電子部品及び電子部品組立装置
【課題】電子部品本体に損傷を与えることなく搭載又は取り外しが可能な電子部品、及び、前記電子部品を基板に搭載する又は前記電子部品を基板から取り外す電子部品組立装置を提供すること。
【解決手段】本電子部品は、配線基板と、前記配線基板の一方の面側に搭載される電子部品本体と、前記配線基板の他方の面側に形成され、前記電子部品本体と電気的に接続される外部電極と、前記外部電極と同一層に形成され、導電性を有し、抵抗率が前記外部電極よりも高い発熱体と、前記電子部品本体と前記発熱体との間に配置され、絶縁性を有し、前記配線基板を構成する材料とは異なる材料からなる熱絶縁層と、を有する。
【解決手段】本電子部品は、配線基板と、前記配線基板の一方の面側に搭載される電子部品本体と、前記配線基板の他方の面側に形成され、前記電子部品本体と電気的に接続される外部電極と、前記外部電極と同一層に形成され、導電性を有し、抵抗率が前記外部電極よりも高い発熱体と、前記電子部品本体と前記発熱体との間に配置され、絶縁性を有し、前記配線基板を構成する材料とは異なる材料からなる熱絶縁層と、を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に搭載される電子部品、及び、前記電子部品を基板に搭載する又は前記電子部品を基板から取り外す電子部品組立装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、テレビやパーソナルコンピュータ等の様々な機器には、はんだ等を用いて半導体装置やコンデンサ等の電子部品が搭載された基板が備えられている。このような基板において、搭載されている電子部品が故障した場合には、故障した電子部品を取り外し、正常に動作する電子部品を新たに搭載する所謂リペア作業が必要となる。
【０００３】
リペア作業は、故障した電子部品の周辺に搭載されている部品や故障した電子部品が搭載されている基板に損傷を与えることなく行うことが望ましい。取り外した電子部品以外を再利用するためである。又、リペア作業は、故障した電子部品の電子部品本体（半導体チップ等）にも損傷を与えることなく行うことが望ましい。取り外した電子部品の故障解析を行うためである。
【０００４】
従来のリペア作業は、例えば、エアヒータによってリペア作業の対象となる電子部品にはんだの融点以上の熱風を吹き付けて電子部品を加熱し、はんだを溶融することにより行われていた。しかし、この方法では、電子部品に熱風を吹き付けて加熱するため、はんだに熱が効率よく伝わらず、はんだが溶融する頃には電子部品や基板が高温となり、電子部品が機能するための主要部分である電子部品本体や基板が損傷を受ける場合があった。又、実装密度の高い基板では、リペア作業の対象となる電子部品のみに熱風を吹き付けることは困難であり、周辺に搭載された部品にも熱風が吹き付けられ、リペア作業の対象となる電子部品と共に取り外されてしまう場合があった。
【０００５】
そこで、このような問題を解決すべく、様々な技術が提案されている。例えば、半導体パッケージと基板とを接続するはんだボールの周囲に、内部に加熱線が設けられたリペアシートを挟み込んだ半導体装置が提案されている。この半導体装置では、リペアシートを加熱線により加熱して周囲のはんだボールを溶融させることで、半導体パッケージのみを取り外すことができる。又、この半導体装置では、はんだボールの周囲にリペアシートを挟み込んだ状態で半導体パッケージを基板に搭載し、リペアシートを加熱線により加熱して周囲のはんだボールを溶融させることで、半導体パッケージのみを搭載できる（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
又、はんだボールが搭載されるランドの周囲に、電気絶縁層を介してＮｉ−Ｃｒ等の発熱抵抗体層を形成したＢＧＡパッケージ用基板が提案されている。この基板では、発熱抵抗体層に電流を流して発熱させ、ＢＧＡパッケージと基板とを接合しているはんだボールを溶融させることで、ＢＧＡパッケージのみを取り外すことができる（例えば、特許文献２参照）。
【０００７】
又、半導体チップと基板とを接続する突起電極を加熱するＮｉ−Ｃｒ等の発熱体を、半導体チップ又は基板の所定部に設けた半導体装置が提案されている。この半導体装置では、発熱体を加熱して突起電極を溶融させることで、半導体チップのみを取り外すことができる（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平１１−８７９０６号公報
【特許文献２】特開平１０−２８４８２０号公報
【特許文献３】特開昭６１−１４８８３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献１〜３で提案されている技術を用いれば、エアヒータによって熱風を吹き付けて電子部品を取り外す方法と比較すると、電子部品本体や基板に与える損傷は低減されると思われる。しかしながら、特許文献１〜３で提案されている技術では、電子部品本体に伝わる熱は遮断されてなく、依然として電子部品本体に損傷を与える虞は排除できない。
【００１０】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、電子部品本体に損傷を与えることなく搭載又は取り外しが可能な電子部品、及び、前記電子部品を基板に搭載する又は前記電子部品を基板から取り外す電子部品組立装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本電子部品は、配線基板と、前記配線基板の一方の面側に搭載される電子部品本体と、前記配線基板の他方の面側に形成され、前記電子部品本体と電気的に接続される外部電極と、前記外部電極と同一層に形成され、導電性を有し、抵抗率が前記外部電極よりも高い発熱体と、前記電子部品本体と前記発熱体との間に配置され、絶縁性を有し、前記配線基板を構成する材料とは異なる材料からなる熱絶縁層と、を有することを要件とする。
【００１２】
本電子部品組立装置は、電子部品本体と、前記電子部品本体と電気的に接続された外部電極と、前記外部電極と同一層に形成され、導電性を有し、導電率が前記外部電極よりも低い発熱体と、前記発熱体と接続された加熱用電極と、を有する電子部品の前記加熱用電極に当接し、貫通孔を有する当接部と、前記当接部を介して前記発熱体を発熱させる加熱手段と、前記貫通孔を介して前記加熱用電極を吸引する吸引手段と、を有することを要件とする。
【発明の効果】
【００１３】
開示の技術によれば、電子部品本体に損傷を与えることなく搭載又は取り外しが可能な電子部品、及び、前記電子部品を基板に搭載する又は前記電子部品を基板から取り外す電子部品組立装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す断面図である。
【図２Ａ】第１の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す底面図である。
【図２Ｂ】第１の実施の形態に係る半導体装置の他の例を示す底面図（その１）である。
【図２Ｃ】第１の実施の形態に係る半導体装置の他の例を示す底面図（その２）である。
【図３】半導体装置の搭載及び取り外しに用いる装置の一例を示す模式図である。
【図４】ノズルの一例を示す斜視図である。
【図５Ａ】半導体装置の取り外しの手順の一例を示すフローチャートである。
【図５Ｂ】半導体装置の搭載の手順の一例を示すフローチャートである。
【図６】第１の実施の形態の変形例１に係る半導体装置の一例を示す断面図である。
【図７】第１の実施の形態の変形例１に係る半導体装置の他の例を示す断面図である。
【図８】第１の実施の形態の変形例２に係る半導体装置の一例を示す断面図である。
【図９】第１の実施の形態の変形例３に係る半導体装置の一例を示す断面図である。
【図１０】第１の実施の形態の変形例３に係る半導体装置の他の例を示す断面図である。
【図１１】第２の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す断面図である。
【図１２Ａ】第２の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す底面図である。
【図１２Ｂ】第２の実施の形態に係る半導体装置の他の例を示す底面図（その１）である。
【図１２Ｃ】第２の実施の形態に係る半導体装置の他の例を示す底面図（その２）である。
【図１３】半導体装置の搭載及び取り外しに用いる装置の他の例を示す模式図（その１）である。
【図１４】第３の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す断面図である。
