【課題】本発明は、伝送線路パターンがケースに埋め込まれる電子装置及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一実施例による電子装置は、ケースの内部に埋め込まれ、部品間の電気的接続のための線路パターンが形成された線路パターン形成体と、線路パターンと電気的に接続される部品の端子に対応する位置において、ケースの底面から露出形成される端子部と、端子部と部品の端子とを接続する接続部材と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信号の損失を低減できる信号伝送路を提供すること。
【解決手段】第１の面と前記第１の面とは反対側の面である第２の面とを有する誘電体基板２と、前記第１の面と前記第２の面との間に設けられ、接地電位を有する導体層１０と、導体層１０と容量性結合する第１信号導体１８を前記第１の面に備える第１伝送線路４と、前記第２の面に設けられた第２伝送線路６と、誘電体基板２の内部を通り、第１伝送線路４の第１信号導体１８と、第２伝送線路６と、を接続するビア配線８と、導体層１０に設けられ、内側にビア配線８が位置し、第１伝送線路４の第１信号導体１８の延在方向における導体層１０とビア配線との距離が、第１伝送線路４の第１信号導体１８の延在方向と交叉する方向における導体層１０とビア配線８との距離より小さい開口部１２と、を具備することを特徴とする信号伝送路。 （もっと読む）

【課題】半導体層の表面に形成された絶縁層の上にストリップ導体を設けた信号線路における信号のリークを低減させることのできる信号線路の構造と当該信号線路を用いたスイッチを提供する。
【解決手段】ベース２２の上に下絶縁層２３、半導体層２４及び上絶縁層２５を積層し、さらに上絶縁層２５の上面にストリップ導体２６を配線する。この信号線路２１はアイランド化されており、半導体層２４及び上絶縁層２５は、ストリップ導体２６とほぼ等しい幅を有している。 （もっと読む）

【課題】ディジタル回路を始めとするスイッチングモード電気回路のシグナルインテグリティを向上しＥＭＣ問題を解決する。
【解決手段】電源デカップリング素子を構成する伝送線路構造チップは、アルミニウム層６１、ポリチオフェンが含浸されていないエッチング層６２、レジスト層６３、ポリチオフェンが含浸されているエッチング層６４、磁性薄膜層６５、カーボン含有層６６、金属粉皮膜層６７、ポリチオフェン層６８で構成される積層構造体から形成される。伝送線路構造チップを外装樹脂で封止して電源デカップリング素子として完成させ、エージングによって単極性の前記伝送線路構造チップとして機能させる。電源デカップリング素子をディジタル回路を始めとするスイッチングモード電気回路の印刷配線基板に搭載し、コンデンサに代えて電源分配回路に使用する。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構造で枝回路間の位相ずれによる利得低下を防止可能な信号合成分配回路を提供する。
【解決手段】 本発明の信号合成分配回路１０は、基板１１に、信号合成点または信号分配点１４を有する複数の枝回路１２ａ、１２ｂおよび１２ｃが配線され、前記複数の枝回路の少なくとも１本の枝回路１２ｂが、他の枝回路１２ａおよび１２ｃと異なる線路長であり、前記異なる線路長の枝回路１２ｂの一部または全部１５が、前記基板１１中に配線されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】導体損失の小さい伝送線路、高周波デバイスおよび伝送線路の製造方法を提供する。
【解決手段】高周波信号を伝送する伝送線路１０は、高周波信号の伝送に伴い誘起される高周波電流が流通する配線１０３と、配線１０３に対向配置された接地導体膜１０１と、少なくとも配線１０３と接地導体膜１０１との間に設けられ、第１の材料からなる粒子１１１が第２の材料１１２中に分散されたコンポジット材料からなる層間膜１０２とを備え、配線１０３は、接地導体膜１０１と対向する面に少なくとも１つの凸部を有する。 （もっと読む）

【課題】物理長の異なる複数の伝送線路において、電気長を等しくする。
【解決手段】半導体基板１上の薄膜絶縁体上に形成された物理長の異なる複数の伝送線路Ａ、Ｂのうち、物理長の長いほうの伝送線路において、伝送線路を構成する信号線メタルと半導体基板１との間に低誘電率絶縁膜３を挟むことによって信号伝搬速度を速くした領域を設け、この低誘電率絶縁膜３を挟んだ領域の長さを伝送線路Ａの物理長に応じて調整することによって、すべての伝送線路の電気長を等しくする。 （もっと読む）

