して、他方の端面より出射する、スポットサイズ変換器であって、前記光遷移領域において、前記多層構造の両側と上側が、半絶縁性半導体層によって埋め込まれている、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光体の劣化を抑制しつつ、装置の設計の自由度を高くする。
【解決手段】レーザ光を出射する励起光源ユニット６と、励起光源ユニット６から出射されたレーザ光の照射により蛍光を発する発光体２とを備え、発光体２に向けてレーザ光が照射されるときのスポットの面積が、レーザ光が照射される側から発光体２を見たときの発光体２の面積よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】高出力化に適した半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザダイオード７０は、基板１と、基板１上に結晶成長によって形成された半導体積層構造２とを含む。半導体積層構造２は、ｎ型（Ａｌ_ｘ１Ｇａ_{（１−ｘ１）}）_０．５１Ｉｎ_０．４９Ｐクラッド層１４およびｐ型（Ａｌ_ｘ１Ｇａ_{（１−ｘ１）}）_０．５１Ｉｎ_０．４９Ｐクラッド層１７と、これらのクラッド層１４，１７に挟まれたｎ側Ａｌ_ｘ２Ｇａ_{（１−ｘ２）}Ａｓガイド層１５およびｐ側Ａｌ_ｘ２Ｇａ_{（１−ｘ２）}Ａｓガイド層１６と、これらのガイド層１５，１６に挟まれた活性層１０とを含む。活性層１０は、Ａｌ_ｙＧａ_{（１−ｙ）}Ａｓ_{（１−ｘ３）}Ｐ_ｘ３層からなる量子井戸層２２１とＡｌ_ｘ４Ｇａ_{（１−ｘ４）}Ａｓ層からなる障壁層２２２とを交互に複数周期繰り返し積層して構成されている。 （もっと読む）

【課題】所望の出射ビーム形状が得られ、電流注入効率が悪くなることが抑制できる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｐ側電極１１３と、ｎ側電極１１７と、誘電体上部ＢＤＲミラー１１６と、下部ＤＢＲミラー１０２と、活性層１０５を有する共振器１１０と、を備え、上部ＢＤＲミラー１１６と、ｐ側電極１１３と、共振器１１０と、下部ＤＢＲミラー１０２はこの順に配置され、誘電体上部ＢＤＲミラー１１６の上面にフレネルゾーンを形成する同心円状の溝１２１、１２２、１２３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法すること。
【解決手段】開口部幅の異なる複数の開口部を有するマスクを半導体表面上に形成する。開口部幅が同じ開口部毎に、マスク端での水素プラズマ濃度が所定の濃度となる条件でエッチング（メタン／水素プラズマ照射）を行う。表面で凹凸を著しく増加させるようなエッチングとポリマーの生成が同時に起きるような水素プラズマ量の領域を避けるように、プラズマ条件（拡散距離または圧力）とマスク形状（開口部幅）を設定することにより、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を加工することができる。 （もっと読む）