【図１５】第４の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す断面図である。
【図１６】半導体装置の搭載及び取り外しに用いる装置の他の例を示す模式図（その２）である。
【図１７】第５の実施の形態に係る電子部品の一例を示す斜視図である。
【図１８】第５の実施の形態に係る電子部品の一例を示す断面図である。
【図１９】第５の実施の形態に係る電子部品の電流について説明するための図である。
【図２０Ａ】ノズルの他の例を示す斜視図（その１）である。
【図２０Ｂ】ノズルの他の例を示す斜視図（その２）である。
【図２０Ｃ】ノズルの他の例を示す斜視図（その３）である。
【図２０Ｄ】ノズルの他の例を示す斜視図（その４）である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照して、実施の形態の説明を行う。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【００１６】
なお、本明細書において、電子部品とは、能動素子である半導体チップを有する半導体装置や、受動素子であるコンデンサや抵抗等を含む。又、本明細書において、電子部品が機能するための主要部分を電子部品本体と称する。例えば、電子部品が半導体装置であれば、電子部品本体は半導体チップである。又、電子部品がコンデンサであれば、電子部品本体は誘電体を含むコンデンサとして機能する部分であり、電子部品が抵抗であれば、電子部品本体は抵抗体を含む抵抗として機能する部分である。
【００１７】
〈第１の実施の形態〉
［半導体装置の構造］
まず、第１の実施の形態に係る半導体装置の構造について説明する。図１は、第１の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す断面図である。図２Ａは、第１の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す底面図である。なお、図１は、図２ＡのＡ−Ａ線に沿う断面を示している。図２Ａにおいて、便宜上、後述する第３絶縁層２３は省略されている。
【００１８】
図１を参照するに、半導体装置１０は、配線基板１１と、半導体チップ２５と、バンプ２６と、封止部２７と、加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂと、貫通配線２９Ａ及び２９Ｂとを有する。配線基板１１としては、例えば、ガラスクロスにエポキシ樹脂等を主成分とする樹脂を含浸させた所謂ガラスエポキシ基板や、エポキシ樹脂等を主成分とする絶縁層と配線層を交互に積層した所謂ビルドアップ配線基板等の様々な配線基板を用いることができる。
【００１９】
配線基板１１は、第１配線層１２と、第１絶縁層１３と、第２配線層１４と、第２絶縁層１５と、第３配線層１６と、熱絶縁層１７と、熱拡散層１８と、発熱体１９及び第４配線層２０と、第３絶縁層２３とが順次積層された構造を有する。なお、配線基板１１の第１配線層１２側の表面を第１主面と称する場合がある。又、配線基板１１の第３絶縁層２３側の表面を第２主面と称する場合がある。
【００２０】
第１配線層１２と第２配線層１４とは、第１絶縁層１３を貫通する貫通孔内に設けられた第１貫通配線１３ｘにより適宜電気的に接続されている。第２配線層１４と第３配線層１６とは、第２絶縁層１５を貫通する貫通孔内に設けられた第２貫通配線１５ｘにより適宜電気的に接続されている。第３配線層１６と第４配線層２０とは、熱絶縁層１７及び熱拡散層１８を貫通する貫通孔内に設けられた第３貫通配線１７ｘにより適宜電気的に接続されている。
【００２１】
第４配線層２０は、第３絶縁層２３の開口部２３ｘから露出する（配線基板１１の第２主面から露出する）複数の外部電極２１と、発熱体１９の両端部と電気的に接続されている２つの内部電極２２Ａ及び２２Ｂとを有する。複数の外部電極２１上には、それぞれ外部接続端子２４が形成されている。但し、外部電極２１上には必ずしも外部接続端子２４を形成する必要はない。例えば、外部接続端子２４を搭載していない半導体装置１０を製品として出荷してもよい。この場合には、製品を入手した者が外部電極２１上に外部接続端子２４を搭載するか、又は、半導体装置１０が搭載される基板側に外部接続端子を形成し、基板側に形成した外部接続端子と半導体装置１０の外部電極２１とを接続すればよい。このように、外部電極２１は、電子部品本体である半導体チップ２５と電気的に接続され、かつ、外部接続端子２４と電気的に接続可能な電極である。
【００２２】
第１配線層１２、第２配線層１４、第３配線層１６、第４配線層２０、第１貫通配線１３ｘ、第２貫通配線１５ｘ、及び第３貫通配線１７ｘの材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）等の導電性材料を用いることができる。第１貫通配線１３ｘ、第２貫通配線１５ｘ、及び第３貫通配線１７ｘの材料として、ポリアセチレンやポリチオフェン等の導電性高分子を用いても構わない。第１配線層１２、第２配線層１４、第３配線層１６、第４配線層２０、第１貫通配線１３ｘ、第２貫通配線１５ｘ、及び第３貫通配線１７ｘは、例えば、無電解めっき法等により形成することができる。
【００２３】
第１配線層１２の表面（バンプ２６側）や外部電極２１の表面（外部接続端子２４側）に、金（Ａｕ）めっき膜を形成しても構わない。又、金（Ａｕ）めっき膜に代えて、ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）めっき膜（ＮｉとＡｕをこの順番で積層しためっき膜）や、ニッケル（Ｎｉ）／パラジウム（Ｐｄ）／金（Ａｕ）めっき膜（ＮｉとＰｄとＡｕをこの順番で積層しためっき膜）等を形成しても構わない。
【００２４】
第１絶縁層１３、第２絶縁層１５、第３絶縁層２３の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂を主成分とする絶縁性樹脂等を用いることができる。第１絶縁層１３、第２絶縁層１５、第３絶縁層２３に、ガラスクロス等の補強部材を設けても構わない。外部接続端子２４の材料としては、例えば、Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕ等のＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系のはんだ材料（融点：略２１５〜２３５℃程度）を用いることができる。
【００２５】
発熱体１９は、電流が流れると熱を発する機能を有する。発熱体１９は、例えば、図２Ａの示すように、外部電極２１及び外部接続端子２４と接触しないように迂回させて、熱拡散層１８の表面全体に形成されている。発熱体１９を熱拡散層１８に接するように設けることにより、発熱体１９の発する熱を熱拡散層１８に効率よく伝達できる。発熱体１９の両端部は、それぞれ内部電極２２Ａ及び２２Ｂと電気的に接続されている。内部電極２２Ａ及び２２Ｂ間に所定の電圧を印加すると、発熱体１９に電流が流れて熱を発し、外部電極２１に接続される外部接続端子２４を溶融させることができる。
【００２６】
なお、本明細書における発熱体とは、電流を流すことにより、電子部品と基板とを接続する導電性材料（はんだや導電性ペースト等）を溶融できる程度の熱を発生可能なものをいう。又は、本明細書における発熱体とは、後述のように、電子部品の外部から熱を供給することにより、電子部品と基板とを接続する導電性材料（はんだや導電性ペースト等）を溶融できる程度の熱を保持可能なものをいう。
【００２７】
発熱体１９としては、例えば、ニクロム（Ｎｉ−Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、スズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＴＯ）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）等の金属系材料や、カーボンナノチューブ、ポリピロール、ポリアニリン、ポリフェニリン等の非金属系材料を用いることができる。発熱体１９は、例えば、スパッタ法や蒸着法等により薄膜として熱拡散層１８上に形成できる。又、発熱体１９は、例えば、焼成等により厚膜として熱拡散層１８上に形成してもよい。発熱体１９の厚さは適宜決定することができるが、例えば、５〜２０μｍ程度とすることができる。発熱体１９の幅は適宜決定することができるが、例えば、５〜２０μｍ程度とすることができる。
