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Fターム[5H730DD04]の内容

DC−DCコンバータ (106,849) | スイッチング部(主変換部の) (10,397) | スイッチング素子の種類 (7,572) | トランジスタ (7,429) | 電界効果トランジスタ(FET) (5,436)

Fターム[5H730DD04]に分類される特許

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【課題】部品点数を少なくして回路構成を簡略化し、小型化と低コスト化を図る。
【解決手段】スイッチング電源装置は、AC入力電圧Vacを整流する整流回路1と、入力コンデンサ2,3と、インダクタ4と、制御信号S1によりオン/オフ動作するNMOS5と、制御信号S2によりオン/オフ動作するNMOS6と、LLC共振回路10と、整流平滑回路15,16と、ノードND2の電圧V3及びDC出力電圧Voに基づき、制御信号S1,S2を生成する制御部20とを備えている。そして、共通の制御部20によってNMOS5,6をスイッチングし、LLC共振回路10の周波数制御とPFCのPWM制御とを行うようにしている。 (もっと読む)


【課題】比較的簡単な構成でありながらも動的で高分解能の電圧制御可能な半導体集積回路、電子機器及びマルチチップ半導体パッケージを提供すること。
【解決手段】電子機器100は、電源IC110と、電源IC110から出力される電源電圧Vsrcで動作するSoC#0〜2とを備える。SoC#0〜2は、三次元実装されたマルチチップ半導体パッケージに搭載される。SoC#0〜2は、第3の端子123から入力されるアナログ制御信号の電位と、内部配線124の電位とに基づいて、第2の端子122から出力するアナログ制御信号を生成する電位制御回路125と、電源フィードバック(FB)電圧入力端子である第2の端子122及び第3の端子123と、を備える。SoC#0〜2は、FB出力端子FB_out/FB入力端子FB_inをカスケード接続し、最終段のSoC#0のFB出力を電源IC110に接続している。 (もっと読む)


【課題】電源回路がショート状態になる故障が発生しても、入力電圧がそのまま負荷側に出力されることを確実に防止可能な電源故障検出回路を提供する。
【解決手段】前置直列スイッチング素子Q1と前置並列スイッチング素子Q2とチョークコイルL1と平滑コンデンサC1とを少なくとも備えている降圧型のDC−DCコンバータからなる電源の故障を検出し、負荷側への出力を停止する電源故障検出回路として、負荷側へ出力する出力線に直列接続した後置直列スイッチング素子Q3と、前置直列スイッチング素子Q1に流れ込む入力電流値を電流検出回路IDETによって測定した結果と前置直列スイッチング素子Q1の両端に掛かる電圧値を電圧検出回路VDETによって測定した結果とに基づいて前置直列スイッチング素子Q1の故障の前兆を検出する故障検出回路Z2とを備え、故障検出回路Z2の検出結果に基づいて、後置スイッチング素子Q3のオンオフを制御する。 (もっと読む)


【課題】画像形成装置の高圧供給の機能を維持しつつ、高圧電源の数を削減して、高圧電源を小型化する。
【解決手段】所定の極性の高電圧を出力する第1の高圧出力部と、前記第1の高圧出力部の出力部に接続された複数の整流部と、前記複数の整流部のうちの1つに接続され、前記所定の極性とは逆極性の高電圧を出力する第2の高圧出力部と、前記複数の整流部のうちの他の1つに接続され、前記所定の極性とは逆極性の高電圧を出力する第3の高圧出力部と、を有し、前記複数の整流部は、前記第2の高圧出力部に流れる電流経路と前記第3の高圧出力部に流れる電流経路を分離する。 (もっと読む)


【課題】高耐圧の能動素子を含む回路と低電圧で動作するロジック回路とが同一基板上に混載された半導体装置を低コストで実現する。
【解決手段】半導体装置が、ロジック回路50と、能動素子回路とを具備している。ロジック回路50は、半導体基板1に形成された半導体素子2を備えている。該能動素子回路は、半導体基板1の上方に形成された拡散絶縁膜7−1の上に形成された半導体層8−1、8−2を用いて形成されたトランジスタ21−1、21−2を備えている。この能動素子回路がロジック回路50により制御される。 (もっと読む)


