配線基板及びその製造方法
【課題】電極間距離が一定で第１電極と第２電極との短絡を防止するとともに、寿命を確保し信頼性を向上させた配線基板、その製造方法及びそれを用いた電子機器を得ることを目的とする。
【解決手段】配線基板１は、第１基板１０２及び第１電極１０３を有する第１導電部形成基板１０４と、第２基板１０５及び第２電極１０６を有する第２導電部形成基板１０７と、第１導電部形成基板１０４及び第２導電部形成基板１０７の間に挟まれた誘電部２とを備えている。誘電部２は、熱圧着時に溶融しない誘電体膜３及びその時に溶融する接着絶縁部４を有している。誘電体膜３表面には濡れ性を向上させる処理がなされており、熱圧着時に溶融した接着絶縁部４は誘電体膜３と密着しやすくなっている。第１電極１０３と第２電極１０６との間に誘電体膜３を介在させてその間の距離を一定にすることができる。
【解決手段】配線基板１は、第１基板１０２及び第１電極１０３を有する第１導電部形成基板１０４と、第２基板１０５及び第２電極１０６を有する第２導電部形成基板１０７と、第１導電部形成基板１０４及び第２導電部形成基板１０７の間に挟まれた誘電部２とを備えている。誘電部２は、熱圧着時に溶融しない誘電体膜３及びその時に溶融する接着絶縁部４を有している。誘電体膜３表面には濡れ性を向上させる処理がなされており、熱圧着時に溶融した接着絶縁部４は誘電体膜３と密着しやすくなっている。第１電極１０３と第２電極１０６との間に誘電体膜３を介在させてその間の距離を一定にすることができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、内部に、コンデンサ、インダクタ、あるいはその両方の機能を備えた配線基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図１１は、従来の配線基板の構成を示す断面図である。図１１において、従来の配線基板１０１は、例えばガラスエポキシ基材である第１基板１０２と、この第１基板１０２の平面上に複数形成された第１導電部である導電性の第１電極１０３とを有する第１導電部形成基板１０４を備えている。また、配線基板１０１は、例えばガラスエポキシ基材である第２基板１０５と、この第２基板１０５に複数形成された第２導電部である導電性の第２電極１０６とを有する第２導電部形成基板１０７を備えている。この第１導電部形成基板１０４及び第２導電部形成基板１０７は、第１電極１０３と第２電極１０６とを互いに対向させて配置されている。また、配線基板１０１は、第１導電部形成基板１０４と第２導電部形成基板１０７との間に介在した誘電体の誘電部１０８を備えている。
【０００３】
このように構成された配線基板１０１は、この配線基板１０１の内部で第１電極１０３と第２電極１０６とが誘電部１０８を介して対向して配置されて、平行板コンデンサとしての構成をとることができるので、その分だけ配線基板１０１上にコンデンサを配置する必要がなくなり、配線基板１０１を小型化できるというメリットがある。
【０００４】
また、特開平２００１−０７７５３９公報に、配線基板の誘電部に透磁率の高い粉末材料を混入させることにより配線基板の内部にインダクタを形成することが示されている。即ち、配線基板１０１は、誘電部１０８に透磁率の高い粉末材料を混入することにより、コンデンサだけでなく配線基板１０１の内部にインダクタも形成することができ、さらに配線基板１０１を小型化できる。
【０００５】
次に、この配線基板１０１の製造方法について説明する。図１２乃至図１４は、配線基板１０１を製造する手順を示す模式図である。まず、第１基板１０２上に複数の第１電極１０３を形成して第１導電部形成基板１０４を形成する。次に、第１導電部形成基板１０４の第１電極１０３側に誘電性シート１０９を重ねてから、金属箔１１０をその上に重ねる（図１２）。誘電性シート１０９は、熱硬化性エポキシ樹脂であり、所定の温度で溶融しさらに温度が上昇すると硬化するものである。その後、徐々に温度を上昇させて誘電性シート１０９を溶融させながら、積層された第１導電部形成基板１０４、誘電性シート１０９及び金属箔１１０をステンレス板で挟みつけて積層方向に押圧するが、金属箔１１０と第１電極１０３との間に所定の間隔ができるように押圧力を調整する。この調整は誘電性シート１０９が硬化するまで続ける。このようにして、誘電性シート１０９は、第１導電部形成基板１０４及び金属箔１１０に密着した誘電部１０８として形成される（図１３）。その後、金属箔１１０をエッチングし、第２電極１０６を形成する（図１４）。最後に、例えばガラスエポキシ基材を加熱して溶融し誘電部１０８の第２電極１０５側に第２基板１０６を形成して、図１１に示す配線基板１０１を製造する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このようにして配線基板１０１は製造されるが、このような製造方法では、誘電性シート１０９全体が溶融している状態で、第１導電部形成基板１０４と金属箔１１０とが互いに近づく向きに押圧されるので、第１導電部形成基板１０４及び金属箔１１０の外周部側では誘電性シート１０９が外に流出しやすく内部側に近づくにつれて逃げ場が少なくなり流出しにくくなる。従って、完成した配線基板１０１は、第１電極１０３及び第２電極１０６間における誘電部１０８の厚さがその配線基板１０１の外周部側で小さく内部側で大きくなる傾向にある。このことから、互いに対向する第１電極１０３及び第２電極１０６の面積が同一であっても、配線基板１０１の外周部側と内部側とで間に介在する誘電部１０８の厚さが異なるので、それらのコンデンサとしての容量値も異なる。特に、このコンデンサの容量を大きくするために第１電極１０３と第２電極１０６との間の距離（以下、電極間距離という）が小さくなっていると、それだけ電極間距離の差がコンデンサの容量に大きく影響するため、この配線基板１０１の外周部側と内部側とでコンデンサ容量が大きく異なって、配線基板１０１内の各箇所で容量値のばらつきが大きくなるという問題点があった。
また、例えば第１電極１０３と金属箔１１０との間に異物が介在していたり、直接第１電極１０３と金属箔１１０とが接触したりして、配線基板１０１において第１電極１０３と第２電極１０６とが短絡した状態となり、コンデンサとしての機能を果たさなくなる虞もあるという問題点もあった。
さらに、第１電極１０３と第２電極１０６との距離にばらつきがあったり第１電極１０３と第２電極１０６とが短絡したりすることにより、内部にインダクタが形成されている場合であっても、そのインダクタンスも同様に配線基板１０１の外周部側と内部側とで大きく異なるという問題点もあった。
【０００７】
また、実際の使用において、配線基板は内部での剥離によって寿命が決定されることも多く、この剥離の発生を抑制して配線基板の寿命を確保する必要があるという問題点もあった。
【０００８】
そこでこの発明は、上記のような問題点を解決することを課題とするもので、内部の電極間距離が一定で第１電極と第２電極との短絡を防止するとともに、内部での剥離の発生を抑制して寿命を確保し信頼性を向上させた配線基板及びその製造方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明に係る配線基板は、第１基板、及び前記第１基板の平面上に形成された渦状の第１導電部を有する第１導電部形成基板と、第２基板、及び前記第２基板に形成された渦状の第２導電部を有し、前記第２導電部を前記第１導電部に対向させて配置された第２導電部形成基板と、前記第１導電部形成基板及び前記第２導電部形成基板の間に介在した誘電部とを備え、熱圧着により少なくとも前記誘電部が形成された配線基板であって、前記誘電部は、前記熱圧着時に溶融する接着絶縁部と、前記熱圧着時に厚さが保たれる誘電体膜とを有しており、前記接着絶縁部は、前記誘電体膜の前記第１導電部形成基板側及び前記第２導電部形成基板側のいずれにも設けられ、前記誘電体膜は、前記第１導電部と前記第２導電部との間に介在する複数の電極間部と、各前記電極間部の間を渡って撓んで設けられた可撓性の渡り部とを有し、前記第１導電部と、前記第２導電部と、前記誘電部に形成された貫通孔に設けられ、巻き方向が同一となるように前記第１導電部及び前記第２導電部を電気的に接続する電気接続部とから内部インダクタが構成されている。
【００１０】
また、前記貫通孔は、レーザーにより形成されており、前記第１導電部は、前記誘電部側の面に前記レーザーの反射率を低下させる処理がなされている。
【００１１】
また、前記誘電体膜の表面には、前記溶融した前記接着絶縁部との濡れ性を向上させる処理がなされている。
【００１２】
また、前記誘電体膜は、少なくとも、誘電性の母材と、前記母材内に混入された前記母材よりも透磁率の高い粉末とからなる。
【００１３】
また、この発明に係る配線基板の製造方法は、前記第１導電部を前記第１基板上に設けて前記第１導電部形成基板を形成する第１導電部形成基板工程と、前記第１導電部の表面に前記レーザーの反射率を低下させる処理をする第１導電部処理工程と、接着用絶縁膜を前記第１導電部形成基板の前記第１導電部側に重ねる第１絶縁膜積層工程と、前記誘電体膜に前記濡れ性を向上させる処理をする誘電体膜処理工程と、前記誘電体膜を前記接着用絶縁膜に重ねる誘電体膜積層工程と、前記誘電体膜積層工程の後に、接着用絶縁膜を前記誘電体膜に重ねる第２絶縁膜積層工程と、面状の導電体膜を前記第２絶縁膜積層工程において重ねられた前記接着用絶縁膜に設ける導電体膜積層工程と、前記熱圧着で前記接着用絶縁膜を溶融させるとともに互いに近づく向きに前記第１導電部及び前記導電体膜を押圧する熱圧着工程と、前記誘電体膜上に前記導電体膜を複数の前記第２導電部として形成する第２導電部形成工程と、前記第２導電部形成基板工程の前に、前記レーザーを前記第１導電部の表面に向けて照射して前記貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記貫通孔を通じて前記第１導電部及び前記第２導電部の間に前記電気接続部を形成して前記第１導電部及び前記第２導電部を電気的に接続する電気的接続工程と、前記第２導電部を前記第２基板で覆って前記第２導電部形成基板を形成する第２導電部形成基板工程とを備え、前記熱圧着工程では、前記接着用絶縁膜は、それぞれ前記第１導電部及び前記誘電体膜の間、前記第１導電部に対向する前記導電体膜及び前記誘電体膜の間から前記誘電体膜が撓みつつ押し出されて前記接着絶縁部として形成され、前記誘電体膜及び前記接着誘電部により前記誘電部が形成されるようになっている。
【００１４】
第１基板、及び前記第１基板の平面上に間隔を置いて形成された渦状の第１導電部を有する第１導電部形成基板と、第２基板、及び前記第２基板に形成された渦状の第２導電部を有し、前記第２導電部を前記第１導電部に対向させて配置された第２導電部形成基板と、前記第１導電部形成基板及び前記第２導電部形成基板の間に介在するとともに、少なくとも熱圧着により形成され、前記熱圧着時に溶融する接着絶縁部と、前記第１導電部と前記第２導電部との間に介在するとともに、表面に前記溶融した前記接着絶縁部との濡れ性を向上させる処理がなされ、前記熱圧着時に厚さが保たれる誘電体膜とを有する誘電部とを備え、かつ前記第１導電部と、前記第２導電部と、前記誘電部に形成された貫通孔に設けられ、巻き方向が同一となるように前記第１導電部及び前記第２導電部を電気的に接続する電気接続部とから内部インダクタが構成されている配線基板を製造するための配線基板の製造方法であって、前記第１導電部を前記第１基板上に設けて前記第１導電部形成基板を形成する第１導電部形成基板工程と、前記第１導電部の表面に前記レーザーの反射率を低下させる処理をする第１導電部処理工程と、接着用絶縁膜を前記第１導電部形成基板の前記第１導電部側に重ねる第１絶縁膜積層工程と、前記誘電体膜の一面に前記濡れ性を向上させる処理をし、他面に前記第２導電部との密着力を向上させる処理をする誘電体膜処理工程と、前記一面を前記接着用絶縁膜に向けて前記誘電体膜を前記接着用絶縁膜に重ねる誘電体膜積層工程と、導電体膜を前記誘電体膜の前記他面に設ける導電体膜積層工程と、前記熱圧着で前記接着用絶縁膜を溶融させるとともに互いに近づく向きに前記第１導電部及び前記導電体膜を押圧する熱圧着工程と、前記誘電体膜上に前記導電体膜を前記第２導電部として形成する第２導電部形成工程と、前記第２導電部形成基板工程の前に、前記レーザーを前記第１導電部の表面に向けて照射して前記貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記貫通孔を通じて前記第１導電部及び前記第２導電部の間に前記電気接続部を形成して前記第１導電部及び前記第２導電部を電気的に接続する電気的接続工程と、前記第２導電部を前記第２基板で覆って前記第２導電部形成基板を形成する第２導電部形成基板工程とを備え、前記熱圧着工程では、前記接着用絶縁膜は前記第１導電部及び前記誘電体膜の間から押し出されて前記接着絶縁部として形成され、前記誘電体膜及び前記接着絶縁部により前記誘電部が形成されるようになっている。
【発明の効果】
【００１５】
以上の説明から明らかなように、この発明に係る配線基板は、第１基板、及び前記第１基板の平面上に形成された渦状の第１導電部を有する第１導電部形成基板と、第２基板、及び前記第２基板に形成された渦状の第２導電部を有し、前記第２導電部を前記第１導電部に対向させて配置された第２導電部形成基板と、前記第１導電部形成基板及び前記第２導電部形成基板の間に介在した誘電部とを備え、熱圧着により少なくとも前記誘電部が形成された配線基板であって、前記誘電部は、前記熱圧着時に溶融する接着絶縁部と、前記熱圧着時に厚さが保たれる誘電体膜とを有しており、前記接着絶縁部は、前記誘電体膜の前記第１導電部形成基板側及び前記第２導電部形成基板側のいずれにも設けられ、前記誘電体膜は、前記第１導電部と前記第２導電部との間に介在する複数の電極間部と、各前記電極間部の間を渡って撓んで設けられた可撓性の渡り部とを有し、前記第１導電部と、前記第２導電部と、前記誘電部に形成された貫通孔に設けられ、巻き方向が同一となるように前記第１導電部及び前記第２導電部を電気的に接続する電気接続部とから内部インダクタが構成されているので、前記第１導電部及び前記第２導電部の間の距離の場所による差が小さくなるとともに、前記配線基板上にインダクタを配置するスペースが不要になり、前記配線基板を小型化できる。