【００２８】
熱拡散層１８は、発熱体１９が発する熱を均一化する機能を有する。熱拡散層１８は、発熱体１９が発した熱を均一化し略一定温度となる。熱拡散層１８を設けることにより、発熱体１９が発した熱を複数の外部接続端子２４に効率よく伝えることができる。熱拡散層１８の材料としては、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や炭化珪素（ＳｉＣ）等の熱伝導率の高いセラミック等を用いることができる。熱拡散層１８の厚さは適宜決定することができるが、例えば、１０〜１００μｍ程度とすることができる。
【００２９】
熱拡散層１８は、例えば、原料のセラミック粉末と有機質のバインダを混ぜ合わせたスラリーからグリーンシートを作製する。そして、作製したグリーンシートに層間導通用の貫通孔を形成して貫通孔に導体ペースト等を充填して貫通配線を作製し、その後焼成することで作製できる。熱拡散層１８は、例えば、エポキシ系樹脂を主成分とする熱硬化性接着剤を介して熱絶縁層１７に積層した状態で熱硬化性接着剤を加熱しながら熱絶縁層１７側に押圧することにより熱絶縁層１７上に積層できる。
【００３０】
熱絶縁層１７は、発熱体１９が発し熱拡散層１８が均一化した熱が半導体チップ２５に伝達されることを防止する機能を有する。熱絶縁層１７を熱拡散層１８と半導体チップ２５との間に設けることにより、発熱体１９が発し熱拡散層１８が均一化した熱が半導体チップ２５に伝達されることを防止可能となり、熱に起因する半導体チップ２５の破壊を回避できる。又、熱絶縁層１７を設けることにより、発熱体１９が発し熱拡散層１８が均一化した熱を逃がさずに外部接続端子２４に効率よく伝えることができる。熱絶縁層１７の材料としては、例えば、チタン酸アルミニウム（ＡｌＴｉＯ３）やジルコニア（ＺｒＯ２）等の熱伝導率の低いセラミックやポリイミド樹脂等を用いることができるが、熱伝導率が配線基板の電気絶縁層よりも低いことが望ましい。熱絶縁層１７の厚さは適宜決定することができるが、例えば、１０〜１００μｍ程度とすることができる。
【００３１】
熱絶縁層１７がセラミックである場合には、熱拡散層１８と同様の方法により作製できる。熱絶縁層１７を第２絶縁層１５に積層する場合には、例えば、第２絶縁層１５としてエポキシ系樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂を選択する。そして、熱絶縁層１７を第２絶縁層１５に積層した状態で、第２絶縁層１５を加熱しながら熱絶縁層１７を第２絶縁層１５側に押圧することにより積層できる。熱絶縁層１７がポリイミド樹脂である場合には、ポリイミド樹脂を第２絶縁層１５上にラミネートすることにより、熱絶縁層１７を第２絶縁層１５に積層できる。
【００３２】
熱絶縁層１７は、熱拡散層１８よりも熱伝導率が小さくなければならない。熱絶縁層１７の熱伝導率は、熱拡散層１８の熱伝導率の２０分の１以下であることが好ましい。
【００３３】
なお、一般に、配線基板にはエポキシ系樹脂を主成分とする電気絶縁層が設けられることが多く、このような電気絶縁層は熱伝導率が比較的低い。しかし、このような電気絶縁層を熱絶縁層と兼用すると、電気絶縁層の耐熱温度や熱膨張係数等に起因して配線基板に反りが生じ、半導体チップとの接続信頼性が低下したりする虞がある。そこで、電気絶縁層とは別に熱絶縁層を別途設ける必要がある。
【００３４】
なお、熱絶縁層１７は、必ずしも熱拡散層１８に隣接する位置に設ける必要はなく、熱拡散層１８と破壊を防止したい電子部品本体（この場合には半導体チップ２５）との間の任意の位置に設けることにより、半導体チップ２５の破壊を防止できる。但し、発熱体１９が発し熱拡散層１８が均一化した熱を逃がさずに外部接続端子２４に効率よく伝える観点からは、熱絶縁層１７は熱拡散層１８に隣接して設けることが好ましい。又、エポキシ系樹脂等を主成分とする電気絶縁層の熱に起因する反りを防止する観点からも、熱絶縁層１７と熱拡散層１８との間に電気絶縁層を設けずに、熱絶縁層１７を熱拡散層１８に隣接して設けることが好ましい。
【００３５】
半導体チップ２５（電子部品本体）は、バンプ２６を介して配線基板１１にフリップチップ接続されている。半導体チップ２５は、例えば、シリコン（Ｓｉ）やＳＯＩ（silicon on insulator）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の半導体基板に半導体集積回路や保護膜、電極等を形成したものである。
【００３６】
バンプ２６は、半導体チップ２５の電極（図示せず）と配線基板１１の第１配線層１２とを電気的に接続している。バンプ２６の材料としては、例えば、Ｓｎ９５Ｐｂ（融点：略２７０〜３３０℃程度）、Ｓｎ８０Ａｕ（融点：略２８０〜３２０℃程度）、Ｓｎ０．７Ｃｕ（融点：略２４０〜２７０℃程度）等の、外部接続端子２４よりも融点の高いはんだ材料を用いることができる。
【００３７】
バンプ２６に外部接続端子２４よりも融点の高いはんだ材料を用い、半導体装置１０を基板から取り外す際に、バンプ２６が溶融せずに外部接続端子２４が溶融する温度に設定することで、バンプ２６に影響を与えずに半導体装置１０を取り外すことができる。又、半導体装置１０を基板に搭載する際に、バンプ２６が溶融せずに外部接続端子２４が溶融する温度に設定することで、バンプ２６に影響を与えずに半導体装置１０を搭載できる。但し、本実施の形態に係る半導体装置１０では、熱絶縁層１７を設けているため、外部接続端子２４からバンプ２６へ伝達しようとする熱は熱絶縁層１７により遮断される。そのため、バンプ２６の材料を外部接続端子２４と同一材料としてもよい。
【００３８】
封止部２７は、半導体チップ２５を封止するように配線基板１１の第１主面に設けられている。封止部２７の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂を主成分とする絶縁性樹脂を用いることができる。封止部２７の材料は、シリカ（ＳｉＯ２）やアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のフィラーを含有していても構わない。
【００３９】
加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂは、封止部２７上に設けられている。又、加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂは、封止部２７、第１絶縁層１３、第２絶縁層１５、熱絶縁層１７、及び熱拡散層１８を貫通する貫通孔内に設けられた貫通配線２９Ａ及び２９Ｂ並びに内部電極２２Ａ及び２２Ｂを介して、発熱体１９の両端部と電気的に接続されている。加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂは、後述するように、半導体装置１０の搭載及び取り外し時にノズルが当接する部分である。
【００４０】
加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂ並びに貫通配線２９Ａ及び２９Ｂの材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）等の導電性材料を用いることができる。貫通配線２９Ａ及び２９Ｂの材料として、ポリアセチレンやポリチオフェン等の導電性高分子を用いても構わない。加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂ並びに貫通配線２９Ａ及び２９Ｂは、例えば、無電解めっき法等により形成することができる。加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂの表面並びに貫通配線２９Ａ及び２９Ｂの表面（貫通孔の内壁面側）に、金（Ａｕ）めっき膜を形成しても構わない。又、金（Ａｕ）めっき膜に代えて、ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）めっき膜（ＮｉとＡｕをこの順番で積層しためっき膜）や、ニッケル（Ｎｉ）／パラジウム（Ｐｄ）／金（Ａｕ）めっき膜（ＮｉとＰｄとＡｕをこの順番で積層しためっき膜）等を形成しても構わない。
【００４１】
半導体装置１０において、発熱体１９に電流を流すことにより発した熱は熱拡散層１８で均一化され外部接続端子２４を加熱する。その結果、外部接続端子２４は溶融し、半導体装置１０を基板から取り外すことができる。又、半導体装置１０を基板に搭載することができる。この際、半導体装置１０のみを加熱するため、半導体装置１０の周囲に他の部品が搭載されている場合にも、他の部品を一緒に取り外したり損傷したりすることなく、半導体装置１０のみを取り外すことができる。