【課題】結合損失が低いとともに値のばらつきが少なく、かつ結晶品質が良好な半導体光導波路素子および半導体光導波路アレイ素子、ならびにその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に形成された埋込型の半導体光導波路素子であって、第１端部から第２端部に向かって幅と厚さとがテーパー状に減少するコア層を有するテーパー導波路を備え、前記コア層は、前記第１端部における層厚と前記第２端部における層厚との層厚比が１．５〜２．５であり、前記第２端部における幅が０．５μｍ以上１．０μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】高コスト化を招くことなく、小型で、光量変動の少ない安定した光を射出する光デバイスを提供する。
【解決手段】 複数の発光部を有するレーザチップ１００、パッケージ部材２００及びカバーガラス３００などを有している。カバーガラス３００は、レーザチップ１００から射出された光束の光路上に配置され、レーザチップ１００から射出された光束が入射する入射面が、レーザチップ１００の射出面に対して傾斜しており、その傾斜角は、複数の発光部において最も離れている２つの発光部の一方から射出された光を反射して他方に入射させるときの傾斜角よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】スポットサイズを変換する光導波路を用い、より効率的に光結合ができるようにする。
【解決手段】この光導波路は、第２コア１０３を、スポットサイズ変換領域１１２の開始端（導波領域１１１の側）にかけて先細りに形成したところに特徴がある。このように、第２コア１０３が、スポットサイズ変換領域１１２の開始端にかけて先細りに形成されているので、導波領域１１１かとスポットサイズ変換領域１１２との界面で生じる、導波光の反射および損失をより小さくすることができるようになる。この結果、より効率的に光結合ができるようになる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子のＰＤＧ又はＰＤＬがばらついていても、安定して偏波無依存な特性が得られる光モジュールを実現する。
【解決手段】光モジュールの製造方法であって、異なる偏波方向の光導波モードに偏波間利得差又は偏波間損失差を有する半導体素子３を配置する工程と、半導体素子３との光結合損失に基づいて半導体素子３の一方の端面側にレンズ６Ａを配置する工程と、半導体素子３の偏波間利得差又は偏波間損失差に基づいてレンズ６Ａを再配置する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】製造工程を増やすことなく、ＦＦＰの乱れを抑えた光半導体装置の提供。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置は、導波光の出射端面１５から内部へ形成された第１の導波路１０と、第１の導波路１０よりも幅の広い第２の導波路１２と、第１の導波路１０と第２の導波路１２を接続し、連続的に幅が変化したテーパ導波路１１とを備え、真空中の光の波長をλ［μｍ］、導波路領域の等価屈折率をｎ_ｅｑ、グースヘンシェンシフトを考慮した第２の導波路１２の実効幅をＷｅ［μｍ］、テーパ導波路１１の境界線を構成する直線又は曲線の平均傾きと、テーパ導波路１１と第２の導波路１２との接続点における前記直線又は曲線の傾きとの比率をａ、０以上の整数Ｎ、とした場合、第２の導波路１２の長さ［μｍ］が、（Ｎ＋ａ／２−０．２５）ｎ_ｅｑＷｅ^２／λ以上、（Ｎ＋ａ／２＋０．２５）ｎ_ｅｑＷｅ^２／λ以下、かつ０以上である。 （もっと読む）

【課題】面発光レーザアレイの製品歩留まりを向上させる。
【解決手段】基板１０１と、基板１０１上に積層され、複数の光出射部を有する多層の半導体層と、複数の光出射部に対応して設けられ、光の通路となる開口部を有する複数のｐ側の電極１１３と、複数のｐ側の電極１１３に対応して設けられた複数の電極パッドと、複数のｐ側の電極１１３のそれぞれを、対応する電極パッドに電気的に接続する複数の配線とを備える。そして、ｐ側の電極１１３の開口部における開口幅の最大値が、電気的に絶縁されている領域の最小幅よりも小さくなるように設定する。これにより、リフトオフ工程で剥離した金属片が再付着しても「同時発光現象」の発生を抑制することができ、製品歩留まりを向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】素子厚を増加させることなく出射面におけるレーザ光のビーム径を拡大することができる面発光レーザ素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】水平共振器面発光レーザ素子１０１は、ｎ型ＩｎＰ基板１１と、ｎ型ＩｎＰ基板１１上に形成されたＩｎＧａＡｌＡｓ活性層６１と、ＩｎＧａＡｌＡｓ活性層６１で発生する光をその長手方向に共振させる共振器と、共振器内で共振するレーザ光の少なくとも一部をｎ型ＩｎＰ基板１１の裏面方向に反射する反射鏡１８と、反射鏡１８により反射されるレーザ光を外部に出射するよう該レーザ光の光軸上に形成された光出射面が凸状の低屈折率レンズ３１と、を含む。低屈折率レンズ３１は、ｎ型ＩｎＰ基板１１の屈折率とは異なる屈折率と、反射鏡１８から入射するレーザ光の放射角を広げるよう形成された光入射面と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電子バリア層の影響で発生した応力を緩和し、電子バリア層により光分布に影響を与えず、しきい電流を低下させ、かつ信頼性の低下を抑制する。
【解決手段】ｎ型クラッド層１４と、ｎ型クラッド層１４上に配置されたｎ型Ａｌ_XＩｎ_YＧａ_1-X-YＮ（０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ≦１）ガイド層１６と、ｎ型Ａｌ_XＩｎ_YＧａ_1-X-YＮ（０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ≦１）ガイド層１６上に配置された活性層１８と、活性層１８上に配置されたｐ型ＧａＮガイド層２２と、ｐ型ＧａＮガイド層２２上に配置された第１ｐ型クラッド層２６ａと、第１ｐ型クラッド層２６ａ上に配置された電子バリア層２５と、電子バリア層２５上に配置された第２ｐ型クラッド層２６ｂとを備える窒化物半導体レーザ２０。 （もっと読む）