【００１６】
また、前記貫通孔は、レーザーにより形成されており、前記第１導電部は、前記誘電部側の面に前記レーザーの反射率を低下させる処理がなされているので、前記レーザーによる前記貫通孔の形成時に、前記レーザーのエネルギを前記第１導電部が容易に吸収でき、その吸収による温度上昇により容易に前記貫通孔が形成できる。
【００１７】
また、前記誘電体膜の表面には、前記溶融した前記接着絶縁部との濡れ性を向上させる処理がなされているので、前記誘電体膜と前記接着絶縁部との密着力が大きくなって前記誘電体膜と前記接着絶縁部との間で剥離しにくくなる。
【００１８】
また、前記誘電体膜は、少なくとも、誘電性の母材と、前記母材内に混入された前記母材よりも透磁率の高い粉末とからなるので、前記内部インダクタが形成された場合に、そのインダクタンスを大きくすることができる。
【００１９】
また、この発明に係る配線基板の製造方法は、前記第１導電部を前記第１基板上に設けて前記第１導電部形成基板を形成する第１導電部形成基板工程と、前記第１導電部の表面に前記レーザーの反射率を低下させる処理をする第１導電部処理工程と、接着用絶縁膜を前記第１導電部形成基板の前記第１導電部側に重ねる第１絶縁膜積層工程と、前記誘電体膜に前記濡れ性を向上させる処理をする誘電体膜処理工程と、前記誘電体膜を前記接着用絶縁膜に重ねる誘電体膜積層工程と、前記誘電体膜積層工程の後に、接着用絶縁膜を前記誘電体膜に重ねる第２絶縁膜積層工程と、面状の導電体膜を前記第２絶縁膜積層工程において重ねられた前記接着用絶縁膜に設ける導電体膜積層工程と、前記熱圧着で前記接着用絶縁膜を溶融させるとともに互いに近づく向きに前記第１導電部及び前記導電体膜を押圧する熱圧着工程と、前記誘電体膜上に前記導電体膜を複数の前記第２導電部として形成する第２導電部形成工程と、前記第２導電部形成基板工程の前に、前記レーザーを前記第１導電部の表面に向けて照射して前記貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記貫通孔を通じて前記第１導電部及び前記第２導電部の間に前記電気接続部を形成して前記第１導電部及び前記第２導電部を電気的に接続する電気的接続工程と、前記第２導電部を前記第２基板で覆って前記第２導電部形成基板を形成する第２導電部形成基板工程とを備え、前記熱圧着工程では、前記接着用絶縁膜は、それぞれ前記第１導電部及び前記誘電体膜の間、前記第１導電部に対向する前記導電体膜及び前記誘電体膜の間から前記誘電体膜が撓みつつ押し出されて前記接着絶縁部として形成され、前記誘電体膜及び前記接着誘電部により前記誘電部が形成されるようになっているので、短時間でしかも容易に前記配線基板が製造される。また、前記レーザーによる前記貫通孔の形成が容易に、かつ、短時間ででき、前記配線基板の製造時間を短縮できる。
【００２０】
第１基板、及び前記第１基板の平面上に間隔を置いて形成された渦状の第１導電部を有する第１導電部形成基板と、第２基板、及び前記第２基板に形成された渦状の第２導電部を有し、前記第２導電部を前記第１導電部に対向させて配置された第２導電部形成基板と、前記第１導電部形成基板及び前記第２導電部形成基板の間に介在するとともに、少なくとも熱圧着により形成され、前記熱圧着時に溶融する接着絶縁部と、前記第１導電部と前記第２導電部との間に介在するとともに、表面に前記溶融した前記接着絶縁部との濡れ性を向上させる処理がなされ、前記熱圧着時に厚さが保たれる誘電体膜とを有する誘電部とを備え、かつ前記第１導電部と、前記第２導電部と、前記誘電部に形成された貫通孔に設けられ、巻き方向が同一となるように前記第１導電部及び前記第２導電部を電気的に接続する電気接続部とから内部インダクタが構成されている配線基板を製造するための配線基板の製造方法であって、前記第１導電部を前記第１基板上に設けて前記第１導電部形成基板を形成する第１導電部形成基板工程と、前記第１導電部の表面に前記レーザーの反射率を低下させる処理をする第１導電部処理工程と、接着用絶縁膜を前記第１導電部形成基板の前記第１導電部側に重ねる第１絶縁膜積層工程と、前記誘電体膜の一面に前記濡れ性を向上させる処理をし、他面に前記第２導電部との密着力を向上させる処理をする誘電体膜処理工程と、前記一面を前記接着用絶縁膜に向けて前記誘電体膜を前記接着用絶縁膜に重ねる誘電体膜積層工程と、導電体膜を前記誘電体膜の前記他面に設ける導電体膜積層工程と、前記熱圧着で前記接着用絶縁膜を溶融させるとともに互いに近づく向きに前記第１導電部及び前記導電体膜を押圧する熱圧着工程と、前記誘電体膜上に前記導電体膜を前記第２導電部として形成する第２導電部形成工程と、前記第２導電部形成基板工程の前に、前記レーザーを前記第１導電部の表面に向けて照射して前記貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記貫通孔を通じて前記第１導電部及び前記第２導電部の間に前記電気接続部を形成して前記第１導電部及び前記第２導電部を電気的に接続する電気的接続工程と、前記第２導電部を前記第２基板で覆って前記第２導電部形成基板を形成する第２導電部形成基板工程とを備え、前記熱圧着工程では、前記接着用絶縁膜は前記第１導電部及び前記誘電体膜の間から押し出されて前記接着絶縁部として形成され、前記誘電体膜及び前記接着絶縁部により前記誘電部が形成されるようになっているので、短時間でしかも容易に前記配線基板が製造される。また、前記レーザーによる前記貫通孔の形成が容易に、かつ、短時間ででき、前記配線基板の製造時間を短縮できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下にこの発明の実施の形態について説明するが、従来例のものと同一又は同等部材、部位は、同一符号を付して説明する。
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１に係る配線基板の構成を示す断面図である。図１において、配線基板１は、例えばガラスエポキシ基材である第１基板１０２と、この第１基板１０２の平面上に形成された第１導電部である板状の第１電極１０３とを有する第１導電部形成基板１０４を備えている。また、配線基板１は、例えばガラスエポキシ基材である第２基板１０５と、この第２基板１０５に複数形成された第２導電部である板状の第２電極１０６とを有する第２導電部形成基板１０７を備えている。この第１導電部形成基板１０４及び第２導電部形成基板１０７は、第１電極１０３と第２電極１０６とを互いに対向させて配置されている。また、配線基板１は、第１導電部形成基板１０４と第２導電部形成基板１０７との間に介在した誘電性材料の誘電部２を備えている。誘電部２は、融点の異なる誘電体膜３と接着絶縁部４とを有している。
【００２２】
第１導電部形成基板１０４において、第１電極１０３は、例えば厚さ１８μｍで、第１基板１０２の平面上にその厚さの分だけ突出して形成されている。また、第１電極１０３は、間隔を置いて複数形成されており、各第１電極１０３間に凹部５が形成されている。
【００２３】
第２導電部形成基板１０７において、第２電極１０６は、例えば厚さ１８μｍで、第１導電部形成基板１０４側の面を露出させて第２基板１０５に埋め込まれている。
【００２４】
誘電体膜３は、例えば、６μｍの一定の厚さで形成された誘電率３の例えばポリフェニレンサルファイド膜であり、第１電極１０３及び第２電極１０６の間に介在する電極間部６と、各電極間部６の間を渡って設けられた渡り部７とから構成されている。この誘電体膜３は、可撓性であり、渡り部７が凹部５側に撓んで設けられている。また、誘電体膜３の接着絶縁部４に接触している表面には、例えばコロナ放電処理がなされている。
【００２５】
接着絶縁部４は、誘電体膜３の第１導電部形成基板１０４側に設けられた第１接着絶縁部４ａと、誘電体膜３の第２導電部形成基板１０７側に設けられた第２接着絶縁部４ｂとから構成されている。この接着絶縁部４の材質は、約１８０℃で硬化する熱硬化性エポキシ樹脂であり、誘電体膜３と第１導電部形成基板１０４とを接着し、及び誘電体膜３と第２導電部形成基板１０７とを接着している。第１接着絶縁部４ａは、渡り部７と凹部５とで囲まれた空間を満たすとともに、電極間距離に影響を与えない程度に第１電極１０３と電極間部６との間に薄く介在して、誘電体膜３を第１導電部形成基板１０４に接着している。第２接着絶縁部４ｂは、撓んでいる渡り部７と第２基板１０５との間に形成された空間を満たすとともに、電極間距離に影響を与えない程度に第２電極１０６と電極間部６との間に薄く介在して、誘電体膜３を第２導電部形成基板１０７に接着している。
【００２６】
このような構成の配線基板１は、厚さが一定の電極間部６が第１電極１０３と第２電極１０６との間に介在し、しかも接着絶縁部４は、第１電極１０３と第２電極１０６との間に、電極間距離に影響を与えない程度に薄くしか介在していないので、電極間距離が電極間部６の厚さで決定され、従来例に比べて電極間距離が場所によって大きく異なることがなく、内部に構成されているコンデンサの容量のばらつきが抑制されている。
【００２７】
また、異なる材質である誘電体膜３と接着絶縁部４とは、通常、互いに密着しにくいが、誘電体膜３の表面に例えばコロナ放電処理がなされていることから、密着力が向上して剥離が発生しにくくなっている。
【００２８】
次に、このような配線基板１の製造方法について説明する。図２乃至図５は、配線基板１の製造工程でのそれぞれの状態を示す模式図である。これら図２乃至図５に示すように、まず、第１基板１０２の例えば縦横３４０ｍｍの平面上に例えば厚さ１８μｍの第１電極１０３を例えば第１基板１０２の平面の周囲部３０ｍｍを除き１０ｍｍおきにマトリックス状に７８４個従来と同様に形成して、第１導電部形成基板１０４を形成する（第１導電部形成基板工程、図２）。次に、例えば約１５０℃で溶融粘度が１０５Ｐ、約１８０℃で硬化する熱硬化性エポキシ樹脂の接着用絶縁膜である第１接着用絶縁膜１０を第１導電部形成基板１０４の第１電極１０３側に重ね（第１絶縁膜積層工程）、誘電体膜３をこの第１接着用絶縁膜１０の上に重ねる（誘電体膜積層工程）。この誘電体膜３はこの誘電体膜積層工程までに、表面にコロナ放電処理をして溶融した接着用絶縁膜との濡れ性を向上させる処理を行っている。この濡れ性を向上させる処理は、オゾン処理あるいは酸素プラズマ処理であっても構わない（誘電体膜処理工程）。そして、さらにその上に第１接着用絶縁膜１０と同様の材質の接着用絶縁膜である第２接着用絶縁膜１１を重ねる（第２絶縁膜積層工程）。ここで、第１接着用絶縁膜１０の厚さは、第１電極１０３の厚さよりも小さい例えば１０μｍとなっており、第２接着用絶縁膜１１の厚さは、例えば５μｍとなっている。また、誘電体膜３の厚さは、上述のように例えば６μｍとなっている。
その後、この第２接着用絶縁膜１１の上に例えば厚さ１８μｍの銅箔である導電性の導電体膜１２を重ねて（導電体膜積層工程）、図３に示す状態とする。
【００２９】
その後、これら第１導電部形成基板１０４、第１接着用絶縁膜１０、誘電体膜３、第２接着用絶縁膜１１及び導電体膜１２を第１導電部形成基板１０４側と導電体膜１２側とから圧着板であるステンレス板で挟んで互いに近づく向きに押圧する。このとき、押圧するとともに、昇温速度６℃／ｍｉｎで、約１８０℃即ち熱硬化性エポキシ樹脂が硬化する温度まで加熱している（熱圧着工程）。ここで、誘電体膜３の材質は、この熱圧着工程における最高温度でも溶融しない可撓性の材質となっており、例えば接着用絶縁膜が硬化する約１８０℃でも溶融しないポリフェニレンサルファイドである。これに対して、第１接着用絶縁膜１０及び第２接着用絶縁膜の材質は、この熱圧着工程において溶融し硬化する熱硬化性エポキシ樹脂である。従って、熱圧着工程において昇温していくと、第１接着用絶縁膜１０及び第２接着用絶縁膜１１のみが溶融する。
【００３０】
また、第１電極１０３は、第１基板１０２にその厚さの分だけ突出して形成されているので、ステンレス板の挟み付ける押圧力は第１電極１０３と導電体膜１２との間に存在する第１接着用絶縁膜１０、誘電体膜３及び第２接着用絶縁膜１１に直接働く。このことから、第１接着用絶縁膜１０及び第２接着用絶縁膜１１は、昇温により溶融するとこの押圧力により第１電極１０３と導電体膜１２との間から押し出される。このとき、第１接着用絶縁膜１０は凹部５に流れ込み、第２接着用絶縁膜１１は押し出される圧力により誘電体膜３が撓んで形成された空間に流れ込む。そして、約１８０℃まで昇温されて硬化し、第１接着用絶縁膜１０は第１接着絶縁部４ａとして形成され、第２接着用絶縁膜１１は第２接着絶縁部４ｂとして形成される。この流れ込むスペースを確保するために、第１接着用絶縁膜１０と第２接着用絶縁膜１１との厚さの合計が第１電極１０３の厚さ、即ち凹部５の深さよりも小さくなるようにしている。即ち、第１接着用絶縁膜１０及び第２接着用絶縁膜１１が第１電極１０３と導電体膜１２との間からそれぞれ凹部５に流れ込み、誘電体膜３を撓ませて形成された空間に流れ込むことで増加する厚さの分だけ第１接着用絶縁膜１０及び第２接着用絶縁膜１１の厚さの合計が第１電極１０３の厚さより小さくなっている。従って、第１電極１０３の第１基板１０２の平面に占める面積率が大きいと第１接着用絶縁膜１０及び第２接着用絶縁膜１１の厚さの合計は第１電極１０３の厚さに比べて大きく差をつける必要があり、逆に面積率が小さいとその差を小さくする必要がある。また、第２接着用絶縁膜１１は、その厚さが大きいほど誘電体膜３を大きく撓ませることとなり、誘電体膜３に負担をかけて寿命等に影響を及ぼす可能性があるので、誘電体膜３を大きく撓ませない適切な厚さとする。導電体膜１２この第１接着用絶縁膜１０及び第２接着用絶縁膜１１は、第１電極１０３と導電体膜１２との間からすべて押し出されるわけではなく、接着のために必要な極めて薄い層だけは残っている。