【課題】小型で、かつ抑圧特性及びアイソレーション特性を良好にすることができる通信モジュールを実現する。
【解決手段】パッケージ基板における弾性波フィルタ素子の実装面を形成する表層絶縁層の厚さは、パッケージ基板に含まれる少なくとも１つの他の絶縁層の厚さよりも薄く、モジュール基板におけるパッケージ基板の実装面を形成する表層絶縁層の厚さは、モジュール基板に含まれる少なくとも１つの他の絶縁層の厚さよりも薄い通信モジュールである。 （もっと読む）

【課題】誘電損失が小さく伝達特性が優れた伝送線路を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ構造体に用いられる伝送線路は、対向する表面Ｆ１及び裏面Ｆ２を有し、且つ表面Ｆ１に第１の凹みＣａ１が形成された誘電体基板２１と、第１の凹みＣａ１の底面ＢＴ上に配置され、且つ高周波を伝送する信号配線１０と、表面Ｆ１上に配置され、且つ信号配線１０から電気的に絶縁された表面グランド電極１１と、誘電体基板２１の裏面Ｆ２上に配置された裏面グランド電極１４とを有する。 （もっと読む）

【課題】伝送線路の寸法上の設計自由度を確保すること。
【解決手段】一枚の絶縁性基板１２に形成された伝送線路１４を備え、伝送線路を伝送される高周波信号の入力側ＩＮと出力側ＯＵＴのインピーダンスを整合させるインピーダンス整合回路１０であって、入力側の絶縁性基板１２１の誘電率と、出力側の絶縁性基板１２２の誘電率とが異なっていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶基板に膜厚が１０μｍ以上であるような厚い絶縁膜を形成することなく、ミリ波帯域での基板への電磁波の漏れによる減衰が小さいコプレーナ線路及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板２０と、基板上に形成された信号線路４２と、基板上の、信号線路を挟む位置に形成された１対の接地導体４４と、基板と信号線路の間に設けられた信号線路用絶縁膜３２と、基板と接地導体の間に、信号線路用絶縁膜と離間して設けられた接地導体用絶縁膜３４とを有して構成される。 （もっと読む）

【課題】数百[kHz]から１[GHz]を超える帯域まで非常に低いインピーダンス値と透過係数値を有する、コンデンサでは実現不可能な理想電源の機能を伝送線路構造で実現する。
【解決手段】
低インピーダンス損失線路は、弁作用金属から成り両面にエッチング部が形成され該エッチング部の表面に誘電体酸化皮膜が形成された陽極箔２４と、第１の陰極箔２１と、第２の陰極箔２７と、陽極箔２４の両面の誘電体酸化皮膜上に形成される第１の導電性ポリマー層２３および第２の導電性ポリマー層２５と、第１の導電性ポリマー層２３に第１の陰極箔２１を貼付するための第１の導電性ポリマーペースト層２２と、第２の導電性ポリマー層２５に第２の陰極箔２７を貼付するための第２の導電性ポリマーペースト層２６から形成され、第１の陰極箔２１および第２の陰極箔２７を電極とする平行板線路を形成している。 （もっと読む）

【課題】１[GHz]を超える帯域まで非常に低いインピーダンス値と非常に小さい透過係数値を有する、コンデンサでは実現出来ない、理想電源の機能を実現する。
【解決手段】
低インピーダンス損失線路は、陽極箔１９、陰極箔１５、２３、誘電体酸化皮膜１６、１８、２０、２２、およびセパレータに含浸されたナノサイズの粒子からなる導電性ポリマーによって形成される固体電解質層１７、２１によって構成されている。低インピーダンス損失線路は整流作用を有している。従って、陰極箔２３にグランド線またはグランド板が接続され陰極箔１５に正の電圧を有する電源線が接続された場合は、陽極箔１９と陰極箔２３で構成される線路が機能を発揮し、陰極箔１５にグランド線またはグランド板が接続され陰極箔２３に正の電圧を有する電源線が接続された場合は、陽極箔１９と陰極箔１５で構成される線路が機能を発揮する。 （もっと読む）