【課題】低コストで生産性が高く、外乱による計測精度への影響が小さく、さらに計測精度が安定した半導体リングレーザジャイロを得る。
【解決手段】リング共振構造を有する半導体リングレーザジャイロにおいて、励起源として、発光領域の幅が発振波長の１０倍以上である半導体レーザ素子、あるいは発光領域のアスペクト比が１：１０以上である半導体レーザ素子を利用し、集光レンズに要求される光学特性を緩和し、また反射部材の光軸精度の許容範囲を確保する。これにより、低コストで生産性が高く、外乱による計測精度への影響が小さく、さらに計測精度が安定した半導体リングレーザジャイロを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】目的に応じて２次元フォトニック結晶内での帰還効果を弱め／強めた２次元フォトニック結晶面発光レーザを提供する。
【解決手段】２次元フォトニック結晶３１内に多数周期的に設けた主異屈折率領域３３のそれぞれに対して同一の相対的位置に副構造物３４を設ける。副構造物３４の位置は、２次元フォトニック結晶３１の面内の一方向に、主異屈折率領域３３により反射される主反射光３６１と、副構造物３４により反射される副反射光３６２が干渉により弱め／強められるように定める。これにより、帰還効果を弱め／強めることができる。帰還効果を弱めることにより、２次元フォトニック結晶３１内で増幅される光が結晶面の中心付近に局在することを防ぐことができ、それによりレーザ発振を安定化させることができる。 （もっと読む）

【課題】光送信用の光出力特性に影響を与えずに発光光量をモニタできる光送信モジュールを得る。
【解決手段】駆動電流が共通電極１８に供給され、発光素子１６の主発光部２２、従発光部２４から、信号光ＳＬ、モニタ光ＭＬを出射する。モニタ光ＭＬは、反射ミラー３２で反射され、受光面３８に入射する。制御回路１５は、モニタ光ＭＬのフィードバック制御を行う。このように、１つの発光素子１６に主発光部２２及び従発光部２４の２つの発光部が設けられているので、モニタ光ＭＬと信号光ＳＬの発光特性のばらつきが発生しにくく、信号光ＳＬに影響を与えずに発光光量をモニタできる。 （もっと読む）

【課題】半田流出によるレーザ光の遮りを防止できる、信頼性の高い半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１上に、第１クラッド層１０２、その端面からレーザ光を出射させるための活性層１０３、第２クラッド層１０４、所定の貫通孔を有する電流ブロック層１０５、電極層１０６、１０７が積層されており、第２クラッド層１０４は、電流ブロック層１０５が有する貫通孔を介して、電極層１０６に電気的に接続されている。そして、活性層１０３の端面よりも突出した構造（電極層１０６）を、活性層１０３を基準として半導体基板１０１と反対側に有している。 （もっと読む）

【課題】レーザー光の発光効率が高く、波形歪みが少なくモード乱れを抑えた高ビーム品質のレーザー光を得ることができる。
【解決手段】ＩｎＰ基板１１上に、半導体レーザー構造のレーザー部位２５と、テーパ状構造のＩｎＰクラッド層１６及びＩｎＧａＡｓコンタクト層１７が二段に重ねられた階段状のリッジ構造を有する半導体光増幅器構造の光増幅部位２６とを含む層構造が形成されている。 （もっと読む）

【課題】従来の単一モード光と比較してスポット径の大きなレーザ光を得ることができ、モード制御が容易となる面発光レーザ、該面発光レーザにおける二次元フォトニック結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】活性層と、屈折率の異なる媒質が二次元周期で配列された二次元フォトニック結晶とを有する面発光レーザが、つぎのような構成を有する。
すなわち、前記二次元フォトニック結晶が、二次元周期構造を有する第１の層と、第２の層とを備え、前記第１の層と第２の層とを接するように配置し、前記二次元フォトニック結晶の屈折率周期を乱す部位が前記第２の層に形成された構成を有している。 （もっと読む）