【００３１】
誘電体膜３は、この熱圧着工程においては溶融しないので、第１電極１０３と導電体膜１２との間には厚さを一定に保ったまま電極間部６として残り、溶融した第２接着用絶縁膜１１の圧力で撓んで各電極間部６の間で渡り部７として形成され、図４に示す状態となる。
【００３２】
その後、導電体膜１２をエッチング等により第１電極１０３に対向する箇所に残して第２電極１０６として形成して（第２導電部形成工程）、図５に示す状態とする。最後に、誘電体膜３の第２電極１０６側に従来例と同様にして第２基板１０５を形成して、第２導電部形成基板１０７を形成し（第２導電部形成基板工程）、図１に示す配線基板１を製造する。
【００３３】
従って、上記のような構成の配線基板１を容易に製造することができ、しかも例えば第１電極１０３と第２電極１０６との間に異物が混入しても第１電極１０３と第２電極１０６とが短絡する可能性も極端に小さくなる。
【００３４】
なお、第１導電部形成基板工程及び導電体膜積層工程において、第１電極１０３及び導電体膜１２は、当然のことながら、銅以外の金属、例えば亜鉛、ニッケル、金、銀、アルミニウムあるいはそれらの合金、又はポリチオフェンに代表される導電性高分子等、導電性があれば何でも構わない。また、第１電極１０３及び導電体膜１２の形成方法も、気相法あるいは導電性のペーストを塗布して焼成する方法等、どのような方法でも構わない。
【００３５】
また、誘電体膜３の材質は、ポリフェニレンサルファイドである必要はなく、熱圧着工程において溶融、分解しないものであればよいので、ポリフェニルスルホン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリフェニルオキサイド、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、ポリシラン、ポリエチルエーテルケトン、アセテート、ポリプロピレン等であっても構わない。
さらに、誘電体膜３は、熱圧着工程における温度でヤング率が低くなると押圧力により変形しやすくなって直接電極間距離のばらつきに影響することから、誘電体膜３は、熱圧着工程における温度でもこの押圧力で容易に厚さが変化しない程度のヤング率、例えば１ＧＰａ以上を確保できるものであることが望ましい。
【００３６】
また、誘電体膜３は、上記のポリフェニレンサルファイド等の母材内にこの母材よりも誘電率の高い例えばチタン酸バリウム等の粉末が例えば母材に対して２０％練り込まれて構成されていると、完成した配線基板１の誘電部２の誘電率がさらに高くなり内部コンデンサの容量を大きくできる。また、誘電体膜３にこのような粉末を混入する比率を変化させて、内部コンデンサの容量密度の大きさを調整することもできる。なお、練り込まれる粉末は、チタン酸バリウムに限定されず、ペロブスカイト構造の無機結晶等であっても構わない。
【００３７】
また、第１基板１０２は、ガラスエポキシ基材に限定する必要はなく、ガラスビスマレイミドトリアジン、ガラスポリフェニレンオキサイド、ポリイミド、紙フェノール、アルミナ等であっても構わない。
【００３８】
また、第２導電部形成工程において、第１電極１０３と第２電極１０６とが互いに対向している部分でしか内部コンデンサとしての機能を果たさないことから、各第１電極１０３間の凹部５に対向する導電体膜１２は、そのまま残しても除去してもどちらでも構わない。
【００３９】
また、熱圧着工程において、第１接着用絶縁膜１０及び第２接着用絶縁膜１１が溶融して第１導電部形成基板１０４、誘電体膜３及び導電体膜１２が圧着されればよいので、真空熱プレスあるいはラミネータ等のどのような方法を用いても構わない。
【００４０】
また、各工程の順番は、配線基板１が形成できるのであれば、どのように入れ替えてもよく、例えば誘電体膜積層工程及び第２絶縁膜積層工程の後に第１絶縁膜積層工程を行ってもよい。
【００４１】
この実施の形態における配線基板１の内部コンデンサは、１ｋＨｚにおける容量密度が平均値で理論値に近い４．３ｐＦ／ｍｍ２で、この容量密度の標準偏差が０．２ｐＦ／ｍｍ２であった。比較例として、従来例の方法で誘電性シート１０９を溶融して誘電部１０８が形成された配線基板１０１は、７８４個の第１電極１０３のうち２１個が第２電極１０６と短絡してコンデンサとしての機能を果たさず、残りの内部コンデンサの１ｋＨｚにおける容量密度が平均値で４．０ｐＦ／ｍｍ２で、この容量密度の標準偏差が２．３ｐＦ／ｍｍ２であった。従って、配線基板１は、内部コンデンサを確実に形成し、その容量値も従来例よりも所望の値により近づけることができることが確認された。また、配線基板１は、内部コンデンサの容量密度のばらつきも従来例よりも小さいことが確認された。
【００４２】
また、この実施の形態１での配線基板１をそれぞれ雰囲気温度３０℃、相対湿度７０％の環境下に５００時間あるいは１０００時間放置した。その後、はんだ付け状態を仮想して２８０℃のはんだ浴槽に１０秒間浸し、絶縁膜が溶融して形成された接着絶縁部４が配線基板１に及ぼす影響を調べた。比較例として、構成は実施の形態１の配線基板１と同様であるが、誘電体膜３の表面処理がなされていない配線基板を用いた。
その結果、５００時間の放置ではどちらの配線基板も剥離箇所は見つからなかったが、１０００時間の放置では、実施の形態１の配線基板１、即ち誘電体膜３に表面処理を行った配線基板１はどの箇所にも剥離は発生しなかったが、比較例の放線基板は誘電体膜３と接着絶縁部４との間に剥離が発生していた。従って、誘電体膜処理工程において、コロナ放電処理、オゾン処理あるいは酸素プラズマ処理等の表面処理をすることにより、誘電体膜３と接着絶縁部４との密着力が向上することが確認され、完成した配線基板の信頼性が向上することが確認された。
【００４３】
実施の形態２．
図６は、この発明の実施の形態２に係る配線基板の構成を示す断面図である。図６において、配線基板２１は、第１導電部形成基板１０４及び第２導電部形成基板１０７の間に介在した誘電部２２を備えている。誘電部２２は、第１導電部形成基板１０４及び第２導電部形成基板１０７の間に介在した誘電体膜２３と、この誘電体膜２３及び第１導電部形成基板１０４の間にのみ存在する接着絶縁部２４とから構成されている。接着絶縁部２４は、実施の形態１の接着絶縁部４と同一材質である。また、接着絶縁部２４は、誘電体膜２３と凹部５との間に形成された空間を満たすとともに、電極間距離に影響を与えない程度に第１電極１０３と誘電体膜２３との間に薄く介在して、誘電体膜２３を第１導電部形成基板１０４に接着している。即ち、配線基板２１は、誘電部２２が実施の形態１における配線基板１の第２接着絶縁部４ｂが存在しない構成となっているものである。また、誘電体膜２３は、接着絶縁部２４側の表面に例えばコロナ放電処理がなされ、第２電極１０６側の表面に例えば同様にコロナ放電処理がなされている。
他の構成は実施の形態１と同様である。
【００４４】
このような構成の配線基板２１は、実施の形態１と同様の効果を奏するとともに、誘電体膜２３の撓みが無くなるので、誘電体膜２３の撓みによる負担が小さくなり寿命等が長くなる。
【００４５】
また、誘電体膜２３の表面に例えばコロナ放電処理がなされているので、誘電体膜２３と接着絶縁部２４との密着力、及び誘電体膜２３と第２電極１０６との密着力が向上し、配線基板２１の信頼性が向上する。
【００４６】
次に、このような配線基板２１の製造方法について説明する。まず、実施の形態１と同様にして、第１導電部形成基板工程及び第１絶縁膜積層工程を経て、第１導電部形成基板１０４に第１接着用絶縁膜１０と同様の接着用絶縁膜を重ねた状態とする。この接着用絶縁膜の厚さは、後の熱圧着工程において凹部５に流れ込む分だけ第１電極１０３の厚さよりも小さくなっている。一方、あらかじめ誘電体膜３と同様の材質である例えば厚さ６μｍの誘電体膜２３の両表面に例えばコロナ放電処理をし（誘電体膜処理工程）、その一方の面に図３における導電体膜１２と同様の厚さ１８μｍの導電体膜を蒸着により形成しておく。このとき、導電体膜の厚さの調整等のため蒸着後に電気メッキにより導電体膜を形成してもよい（導電体膜積層工程）。この導電体膜を積層した誘電体膜２３を上記の第１導電部形成基板１０４に重ねられた接着用絶縁膜に他方の面を向けて重ねて（誘電体膜積層工程）、実施の形態１と同様の熱圧着工程において、接着用絶縁膜が第１電極１０３と導電体膜との間から押し出されて接着絶縁部２４として形成され、この接着絶縁部２４及び誘電体膜２３により誘電部２２が形成される。
その後、実施の形態１と同様に、第２導電部形成工程及び第２導電部形成基板工程を経て、配線基板２１が製造される。
【００４７】
なお、誘電体膜処理工程においては、誘電体膜２３の両表面にコロナ放電処理を行っているが、実施の形態１と同様にオゾン処理あるいは酸素プラズマ処理であってもよく、また、一方の面と他方の面とが異なる表面処理であっても構わない。例えば、一方の面にコロナ放電処理を行い、他方の面にオゾン処理を行っても構わない。
【００４８】
また、導電体膜積層工程において、導電体膜は、銅以外にも例えばニッケル、亜鉛あるいはクロムによる蒸着により形成されていてもよく、溶媒に溶かしたポリチオフェンに代表される導電性ポリマーあるいは導電性ペーストの印刷により形成されたものであってもよい。この導電体膜の材質は、第２導電部形成工程においてエッチングしやすい材質、例えば銅、ニッケルあるいは亜鉛等を主成分とする材質であることが望ましい。
【００４９】
ここで、誘電体膜処理工程における表面処理によって、誘電体膜２３が導電体膜及び接着絶縁部２４との密着力が向上していることを確認するために、実施の形態１と同様にして配線基板２１をそれぞれ雰囲気温度３０℃、相対湿度７０％の環境下に５００時間あるいは１０００時間放置し、はんだ付け状態を仮想して２８０℃のはんだ浴槽に１０秒間浸すことにより配線基板２１内の剥離状態を調べた。
その結果、この配線基板２１は、５００時間及び１０００時間のどちらの放置でも、どの箇所にも剥離は発生しなかった。従って、誘電体膜処理工程において、コロナ放電処理、オゾン処理あるいは酸素プラズマ処理等の表面処理をすることにより、誘電体膜２３と接着絶縁部２４との密着力だけでなく、誘電体膜２３と導電体膜との密着力も向上することが確認され、配線基板２１の信頼性が向上していることが確認された。
【００５０】
実施の形態３．
図７は、この発明の実施の形態３に係る配線基板の構成を示す断面図、図８は、図７のVIII-VIII線に沿った矢視断面図、図９は、図７のIX-IX線に沿った矢視断面図である。なお、図７は、図８あるいは図９のVII-VII線に沿った矢視断面図となっている。図７乃至図９において、配線基板３１は、互いに誘電部２を介して一部が対向する第１導電部である第１導電線３２及び第２導電部である第２導電線３３を備えている。第１導電線３２及び第２導電線３３の材質は、実施の形態１の第１電極１０３及び第２電極１０６の材質と同一である。この第１導電線３２及び第２導電線３３は、図８及び図９に示すように、それぞれの内側端部３２ａ及び３３ａからそれぞれ外側端部３２ｂ及び３３ｂに向かって互いに逆周りとなるように渦状に形成されている。また、誘電部２には、第１導電線３２の内側端部３２ａから第２導電線３３の内側端部３３ａに通じる貫通孔３４が設けられており、この貫通孔３４内、内側端部３２ａ及び内側端部３３ａに例えば銅メッキされて電気接続部３５が形成され、第１導電線３２と第２導電線３３との電気的接続がなされている。なお、図８及び図９において、第１導電線３２及び第２導電線３３が誘電部２を介して互いに対向する部分を編み目模様で示している。
他の構成は実施の形態１と同様である。
【００５１】
このような構成の配線基板３１は、実施の形態１と同様の効果を奏するとともに、内部で第１導電線３２及び第２導電線３３が巻き方向が同一となるように電気接続部３５により電気的に接続されているので、第１導電線３２、第２導電線３３及び電気接続部３５によりスパイラルインダクタを内部に形成することができ、その分だけ配線基板３１上のインダクタ配置スペースを削減することができる。また、第１導電線３２と第２導電線３３との間隔が誘電体膜３の厚さで決定されることから、配線基板３１内のどの箇所でも内部インダクタのインダクタンスが大きく異なるようなことは抑制できる。
【００５２】
次に、このような配線基板３１の製造方法について説明する。この配線基板３１の製造方法は、第２導電部形成基板工程の手前までほぼ実施の形態１と同様であるが、第１導電部形成基板工程において第１導電部を第１電極１０３ではなく第１導電線３２として形成し、第２導電部形成工程においてエッチング等により第２導電部を第２電極１０６ではなく第２導電線３３として形成しているところが実施の形態１と異なる。このようにして、実施の形態１とほぼ同様の製造工程を辿って第２導電部形成基板工程の手前の図１０に示すような状態とする。その後、誘電部２の第２導電線３３側から第１導電線３２に向けて、即ち矢印４０の向きに例えば炭酸ガスレーザーを照射し、誘電部２に貫通孔３４を形成する。このとき、炭酸ガスレーザーは、第２導電線３３の内側端部３３ａを接するとともに誘電部２を介して第１導電線３２の内側端部３２ａに当たるような経路で照射される（貫通孔形成工程）。それから、貫通孔形成工程において形成された貫通孔３４内、内側端部３２ａ及び内側端部３３ａに化学銅メッキを行って電気接続部３５を形成し、第１導電線３２と第２導電線３３との電気的接続を行う（電気的接続工程）。
その後、実施の形態１と同様の第２導電部形成基板工程を経て、配線基板３１が完成する。
【００５３】
この実施の形態における配線基板３１の内部インダクタは、１ｋＨｚにおけるインダクタンスが平均値で６．３ｎＨであり、このインダクタンスの標準偏差が０．１７ｎＨであった。比較例として、従来例の方法で誘電性シート１０９を溶融して誘電部１０８が形成されていることを除き、この実施の形態３と同様にして製造された配線基板を用いたところ、その内部インダクタは１ｋＨｚにおけるインダクタンスが平均値で２．１ｎＨで、このインダクタンスの標準偏差が１．９ｎＨであった。従って、配線基板３１は、内部コンデンサと同様に内部インダクタも従来例に比べて確実に形成され、そのインダクタンスのばらつきも比較例に比べて小さいことが確認された。