【課題】トランスの絶縁破壊に起因した過電圧を抑制することを可能とする電力変換装置および過電圧保護方法を提供すること。
【解決手段】本発明による電力変換装置は、直流入力をトランス(T)の1次巻線に断続的に供給することにより該トランスの2次巻線に電圧を誘起させ、前記2次巻線に誘起された電圧を整流して所望の直流出力を第1出力端子と第2出力端子との間に発生させる電力変換装置(1)であって、前記トランスの2次巻線の一端と前記第1出力端子との間の第1電流経路と、前記2次巻線の他端と前記第2出力端子との間の第2電流経路との間に現れる過電圧を検出する検出部(10)と、前記検出部が前記過電圧を検出した場合、前記第1電流経路と前記第2電流経路との間を短絡する短絡部(20)と、前記検出部が前記過電圧を検出した場合、前記トランスの1次巻線への前記直流入力の供給を遮断する遮断部(30)とを備える。 (もっと読む)


【課題】スイッチング回路全体の導通損失を低減しつつ、スイッチング回路を構成するスイッチング素子の損傷を防止する。
【解決手段】スイッチング制御装置10は、ハイ側スイッチング回路21又はロー側スイッチング回路22を非導通状態から導通状態に遷移させる際には、ユニポーラ型半導体素子をオフからオンに切り替えた後にバイポーラ型半導体素子をオフからオンに切り替え、導通状態から非導通状態に遷移させる際には、バイポーラ型半導体素子をオンからオフに切り替えた後にユニポーラ型半導体素子をオンからオフに切り替える。ハイ側スイッチング回路21又はロー側スイッチング回路22の導通状態において、ユニポーラ型半導体素子(SiC)の温度検出値TSiCが高温判定閾値Th以上である場合には、バイポーラ型半導体素子をオンに維持しつつユニポーラ型半導体素子をオンからオフに切り替える。 (もっと読む)


【課題】起動時間を短縮しながらも交流電圧の瞬断時に備えた充電電圧を確保することができるスイッチング電源装置及び現金自動預け払い装置を提供する。
【解決手段】DC/DC変換回路36から出力された直流電圧の大きさが予め定められた大きさ未満の場合に、配線34Aから電圧がコンデンサC2,C3に印加されないように配線34AとコンデンサC2,C3とを電気的に切断し、DC/DC変換回路36から出力された直流電圧の大きさが予め定められた大きさ未満の場合に、配線34Aから電圧がコンデンサC2,C3に印加されるように配線34AとコンデンサC2,C3とを電気的に接続するようにスイッチング動作を行うリレー回路RL1を備える。 (もっと読む)


【課題】複数台のチョッパ回路とDC/DCコンバータとが並列に接続される電力変換装置では,内部インピーダンスが異なることによってコンバータの出力電流間に不均等が生じる。このため,コンバータごとに出力定電圧制御を行おうとすると,構成や制御が複雑になる等の課題があった。そこで,本発明は,簡単な回路構成で並列運転時のDC/DCコンバータ間の出力電流の分担を均等にすることを目的とする。
【解決手段】本発明に係る電力変換装置は,複数のチョッパ回路の出力側にそれぞれDC/DCコンバータが接続され,チョッパ制御回路は,チョッパ回路出力電圧検出値にチョッパ回路電流検出値の電圧換算値を重畳した値が基準値よりも高い場合はチョッパ回路の出力電圧を減らす方向に,前記基準値よりも低い場合はチョッパ回路の出力電圧を増やす方向に,チョッパ回路内のスイッチング素子を制御する。 (もっと読む)


【課題】第1の極性を有する第1の化合物半導体層と共にこれと逆極性(第2の極性)の第2の化合物半導体層を用い、化合物半導体層の再成長をすることなく、第2の極性に対応した導電型の含有量が実効的に、容易且つ確実に所期に制御された、複雑な動作を可能とする信頼性の高い高耐圧の化合物半導体装置を得る。
【解決手段】第1の極性を有する電子走行層2bと、電子走行層2bの上方に形成された第2の極性を有するp型キャップ層2eと、p型キャップ層2e上に形成された第1の極性を有するn型キャップ層2fとを有しており、n型キャップ層2fは、厚みの異なる部位2fa,2fbを有する。 (もっと読む)