【００４２】
又、半導体装置１０には熱絶縁層１７が設けられているので、発熱体１９が発し熱拡散層１８が均一化した熱が半導体チップ２５側に伝達し難いため、半導体チップ２５（電子部品本体）の熱による破壊を防止できる。又、半導体装置１０には熱絶縁層１７が設けられているので、発熱体１９が発し熱拡散層１８が均一化した熱を逃がさずに外部接続端子２４に効率よく伝えることができる。
【００４３】
なお、発熱体１９は、図２Ａに示すパターンには限定されず、熱拡散層１８の表面全体に引き回されていれば、任意のパターンとして構わない。例えば、図２Ｂに示すような外部接続端子２４の周囲を蛇行するパターンや、図２Ｃに示すような外部接続端子２４の周囲の大部分を囲むパターン等である。又、内部電極２２Ａ及び２２Ｂは、図２Ａに示すように片側に配置してもよいし、図２Ｂや図２Ｃに示すように対角に配置してもよいし、その他の任意の位置に配置してもよい。加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂも、片側に配置してもよいし対角に配置してもよいし、その他の任意の位置に配置してもよい。なお、加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂを近接して配置することにより、後述のように、１つのノズルで加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂに異なる電圧を印加できる。
【００４４】
［半導体装置の搭載及び取り外し］
次に、第１の実施の形態に係る半導体装置の搭載及び取り外しについて説明する。図３は、半導体装置の搭載及び取り外しに用いる装置の一例を示す模式図である。図３を参照するに、装置１００は、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂと、加熱手段１２０と、吸引手段１３０と、監視手段１４０と、制御手段１５０と、記憶手段１６０と、操作手段１７０とを有する。半導体装置１０は基板２００上に搭載されている。つまり、外部接続端子２４が溶融して、半導体装置１０の外部電極２１と基板２００の対応する電極とを電気的に接続している。なお、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂは、本発明に係る当接部の代表的な一例である。又、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂ（当接部）、加熱手段１２０、及び吸引手段１３０は、本発明に係る電子部品組立装置の代表的な一例である。
【００４５】
装置１００において、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂは一方が正電極、他方が負電極である。ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂは、それぞれ半導体装置１０の加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂと当接して電気的に接続されている。なお、加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂには極性がないため、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂは加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂの何れに当接してもよい。
【００４６】
図４は、ノズルの一例を示す斜視図である。図４に示すように、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂは、例えば、中央部に頂面から底面まで貫通する平面視円形の貫通孔１１０Ａｘ及び１１０Ｂｘが形成された略円柱状の部材であり、銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）等の導電性材料から形成されている。但し、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂは、中央部に貫通孔が形成された円柱状の部材には限定されず、例えば、中央部に貫通孔が形成された楕円柱状の部材や四角柱状の部材、多角形状の部材等であっても構わない。
【００４７】
貫通孔１１０Ａｘ及び１１０Ｂｘは、空気等（例えば、空気に静電気除去や洗浄効果のある所定のイオンを含有してもよい）を通過させるために設けられており、それぞれの一端は吸引手段１３０と接続されている。外部接続端子２４を加熱して溶融させた後、貫通孔１１０Ａｘ及び１１０Ｂｘを介して半導体装置１０を空気等で吸引することにより、半導体装置１０を基板２００から取り外すことができる。又、貫通孔１１０Ａｘ及び１１０Ｂｘを介して半導体装置１０を空気等で吸引して基板２００上に配置し、外部接続端子２４を加熱して溶融させた後、空気等の吸引を停止することにより、半導体装置１０を基板２００に搭載することができる。なお、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂと半導体装置１０とを離隔し易くするために、空気等の吸引を停止後、空気等を半導体装置１０側に噴射してもよい。
【００４８】
図３に戻り、加熱手段１２０は、ノズル１１０Ａとノズル１１０Ｂとの間に電位差を生じさせることにより（加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂ間に電圧を印加することにより）、発熱体１９に電流を供給して熱を発生させる機能を有する。加熱手段１２０は、例えば、出力電圧を可変できる直流電源である。
【００４９】
吸引手段１３０は、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂに設けられた貫通孔１１０Ａｘ及び１１０Ｂｘを介して半導体装置１０の加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂを吸引したり吸引を停止したり、空気等を加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂ側に噴射したりする機能を有する。吸引手段１３０は、例えば、吸引時に負圧を供給する吸引ポンプや吸引ポンプとノズル１１０Ａ及び１１０Ｂを連結する吸引チューブ等を備えている。
【００５０】
監視手段１４０は、半導体装置１０と基板２００の所定部分の温度やはんだ形状等、或いは半導体装置１０と基板２００の全体の状況等を監視する機能を有する。監視手段１４０の監視結果は、制御手段１５０に伝達される。監視手段１４０は、例えば、カメラやサーモグラフィ等を含む画像認識装置である。
【００５１】
制御手段１５０は、加熱手段１２０に指令を出し、ノズル１１０Ａとノズル１１０Ｂとの間の電位差を制御する機能を有する。又、制御手段１５０は、ノズル１１０Ａとノズル１１０Ｂとの間に流れる電流（発熱体１９に流れる電流）を検出し、電流が一定値になるようにフィードバック制御する機能を有する。又、制御手段１５０は、吸引手段１３０にノズル１１０Ａ及び１１０Ｂによる吸引、吸引停止、又は噴射の何れかを指示する機能を有する。又、制御手段１５０は、監視部１４０から伝達された情報に基づいて、外部接続端子２４の温度が融点に到達したか否かや、外部接続端子２４の形状が適切か否か等を判断する機能を有する。
【００５２】
制御手段１５０は、例えばＣＰＵ、ＲＯＭ、メインメモリ等を含み、制御手段１５０の各種機能は、ＲＯＭ等に記録されたプログラムがメインメモリに読み出されてＣＰＵにより実行されることによって実現される。但し、制御手段１５０の一部又は全部は、ハードウェアのみにより実現されてもよい。又、制御手段１５０は、物理的に複数の装置を含むものであってもよい。
【００５３】
記憶手段１６０は、搭載及び取り外しの対象となる電子部品（この場合は、半導体装置１０）の情報（例えば、発熱体１９の抵抗値等）を記憶する機能を有する。又、記憶手段１６０は、搭載及び取り外しの対象となる電子部品の熱容量のばらつきや、熱容量のばらつきに対応する最適な印加電圧や印加電流等をデータベース化して記憶する機能を有する。制御手段１５０は、記憶手段１６０のデータベース化された情報に基づいて、電子部品の熱容量等のばらつきに応じた最適な印加電流を設定することができる。例えば、制御手段１５０は、電子部品の熱容量が大きければ、最初から印加電流を多くし、電子部品の熱容量が小さければ印加電流を少なくすることができる。これにより、熱容量が大きな場合に加熱時間が長くなることを防止し、熱容量が小さい場合は温度が上昇し過ぎることを防止できる。記憶手段１６０は、半導体メモリでもよいし、光ディスクや磁気ディスク等でもよい。操作手段１７０は、電子部品搭載開始の指示の入力等を行う機能を有する。