【００５４】
なお、貫通孔形成工程において、貫通孔３４の形成は炭酸ガスレーザーに限定する必要はなく、貫通孔３４が形成できればよいので、例えばエキシマレーザー、ＹＡＧレーザーあるいはドリル等によっても構わない。
【００５５】
また、電気的接続工程において、電気接続部３５の形成は貫通孔３４内に化学銅メッキをすることに限定することはなく、例えば上記のような導電性ポリマー等を貫通孔３４内に充填してもよいし、亜鉛、ニッケル等のメッキでも構わない。また、化学メッキ後、電気メッキを行ってメッキ層の厚さを増加させても構わない。
【００５６】
また、誘電体膜３は、実施の形態１と同様なポリフェニレンサルファイド等の母材にこの母材よりも透磁率の高い例えばＮｉ−Ｚｎ系フェライトの粉末が母材に対して例えば２０％練り込まれて構成されていると、さらに誘電部２の透磁率が高くなり内部インダクタのインダクタンスが大きくなる。また、この粉末を誘電部２内で第１導電線３２及び第２導電線３３に近づけて配置することにより、さらに内部インダクタのインダクタンスを大きくすることができる。さらに、このような透磁率の高い材質の粉末を誘電体膜３に混入する比率あるいは配置位置を変化させて、内部インダクタのインダクタンスの大きさを調整することもできる。なお、練り込まれる粉末はＮｉ−Ｚｎ系フェライトに限定されず、パーマロイ、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトあるいはカルボニル鉄等であっても構わない。
【００５７】
ここで、貫通孔形成工程における貫通孔３４形成のメカニズムを説明する。炭酸ガスレーザー等が誘電部２に照射されると、そのエネルギは一部が誘電部２に吸収されるがその大半が誘電部２を透過して第１導電線３２の内側端部３２ａにまで到達する。内側端部３２ａは、この到達した炭酸ガスレーザーのエネルギを吸収することにより温度が上昇する。この温度上昇により内側端部３２ａに密着している誘電部２が溶融、気化して貫通孔３４が形成される。従って、貫通孔３４は、内側端部３２ａの温度上昇速度が大きければそれだけ速く形成される。このことから、内側端部３２ａが炭酸ガスレーザーのエネルギを効率良く吸収できれば、貫通孔３４を速く形成することができる。
【００５８】
そこで、第１導電部形成基板工程の後に第１導電線３２の表面に炭酸ガスレーザー等のエネルギを効率良く吸収させるようにする処理、例えば無水酢酸等の有機酸に第１導電線３２の表面を浸漬する有機酸処理を行う（第１導電部処理工程）ことにより、第１導電線３２の表面の反射率が低下し、炭酸ガスレーザーのエネルギの吸収率を良くすることができる。なお、例えば水酸化ナトリウム水溶液あるいは水酸化カリウム水溶液に第１導電線３２の表面を浸漬するアルカリ処理を行っても同様に第１導電線３２の表面の反射率を低下させることができる。実際に有機酸処理及びアルカリ処理のどちらの処理によっても、第１導電線３２の表面の炭酸ガスレーザーに対する反射率は、２０％以下とすることができた。
【００５９】
実際には、炭酸ガスレーザーのパルスを誘電部２に当てて貫通孔３４を形成していることから、全く表面処理を行っていない第１導電線３２を用いたものと、表面に有機酸処理あるいはアルカリ処理を行った第１導電線３２を用いたものとで、貫通孔３４が形成されるまでのパルスの回数を調べて貫通孔３４の形成速度を比較した。その結果、全く表面処理が行われていない第１導電線３２を用いたものでは、貫通孔３４が形成されるまでのパルスの回数が７回であったのに対して、表面に有機酸処理あるいはアルカリ処理を行った第１導電線３２を用いたものでは、１回で貫通孔３４が形成された。
このことから、配線基板３１の製造工程中に第１導電部処理工程が挿入されることにより、誘電部２に貫通孔３４を容易に形成することができ、配線基板３１の製造時間も短くなる。また、炭酸ガスレーザーを発生するレーザー加工機の負担も小さくなり、この加工機の寿命も長くなる。
【００６０】
なお、当然のことながら、有機酸処理あるいはアルカリ処理は、エキシマレーザーあるいはＹＡＧレーザー等に対する反射率も効率的に低下させることができる。また、第１導電線３２の表面処理は、貫通孔３４を形成するために照射されるレーザーに対する反射率を低下させる処理であればよいので、有機酸処理あるいはアルカリ処理に限ることなく、例えばカーボンフィラーを混ぜたインクを第１導電線３２の表面に塗布する処理をしても構わない。
【００６１】
なお、この実施の形態３においては、第２接着絶縁部４ｂを有している実施の形態１の配線基板１の製造方法を基本として内部インダクタを有した配線基板３１が製造されているが、当然のことながら、第２接着絶縁部４ｂを有していない実施の形態２の配線基板２１の製造方法を基本として内部インダクタを有した配線基板を製造しても構わない。
【００６２】
また、同一層に内部コンデンサ及び内部インダクタを同時に形成された配線基板であっても構わない。この場合、誘電体膜３の母材に透磁率の高い粉末及び誘電率の高い粉末の両方を練り込んでいれば、内部コンデンサが形成された部分では、誘電率の高い粉末により容量密度が大きくなり、内部インダクタが形成された部分では、透磁率の高い粉末によりインダクタンス密度が大きくなる。
このように１つの配線基板内に内部コンデンサ及び内部インダクタが形成されることから、例えば内部インダクタを内部コンデンサに電気的に接続してＬＣフィルタ及びバイパスコンデンサとして機能する回路を形成することができる。従って、配線基板表面にチップコンデンサあるいはフィルタ素子を配置する必要がなくなり、従来例の配線基板１０１よりもさらに小型化した配線基板を得ることができる。その結果、携帯電話あるいはデジタルカメラ等の電子機器への適用も容易になる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】この発明の実施の形態１に係る配線基板の構成を示す断面図である。
【図２】第１導電部形成基板工程後の状態を示す模式図である。
【図３】第１絶縁膜積層工程、誘電体膜処理工程、誘電体膜積層工程、第２絶縁膜積層工程、及び導電体膜積層工程後の状態を示す模式図である。
【図４】熱圧着工程後の状態を示す模式図である。
【図５】第２導電部形成工程後の状態を示す模式図である。
【図６】この発明の実施の形態２に係る配線基板の構成を示す断面図である。
【図７】この発明の実施の形態３に係る配線基板の構成を示す断面図である。
【図８】図７のVIII-VIII線に沿った矢視断面図である。
【図９】図７のIX-IX線に沿った矢視断面図である。
【図１０】貫通孔形成工程の前の状態を示す模式図である。
【図１１】従来の配線基板の構成を示す断面図である。
【図１２】第１導電部形成基板に誘電性シート及び金属箔を重ねた状態を示す模式図である。
【図１３】図１２の状態のものを熱圧着した後の状態を示す模式図である。
【図１４】図１３の状態の金属箔を第２電極として形成した後の状態を示す模式図である。
【符号の説明】
【００６４】
１，２１，３１ 配線基板、２，２２ 誘電部、３，２３ 誘電体膜、４，２４ 接着絶縁部、４ａ 第１接着絶縁部、４ｂ 第２接着絶縁部、１０ 第１接着用絶縁膜、１１ 第２接着用絶縁膜、１２ 導電体膜、３２ 第１導電線（第１導電部）、３３ 第２導電線（第２導電部）、３４ 貫通孔、３５ 電気接続部、１０２ 第１基板、１０３ 第１電極（第１導電部）、１０４ 第１導電部形成基板、１０５ 第２基板、１０６ 第２電極（第２導電部）、１０７ 第２導電部形成基板。
【技術分野】
【０００１】
この発明は、内部に、コンデンサ、インダクタ、あるいはその両方の機能を備えた配線基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図１１は、従来の配線基板の構成を示す断面図である。図１１において、従来の配線基板１０１は、例えばガラスエポキシ基材である第１基板１０２と、この第１基板１０２の平面上に複数形成された第１導電部である導電性の第１電極１０３とを有する第１導電部形成基板１０４を備えている。また、配線基板１０１は、例えばガラスエポキシ基材である第２基板１０５と、この第２基板１０５に複数形成された第２導電部である導電性の第２電極１０６とを有する第２導電部形成基板１０７を備えている。この第１導電部形成基板１０４及び第２導電部形成基板１０７は、第１電極１０３と第２電極１０６とを互いに対向させて配置されている。また、配線基板１０１は、第１導電部形成基板１０４と第２導電部形成基板１０７との間に介在した誘電体の誘電部１０８を備えている。
【０００３】
このように構成された配線基板１０１は、この配線基板１０１の内部で第１電極１０３と第２電極１０６とが誘電部１０８を介して対向して配置されて、平行板コンデンサとしての構成をとることができるので、その分だけ配線基板１０１上にコンデンサを配置する必要がなくなり、配線基板１０１を小型化できるというメリットがある。
【０００４】
また、特開平２００１−０７７５３９公報に、配線基板の誘電部に透磁率の高い粉末材料を混入させることにより配線基板の内部にインダクタを形成することが示されている。即ち、配線基板１０１は、誘電部１０８に透磁率の高い粉末材料を混入することにより、コンデンサだけでなく配線基板１０１の内部にインダクタも形成することができ、さらに配線基板１０１を小型化できる。
【０００５】
次に、この配線基板１０１の製造方法について説明する。図１２乃至図１４は、配線基板１０１を製造する手順を示す模式図である。まず、第１基板１０２上に複数の第１電極１０３を形成して第１導電部形成基板１０４を形成する。次に、第１導電部形成基板１０４の第１電極１０３側に誘電性シート１０９を重ねてから、金属箔１１０をその上に重ねる（図１２）。誘電性シート１０９は、熱硬化性エポキシ樹脂であり、所定の温度で溶融しさらに温度が上昇すると硬化するものである。その後、徐々に温度を上昇させて誘電性シート１０９を溶融させながら、積層された第１導電部形成基板１０４、誘電性シート１０９及び金属箔１１０をステンレス板で挟みつけて積層方向に押圧するが、金属箔１１０と第１電極１０３との間に所定の間隔ができるように押圧力を調整する。この調整は誘電性シート１０９が硬化するまで続ける。このようにして、誘電性シート１０９は、第１導電部形成基板１０４及び金属箔１１０に密着した誘電部１０８として形成される（図１３）。その後、金属箔１１０をエッチングし、第２電極１０６を形成する（図１４）。最後に、例えばガラスエポキシ基材を加熱して溶融し誘電部１０８の第２電極１０５側に第２基板１０６を形成して、図１１に示す配線基板１０１を製造する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このようにして配線基板１０１は製造されるが、このような製造方法では、誘電性シート１０９全体が溶融している状態で、第１導電部形成基板１０４と金属箔１１０とが互いに近づく向きに押圧されるので、第１導電部形成基板１０４及び金属箔１１０の外周部側では誘電性シート１０９が外に流出しやすく内部側に近づくにつれて逃げ場が少なくなり流出しにくくなる。従って、完成した配線基板１０１は、第１電極１０３及び第２電極１０６間における誘電部１０８の厚さがその配線基板１０１の外周部側で小さく内部側で大きくなる傾向にある。このことから、互いに対向する第１電極１０３及び第２電極１０６の面積が同一であっても、配線基板１０１の外周部側と内部側とで間に介在する誘電部１０８の厚さが異なるので、それらのコンデンサとしての容量値も異なる。特に、このコンデンサの容量を大きくするために第１電極１０３と第２電極１０６との間の距離（以下、電極間距離という）が小さくなっていると、それだけ電極間距離の差がコンデンサの容量に大きく影響するため、この配線基板１０１の外周部側と内部側とでコンデンサ容量が大きく異なって、配線基板１０１内の各箇所で容量値のばらつきが大きくなるという問題点があった。
また、例えば第１電極１０３と金属箔１１０との間に異物が介在していたり、直接第１電極１０３と金属箔１１０とが接触したりして、配線基板１０１において第１電極１０３と第２電極１０６とが短絡した状態となり、コンデンサとしての機能を果たさなくなる虞もあるという問題点もあった。
さらに、第１電極１０３と第２電極１０６との距離にばらつきがあったり第１電極１０３と第２電極１０６とが短絡したりすることにより、内部にインダクタが形成されている場合であっても、そのインダクタンスも同様に配線基板１０１の外周部側と内部側とで大きく異なるという問題点もあった。
【０００７】
また、実際の使用において、配線基板は内部での剥離によって寿命が決定されることも多く、この剥離の発生を抑制して配線基板の寿命を確保する必要があるという問題点もあった。
【０００８】
そこでこの発明は、上記のような問題点を解決することを課題とするもので、内部の電極間距離が一定で第１電極と第２電極との短絡を防止するとともに、内部での剥離の発生を抑制して寿命を確保し信頼性を向上させた配線基板及びその製造方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明に係る配線基板は、第１基板、及び前記第１基板の平面上に形成された渦状の第１導電部を有する第１導電部形成基板と、第２基板、及び前記第２基板に形成された渦状の第２導電部を有し、前記第２導電部を前記第１導電部に対向させて配置された第２導電部形成基板と、前記第１導電部形成基板及び前記第２導電部形成基板の間に介在した誘電部とを備え、熱圧着により少なくとも前記誘電部が形成された配線基板であって、前記誘電部は、前記熱圧着時に溶融する接着絶縁部と、前記熱圧着時に厚さが保たれる誘電体膜とを有しており、前記接着絶縁部は、前記誘電体膜の前記第１導電部形成基板側及び前記第２導電部形成基板側のいずれにも設けられ、前記誘電体膜は、前記第１導電部と前記第２導電部との間に介在する複数の電極間部と、各前記電極間部の間を渡って撓んで設けられた可撓性の渡り部とを有し、前記第１導電部と、前記第２導電部と、前記誘電部に形成された貫通孔に設けられ、巻き方向が同一となるように前記第１導電部及び前記第２導電部を電気的に接続する電気接続部とから内部インダクタが構成されている。
