【課題】固定が容易で且つ設置スペースを削減できるようにしたスイッチング素子の駆動回路を提供する。
【解決手段】多層配線板８の下面が主電流経路６上に搭載する搭載面とされているため、その多層配線板８の搭載面を平坦面にすることができる。したがって、主電流配線６は、その上面が平坦な設置面として形成されていれば、単に多層配線板８の搭載面を主電流配線６の上面に配置することで設置できる。これにより、コイルＬを容易に固定でき設置スペースを削減できる。 （もっと読む）

【課題】電磁機器の累積使用量が多くなっても少ないと同じ一定時間で電磁機器を動作状態から停止状態に移行させる。
【解決手段】電磁機器駆動装置は、励磁用電源から電磁コイルへの通電が停止したときに逆起電力によって電磁コイルの両端間に生じる電圧をクランプするフリーホイール回路と、フリーホイール回路によってクランプされた電圧が、電磁機器の累積使用量が少ないときよりも多いときの方が高くなるように、フリーホイール回路の動作を制御するコントローラーと、を備える。 （もっと読む）

【課題】高速スイッチング性能を低下させることなく、パワー半導体素子のサージ耐量向上と過電圧保護を図る。
【解決手段】ドレイン端子１ｂから所定距離離間した位置にゲート制御端子５を備え、サージ発生時にドレイン端子１ｂとゲート制御端子５との間に放電が起こるようにする。この放電現象に伴ってゲート制御端子５にサージ電圧が印加されることで、パワー半導体素子１のゲートを充電し、パワー半導体素子１をオンさせることでサージエネルギーを吸収する。これにより、ドレイン端子１ｂに印加されるサージ電圧を抑制することが可能となり、パワー半導体素子１が破壊に至ることを抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチにおいて、エネルギー効率を高くする。
【解決手段】半導体スイッチ１は、ＬＥＤ２を駆動回路３により駆動して発光させ、ＬＥＤ２から発光された光を受光部４により受光する。駆動回路３は、バイポーラトランジスタ３１と、コイル３２と、ダイオード３３等を有する。バイポーラトランジスタ３１は、導通状態と非導通状態とに切換えられ、導通状態のときに、電源からＬＥＤ２に電流が供給される状態にし、非導通状態のときに、電源からＬＥＤ２に電流が供給されない状態にする。コイル３２は、ＬＥＤ２に直列に接続されており、バイポーラトランジスタ３１が導通状態から非導通状態になったときに、自己誘導作用によって誘導起電力を発生する。ダイオード３３は、ＬＥＤ２及びコイル３２に並列に接続されており、バイポーラトランジスタ３１が非導通状態のときに、コイル３２が発生する誘導起電力によって、ＬＥＤ２に電流を還流させる。 （もっと読む）

【課題】互いにオンオフ状態が反転するように制御すべき２つのスイッチング素子の特性に応じて容易にデッドタイムを調整可能なスイッチ制御装置を提供する。
【解決手段】互いにオンオフ状態が反転するように制御する第１及び第２のスイッチング素子を備えるスイッチ制御装置であって、前記第１及び第２のスイッチング素子の内、一方のスイッチング素子に出力する制御信号をオフレベルに切替えた時点から、コンデンサの容量で設定される設定期間後に他方のスイッチング素子に出力する制御信号をオンレベルに切替える信号を出力する制御信号生成回路を備える。 （もっと読む）