【００５４】
次に、装置１００を用いて半導体装置１０を取り外す手順について説明する。ここでは、図３に示すように、半導体装置１０が基板２００上に搭載されている場合を考える。図５Ａは、半導体装置の取り外しの手順の一例を示すフローチャートである。
【００５５】
図５Ａを参照するに、ステップＳ１０では、図３及び図４に示すように、一方が正電極、他方が負電極であるノズル１１０Ａ及び１１０Ｂを、それぞれ半導体装置１０の加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂに当接する。これにより、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂは、それぞれ半導体装置１０の加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂと電気的に接続される。なお、この段階では、吸引手段１３０は吸引を停止している。次に、制御手段１５０は、加熱手段１２０に指令を出し、ノズル１１０Ａとノズル１１０Ｂとの間の電位差を所定値に設定し、ノズル１１０Ａとノズル１１０Ｂとの間に電圧印加を開始する。これにより、発熱体１９に電流が流れて発熱する。そして、発熱体１９が発した熱は熱拡散層１８で均一化されて外部接続端子２４に伝達され、外部接続端子２４は加熱される。なお、発熱体１９の抵抗値は予めわかっており、発熱体１９の抵抗値と発熱体１９に最初に印加すべき電圧（ノズル１１０Ａとノズル１１０Ｂとの間に設定すべき電位差）及びこの際に流れる電流は、記憶手段１６０に記憶されている。
【００５６】
次に、ステップＳ１１では、監視手段１４０は、外部接続端子２４の温度を監視し、監視結果を制御手段１５０に伝達する。温度は、例えば、サーモグラフィにより監視できる。
【００５７】
次に、ステップＳ１２では、制御手段１５０は、ステップＳ１１で監視手段１４０から伝達された情報に基づいて、外部接続端子２４の温度が外部接続端子２４の材料であるはんだの融点を超えたか否かを判定する。なお、外部接続端子２４の材料は予めわかっており、はんだの融点に関する情報は記憶手段１６０に記憶されている。
【００５８】
ステップＳ１２で外部接続端子２４の温度が融点を超えたと判定した場合（Ｙｅｓの場合）には、ステップＳ１３に移行する。ステップＳ１３では、制御手段１５０は、ノズル１１０Ａとノズル１１０Ｂとの間に流れる電流（発熱体１９に流れる電流）を検出し、加熱手段１２０に指令を出して、電流が一定値になるようにノズル１１０Ａとノズル１１０Ｂとの間の電位差を制御する。これにより、外部接続端子２４は略一定温度となる。
【００５９】
ステップＳ１２で外部接続端子２４の温度が融点を超えていないと判定した場合（Ｎｏの場合）には、ステップＳ１４に移行する。ステップＳ１４では、制御手段１５０は、ノズル１１０Ａとノズル１１０Ｂとの間に流れる電流（発熱体１９に流れる電流）を検出する。そして、制御手段１５０は、加熱手段１２０に指令を出して、電流が現在よりも大きな所定値となるようにノズル１１０Ａとノズル１１０Ｂとの間の電位差を制御する。これにより、ノズル１１０Ａとノズル１１０Ｂとの間に流れる電流（発熱体１９に流れる電流）は増加し、外部接続端子２４の温度は上昇する。
【００６０】
次に、ステップＳ１５では、監視手段１４０は、外部接続端子２４の温度及びはんだ形状を監視し、監視結果の画像情報を制御手段１５０に伝達する。温度及びはんだ形状に関する画像情報は、例えば、カメラやサーモグラフィ等により取得できる。
【００６１】
次に、ステップＳ１６では、制御手段１５０は、ステップＳ１５で監視手段１４０から伝達された画像情報に基づいて、外部接続端子２４のはんだが溶融したか否かを判定する。判定は、例えば、監視手段１４０から伝達された画像情報と、予め記憶手段１６０に記憶されている画像情報とを比較することにより行うことができる。
【００６２】
ステップＳ１６で外部接続端子２４のはんだが溶融したと判定した場合（Ｙｅｓの場合）には、ステップＳ１７に移行し、制御手段１５０は、加熱手段１２０に指令を出して、ノズル１１０Ａとノズル１１０Ｂとの間の電位差をゼロにする。これにより、ノズル１１０Ａとノズル１１０Ｂとの間に（発熱体１９に）電流が流れなくなる。ステップＳ１６で外部接続端子２４のはんだが溶融していないと判定した場合（Ｎｏの場合）には、ステップＳ１１に移行し、前述の処理を繰り返す。
【００６３】
次に、ステップＳ１８では、制御手段１５０は、吸引手段１３０に指令を出し、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂのそれぞれの貫通孔１１０Ａｘ及び１１０Ｂｘを介して半導体装置１０の加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂを空気等で吸引する。そして、半導体装置１０を基板２００上から移動させて吸引を停止することにより、半導体装置１０は基板２００から取り外される。なお、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂと半導体装置１０とを離隔し易くするために、空気等の吸引を停止後、更に空気等を噴射してもよい。
【００６４】
次に、ステップＳ１９では、監視手段１４０は、外部接続端子２４のはんだ形状を監視し、監視結果の画像情報を制御手段１５０に伝達する。はんだ形状に関する画像情報は、例えば、カメラにより取得できる。
【００６５】
次に、ステップＳ２０では、制御手段１５０は、ステップＳ１９で監視手段１４０から伝達された画像情報に基づいて、半導体装置１０の除去が完了したか否かを判定する。判定は、例えば、監視手段１４０から伝達された画像情報と、予め記憶手段１６０に記憶されている画像情報とを比較することにより行うことができる。
【００６６】
ステップＳ２０で半導体装置１０の除去が完了したと判定した場合（Ｙｅｓの場合）には、半導体装置１０の取り外しは終了する。ステップＳ２０で半導体装置１０の除去が完了していないと判定した場合（Ｎｏの場合）には、ステップＳ１６に移行し、前述の処理を繰り返す。このようにして、半導体装置１０を基板２００から取り外すことができる。
【００６７】
次に、装置１００を用いて半導体装置１０を搭載する手順について説明する。ここでは、図３に示すように、半導体装置１０を基板２００上に搭載する場合を考える。図５Ｂは、半導体装置の搭載の手順の一例を示すフローチャートである。
【００６８】
図５Ｂを参照するに、ステップＳ３０では、一方が正電極、他方が負電極であるノズル１１０Ａ及び１１０Ｂを、それぞれ半導体装置１０の加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂに当接する。これにより、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂは、それぞれ半導体装置１０の加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂと電気的に接続される。そして、制御手段１５０は、吸引手段１３０に指令を出し、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂのそれぞれの貫通孔１１０Ａｘ及び１１０Ｂｘを介して半導体装置１０の加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂを空気等で吸引し、半導体装置１０を基板２００の所定位置に配置する。その後、吸引を停止する。
【００６９】
次に、図５ＡのステップＳ１０〜Ｓ１７及びＳ１９と同様の処理を行う。次に、ステップＳ３１では、制御手段１５０は、ステップＳ１９で監視手段１４０から伝達された画像情報に基づいて、半導体装置１０の搭載が完了したか否かを判定する。判定は、例えば、監視手段１４０から伝達された画像情報と、予め記憶手段１６０に記憶されている画像情報とを比較することにより行うことができる。
【００７０】