【００１０】
また、前記貫通孔は、レーザーにより形成されており、前記第１導電部は、前記誘電部側の面に前記レーザーの反射率を低下させる処理がなされている。
【００１１】
また、前記誘電体膜の表面には、前記溶融した前記接着絶縁部との濡れ性を向上させる処理がなされている。
【００１２】
また、前記誘電体膜は、少なくとも、誘電性の母材と、前記母材内に混入された前記母材よりも透磁率の高い粉末とからなる。
【００１３】
また、この発明に係る配線基板の製造方法は、前記第１導電部を前記第１基板上に設けて前記第１導電部形成基板を形成する第１導電部形成基板工程と、前記第１導電部の表面に前記レーザーの反射率を低下させる処理をする第１導電部処理工程と、接着用絶縁膜を前記第１導電部形成基板の前記第１導電部側に重ねる第１絶縁膜積層工程と、前記誘電体膜に前記濡れ性を向上させる処理をする誘電体膜処理工程と、前記誘電体膜を前記接着用絶縁膜に重ねる誘電体膜積層工程と、前記誘電体膜積層工程の後に、接着用絶縁膜を前記誘電体膜に重ねる第２絶縁膜積層工程と、面状の導電体膜を前記第２絶縁膜積層工程において重ねられた前記接着用絶縁膜に設ける導電体膜積層工程と、前記熱圧着で前記接着用絶縁膜を溶融させるとともに互いに近づく向きに前記第１導電部及び前記導電体膜を押圧する熱圧着工程と、前記誘電体膜上に前記導電体膜を複数の前記第２導電部として形成する第２導電部形成工程と、前記第２導電部形成基板工程の前に、前記レーザーを前記第１導電部の表面に向けて照射して前記貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記貫通孔を通じて前記第１導電部及び前記第２導電部の間に前記電気接続部を形成して前記第１導電部及び前記第２導電部を電気的に接続する電気的接続工程と、前記第２導電部を前記第２基板で覆って前記第２導電部形成基板を形成する第２導電部形成基板工程とを備え、前記熱圧着工程では、前記接着用絶縁膜は、それぞれ前記第１導電部及び前記誘電体膜の間、前記第１導電部に対向する前記導電体膜及び前記誘電体膜の間から前記誘電体膜が撓みつつ押し出されて前記接着絶縁部として形成され、前記誘電体膜及び前記接着誘電部により前記誘電部が形成されるようになっている。
【００１４】
第１基板、及び前記第１基板の平面上に間隔を置いて形成された渦状の第１導電部を有する第１導電部形成基板と、第２基板、及び前記第２基板に形成された渦状の第２導電部を有し、前記第２導電部を前記第１導電部に対向させて配置された第２導電部形成基板と、前記第１導電部形成基板及び前記第２導電部形成基板の間に介在するとともに、少なくとも熱圧着により形成され、前記熱圧着時に溶融する接着絶縁部と、前記第１導電部と前記第２導電部との間に介在するとともに、表面に前記溶融した前記接着絶縁部との濡れ性を向上させる処理がなされ、前記熱圧着時に厚さが保たれる誘電体膜とを有する誘電部とを備え、かつ前記第１導電部と、前記第２導電部と、前記誘電部に形成された貫通孔に設けられ、巻き方向が同一となるように前記第１導電部及び前記第２導電部を電気的に接続する電気接続部とから内部インダクタが構成されている配線基板を製造するための配線基板の製造方法であって、前記第１導電部を前記第１基板上に設けて前記第１導電部形成基板を形成する第１導電部形成基板工程と、前記第１導電部の表面に前記レーザーの反射率を低下させる処理をする第１導電部処理工程と、接着用絶縁膜を前記第１導電部形成基板の前記第１導電部側に重ねる第１絶縁膜積層工程と、前記誘電体膜の一面に前記濡れ性を向上させる処理をし、他面に前記第２導電部との密着力を向上させる処理をする誘電体膜処理工程と、前記一面を前記接着用絶縁膜に向けて前記誘電体膜を前記接着用絶縁膜に重ねる誘電体膜積層工程と、導電体膜を前記誘電体膜の前記他面に設ける導電体膜積層工程と、前記熱圧着で前記接着用絶縁膜を溶融させるとともに互いに近づく向きに前記第１導電部及び前記導電体膜を押圧する熱圧着工程と、前記誘電体膜上に前記導電体膜を前記第２導電部として形成する第２導電部形成工程と、前記第２導電部形成基板工程の前に、前記レーザーを前記第１導電部の表面に向けて照射して前記貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記貫通孔を通じて前記第１導電部及び前記第２導電部の間に前記電気接続部を形成して前記第１導電部及び前記第２導電部を電気的に接続する電気的接続工程と、前記第２導電部を前記第２基板で覆って前記第２導電部形成基板を形成する第２導電部形成基板工程とを備え、前記熱圧着工程では、前記接着用絶縁膜は前記第１導電部及び前記誘電体膜の間から押し出されて前記接着絶縁部として形成され、前記誘電体膜及び前記接着絶縁部により前記誘電部が形成されるようになっている。
【発明の効果】
【００１５】
以上の説明から明らかなように、この発明に係る配線基板は、第１基板、及び前記第１基板の平面上に形成された渦状の第１導電部を有する第１導電部形成基板と、第２基板、及び前記第２基板に形成された渦状の第２導電部を有し、前記第２導電部を前記第１導電部に対向させて配置された第２導電部形成基板と、前記第１導電部形成基板及び前記第２導電部形成基板の間に介在した誘電部とを備え、熱圧着により少なくとも前記誘電部が形成された配線基板であって、前記誘電部は、前記熱圧着時に溶融する接着絶縁部と、前記熱圧着時に厚さが保たれる誘電体膜とを有しており、前記接着絶縁部は、前記誘電体膜の前記第１導電部形成基板側及び前記第２導電部形成基板側のいずれにも設けられ、前記誘電体膜は、前記第１導電部と前記第２導電部との間に介在する複数の電極間部と、各前記電極間部の間を渡って撓んで設けられた可撓性の渡り部とを有し、前記第１導電部と、前記第２導電部と、前記誘電部に形成された貫通孔に設けられ、巻き方向が同一となるように前記第１導電部及び前記第２導電部を電気的に接続する電気接続部とから内部インダクタが構成されているので、前記第１導電部及び前記第２導電部の間の距離の場所による差が小さくなるとともに、前記配線基板上にインダクタを配置するスペースが不要になり、前記配線基板を小型化できる。
【００１６】
また、前記貫通孔は、レーザーにより形成されており、前記第１導電部は、前記誘電部側の面に前記レーザーの反射率を低下させる処理がなされているので、前記レーザーによる前記貫通孔の形成時に、前記レーザーのエネルギを前記第１導電部が容易に吸収でき、その吸収による温度上昇により容易に前記貫通孔が形成できる。
【００１７】
また、前記誘電体膜の表面には、前記溶融した前記接着絶縁部との濡れ性を向上させる処理がなされているので、前記誘電体膜と前記接着絶縁部との密着力が大きくなって前記誘電体膜と前記接着絶縁部との間で剥離しにくくなる。
【００１８】
また、前記誘電体膜は、少なくとも、誘電性の母材と、前記母材内に混入された前記母材よりも透磁率の高い粉末とからなるので、前記内部インダクタが形成された場合に、そのインダクタンスを大きくすることができる。
【００１９】
また、この発明に係る配線基板の製造方法は、前記第１導電部を前記第１基板上に設けて前記第１導電部形成基板を形成する第１導電部形成基板工程と、前記第１導電部の表面に前記レーザーの反射率を低下させる処理をする第１導電部処理工程と、接着用絶縁膜を前記第１導電部形成基板の前記第１導電部側に重ねる第１絶縁膜積層工程と、前記誘電体膜に前記濡れ性を向上させる処理をする誘電体膜処理工程と、前記誘電体膜を前記接着用絶縁膜に重ねる誘電体膜積層工程と、前記誘電体膜積層工程の後に、接着用絶縁膜を前記誘電体膜に重ねる第２絶縁膜積層工程と、面状の導電体膜を前記第２絶縁膜積層工程において重ねられた前記接着用絶縁膜に設ける導電体膜積層工程と、前記熱圧着で前記接着用絶縁膜を溶融させるとともに互いに近づく向きに前記第１導電部及び前記導電体膜を押圧する熱圧着工程と、前記誘電体膜上に前記導電体膜を複数の前記第２導電部として形成する第２導電部形成工程と、前記第２導電部形成基板工程の前に、前記レーザーを前記第１導電部の表面に向けて照射して前記貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記貫通孔を通じて前記第１導電部及び前記第２導電部の間に前記電気接続部を形成して前記第１導電部及び前記第２導電部を電気的に接続する電気的接続工程と、前記第２導電部を前記第２基板で覆って前記第２導電部形成基板を形成する第２導電部形成基板工程とを備え、前記熱圧着工程では、前記接着用絶縁膜は、それぞれ前記第１導電部及び前記誘電体膜の間、前記第１導電部に対向する前記導電体膜及び前記誘電体膜の間から前記誘電体膜が撓みつつ押し出されて前記接着絶縁部として形成され、前記誘電体膜及び前記接着誘電部により前記誘電部が形成されるようになっているので、短時間でしかも容易に前記配線基板が製造される。また、前記レーザーによる前記貫通孔の形成が容易に、かつ、短時間ででき、前記配線基板の製造時間を短縮できる。
【００２０】
第１基板、及び前記第１基板の平面上に間隔を置いて形成された渦状の第１導電部を有する第１導電部形成基板と、第２基板、及び前記第２基板に形成された渦状の第２導電部を有し、前記第２導電部を前記第１導電部に対向させて配置された第２導電部形成基板と、前記第１導電部形成基板及び前記第２導電部形成基板の間に介在するとともに、少なくとも熱圧着により形成され、前記熱圧着時に溶融する接着絶縁部と、前記第１導電部と前記第２導電部との間に介在するとともに、表面に前記溶融した前記接着絶縁部との濡れ性を向上させる処理がなされ、前記熱圧着時に厚さが保たれる誘電体膜とを有する誘電部とを備え、かつ前記第１導電部と、前記第２導電部と、前記誘電部に形成された貫通孔に設けられ、巻き方向が同一となるように前記第１導電部及び前記第２導電部を電気的に接続する電気接続部とから内部インダクタが構成されている配線基板を製造するための配線基板の製造方法であって、前記第１導電部を前記第１基板上に設けて前記第１導電部形成基板を形成する第１導電部形成基板工程と、前記第１導電部の表面に前記レーザーの反射率を低下させる処理をする第１導電部処理工程と、接着用絶縁膜を前記第１導電部形成基板の前記第１導電部側に重ねる第１絶縁膜積層工程と、前記誘電体膜の一面に前記濡れ性を向上させる処理をし、他面に前記第２導電部との密着力を向上させる処理をする誘電体膜処理工程と、前記一面を前記接着用絶縁膜に向けて前記誘電体膜を前記接着用絶縁膜に重ねる誘電体膜積層工程と、導電体膜を前記誘電体膜の前記他面に設ける導電体膜積層工程と、前記熱圧着で前記接着用絶縁膜を溶融させるとともに互いに近づく向きに前記第１導電部及び前記導電体膜を押圧する熱圧着工程と、前記誘電体膜上に前記導電体膜を前記第２導電部として形成する第２導電部形成工程と、前記第２導電部形成基板工程の前に、前記レーザーを前記第１導電部の表面に向けて照射して前記貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記貫通孔を通じて前記第１導電部及び前記第２導電部の間に前記電気接続部を形成して前記第１導電部及び前記第２導電部を電気的に接続する電気的接続工程と、前記第２導電部を前記第２基板で覆って前記第２導電部形成基板を形成する第２導電部形成基板工程とを備え、前記熱圧着工程では、前記接着用絶縁膜は前記第１導電部及び前記誘電体膜の間から押し出されて前記接着絶縁部として形成され、前記誘電体膜及び前記接着絶縁部により前記誘電部が形成されるようになっているので、短時間でしかも容易に前記配線基板が製造される。また、前記レーザーによる前記貫通孔の形成が容易に、かつ、短時間ででき、前記配線基板の製造時間を短縮できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下にこの発明の実施の形態について説明するが、従来例のものと同一又は同等部材、部位は、同一符号を付して説明する。
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１に係る配線基板の構成を示す断面図である。図１において、配線基板１は、例えばガラスエポキシ基材である第１基板１０２と、この第１基板１０２の平面上に形成された第１導電部である板状の第１電極１０３とを有する第１導電部形成基板１０４を備えている。また、配線基板１は、例えばガラスエポキシ基材である第２基板１０５と、この第２基板１０５に複数形成された第２導電部である板状の第２電極１０６とを有する第２導電部形成基板１０７を備えている。この第１導電部形成基板１０４及び第２導電部形成基板１０７は、第１電極１０３と第２電極１０６とを互いに対向させて配置されている。また、配線基板１は、第１導電部形成基板１０４と第２導電部形成基板１０７との間に介在した誘電性材料の誘電部２を備えている。誘電部２は、融点の異なる誘電体膜３と接着絶縁部４とを有している。
【００２２】
第１導電部形成基板１０４において、第１電極１０３は、例えば厚さ１８μｍで、第１基板１０２の平面上にその厚さの分だけ突出して形成されている。また、第１電極１０３は、間隔を置いて複数形成されており、各第１電極１０３間に凹部５が形成されている。
【００２３】
第２導電部形成基板１０７において、第２電極１０６は、例えば厚さ１８μｍで、第１導電部形成基板１０４側の面を露出させて第２基板１０５に埋め込まれている。
【００２４】
誘電体膜３は、例えば、６μｍの一定の厚さで形成された誘電率３の例えばポリフェニレンサルファイド膜であり、第１電極１０３及び第２電極１０６の間に介在する電極間部６と、各電極間部６の間を渡って設けられた渡り部７とから構成されている。この誘電体膜３は、可撓性であり、渡り部７が凹部５側に撓んで設けられている。また、誘電体膜３の接着絶縁部４に接触している表面には、例えばコロナ放電処理がなされている。
【００２５】