【課題】ソレノイドに流れる電流を検出するタイミングと、ＰＷＭ信号を出力するタイミングとのずれを抑制可能なソレノイドの通電制御装置を提供する。
【解決手段】ソレノイドの通電制御装置１００は、ソレノイド５０に流れる電流の電流値の取得用の電流取得用タイマ１０と、当該電流取得用タイマ１０の計数結果に基づいて、ソレノイド５０の通電を制御するスイッチング素子５１を駆動するＰＷＭ信号の１周期内において予め設定された回数だけ電流値を取得する電流値取得部１１と、ＰＷＭ信号の出力用のＰＷＭ制御用タイマ２０と、１周期内に取得された電流値に基づき、次の１周期にスイッチング素子５１に通電する通電時間を設定し、当該設定した通電時間に応じたＰＷＭ信号を出力するＰＷＭ制御部２１と、ＰＷＭ制御用タイマ２０の計時結果に基づき、電流取得用タイマ１０の計時値を更新する計時値更新部４１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電流制御装置をマイクロコントローラと電流制御用ＩＣを用いて構成するとともに、多チャンネル化した際にも小型で低コストな電流制御装置を提供することにある。
【解決手段】電流制御装置は、電流制御用半導体素子１と、電流制御用半導体素子１に、負荷を駆動するためのＰＷＭパルスを出力し、電流制御用半導体素子から、ハイサイド電流検出回路６とローサイド電流検出回路７の出力を入力するマイクロコントローラ１２とを有する。電流制御用半導体素子１の出力合成回路８は、ＰＷＭパルスに同期して、１つの信号線上にハイサイド電流検出回路６の出力と、ローサイド電流検出回路７の出力を切り替えて、マイクロコントローラ１２に出力する。 （もっと読む）

【課題】アクティブクランプ動作期間を短縮するとともにＥＳＤ耐量を向上させたアクティブクランプ回路を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１のスイッチ素子と、第１のダイオードと、第１の抵抗と、第１および第２の制御回路と、を備えたことを特徴とするアクティブクランプ回路が提供される。前記第１のダイオードは、前記第１のスイッチ素子の両端にかかる過電圧によりブレークダウンする。前記第１の抵抗は、前記第１のダイオードの電流を検出する。前記第１の制御回路は、前記第１の抵抗の両端の電圧を増幅して前記第１のスイッチ素子の電流を制御する。前記第２の制御回路は、前記第１の抵抗の両端の電圧に応じて前記第１のスイッチ素子の導通を制御する。 （もっと読む）

【課題】ゲインａ、およびオフセットｂの変動を動的に補正することで、１チップのＩＣ内で高精度な電流検出が可能な電流制御用半導体素子、およびそれを用いた制御装置を提供することにある。
【解決手段】
同一半導体チップ上に、トランジスタ４と、電流−電圧変換回路２２とＡＤコンバータ２３とを有する。参照電流生成回路６，６’は、負荷２の電流に電流パルスＩｃを重畳して、ＡＤコンバータが出力する電圧デジタル値を変動させる。ゲインオフセット補正部８は、参照電流生成回路６，６’による電圧デジタル値の変動を信号処理して、ＡＤコンバータ２３が出力する電圧デジタル値と負荷の電流デジタル値の線形関係式におけるゲインａ，ａ’及びオフセットｂ，ｂ’を動的に取得する。電流デジタル値演算部１２は、ゲインオフセット補正部８により取得されたゲイン及びオフセットを用いて、ＡＤコンバータが出力する電圧値を補正する。 （もっと読む）

【課題】体格及びコストの増大が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】直流電源とグランドとの間に直列接続された２つの単位回路と、単位回路を制御する制御部と、を備え、２つの単位回路の中点に誘導性負荷が接続された半導体装置であって、２つの単位回路それぞれは、第１スイッチ素子と、第１スイッチ素子と逆並列接続された還流ダイオードと、還流ダイオードと第１スイッチ素子それぞれと並列接続されたバイパス部と、を有し、バイパス部は、直列接続された第２スイッチ素子及び抵抗を有し、制御部は、２つの単位回路の第１スイッチ素子をＯＦＦ状態にするデッド期間を挟んで、２つの第１スイッチ素子を交互にＯＮ状態とし、デッド期間において、一方の第１スイッチ素子がＯＦＦ状態からＯＮ状態に移行するまで、一方の第１スイッチ素子と並列接続された第２スイッチ素子をＯＮ状態にする。 （もっと読む）