ステップＳ３１で半導体装置１０の搭載が完了したと判定した場合（Ｙｅｓの場合）には、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂと半導体装置１０の加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂとの当接を解除することにより半導体装置１０の搭載は終了する。ステップＳ３１で半導体装置１０の搭載が完了していないと判定した場合（Ｎｏの場合）には、ステップＳ１６に移行し、前述の処理を繰り返す。このようにして、半導体装置１０を基板２００に搭載することができる。
【００７１】
このように、第１の実施の形態では、半導体装置１０を基板に搭載したり、基板から取り外したりする際に、半導体装置１０のみを加熱する。そのため、半導体装置１０の周囲に他の部品が搭載されている場合にも、他の部品を取り外したり損傷したりすることなく、半導体装置１０のみを搭載又は取り外しすることができる。
【００７２】
又、半導体装置１０には熱絶縁層１７が設けられているので、発熱体１９が発し熱拡散層１８が均一化した熱が半導体チップ２５側に伝達し難いため、半導体チップ２５（電子部品本体）の熱による破壊を防止できる。その結果、取り外した半導体装置１０の故障解析を行うことができる。
【００７３】
又、半導体装置１０には熱絶縁層１７が設けられているので、発熱体１９が発し熱拡散層１８が均一化した熱を逃がさずに外部接続端子２４に効率よく伝えることができる。
【００７４】
〈第１の実施の形態の変形例１〉
第１の実施の形態の変形例１では、第１の実施の形態とは異なる構造の半導体装置に本発明を適用する例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例１において、既に説明した実施の形態と同一構成部分についての説明は省略する。
【００７５】
図６は、第１の実施の形態の変形例１に係る半導体装置の一例を示す断面図である。図６を参照するに、半導体装置３０は、加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂが加熱用電極３８Ａ及び３８Ｂに置換され、貫通配線２９Ａ及び２９Ｂが貫通配線３９Ａ及び３９Ｂに置換されている点が半導体装置１０（図１参照）とは異なる。
【００７６】
半導体装置３０において、加熱用電極３８Ａ及び３８Ｂの一部は配線基板１１の第１主面に形成され、第１主面から封止部２７の側面及び上面に延在している。加熱用電極３８Ａ及び３８Ｂは、第１絶縁層１３、第２絶縁層１５、熱絶縁層１７、及び熱拡散層１８を貫通する貫通孔内に設けられた貫通配線３９Ａ及び３９Ｂ並びに内部電極２２Ａ及び２２Ｂを介して、発熱体１９の両端部と電気的に接続されている。加熱用電極３８Ａ及び３８Ｂは、例えば、無電解めっき法等により形成することができる。加熱用電極３８Ａ及び３８Ｂは、加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂと同様に、半導体装置３０の搭載及び取り外し時にノズルが当接する部分である。
【００７７】
加熱用電極３８Ａ及び３８Ｂ並びに貫通配線３９Ａ及び３９Ｂの材料としては、加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂ並びに貫通配線２９Ａ及び２９Ｂと同様の材料を用いることができる。加熱用電極３８Ａ及び３８Ｂ並びに貫通配線３９Ａ及び３９Ｂの表面に、加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂ並びに貫通配線２９Ａ及び２９Ｂと同様のめっき膜を形成しても構わない。
【００７８】
半導体装置３０には、半導体装置１０と同様に熱絶縁層１７、熱拡散層１８、及び発熱体１９が設けられ、更に、加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂに代えて加熱用電極３８Ａ及び３８Ｂが設けられている。そのため、半導体装置３０が基板２００（図３参照）に搭載されている場合には、図３に示す装置１００を用い図５Ａに示すフローチャートに従って、半導体装置３０を基板２００から取り外すことができる。又、半導体装置３０を基板２００（図３参照）に搭載する場合には、図３に示す装置１００を用い図５Ｂに示すフローチャートに従って、半導体装置３０を基板２００に搭載することができる。その結果、第１の実施の形態と同様の効果を奏する。
【００７９】
なお、図６に示す半導体装置３０のように加熱用電極３８Ａ及び３８Ｂと貫通配線３９Ａ及び３９Ｂの一端とを直接接続せずに、図７に示す半導体装置３０Ａのようにボンディングワイヤ３６を介して電気的に接続しても構わない。ボンディングワイヤ３６としては、例えば、金（Ａｕ）や銅（Ｃｕ）等の導電線を用いることができる。
【００８０】
〈第１の実施の形態の変形例２〉
第１の実施の形態の変形例２では、第１の実施の形態及びその変形例１とは異なる構造の半導体装置に本発明を適用する例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例２において、既に説明した実施の形態及びその変形例と同一構成部分についての説明は省略する。
【００８１】
図８は、第１の実施の形態の変形例２に係る半導体装置の一例を示す断面図である。図８を参照するに、半導体装置４０は、半導体チップ２５がバンプ２６を介して配線基板１１にフリップチップ接続されていた半導体装置１０（図１参照）等とは異なり、半導体チップ２５が配線基板１１にワイヤボンディングされている。
【００８２】
より詳しくは、半導体チップ２５は、接着層（図示せず）を介して配線基板１１の第１主面に設けられている。半導体チップ２５の電極（図示せず）は、ボンディングワイヤ４６を介して配線基板１１の第１配線層１２と電気的に接続されている。ボンディングワイヤ４６は、半導体チップ２５の電極（図示せず）と配線基板１１の電極（第１配線層１２）とを接続する導電線である。ボンディングワイヤ４６の材料としては、例えば、金（Ａｕ）や銅（Ｃｕ）等を用いることができる。
【００８３】
半導体装置４０には、半導体装置１０と同様に熱絶縁層１７、熱拡散層１８、発熱体１９、及び加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂが設けられている。そのため、半導体装置４０が基板２００（図３参照）に搭載されている場合には、図３に示す装置１００を用い図５Ａに示すフローチャートに従って、半導体装置４０を基板２００から取り外すことができる。又、半導体装置４０を基板２００（図３参照）に搭載する場合には、図３に示す装置１００を用い図５Ｂに示すフローチャートに従って、半導体装置４０を基板２００に搭載することができる。その結果、第１の実施の形態と同様の効果を奏する。
【００８４】
〈第１の実施の形態の変形例３〉
第１の実施の形態の変形例３では、第１の実施の形態及びその変形例１、２とは異なる構造の半導体装置に本発明を適用する例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例３において、既に説明した実施の形態及びその変形例と同一構成部分についての説明は省略する。
【００８５】
図９は、第１の実施の形態の変形例３に係る半導体装置の一例を示す断面図である。図９を参照するに、半導体装置５０は、加熱用電極５８Ａ及び５８Ｂとして樹脂封止によりパッケージ化された半導体チップ５５の２つのリード端子を用いている点が半導体装置１０（図１参照）等とは異なる。
【００８６】
半導体装置５０において、半導体チップ５５は樹脂封止によりパッケージ化されており、複数のリード端子のそれぞれの一部分が樹脂封止部から外部に引き出されている。複数のリード端子のうちの２つが加熱用電極５８Ａ及び５８Ｂとして用いられており、封止部２７の上面に延在している。加熱用電極５８Ａ及び５８Ｂは、樹脂封止部内に形成された内部配線（図示せず）により、内部電極５６Ａ及び５６Ｂと電気的に接続されている。内部電極５６Ａ及び５６Ｂは、それぞれはんだ５７を介して、配線基板１１の第１配線層１２と電気的に接続されている。つまり、加熱用電極５８Ａ及び５８Ｂは、発熱体１９と電気的に接続されている。
【００８７】
加熱用電極５８Ａ及び５８Ｂの材料としては、例えば、銅合金や４２アロイ等の金属板を用いることができる。金属板の表面に、例えば、金（Ａｕ）や錫（Ｓｎ）等のめっき膜を形成しても構わない。内部電極５６Ａ及び５６Ｂの材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）等の導電性材料を用いることができる。
【００８８】