接着絶縁部４は、誘電体膜３の第１導電部形成基板１０４側に設けられた第１接着絶縁部４ａと、誘電体膜３の第２導電部形成基板１０７側に設けられた第２接着絶縁部４ｂとから構成されている。この接着絶縁部４の材質は、約１８０℃で硬化する熱硬化性エポキシ樹脂であり、誘電体膜３と第１導電部形成基板１０４とを接着し、及び誘電体膜３と第２導電部形成基板１０７とを接着している。第１接着絶縁部４ａは、渡り部７と凹部５とで囲まれた空間を満たすとともに、電極間距離に影響を与えない程度に第１電極１０３と電極間部６との間に薄く介在して、誘電体膜３を第１導電部形成基板１０４に接着している。第２接着絶縁部４ｂは、撓んでいる渡り部７と第２基板１０５との間に形成された空間を満たすとともに、電極間距離に影響を与えない程度に第２電極１０６と電極間部６との間に薄く介在して、誘電体膜３を第２導電部形成基板１０７に接着している。
【００２６】
このような構成の配線基板１は、厚さが一定の電極間部６が第１電極１０３と第２電極１０６との間に介在し、しかも接着絶縁部４は、第１電極１０３と第２電極１０６との間に、電極間距離に影響を与えない程度に薄くしか介在していないので、電極間距離が電極間部６の厚さで決定され、従来例に比べて電極間距離が場所によって大きく異なることがなく、内部に構成されているコンデンサの容量のばらつきが抑制されている。
【００２７】
また、異なる材質である誘電体膜３と接着絶縁部４とは、通常、互いに密着しにくいが、誘電体膜３の表面に例えばコロナ放電処理がなされていることから、密着力が向上して剥離が発生しにくくなっている。
【００２８】
次に、このような配線基板１の製造方法について説明する。図２乃至図５は、配線基板１の製造工程でのそれぞれの状態を示す模式図である。これら図２乃至図５に示すように、まず、第１基板１０２の例えば縦横３４０ｍｍの平面上に例えば厚さ１８μｍの第１電極１０３を例えば第１基板１０２の平面の周囲部３０ｍｍを除き１０ｍｍおきにマトリックス状に７８４個従来と同様に形成して、第１導電部形成基板１０４を形成する（第１導電部形成基板工程、図２）。次に、例えば約１５０℃で溶融粘度が１０５Ｐ、約１８０℃で硬化する熱硬化性エポキシ樹脂の接着用絶縁膜である第１接着用絶縁膜１０を第１導電部形成基板１０４の第１電極１０３側に重ね（第１絶縁膜積層工程）、誘電体膜３をこの第１接着用絶縁膜１０の上に重ねる（誘電体膜積層工程）。この誘電体膜３はこの誘電体膜積層工程までに、表面にコロナ放電処理をして溶融した接着用絶縁膜との濡れ性を向上させる処理を行っている。この濡れ性を向上させる処理は、オゾン処理あるいは酸素プラズマ処理であっても構わない（誘電体膜処理工程）。そして、さらにその上に第１接着用絶縁膜１０と同様の材質の接着用絶縁膜である第２接着用絶縁膜１１を重ねる（第２絶縁膜積層工程）。ここで、第１接着用絶縁膜１０の厚さは、第１電極１０３の厚さよりも小さい例えば１０μｍとなっており、第２接着用絶縁膜１１の厚さは、例えば５μｍとなっている。また、誘電体膜３の厚さは、上述のように例えば６μｍとなっている。
その後、この第２接着用絶縁膜１１の上に例えば厚さ１８μｍの銅箔である導電性の導電体膜１２を重ねて（導電体膜積層工程）、図３に示す状態とする。
【００２９】
その後、これら第１導電部形成基板１０４、第１接着用絶縁膜１０、誘電体膜３、第２接着用絶縁膜１１及び導電体膜１２を第１導電部形成基板１０４側と導電体膜１２側とから圧着板であるステンレス板で挟んで互いに近づく向きに押圧する。このとき、押圧するとともに、昇温速度６℃／ｍｉｎで、約１８０℃即ち熱硬化性エポキシ樹脂が硬化する温度まで加熱している（熱圧着工程）。ここで、誘電体膜３の材質は、この熱圧着工程における最高温度でも溶融しない可撓性の材質となっており、例えば接着用絶縁膜が硬化する約１８０℃でも溶融しないポリフェニレンサルファイドである。これに対して、第１接着用絶縁膜１０及び第２接着用絶縁膜の材質は、この熱圧着工程において溶融し硬化する熱硬化性エポキシ樹脂である。従って、熱圧着工程において昇温していくと、第１接着用絶縁膜１０及び第２接着用絶縁膜１１のみが溶融する。
【００３０】
また、第１電極１０３は、第１基板１０２にその厚さの分だけ突出して形成されているので、ステンレス板の挟み付ける押圧力は第１電極１０３と導電体膜１２との間に存在する第１接着用絶縁膜１０、誘電体膜３及び第２接着用絶縁膜１１に直接働く。このことから、第１接着用絶縁膜１０及び第２接着用絶縁膜１１は、昇温により溶融するとこの押圧力により第１電極１０３と導電体膜１２との間から押し出される。このとき、第１接着用絶縁膜１０は凹部５に流れ込み、第２接着用絶縁膜１１は押し出される圧力により誘電体膜３が撓んで形成された空間に流れ込む。そして、約１８０℃まで昇温されて硬化し、第１接着用絶縁膜１０は第１接着絶縁部４ａとして形成され、第２接着用絶縁膜１１は第２接着絶縁部４ｂとして形成される。この流れ込むスペースを確保するために、第１接着用絶縁膜１０と第２接着用絶縁膜１１との厚さの合計が第１電極１０３の厚さ、即ち凹部５の深さよりも小さくなるようにしている。即ち、第１接着用絶縁膜１０及び第２接着用絶縁膜１１が第１電極１０３と導電体膜１２との間からそれぞれ凹部５に流れ込み、誘電体膜３を撓ませて形成された空間に流れ込むことで増加する厚さの分だけ第１接着用絶縁膜１０及び第２接着用絶縁膜１１の厚さの合計が第１電極１０３の厚さより小さくなっている。従って、第１電極１０３の第１基板１０２の平面に占める面積率が大きいと第１接着用絶縁膜１０及び第２接着用絶縁膜１１の厚さの合計は第１電極１０３の厚さに比べて大きく差をつける必要があり、逆に面積率が小さいとその差を小さくする必要がある。また、第２接着用絶縁膜１１は、その厚さが大きいほど誘電体膜３を大きく撓ませることとなり、誘電体膜３に負担をかけて寿命等に影響を及ぼす可能性があるので、誘電体膜３を大きく撓ませない適切な厚さとする。導電体膜１２この第１接着用絶縁膜１０及び第２接着用絶縁膜１１は、第１電極１０３と導電体膜１２との間からすべて押し出されるわけではなく、接着のために必要な極めて薄い層だけは残っている。
【００３１】
誘電体膜３は、この熱圧着工程においては溶融しないので、第１電極１０３と導電体膜１２との間には厚さを一定に保ったまま電極間部６として残り、溶融した第２接着用絶縁膜１１の圧力で撓んで各電極間部６の間で渡り部７として形成され、図４に示す状態となる。
【００３２】
その後、導電体膜１２をエッチング等により第１電極１０３に対向する箇所に残して第２電極１０６として形成して（第２導電部形成工程）、図５に示す状態とする。最後に、誘電体膜３の第２電極１０６側に従来例と同様にして第２基板１０５を形成して、第２導電部形成基板１０７を形成し（第２導電部形成基板工程）、図１に示す配線基板１を製造する。
【００３３】
従って、上記のような構成の配線基板１を容易に製造することができ、しかも例えば第１電極１０３と第２電極１０６との間に異物が混入しても第１電極１０３と第２電極１０６とが短絡する可能性も極端に小さくなる。
【００３４】
なお、第１導電部形成基板工程及び導電体膜積層工程において、第１電極１０３及び導電体膜１２は、当然のことながら、銅以外の金属、例えば亜鉛、ニッケル、金、銀、アルミニウムあるいはそれらの合金、又はポリチオフェンに代表される導電性高分子等、導電性があれば何でも構わない。また、第１電極１０３及び導電体膜１２の形成方法も、気相法あるいは導電性のペーストを塗布して焼成する方法等、どのような方法でも構わない。
【００３５】
また、誘電体膜３の材質は、ポリフェニレンサルファイドである必要はなく、熱圧着工程において溶融、分解しないものであればよいので、ポリフェニルスルホン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリフェニルオキサイド、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、ポリシラン、ポリエチルエーテルケトン、アセテート、ポリプロピレン等であっても構わない。
さらに、誘電体膜３は、熱圧着工程における温度でヤング率が低くなると押圧力により変形しやすくなって直接電極間距離のばらつきに影響することから、誘電体膜３は、熱圧着工程における温度でもこの押圧力で容易に厚さが変化しない程度のヤング率、例えば１ＧＰａ以上を確保できるものであることが望ましい。
【００３６】
また、誘電体膜３は、上記のポリフェニレンサルファイド等の母材内にこの母材よりも誘電率の高い例えばチタン酸バリウム等の粉末が例えば母材に対して２０％練り込まれて構成されていると、完成した配線基板１の誘電部２の誘電率がさらに高くなり内部コンデンサの容量を大きくできる。また、誘電体膜３にこのような粉末を混入する比率を変化させて、内部コンデンサの容量密度の大きさを調整することもできる。なお、練り込まれる粉末は、チタン酸バリウムに限定されず、ペロブスカイト構造の無機結晶等であっても構わない。
【００３７】
また、第１基板１０２は、ガラスエポキシ基材に限定する必要はなく、ガラスビスマレイミドトリアジン、ガラスポリフェニレンオキサイド、ポリイミド、紙フェノール、アルミナ等であっても構わない。
【００３８】
また、第２導電部形成工程において、第１電極１０３と第２電極１０６とが互いに対向している部分でしか内部コンデンサとしての機能を果たさないことから、各第１電極１０３間の凹部５に対向する導電体膜１２は、そのまま残しても除去してもどちらでも構わない。
【００３９】
また、熱圧着工程において、第１接着用絶縁膜１０及び第２接着用絶縁膜１１が溶融して第１導電部形成基板１０４、誘電体膜３及び導電体膜１２が圧着されればよいので、真空熱プレスあるいはラミネータ等のどのような方法を用いても構わない。
【００４０】
また、各工程の順番は、配線基板１が形成できるのであれば、どのように入れ替えてもよく、例えば誘電体膜積層工程及び第２絶縁膜積層工程の後に第１絶縁膜積層工程を行ってもよい。
【００４１】
この実施の形態における配線基板１の内部コンデンサは、１ｋＨｚにおける容量密度が平均値で理論値に近い４．３ｐＦ／ｍｍ２で、この容量密度の標準偏差が０．２ｐＦ／ｍｍ２であった。比較例として、従来例の方法で誘電性シート１０９を溶融して誘電部１０８が形成された配線基板１０１は、７８４個の第１電極１０３のうち２１個が第２電極１０６と短絡してコンデンサとしての機能を果たさず、残りの内部コンデンサの１ｋＨｚにおける容量密度が平均値で４．０ｐＦ／ｍｍ２で、この容量密度の標準偏差が２．３ｐＦ／ｍｍ２であった。従って、配線基板１は、内部コンデンサを確実に形成し、その容量値も従来例よりも所望の値により近づけることができることが確認された。また、配線基板１は、内部コンデンサの容量密度のばらつきも従来例よりも小さいことが確認された。
【００４２】
また、この実施の形態１での配線基板１をそれぞれ雰囲気温度３０℃、相対湿度７０％の環境下に５００時間あるいは１０００時間放置した。その後、はんだ付け状態を仮想して２８０℃のはんだ浴槽に１０秒間浸し、絶縁膜が溶融して形成された接着絶縁部４が配線基板１に及ぼす影響を調べた。比較例として、構成は実施の形態１の配線基板１と同様であるが、誘電体膜３の表面処理がなされていない配線基板を用いた。
その結果、５００時間の放置ではどちらの配線基板も剥離箇所は見つからなかったが、１０００時間の放置では、実施の形態１の配線基板１、即ち誘電体膜３に表面処理を行った配線基板１はどの箇所にも剥離は発生しなかったが、比較例の放線基板は誘電体膜３と接着絶縁部４との間に剥離が発生していた。従って、誘電体膜処理工程において、コロナ放電処理、オゾン処理あるいは酸素プラズマ処理等の表面処理をすることにより、誘電体膜３と接着絶縁部４との密着力が向上することが確認され、完成した配線基板の信頼性が向上することが確認された。
【００４３】
実施の形態２．
図６は、この発明の実施の形態２に係る配線基板の構成を示す断面図である。図６において、配線基板２１は、第１導電部形成基板１０４及び第２導電部形成基板１０７の間に介在した誘電部２２を備えている。誘電部２２は、第１導電部形成基板１０４及び第２導電部形成基板１０７の間に介在した誘電体膜２３と、この誘電体膜２３及び第１導電部形成基板１０４の間にのみ存在する接着絶縁部２４とから構成されている。接着絶縁部２４は、実施の形態１の接着絶縁部４と同一材質である。また、接着絶縁部２４は、誘電体膜２３と凹部５との間に形成された空間を満たすとともに、電極間距離に影響を与えない程度に第１電極１０３と誘電体膜２３との間に薄く介在して、誘電体膜２３を第１導電部形成基板１０４に接着している。即ち、配線基板２１は、誘電部２２が実施の形態１における配線基板１の第２接着絶縁部４ｂが存在しない構成となっているものである。また、誘電体膜２３は、接着絶縁部２４側の表面に例えばコロナ放電処理がなされ、第２電極１０６側の表面に例えば同様にコロナ放電処理がなされている。
他の構成は実施の形態１と同様である。
【００４４】
このような構成の配線基板２１は、実施の形態１と同様の効果を奏するとともに、誘電体膜２３の撓みが無くなるので、誘電体膜２３の撓みによる負担が小さくなり寿命等が長くなる。
【００４５】
また、誘電体膜２３の表面に例えばコロナ放電処理がなされているので、誘電体膜２３と接着絶縁部２４との密着力、及び誘電体膜２３と第２電極１０６との密着力が向上し、配線基板２１の信頼性が向上する。
【００４６】
次に、このような配線基板２１の製造方法について説明する。まず、実施の形態１と同様にして、第１導電部形成基板工程及び第１絶縁膜積層工程を経て、第１導電部形成基板１０４に第１接着用絶縁膜１０と同様の接着用絶縁膜を重ねた状態とする。この接着用絶縁膜の厚さは、後の熱圧着工程において凹部５に流れ込む分だけ第１電極１０３の厚さよりも小さくなっている。一方、あらかじめ誘電体膜３と同様の材質である例えば厚さ６μｍの誘電体膜２３の両表面に例えばコロナ放電処理をし（誘電体膜処理工程）、その一方の面に図３における導電体膜１２と同様の厚さ１８μｍの導電体膜を蒸着により形成しておく。このとき、導電体膜の厚さの調整等のため蒸着後に電気メッキにより導電体膜を形成してもよい（導電体膜積層工程）。この導電体膜を積層した誘電体膜２３を上記の第１導電部形成基板１０４に重ねられた接着用絶縁膜に他方の面を向けて重ねて（誘電体膜積層工程）、実施の形態１と同様の熱圧着工程において、接着用絶縁膜が第１電極１０３と導電体膜との間から押し出されて接着絶縁部２４として形成され、この接着絶縁部２４及び誘電体膜２３により誘電部２２が形成される。