【課題】パワーＭＯＳＦＥＴを高速駆動する場合であっても、寄生インダクタンスに流れる電流の時間変化に応じて発生する電圧に起因したセルフターンオンの発生を防止できるようにしたパワーＭＯＳＦＥＴの駆動回路、また、その素子値決定方法を提供する。
【解決手段】制御回路が、駆動回路によってスイッチを駆動制御することで、（２）区間においてスイッチＳ２ＨおよびＳ２Ｌをオンすると共にその他をオフとし、（３）区間においてスイッチＳ１ＬおよびＳ３Ｈをオンすると共にその他をオフとする。すると、（２）〜（３）区間にかけて、ハイサイド側のＭＯＳＦＥＴのゲートソース間を所定のインピーダンスに切り替えることができ、リカバリー後半に至ったとしてもハイサイド側のＭＯＳＦＥＴのゲートソース間電圧Ｖｇｓ１を閾値電圧Ｖｔ未満に抑制できる。 （もっと読む）

【課題】オン指令期間とオフ指令期間の両期間における電流を高精度に検出する。
【解決手段】制御装置１３は、ＰＷＭ駆動信号のオン指令期間において、電流検出回路１４による検出電流と電源電圧検出回路１５による検出電源電圧を電圧方程式に適用してオン期間電流経路の抵抗値とインダクタンス値を算出する。これらの値から還流経路１２以外の経路の抵抗値とインダクタンス値を減算してオフ期間電流経路の抵抗値とインダクタンス値を求める。オフ指令期間において、オフ期間電流経路の抵抗値Ｒとインダクタンス値Ｌ、ダイオード７の順電圧Ｖｆおよび前回の計算で求めた前回電流値を電圧方程式に適用し、リニアソレノイド２に流れる負荷電流を順次算出する。 （もっと読む）

【課題】整数倍の信号成分に起因して、負荷回路やスイッチング素子に余分な電流が流れない電力効率を向上したスイッチング回路を提供する。
【解決手段】スイッチング回路１は、第１端子５０ａ及び第２端子５０ｂを有しており、パルス信号により駆動されて第１端子及び第２端子の導通状態をスイッチするスイッチング素子１０と、スイッチング素子の第１端子１３に電圧を供給する電源部３０と、電源部に並列に接続される負荷回路４０と、電源部と負荷回路との接続点Ｐと、スイッチング素子の第１端子との間に接続され、パルス信号のクロック周波数のＮ倍（Ｎは１以上の整数）の周波数において、接続点からスイッチング素子へ流れる電流を抑制する受動回路部５０と、受動回路部と接続点との間に接続され、Ｎ倍の周波数において共振する共振回路部６０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】大電流を制御可能なスイッチング回路において、部品点数を少なくしたコンパクトな構成にて、スイッチング損失を低減するとともにサージ電圧を抑制することができるスイッチング回路を提供する。
【解決手段】高電圧ラインＬ１と低電圧ラインＬ２との間においてＭＯＳＦＥＴ３０，３１，３２，３３が並列接続され、ゲート抵抗５０，５１，５２，５３の第１の端子がＭＯＳＦＥＴ３０〜３３のゲート電極に接続されている。ＭＯＳＦＥＴ３０，３１，３２，３３毎に設けられたゲート抵抗５０，５１，５２，５３の第２の端子がゲート電圧印加ラインＬ３を介してパルス発生回路６０と接続されている。パルス発生回路６０により、ゲート抵抗５０〜５３を介してＭＯＳＦＥＴ３０〜３３のゲート電極にパルス状のゲート電圧が印加される。ゲート電圧印加ラインＬ３と高電圧ラインＬ１との間の１箇所にコンデンサ７０が接続されている。 （もっと読む）

【課題】 リカバリー電流を低減させつつ、出力ＭＯＳトランジスタのスイッチング応答性を高くすることができるゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】 制御信号Ｓｃｄの信号レベルが所定の第１レベルＬから第２レベルＨへ遷移する第１遷移を契機として出力ＭＯＳトランジスタ２のゲートへ充電を開始する第１チャージ回路６と、制御信号Ｓｃｄの第１遷移または第１期間Ｔｐ１の経過を契機として出力ＭＯＳトランジスタ２のゲートへの充電を開始する第２チャージ回路７と、制御信号Ｓｃｄの第１遷移から第１期間Ｔｐ１より長い所定の第２期間Ｔｐ２経過後に出力ＭＯＳトランジスタ２のゲートへ充電を開始する第３チャージ回路８とを備え、第２チャージ回路７の単位時間あたりの充電量は、第１チャージ回路６および第３チャージ回路８の単位時間あたりの充電量より少ない。 （もっと読む）