はんだ５７としては、例えば、Ｓｎ９５Ｐｂ（融点：略２７０〜３３０℃程度）、Ｓｎ８０Ａｕ（融点：略２８０〜３２０℃程度）、Ｓｎ０．７Ｃｕ（融点：略２４０〜２７０℃程度）等の、外部接続端子２４よりも融点の高いはんだ材料を用いることができる。
【００８９】
はんだ５７に外部接続端子２４よりも融点の高いはんだ材料を用い、半導体装置５０を基板から取り外す際に、はんだ５７が溶融せずに外部接続端子２４が溶融する温度に設定することで、はんだ５７に影響を与えずに半導体装置５０を取り外すことができる。又、半導体装置５０を基板に搭載する際に、はんだ５７が溶融せずに外部接続端子２４が溶融する温度に設定することで、はんだ５７に影響を与えずに半導体装置５０を搭載できる。但し、本実施の形態に係る半導体装置５０では、熱絶縁層１７を設けているため、外部接続端子２４からはんだ５７へ伝達しようとする熱は熱絶縁層１７により遮断されるため、はんだ５７の材料を外部接続端子２４と同一材料としてもよい。
【００９０】
半導体装置５０には、半導体装置１０と同様に熱絶縁層１７、熱拡散層１８、及び発熱体１９が設けられ、更に、加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂに代えて加熱用電極５８Ａ及び５８Ｂが設けられている。そのため、半導体装置５０が基板２００（図３参照）に搭載されている場合には、図３に示す装置１００を用い図５Ａに示すフローチャートに従って、半導体装置５０を基板２００から取り外すことができる。又、半導体装置５０を基板２００（図３参照）に搭載する場合には、図３に示す装置１００を用い図５Ｂに示すフローチャートに従って、半導体装置５０を基板２００に搭載することができる。その結果、第１の実施の形態と同様の効果を奏する。
【００９１】
なお、図１０に示す半導体装置５０Ａのように、半導体チップ５５のリード端子のうちの２つを封止部２７の側面及び上面に延在させて加熱用電極５８Ａ及び５８Ｂとしても構わない。
【００９２】
〈第２の実施の形態〉
第１の実施の形態及びその変形例では、封止部の表面に加熱用電極を設ける例を示したが、第２の実施の形態では、外部電極側に加熱用電極を設ける例を示す。なお、第２の実施の形態において、既に説明した実施の形態及びその変形例と同一構成部分についての説明は省略する。
【００９３】
図１１は、第２の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す断面図である。図１２Ａは、第２の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す底面図である。なお、図１１は、図１２ＡのＢ−Ｂ線に沿う断面を示している。図１２Ａにおいて、便宜上、第３絶縁層２３は省略されている。
【００９４】
図１１及び図１２Ａを参照するに、半導体装置６０は、加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂ並びに貫通配線２９Ａ及び２９Ｂが削除され、内部電極２２Ａ及び２２Ｂ上に加熱用電極６８Ａ及び６８Ｂが設けられた点が半導体装置１０（図１参照）とは異なる。つまり、半導体装置１０（図１参照）では、封止部２７の表面に加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂを設けていたが、半導体装置６０では、その反対側である内部電極２２Ａ及び２２Ｂ上に加熱用電極６８Ａ及び６８Ｂを設けている。加熱用電極６８Ａ及び６８Ｂは、例えば、はんだバンプであり、外部接続端子２４と同様の材料を用いることができる。
【００９５】
図１３に示すように、半導体装置６０の装置１００への接続は、半導体装置６０が搭載されている基板２００を介して行うことができる。つまり、加熱用電極６８Ａ及び６８Ｂと電気的に接続されている基板２００側の配線にノズル１１０Ａ及び１１０Ｂを当接させ、基板２００側の配線を介して装置１００から加熱用電極６８Ａ及び６８Ｂに電圧を印加することができる。半導体装置６０を基板２００に搭載する際も同様にして接続できる。
【００９６】
半導体装置６０には、半導体装置１０と同様に熱絶縁層１７、熱拡散層１８、及び発熱体１９が設けられ、更に、加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂに代えて加熱用電極６８Ａ及び６８Ｂが設けられている。そのため、半導体装置６０が基板２００（図３参照）に搭載されている場合には、図１３に示す装置１００を用い図５Ａに示すフローチャートに従って、半導体装置６０を基板２００から取り外すことができる。但し、本実施の形態では、図５ＡのステップＳ１０では、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂを基板２００側の配線に当接させ、電圧印加を開始する。又、ステップＳ１８では、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂを基板２００側の配線から半導体装置６０の上面に移動させ、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂを半導体装置６０の上面に当接させてから半導体装置６０の上面を吸引する。そして、半導体装置１０を基板２００上から移動させて吸引を停止する。
【００９７】
又、半導体装置６０を基板２００（図３参照）に搭載する場合には、図１３に示す装置１００を用い図５Ｂに示すフローチャートに従って、半導体装置６０を基板２００に搭載することができる。但し、本実施の形態では、図５ＢのステップＳ３０では、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂを半導体装置６０の上面に当接させて吸引し、半導体装置６０を基板２００の所定位置に配置後、吸引を停止する。そして、ステップＳ１０では、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂを半導体装置６０の上面から基板２００側の配線に移動させ、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂを基板２００側の配線に当接させてから電圧印加を開始する。
【００９８】
この際、半導体装置６０のみを加熱するため、半導体装置６０の周囲に他の部品が搭載されている場合にも、他の部品を一緒に取り外したり損傷したりすることなく、半導体装置６０のみを搭載又は取り外しすることができる。又、半導体装置６０には熱絶縁層１７が設けられているので、発熱体１９が発した熱が半導体チップ２５側に伝達し難いため、半導体チップ２５（電子部品本体）の熱による破壊を防止できる。その結果、取り外した半導体装置６０の故障解析を行うことができる。又、半導体装置６０には熱絶縁層１７が設けられているので、発熱体１９が発し熱拡散層１８が均一化した熱を逃がさずに外部接続端子２４に効率よく伝えることができる。
【００９９】
このように、第２の実施の形態では、外部電極側（第２主面側）に加熱用電極を設けることにより、第１の実施の形態と同様の効果を奏する。なお、図６、図７、図８、図９、及び図１０において、封止部２７の表面に加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂを設けずに、その反対側である内部電極２２Ａ及び２２Ｂ上に加熱用電極６８Ａ及び６８Ｂを設けた場合にも同様の効果を奏する。
【０１００】
又、発熱体１９は、図１２Ａに示すパターンには限定されず、熱拡散層１８の全体に引き回されていれば、任意のパターンとして構わない。例えば、図１２Ｂや図１２Ｃに示すような外部接続端子２４の周囲を蛇行するパターン等とすることができる。又、図１２Ｂや図１２Ｃに示すように、加熱用電極６８Ａ及び６８Ｂは、エリアアレイ状に設けられた外部接続端子２４のうちの一部（信号線等に使用していない部分）を使用しても構わない。これにより、半導体装置６０の小型化が図れる。又、図１２Ｃに示すように、加熱用電極６８Ａ及び６８Ｂは、エリアアレイ状に設けられた外部接続端子２４のうちの一部（信号線等に使用していない部分）を複数個並列接続して使用しても構わない。これにより、半導体装置６０と基板２００との接続信頼性を向上できる。
【０１０１】
〈第３の実施の形態〉
既に説明した実施の形態及びその変形例では、熱拡散層の表面に発熱体を設ける例を示したが、第３の実施の形態では、半導体装置に形成した貫通孔内部に熱絶縁層及び発熱体を設ける例を示す。なお、第３の実施の形態において、既に説明した実施の形態及びその変形例と同一構成部分についての説明は省略する。
【０１０２】