その後、実施の形態１と同様に、第２導電部形成工程及び第２導電部形成基板工程を経て、配線基板２１が製造される。
【００４７】
なお、誘電体膜処理工程においては、誘電体膜２３の両表面にコロナ放電処理を行っているが、実施の形態１と同様にオゾン処理あるいは酸素プラズマ処理であってもよく、また、一方の面と他方の面とが異なる表面処理であっても構わない。例えば、一方の面にコロナ放電処理を行い、他方の面にオゾン処理を行っても構わない。
【００４８】
また、導電体膜積層工程において、導電体膜は、銅以外にも例えばニッケル、亜鉛あるいはクロムによる蒸着により形成されていてもよく、溶媒に溶かしたポリチオフェンに代表される導電性ポリマーあるいは導電性ペーストの印刷により形成されたものであってもよい。この導電体膜の材質は、第２導電部形成工程においてエッチングしやすい材質、例えば銅、ニッケルあるいは亜鉛等を主成分とする材質であることが望ましい。
【００４９】
ここで、誘電体膜処理工程における表面処理によって、誘電体膜２３が導電体膜及び接着絶縁部２４との密着力が向上していることを確認するために、実施の形態１と同様にして配線基板２１をそれぞれ雰囲気温度３０℃、相対湿度７０％の環境下に５００時間あるいは１０００時間放置し、はんだ付け状態を仮想して２８０℃のはんだ浴槽に１０秒間浸すことにより配線基板２１内の剥離状態を調べた。
その結果、この配線基板２１は、５００時間及び１０００時間のどちらの放置でも、どの箇所にも剥離は発生しなかった。従って、誘電体膜処理工程において、コロナ放電処理、オゾン処理あるいは酸素プラズマ処理等の表面処理をすることにより、誘電体膜２３と接着絶縁部２４との密着力だけでなく、誘電体膜２３と導電体膜との密着力も向上することが確認され、配線基板２１の信頼性が向上していることが確認された。
【００５０】
実施の形態３．
図７は、この発明の実施の形態３に係る配線基板の構成を示す断面図、図８は、図７のVIII-VIII線に沿った矢視断面図、図９は、図７のIX-IX線に沿った矢視断面図である。なお、図７は、図８あるいは図９のVII-VII線に沿った矢視断面図となっている。図７乃至図９において、配線基板３１は、互いに誘電部２を介して一部が対向する第１導電部である第１導電線３２及び第２導電部である第２導電線３３を備えている。第１導電線３２及び第２導電線３３の材質は、実施の形態１の第１電極１０３及び第２電極１０６の材質と同一である。この第１導電線３２及び第２導電線３３は、図８及び図９に示すように、それぞれの内側端部３２ａ及び３３ａからそれぞれ外側端部３２ｂ及び３３ｂに向かって互いに逆周りとなるように渦状に形成されている。また、誘電部２には、第１導電線３２の内側端部３２ａから第２導電線３３の内側端部３３ａに通じる貫通孔３４が設けられており、この貫通孔３４内、内側端部３２ａ及び内側端部３３ａに例えば銅メッキされて電気接続部３５が形成され、第１導電線３２と第２導電線３３との電気的接続がなされている。なお、図８及び図９において、第１導電線３２及び第２導電線３３が誘電部２を介して互いに対向する部分を編み目模様で示している。
他の構成は実施の形態１と同様である。
【００５１】
このような構成の配線基板３１は、実施の形態１と同様の効果を奏するとともに、内部で第１導電線３２及び第２導電線３３が巻き方向が同一となるように電気接続部３５により電気的に接続されているので、第１導電線３２、第２導電線３３及び電気接続部３５によりスパイラルインダクタを内部に形成することができ、その分だけ配線基板３１上のインダクタ配置スペースを削減することができる。また、第１導電線３２と第２導電線３３との間隔が誘電体膜３の厚さで決定されることから、配線基板３１内のどの箇所でも内部インダクタのインダクタンスが大きく異なるようなことは抑制できる。
【００５２】
次に、このような配線基板３１の製造方法について説明する。この配線基板３１の製造方法は、第２導電部形成基板工程の手前までほぼ実施の形態１と同様であるが、第１導電部形成基板工程において第１導電部を第１電極１０３ではなく第１導電線３２として形成し、第２導電部形成工程においてエッチング等により第２導電部を第２電極１０６ではなく第２導電線３３として形成しているところが実施の形態１と異なる。このようにして、実施の形態１とほぼ同様の製造工程を辿って第２導電部形成基板工程の手前の図１０に示すような状態とする。その後、誘電部２の第２導電線３３側から第１導電線３２に向けて、即ち矢印４０の向きに例えば炭酸ガスレーザーを照射し、誘電部２に貫通孔３４を形成する。このとき、炭酸ガスレーザーは、第２導電線３３の内側端部３３ａを接するとともに誘電部２を介して第１導電線３２の内側端部３２ａに当たるような経路で照射される（貫通孔形成工程）。それから、貫通孔形成工程において形成された貫通孔３４内、内側端部３２ａ及び内側端部３３ａに化学銅メッキを行って電気接続部３５を形成し、第１導電線３２と第２導電線３３との電気的接続を行う（電気的接続工程）。
その後、実施の形態１と同様の第２導電部形成基板工程を経て、配線基板３１が完成する。
【００５３】
この実施の形態における配線基板３１の内部インダクタは、１ｋＨｚにおけるインダクタンスが平均値で６．３ｎＨであり、このインダクタンスの標準偏差が０．１７ｎＨであった。比較例として、従来例の方法で誘電性シート１０９を溶融して誘電部１０８が形成されていることを除き、この実施の形態３と同様にして製造された配線基板を用いたところ、その内部インダクタは１ｋＨｚにおけるインダクタンスが平均値で２．１ｎＨで、このインダクタンスの標準偏差が１．９ｎＨであった。従って、配線基板３１は、内部コンデンサと同様に内部インダクタも従来例に比べて確実に形成され、そのインダクタンスのばらつきも比較例に比べて小さいことが確認された。
【００５４】
なお、貫通孔形成工程において、貫通孔３４の形成は炭酸ガスレーザーに限定する必要はなく、貫通孔３４が形成できればよいので、例えばエキシマレーザー、ＹＡＧレーザーあるいはドリル等によっても構わない。
【００５５】
また、電気的接続工程において、電気接続部３５の形成は貫通孔３４内に化学銅メッキをすることに限定することはなく、例えば上記のような導電性ポリマー等を貫通孔３４内に充填してもよいし、亜鉛、ニッケル等のメッキでも構わない。また、化学メッキ後、電気メッキを行ってメッキ層の厚さを増加させても構わない。
【００５６】
また、誘電体膜３は、実施の形態１と同様なポリフェニレンサルファイド等の母材にこの母材よりも透磁率の高い例えばＮｉ−Ｚｎ系フェライトの粉末が母材に対して例えば２０％練り込まれて構成されていると、さらに誘電部２の透磁率が高くなり内部インダクタのインダクタンスが大きくなる。また、この粉末を誘電部２内で第１導電線３２及び第２導電線３３に近づけて配置することにより、さらに内部インダクタのインダクタンスを大きくすることができる。さらに、このような透磁率の高い材質の粉末を誘電体膜３に混入する比率あるいは配置位置を変化させて、内部インダクタのインダクタンスの大きさを調整することもできる。なお、練り込まれる粉末はＮｉ−Ｚｎ系フェライトに限定されず、パーマロイ、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトあるいはカルボニル鉄等であっても構わない。
【００５７】
ここで、貫通孔形成工程における貫通孔３４形成のメカニズムを説明する。炭酸ガスレーザー等が誘電部２に照射されると、そのエネルギは一部が誘電部２に吸収されるがその大半が誘電部２を透過して第１導電線３２の内側端部３２ａにまで到達する。内側端部３２ａは、この到達した炭酸ガスレーザーのエネルギを吸収することにより温度が上昇する。この温度上昇により内側端部３２ａに密着している誘電部２が溶融、気化して貫通孔３４が形成される。従って、貫通孔３４は、内側端部３２ａの温度上昇速度が大きければそれだけ速く形成される。このことから、内側端部３２ａが炭酸ガスレーザーのエネルギを効率良く吸収できれば、貫通孔３４を速く形成することができる。
【００５８】
そこで、第１導電部形成基板工程の後に第１導電線３２の表面に炭酸ガスレーザー等のエネルギを効率良く吸収させるようにする処理、例えば無水酢酸等の有機酸に第１導電線３２の表面を浸漬する有機酸処理を行う（第１導電部処理工程）ことにより、第１導電線３２の表面の反射率が低下し、炭酸ガスレーザーのエネルギの吸収率を良くすることができる。なお、例えば水酸化ナトリウム水溶液あるいは水酸化カリウム水溶液に第１導電線３２の表面を浸漬するアルカリ処理を行っても同様に第１導電線３２の表面の反射率を低下させることができる。実際に有機酸処理及びアルカリ処理のどちらの処理によっても、第１導電線３２の表面の炭酸ガスレーザーに対する反射率は、２０％以下とすることができた。
【００５９】
実際には、炭酸ガスレーザーのパルスを誘電部２に当てて貫通孔３４を形成していることから、全く表面処理を行っていない第１導電線３２を用いたものと、表面に有機酸処理あるいはアルカリ処理を行った第１導電線３２を用いたものとで、貫通孔３４が形成されるまでのパルスの回数を調べて貫通孔３４の形成速度を比較した。その結果、全く表面処理が行われていない第１導電線３２を用いたものでは、貫通孔３４が形成されるまでのパルスの回数が７回であったのに対して、表面に有機酸処理あるいはアルカリ処理を行った第１導電線３２を用いたものでは、１回で貫通孔３４が形成された。
このことから、配線基板３１の製造工程中に第１導電部処理工程が挿入されることにより、誘電部２に貫通孔３４を容易に形成することができ、配線基板３１の製造時間も短くなる。また、炭酸ガスレーザーを発生するレーザー加工機の負担も小さくなり、この加工機の寿命も長くなる。
【００６０】
なお、当然のことながら、有機酸処理あるいはアルカリ処理は、エキシマレーザーあるいはＹＡＧレーザー等に対する反射率も効率的に低下させることができる。また、第１導電線３２の表面処理は、貫通孔３４を形成するために照射されるレーザーに対する反射率を低下させる処理であればよいので、有機酸処理あるいはアルカリ処理に限ることなく、例えばカーボンフィラーを混ぜたインクを第１導電線３２の表面に塗布する処理をしても構わない。
【００６１】
なお、この実施の形態３においては、第２接着絶縁部４ｂを有している実施の形態１の配線基板１の製造方法を基本として内部インダクタを有した配線基板３１が製造されているが、当然のことながら、第２接着絶縁部４ｂを有していない実施の形態２の配線基板２１の製造方法を基本として内部インダクタを有した配線基板を製造しても構わない。
【００６２】
また、同一層に内部コンデンサ及び内部インダクタを同時に形成された配線基板であっても構わない。この場合、誘電体膜３の母材に透磁率の高い粉末及び誘電率の高い粉末の両方を練り込んでいれば、内部コンデンサが形成された部分では、誘電率の高い粉末により容量密度が大きくなり、内部インダクタが形成された部分では、透磁率の高い粉末によりインダクタンス密度が大きくなる。
このように１つの配線基板内に内部コンデンサ及び内部インダクタが形成されることから、例えば内部インダクタを内部コンデンサに電気的に接続してＬＣフィルタ及びバイパスコンデンサとして機能する回路を形成することができる。従って、配線基板表面にチップコンデンサあるいはフィルタ素子を配置する必要がなくなり、従来例の配線基板１０１よりもさらに小型化した配線基板を得ることができる。その結果、携帯電話あるいはデジタルカメラ等の電子機器への適用も容易になる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】この発明の実施の形態１に係る配線基板の構成を示す断面図である。
【図２】第１導電部形成基板工程後の状態を示す模式図である。
【図３】第１絶縁膜積層工程、誘電体膜処理工程、誘電体膜積層工程、第２絶縁膜積層工程、及び導電体膜積層工程後の状態を示す模式図である。
【図４】熱圧着工程後の状態を示す模式図である。
【図５】第２導電部形成工程後の状態を示す模式図である。
【図６】この発明の実施の形態２に係る配線基板の構成を示す断面図である。
【図７】この発明の実施の形態３に係る配線基板の構成を示す断面図である。
【図８】図７のVIII-VIII線に沿った矢視断面図である。
【図９】図７のIX-IX線に沿った矢視断面図である。
【図１０】貫通孔形成工程の前の状態を示す模式図である。
【図１１】従来の配線基板の構成を示す断面図である。
【図１２】第１導電部形成基板に誘電性シート及び金属箔を重ねた状態を示す模式図である。
【図１３】図１２の状態のものを熱圧着した後の状態を示す模式図である。
【図１４】図１３の状態の金属箔を第２電極として形成した後の状態を示す模式図である。
【符号の説明】
【００６４】
１，２１，３１ 配線基板、２，２２ 誘電部、３，２３ 誘電体膜、４，２４ 接着絶縁部、４ａ 第１接着絶縁部、４ｂ 第２接着絶縁部、１０ 第１接着用絶縁膜、１１ 第２接着用絶縁膜、１２ 導電体膜、３２ 第１導電線（第１導電部）、３３ 第２導電線（第２導電部）、３４ 貫通孔、３５ 電気接続部、１０２ 第１基板、１０３ 第１電極（第１導電部）、１０４ 第１導電部形成基板、１０５ 第２基板、１０６ 第２電極（第２導電部）、１０７ 第２導電部形成基板。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板、及び前記第１基板の平面上に形成された渦状の第１導電部を有する第１導電部形成基板と、
第２基板、及び前記第２基板に形成された渦状の第２導電部を有し、前記第２導電部を前記第１導電部に対向させて配置された第２導電部形成基板と、