【課題】アイドルストップ車に搭載されるバッテリの電圧を負荷に出力する電源回路において、負荷への必要な電圧の供給を維持しつつ、アイドルストップ後のエンジン再始動時、バイパスリレーの切り替え音の発生を防止する。
【解決手段】整流用ダイオードの代わりに整流用スイッチング素子11を備え、アイドルストップ後のエンジン再始動時、バイパスリレー46を常時オフさせるとともに、バッテリ49の電圧が昇圧されて負荷50に出力されるように、昇圧用スイッチング素子41及び整流用スイッチング素子11のそれぞれの駆動を制御し、昇圧用スイッチング素子41又は整流用スイッチング素子11の異常時、バイパスリレー46を常時オフから常時オンに切り替える。 (もっと読む)


【課題】プリント配線基板上の実装面積削減やコスト削減を実現することのできるチャージポンプを提供する。
【解決手段】チャージポンプ100は、フライングキャパシタ120の充放電用スイッチとして、半導体装置110に集積化されたフローティングNMOSFET111及び112のボディダイオード111d及び112dを用いる。 (もっと読む)


【課題】複数のDC−DC変換部を均等に動作させて直流出力電圧を生成可能なDC−DCコンバータを提供する。
【解決手段】DC−DCコンバータは、直流入力電圧を矩形波電圧に変換する複数のDC−DC変換部と、複数のDC−DC変換部の出力端子に一端が接続され、他端が共通の外部出力端子に接続される複数のインダクタ素子と、複数のDC−DC変換部の出力端子にそれぞれ接続され、対応するDC−DC変換部から出力される矩形波電圧のデューティ比を検出する複数のデューティ検出回路と、複数のデューティ検出回路の出力信号を、2つずつ組にした各組ごとに比較した結果に基づいて、各組の矩形波電圧のデューティ比が等しくなるように、各組内の一方のデューティ検出回路に接続されたDC−DC変換部のデューティ比を調整するデューティ調整回路と、を備える。 (もっと読む)


【課題】トランス3によって一次側と二次側とが絶縁されたDC/DCコンバータにおいて、トランス3の二次側に発生するサージ電圧を容易な構成で抑制すると共に、サージエネルギを確実に有効利用する。
【解決手段】トランス3の二次巻線両端にそれぞれアノードが接続された第1、第2のダイオード9a、9bおよび整流回路4の共通カソード端4Aにアノードが接続された第3のダイオード9cと、抵抗11とコンデンサ10とを直列接続した直列回路とから成るスナバ回路8を備え、第1〜第3のダイオード9a〜9cのカソードを、抵抗11とコンデンサ10との接続点に接続して、トランス3の二次側に発生するサージ電圧をコンデンサ10の電圧でクランプし、コンデンサ10に蓄電されたサージエネルギを抵抗11を介して負荷7に回生する。 (もっと読む)


【課題】薄いキャップ層を用いるも、応答速度が速く、ピンチオフ不良等のデバイス特性の劣化を抑止して安定なノーマリオフ動作を実現する信頼性の高い高耐圧の化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】Si基板1上に化合物半導体積層構造2が形成され、化合物半導体積層構造2は、電子走行層2aと、電子走行層2aの上方に形成された電子供給層2cと、電子供給層2cの上方に形成されたキャップ層2dとを有しており、キャップ層2dは、電子走行層2a及び電子供給層2cと分極が同方向である第1の結晶2d1と、電子走行層2a及び電子供給層2cと分極が逆方向である第2の結晶2d2とが混在する。 (もっと読む)