【課題】スイッチング制御する制御回路の負担を軽減するスイッチング回路を提供する。
【解決手段】第１のスイッチング素子の制御電極と第１のスイッチング素子をスイッチング制御する制御回路との間に接続される抵抗と、第１のスイッチング素子の制御電極と第１のスイッチング素子の低電位側電極との間に接続される第１のコンデンサと、第１のコンデンサと直列に接続される第２のスイッチング素子とを備え、第２のスイッチング素子の高電位側電極は、第１のスイッチング素子の制御電極に電気的に接続され、第２のスイッチング素子の低電位側電極は第１のスイッチング素子の低電位側電力端子に電気的に接続され、第２のスイッチング素子の制御電極は、抵抗と制御回路の間に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 出力オフ時のスイッチング時間を短くすることのできるドライバ回路を提供する。
【解決手段】 実施形態のドライバ回路は、を駆動する出力用ＭＯＳトランジスタＭＶ１が、電源端子ＶＤＤと誘導性負荷ＲＬが接続される出力端子ＯＵＴとの間に接続され、抵抗Ｒ１が、出力用ＭＯＳトランジスタＭＶ１のゲート端子とゲート電圧印加端子ＶＧとの間に接続され、ゲート電圧印加端子ＶＧに一端が接続された抵抗Ｒ２と、一端が抵抗Ｒ２の他端に接続され、他端が接地端子ＧＮＤに接続され、出力用ＭＯＳトランジスタＭＶ１を制御する制御信号ＶＳＷにより導通が制御されるＮＭＯＳトランジスタＭＤ１とを備える。さらに、このドライバ回路は、一端が抵抗Ｒ１の他端に接続され、他端が出力端子ＯＵＴに接続され、ＮＭＯＳトランジスタＭＤ１の一端から出力される信号により導通が制御されるＰＮＰトランジスタＱ１を備える。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子のオンオフによる誘導性負荷の電流応答性を良好なものとしながら駆動回路内の発熱をより抑制する。
【解決手段】誘導性負荷１０を駆動する駆動回路２０に、誘導性負荷１０と並列接続され且つ互いに直列接続された第１の抵抗４２および第２の抵抗４４と、第２の抵抗４４に並列接続されたコンデンサ４６と、誘導性負荷１０と並列接続されゲートが抵抗４２と第２の抵抗４４（コンデンサ４６）との接続点に接続されドレインがグランドに接地されたＮチャネル型のＦＥＴ３２と、ＦＥＴ３２のソースと電源ライン２４との間に介在しドレインからソースの方向を順方向とする第１のダイオード３４とを設ける。 （もっと読む）

【課題】 特殊なスイッチを用いず、手動による動作停止およびコントロール回路からの制御による動作停止が可能であり、無駄な電力消費が少ない電源回路を提供する。
【解決手段】 リレースイッチＳＷ２がＯＦＦの状態でスイッチＳＷ１が押圧されると、交流電圧が給電線１０１および１０３間に与えられ、負荷４００に対する直流電圧が立ち上がる。すると、コントロール回路２１０は、リレースイッチＳＷ２をＯＮさせる。このとき、充電回路１１０および１２０では、電解コンデンサＣ１およびＣ２の充電が行われるが、電解コンデンサＣ２の充電電流が小さいため、ＬＥＤ１０４は発光しない。リレースイッチＳＷ２がＯＮの状態で、スイッチＳＷ１が押圧された場合、放電回路１３０が開くため、電解コンデンサＣ２が急速充電される。この場合、ＬＥＤ１０４が発光し、コントロール回路２１０は、リレースイッチＳＷ２をＯＦＦにする。 （もっと読む）