前記第１導電部形成基板及び前記第２導電部形成基板の間に介在した誘電部と
を備え、
熱圧着により少なくとも前記誘電部が形成された配線基板であって、
前記誘電部は、前記熱圧着時に溶融する接着絶縁部と、前記熱圧着時に厚さが保たれる誘電体膜とを有しており、
前記接着絶縁部は、前記誘電体膜の前記第１導電部形成基板側及び前記第２導電部形成基板側のいずれにも設けられ、
前記誘電体膜は、前記第１導電部と前記第２導電部との間に介在する複数の電極間部と、各前記電極間部の間を渡って撓んで設けられた可撓性の渡り部とを有し、
前記第１導電部と、前記第２導電部と、前記誘電部に形成された貫通孔に設けられ、巻き方向が同一となるように前記第１導電部及び前記第２導電部を電気的に接続する電気接続部とから内部インダクタが構成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記貫通孔は、レーザーにより形成されており、
前記第１導電部は、前記誘電部側の面に前記レーザーの反射率を低下させる処理がなされていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記誘電体膜の表面には、前記溶融した前記接着絶縁部との濡れ性を向上させる処理がなされていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記誘電体膜は、少なくとも、誘電性の母材と、前記母材内に混入された前記母材よりも透磁率の高い粉末とからなることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れかに記載の配線基板。
【請求項５】
請求項２に記載の配線基板の製造方法であって、
前記第１導電部を前記第１基板上に設けて前記第１導電部形成基板を形成する第１導電部形成基板工程と、
前記第１導電部の表面に前記レーザーの反射率を低下させる処理をする第１導電部処理工程と、
接着用絶縁膜を前記第１導電部形成基板の前記第１導電部側に重ねる第１絶縁膜積層工程と、
前記誘電体膜に前記濡れ性を向上させる処理をする誘電体膜処理工程と、
前記誘電体膜を前記接着用絶縁膜に重ねる誘電体膜積層工程と、
前記誘電体膜積層工程の後に、接着用絶縁膜を前記誘電体膜に重ねる第２絶縁膜積層工程と、
面状の導電体膜を前記第２絶縁膜積層工程において重ねられた前記接着用絶縁膜に設ける導電体膜積層工程と、
前記熱圧着で前記接着用絶縁膜を溶融させるとともに互いに近づく向きに前記第１導電部及び前記導電体膜を押圧する熱圧着工程と、
前記誘電体膜上に前記導電体膜を複数の前記第２導電部として形成する第２導電部形成工程と、
前記第２導電部形成基板工程の前に、前記レーザーを前記第１導電部の表面に向けて照射して前記貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記貫通孔を通じて前記第１導電部及び前記第２導電部の間に前記電気接続部を形成して前記第１導電部及び前記第２導電部を電気的に接続する電気的接続工程と、
前記第２導電部を前記第２基板で覆って前記第２導電部形成基板を形成する第２導電部形成基板工程とを備え、
前記熱圧着工程では、前記接着用絶縁膜は、それぞれ前記第１導電部及び前記誘電体膜の間、前記第１導電部に対向する前記導電体膜及び前記誘電体膜の間から前記誘電体膜が撓みつつ押し出されて前記接着絶縁部として形成され、前記誘電体膜及び前記接着誘電部により前記誘電部が形成されるようになっていることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
第１基板、及び前記第１基板の平面上に間隔を置いて形成された渦状の第１導電部を有する第１導電部形成基板と、
第２基板、及び前記第２基板に形成された渦状の第２導電部を有し、前記第２導電部を前記第１導電部に対向させて配置された第２導電部形成基板と、
前記第１導電部形成基板及び前記第２導電部形成基板の間に介在するとともに、少なくとも熱圧着により形成され、前記熱圧着時に溶融する接着絶縁部と、前記第１導電部と前記第２導電部との間に介在するとともに、表面に前記溶融した前記接着絶縁部との濡れ性を向上させる処理がなされ、前記熱圧着時に厚さが保たれる誘電体膜とを有する誘電部と
を備え、かつ前記第１導電部と、前記第２導電部と、前記誘電部に形成された貫通孔に設けられ、巻き方向が同一となるように前記第１導電部及び前記第２導電部を電気的に接続する電気接続部とから内部インダクタが構成されている配線基板を製造するための配線基板の製造方法であって、
前記第１導電部を前記第１基板上に設けて前記第１導電部形成基板を形成する第１導電部形成基板工程と、
前記第１導電部の表面に前記レーザーの反射率を低下させる処理をする第１導電部処理工程と、
接着用絶縁膜を前記第１導電部形成基板の前記第１導電部側に重ねる第１絶縁膜積層工程と、
前記誘電体膜の一面に前記濡れ性を向上させる処理をし、他面に前記第２導電部との密着力を向上させる処理をする誘電体膜処理工程と、
前記一面を前記接着用絶縁膜に向けて前記誘電体膜を前記接着用絶縁膜に重ねる誘電体膜積層工程と、
導電体膜を前記誘電体膜の前記他面に設ける導電体膜積層工程と、
前記熱圧着で前記接着用絶縁膜を溶融させるとともに互いに近づく向きに前記第１導電部及び前記導電体膜を押圧する熱圧着工程と、
前記誘電体膜上に前記導電体膜を前記第２導電部として形成する第２導電部形成工程と、
前記第２導電部形成基板工程の前に、前記レーザーを前記第１導電部の表面に向けて照射して前記貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記貫通孔を通じて前記第１導電部及び前記第２導電部の間に前記電気接続部を形成して前記第１導電部及び前記第２導電部を電気的に接続する電気的接続工程と、
前記第２導電部を前記第２基板で覆って前記第２導電部形成基板を形成する第２導電部形成基板工程とを備え、
前記熱圧着工程では、前記接着用絶縁膜は前記第１導電部及び前記誘電体膜の間から押し出されて前記接着絶縁部として形成され、前記誘電体膜及び前記接着絶縁部により前記誘電部が形成されるようになっていることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１】
第１基板、及び前記第１基板の平面上に形成された渦状の第１導電部を有する第１導電部形成基板と、
第２基板、及び前記第２基板に形成された渦状の第２導電部を有し、前記第２導電部を前記第１導電部に対向させて配置された第２導電部形成基板と、
前記第１導電部形成基板及び前記第２導電部形成基板の間に介在した誘電部と
を備え、
熱圧着により少なくとも前記誘電部が形成された配線基板であって、
前記誘電部は、前記熱圧着時に溶融する接着絶縁部と、前記熱圧着時に厚さが保たれる誘電体膜とを有しており、
前記接着絶縁部は、前記誘電体膜の前記第１導電部形成基板側及び前記第２導電部形成基板側のいずれにも設けられ、
前記誘電体膜は、前記第１導電部と前記第２導電部との間に介在する複数の電極間部と、各前記電極間部の間を渡って撓んで設けられた可撓性の渡り部とを有し、
前記第１導電部と、前記第２導電部と、前記誘電部に形成された貫通孔に設けられ、巻き方向が同一となるように前記第１導電部及び前記第２導電部を電気的に接続する電気接続部とから内部インダクタが構成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記貫通孔は、レーザーにより形成されており、
前記第１導電部は、前記誘電部側の面に前記レーザーの反射率を低下させる処理がなされていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記誘電体膜の表面には、前記溶融した前記接着絶縁部との濡れ性を向上させる処理がなされていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記誘電体膜は、少なくとも、誘電性の母材と、前記母材内に混入された前記母材よりも透磁率の高い粉末とからなることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れかに記載の配線基板。
【請求項５】
請求項２に記載の配線基板の製造方法であって、
前記第１導電部を前記第１基板上に設けて前記第１導電部形成基板を形成する第１導電部形成基板工程と、
前記第１導電部の表面に前記レーザーの反射率を低下させる処理をする第１導電部処理工程と、
接着用絶縁膜を前記第１導電部形成基板の前記第１導電部側に重ねる第１絶縁膜積層工程と、
前記誘電体膜に前記濡れ性を向上させる処理をする誘電体膜処理工程と、
前記誘電体膜を前記接着用絶縁膜に重ねる誘電体膜積層工程と、
前記誘電体膜積層工程の後に、接着用絶縁膜を前記誘電体膜に重ねる第２絶縁膜積層工程と、
面状の導電体膜を前記第２絶縁膜積層工程において重ねられた前記接着用絶縁膜に設ける導電体膜積層工程と、
前記熱圧着で前記接着用絶縁膜を溶融させるとともに互いに近づく向きに前記第１導電部及び前記導電体膜を押圧する熱圧着工程と、
前記誘電体膜上に前記導電体膜を複数の前記第２導電部として形成する第２導電部形成工程と、
前記第２導電部形成基板工程の前に、前記レーザーを前記第１導電部の表面に向けて照射して前記貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記貫通孔を通じて前記第１導電部及び前記第２導電部の間に前記電気接続部を形成して前記第１導電部及び前記第２導電部を電気的に接続する電気的接続工程と、
前記第２導電部を前記第２基板で覆って前記第２導電部形成基板を形成する第２導電部形成基板工程とを備え、
前記熱圧着工程では、前記接着用絶縁膜は、それぞれ前記第１導電部及び前記誘電体膜の間、前記第１導電部に対向する前記導電体膜及び前記誘電体膜の間から前記誘電体膜が撓みつつ押し出されて前記接着絶縁部として形成され、前記誘電体膜及び前記接着誘電部により前記誘電部が形成されるようになっていることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
第１基板、及び前記第１基板の平面上に間隔を置いて形成された渦状の第１導電部を有する第１導電部形成基板と、
第２基板、及び前記第２基板に形成された渦状の第２導電部を有し、前記第２導電部を前記第１導電部に対向させて配置された第２導電部形成基板と、
前記第１導電部形成基板及び前記第２導電部形成基板の間に介在するとともに、少なくとも熱圧着により形成され、前記熱圧着時に溶融する接着絶縁部と、前記第１導電部と前記第２導電部との間に介在するとともに、表面に前記溶融した前記接着絶縁部との濡れ性を向上させる処理がなされ、前記熱圧着時に厚さが保たれる誘電体膜とを有する誘電部と
を備え、かつ前記第１導電部と、前記第２導電部と、前記誘電部に形成された貫通孔に設けられ、巻き方向が同一となるように前記第１導電部及び前記第２導電部を電気的に接続する電気接続部とから内部インダクタが構成されている配線基板を製造するための配線基板の製造方法であって、
前記第１導電部を前記第１基板上に設けて前記第１導電部形成基板を形成する第１導電部形成基板工程と、
前記第１導電部の表面に前記レーザーの反射率を低下させる処理をする第１導電部処理工程と、
接着用絶縁膜を前記第１導電部形成基板の前記第１導電部側に重ねる第１絶縁膜積層工程と、
前記誘電体膜の一面に前記濡れ性を向上させる処理をし、他面に前記第２導電部との密着力を向上させる処理をする誘電体膜処理工程と、
前記一面を前記接着用絶縁膜に向けて前記誘電体膜を前記接着用絶縁膜に重ねる誘電体膜積層工程と、
導電体膜を前記誘電体膜の前記他面に設ける導電体膜積層工程と、
前記熱圧着で前記接着用絶縁膜を溶融させるとともに互いに近づく向きに前記第１導電部及び前記導電体膜を押圧する熱圧着工程と、
前記誘電体膜上に前記導電体膜を前記第２導電部として形成する第２導電部形成工程と、
前記第２導電部形成基板工程の前に、前記レーザーを前記第１導電部の表面に向けて照射して前記貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記貫通孔を通じて前記第１導電部及び前記第２導電部の間に前記電気接続部を形成して前記第１導電部及び前記第２導電部を電気的に接続する電気的接続工程と、
前記第２導電部を前記第２基板で覆って前記第２導電部形成基板を形成する第２導電部形成基板工程とを備え、
前記熱圧着工程では、前記接着用絶縁膜は前記第１導電部及び前記誘電体膜の間から押し出されて前記接着絶縁部として形成され、前記誘電体膜及び前記接着絶縁部により前記誘電部が形成されるようになっていることを特徴とする配線基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２００６−８０５６１（Ｐ２００６−８０５６１Ａ）
【公開日】平成１８年３月２３日（２００６．３．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−３３１６８６（Ｐ２００５−３３１６８６）
【出願日】平成１７年１１月１６日（２００５．１１．１６）
【分割の表示】特願２００２−１４１５２４（Ｐ２００２−１４１５２４）の分割
【原出願日】平成１４年５月１６日（２００２．５．１６）
【出願人】（０００００６０１３）三菱電機株式会社 (33,312)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年３月２３日（２００６．３．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１１月１６日（２００５．１１．１６）
【分割の表示】特願２００２−１４１５２４（Ｐ２００２−１４１５２４）の分割
【原出願日】平成１４年５月１６日（２００２．５．１６）
【出願人】（０００００６０１３）三菱電機株式会社 (33,312)
【Ｆターム（参考）】
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