【課題】ノイズを減少させて安定的に動作するスイッチング電源装置。
【解決手段】トランスTの一次巻線P1とスイッチング素子Q1との直列回路、Q1をオンオフさせる制御回路、トランスの二次巻線S1に発生した電圧を整流平滑する整流平滑回路D、C1、整流平滑回路の出力電圧と基準電圧との誤差電圧を制御回路に出力する誤差増幅回路OPを備え、制御回路は、Q1をオンオフさせる信号を生成する信号生成部OSC、OSCの出力信号からパルス数をカウントし、カウント値が所定値に達する毎に発振周波数を減算させる周波数減算器を備え、かつ、周波数を減算させた時のパルス信号が遅延されるように遅延時間を切り替えてQ1のオン時間を制御する遅延時間切替回路22を備える。 (もっと読む)


【課題】出力電流の可変範囲を広げたスイッチング電源及び照明装置を提供する。
【解決手段】スイッチング素子8は、オンのとき第1のインダクタ13に電源電圧を供給して電流を流す。定電流素子9は、スイッチング素子8に直列に接続され、スイッチング素子8の電流が所定の上限値を超えたときスイッチング素子8をオフさせる。整流素子10は、スイッチング素子8および定電流素子9のいずれかに直列に接続され、スイッチング素子8がオフしたとき第1のインダクタ13の電流を流す。第2のインダクタ14は、第1のインダクタ13と磁気結合し、第1のインダクタ13の電流が増加しているときスイッチング素子8をオンさせる電位が誘起され、スイッチング素子8の電流が減少しているときスイッチング素子8をオフさせる電位が誘起され、誘起された電位をスイッチング素子8の制御端子に供給する。制御回路11は、定電流素子9の制御端子に電位を出力する。 (もっと読む)


【課題】デジタル回路からの出力信号のライン数を増やすことなく、簡単な回路構成で、同じ周波数の駆動信号を従来よりも低い周波数の動作クロックを生成する。
【解決手段】ADC11からのデジタル値に基づいて、CPU14が一定時間毎に制御指令値を算出する。この制御指令値に基づいて、PWMユニット15がパルス信号S3のデューティ比を決定し、出力電圧Voutの安定化を図る。マイクロプロセッサ4からは、単独のパルス信号S3の出力ラインだけがあればよい。また、駆動信号S5の周波数はランプ信号S2と同一で、クロック信号S1に同期する。したがって、クロック信号S1ひいては駆動信号S5の周波数は、コンバータ2の仕様を考慮して決定できる。一方、パルス信号S3の周波数は、ランプ信号S2の周波数よりも低くてもよい。 (もっと読む)


【課題】フィードバック制御によるオーバーシュートの発生を抑制する。
【解決手段】直流電源回路110は、光源回路830(負荷回路)に供給する直流電力を生成する。負荷電流検出回路140は、光源回路830を流れる負荷電流を検出して、負荷電流検出電圧を生成する。目標電圧生成回路170は、光源回路830を流れる負荷電流の目標値に基づいて、目標電圧を生成する。帰還信号生成回路180は、負荷電流検出電圧と目標電圧とを比較して、帰還信号を生成する。目標電圧生成回路170の積分回路172は、負荷電流の目標値が高くなった場合に、所定の時間が経過するまでの間、目標値に対応する電圧値よりも小さい電圧値の目標電圧を生成し、所定の時間が経過したのち、目標値に対応する電圧値の目標電圧を生成する。 (もっと読む)


【課題】部品を追加することなく、電圧変動に伴って発生する変圧器の過渡的な偏磁を抑えることができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】制御回路13は、出力側回路12の出力電圧と電圧指令の比較結果に基づいてパルス幅を決定し、決定したパルス幅のパルス電圧が、時間に対して正負交互に1次巻線100に印加されるようにFET110〜113のスイッチングを制御する。具体的には、パルス電圧が3回連続して印加される毎にパルス幅が更新されるようにFET110〜113のスイッチングを制御する。これにより、入力電圧が変動してもトランス10の偏磁を抑えることができる。しかも、従来のように、偏磁防止用のコンデンサを設ける必要がない。従って、部品を追加することなくトランス10の過渡偏磁を確実に抑えることができる。 (もっと読む)


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