【課題】１[GHz]を超える帯域まで非常に低いインピーダンス値と非常に小さい透過係数値を有する、コンデンサでは実現出来ない、理想電源の機能を実現する。
【解決手段】
低インピーダンス損失線路は、陽極箔１９、陰極層１５、２３、誘電体酸化皮膜１８、２０、陽極箔１９のエッチング層に含浸されたナノサイズの粒子からなる導電性ポリマーによって形成される固体電解質層１７、２１、およびカーボングラファイト層１６，２２によって構成されている。低インピーダンス損失線路は整流作用を有している。従って、陰極層２３にグランド線が接続され陰極層１５に正の電圧を有する電源線が接続された場合は、陽極箔１９と陰極層２３で構成される線路が機能を発揮し、陰極層１５にグランド線が接続され陰極層２３に正の電圧を有する電源線が接続された場合は、陽極箔１９と陰極層１５で構成される線路が機能を発揮する。 （もっと読む）

【課題】伝送線路の寸法上の設計自由度を確保することが可能なインピーダンス整合回路を提供すること。
【解決手段】一枚の絶縁性基板１２に形成された伝送線路１４を備え、伝送線路を伝送される高周波信号の入力側ＩＮと出力側ＯＵＴのインピーダンスを整合させるインピーダンス整合回路であって、入力側の絶縁性基板の厚みＷ１と、出力側の絶縁性基板の厚みＷ２とが異なっている。 （もっと読む）

【課題】機械的特性に優れるとともに、高周波帯域における誘電特性に優れる全芳香族液晶ポリエステルを提供すること。
【解決手段】特定の比率で６−オキシ−２−ナフトイル繰返し単位、４，４’−ジオキシビフェニル繰返し単位および芳香族ジカルボニル繰返し単位を含む全芳香族液晶ポリエステルについて、少量のベンゼンジオキシ単位を含ませることにより、衝撃強度などの機械的性質が著しく改善された全芳香族液晶ポリエステルを提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを埋め込んだマルチポートの半導体チップ実装基板において、ポート間のアイソレーションを向上させること。
【解決手段】この半導体チップ１００の１辺の長さは約２．５ｍｍであり、この長さは、目的の高周波の環状溝２１０内における環方向の波長の半分余りに相当している。この半導体チップ１００の周囲には、空洞部２２０に半導体チップ１００を搭載した後の残りの空間によって、平面視時の輪郭が略正方形のリング形状の環状溝２１０が形成されている。そして、この環状溝２１０の４隅にはそれぞれ、銀ペーストからなる柱状導体１が埋め込まれている。即ち、この柱状導体１は、上記の空洞部２２０の内壁面と上記の半導体チップ１００の側壁面との間の隙間から形成される環状溝２１０の４隅に配置されており、半導体チップ１００の裏面に配置される共通グランドの上に直接立脚している。 （もっと読む）

液晶セル（１０）を有する基板（３０）を含み、前記液晶セル（１０）は、異方性粒子（２５）を含む液晶材料（２０）と、前記基板上に設けられた少なくともひとつの伝導性部材（３６）、および液晶セルの反対側に設けられた少なくとも一つの導電性部材（３４）と、前記異方性粒子（２５）のアライメントに影響を与える手段と、を有しており、これにより前記導電性部材間の誘電率が変化する、電子部品。
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【課題】 マイクロストリップ線路が相互接続される多層基板において、マイクロストリップ線路の接地導体間の電位差や、マイクロストリップ線路パターンと接地導体間の経路差を緩和し、電気特性の劣化を低減することを目的とする。
【解決手段】 マイクロストリップ線路パターン及び中間層に設けられた接地導体層を有し、接地導体層より下層側に段差を有した第１の誘電体多層基板と、マイクロストリップ線路パターン及び中間層に設けられた接地導体層を有し、接地導体層より下層側に、第１の誘電体多層基板の段差部分に対向配置された段差を有した第２の誘電体多層基板と、第１、第２の誘電体多層基板の段差部分に配置されるとともに第１、第２の誘電体多層基板の接地導体層に接した突起部を有し、第１、第２の誘電体多層基板が載置されたキャリアを備える。 （もっと読む）

【課題】曲げによる応力や張力を小さく抑える基板及び電子モジュールを提供する。
【解決手段】シート状の可撓性基材２ａ，２ｂの片面又は両面に導体層３，４を重ねた基板１ａ，１ｂにおいて、上記可撓性基材２ａ，２ｂがその内部に気体層５ａ，５ｂを含む。 （もっと読む）