図１４は、第３の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す断面図である。図１４を参照するに、半導体装置７０は、熱拡散層１８の表面に発熱体１９が設けられていた半導体装置１０（図１参照）等とは異なり、半導体装置７０の一部を貫通する貫通孔内部に熱絶縁層７７及び発熱体７８を含む貫通配線７９が設けられている。
【０１０３】
より詳しくは、半導体装置７０には、封止部２７と、配線基板１１の熱絶縁層１７よりも第１主面側の層である第１絶縁層１３及び第２絶縁層１５とを貫通する第１の貫通孔が設けられている。又、配線基板１１には、第１の貫通孔よりも小径であり、かつ、第１の貫通孔と連通し熱絶縁層１７及び熱拡散層１８を貫通する第２の貫通孔が設けられている。そして、第１の貫通孔内には、第１の貫通孔の内壁と接しないように発熱体７８が設けられ、更に、発熱体７８の周囲を覆うように熱絶縁層７７が設けられている。又、第２の貫通孔内には、発熱体７８が充填されている。
【０１０４】
加熱用電極２８Ｂは発熱体７８の一端と電気的に接続され、内部電極２２Ｂは発熱体７８の他端と電気的に接続されている。なお、内部電極２２Ａと内部電極２２Ｂは、配線基板１１内の配線（図示せず）によって電気的に接続されている。
【０１０５】
熱絶縁層７７の材料としては、例えば、ポリイミド樹脂等を用いることができる。発熱体７８としては、例えば、ポリピロール等を用いることができる。貫通配線７９を形成するには、例えば、封止部２７、第１絶縁層１３、及び第２絶縁層１５を貫通し熱絶縁層１７の表面を露出する第１の貫通孔を形成する。そして、第１の貫通孔内にポリイミド樹脂を充填する。更に、第１の貫通孔内に充填されたポリイミド樹脂、熱絶縁層１７、及び熱拡散層１８を貫通し内部電極２２Ｂの表面を露出する貫通孔を、第１の貫通孔の内壁面を露出させないように形成する。この際、熱絶縁層１７及び熱拡散層１８に形成される貫通孔が第２の貫通孔である。次に、内壁面がポリイミド樹脂で被覆された第１の貫通孔内と、それに連通する第２の貫通孔内にポリピロールを充填させる。これにより、第１の貫通孔内では周囲をポリイミド樹脂に囲まれ、第２の貫通孔内に充填された発熱体７８が形成される。
【０１０６】
なお、熱絶縁層７７の材料としては、カーボンナノチューブを用いてもよい。カーボンナノチューブは、予め前述の第１の貫通孔及び第２の貫通孔を形成後、平面視で第１の貫通孔内の第２の貫通孔より外側の部分に、長手方向が熱拡散層１８等と略垂直になる方向に、平面視円環状に挿入することができる。カーボンナノチューブは長手方向の熱抵抗は小さいが短手方向の熱抵抗は大きいため、カーボンナノチューブを長手方向が熱拡散層１８等と略垂直になる方向に形成することにより、発熱体７８の発する熱が周囲に伝わることを防止できる。発熱体７８としては、例えばポリピロール等を用いることができ、カーボンナノチューブが形成する円環内及び第２の貫通孔内に充填することができる。
【０１０７】
半導体装置７０には、熱絶縁層１７及び７７、熱拡散層１８、発熱体７８、及び加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂが設けられている。そのため、半導体装置７０が基板２００（図３参照）に搭載されている場合には、図３に示す装置１００を用い図５Ａに示すフローチャートに従って、半導体装置７０を基板２００から取り外すことができる。つまり、半導体装置７０において、発熱体７８に電流を流すことにより発した熱は、発熱体７８に接する熱拡散層１８に伝わり、熱拡散層１８で均一化され外部接続端子２４を加熱する。その結果、外部接続端子２４は溶融し、半導体装置７０を基板から取り外すことができる。又、半導体装置７０を基板２００（図３参照）に搭載する場合には、図３に示す装置１００を用い図５Ｂに示すフローチャートに従って、半導体装置７０を基板２００に搭載することができる。
【０１０８】
この際、半導体装置７０のみを加熱するため、半導体装置７０の周囲に他の部品が搭載されている場合にも、他の部品を一緒に取り外したり損傷したりすることなく、半導体装置７０のみを搭載又は取り外しすることができる。又、半導体装置７０には熱絶縁層１７及び７７が設けられているので、発熱体７８が発した熱が半導体チップ２５側に伝達し難いため、半導体チップ２５（電子部品本体）の熱による破壊を防止できる。その結果、取り外した半導体装置７０の故障解析を行うことができる。又、半導体装置７０には熱絶縁層１７及び７７が設けられているので、発熱体７８が発した熱を逃がさずに外部接続端子２４に効率よく伝えることができる。
【０１０９】
このように、第３の実施の形態では、半導体装置に形成した貫通孔内部に発熱体を設けることにより、第１の実施の形態と同様の効果を奏する。なお、図６、図７、図９、及び図１０において、熱拡散層１８の表面に発熱体１９を設けずに、貫通配線３９Ａ及び３９Ｂ内部に熱絶縁層７７及び発熱体７８を設けた場合にも同様の効果を奏する。又、図８において、熱拡散層１８の表面に発熱体１９を設けずに、貫通配線２９Ａ及び２９Ｂ内部に熱絶縁層７７及び発熱体７８を設けた場合にも同様の効果を奏する。
【０１１０】
〈第４の実施の形態〉
既に説明した実施の形態及びその変形例では、発熱体に電流を流すことで熱を発生させる例を示したが、第４の実施の形態では、半導体装置の外部から加熱用電極を介して熱を供給し、供給された熱を発熱体が保持する例を示す。なお、第４の実施の形態において、既に説明した実施の形態及びその変形例と同一構成部分についての説明は省略する。
【０１１１】
図１５は、第４の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す断面図である。図１５を参照するに、半導体装置８０は、熱絶縁層１７が配線基板１１の第１主面側の最外層（半導体チップ２５に最も近い側の層）に設けられた点、及び封止部２７が封止部８７に置換された点が半導体装置１０（図１参照）とは異なる。
【０１１２】
封止部８７は、半導体チップ２５を封止するように配線基板１１の第１主面（熱絶縁層１７の表面）の一部に設けられている。封止部８７の材料としては、封止部２７と同様に、例えば、エポキシ系樹脂を主成分とする絶縁性樹脂を用いることができる。熱絶縁層１７の一部は封止部８７から露出しており、封止部８７から露出する熱絶縁層１７上には２つの加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂが設けられている。
【０１１３】
加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂは、熱絶縁層１７、第１絶縁層１３、第２絶縁層１５、及び熱拡散層１８を貫通する貫通配線２９Ａ及び２９Ｂ、並びに内部電極２２Ａ及び２２Ｂを介して発熱体１９と熱的に接続されている。なお、熱的に接続されているとは、熱伝導率の高い材料で接続されていることを意味する。熱伝導率の高い材料として導電性材料を選択した結果、熱的に接続されると同時に電気的に接続されても構わない。
【０１１４】
なお、封止部２７（図１等参照）と同様に、封止部８７を配線基板１１の第１主面（熱絶縁層１７の表面）の全部を覆うように形成し、加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂを封止部８７上に設けてもよい。但し、この構造の場合には、半導体装置８０の外部から加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂを介して供給される熱が封止部８７にも伝わるため、封止部８７として耐熱性に優れた樹脂材料を選定する必要がある。言い換えれば、このような制限がない点で、図１５に示す構造の方が優れている。
【０１１５】
基板２００に搭載された半導体装置８０を取り外す場合には、加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂに、図１６に示す装置１００Ａのノズル１１０Ｃ及び１１０Ｄがそれぞれ当接される。ノズル１１０Ｃ及び１１０Ｄは、例えば、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂと同様に、中央部に頂面から底面まで貫通する平面視円形の貫通孔が形成された略円柱状の部材とすることができる。但し、ノズル１１０Ｃ及び１１０Ｄは、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂとは異なり、発熱手段１１５Ａ及び１１５Ｂを内蔵している。発熱手段１１５Ａ及び１１５Ｂとしては、例えば、ニクロム（Ｎｉ−Ｃｒ）線やタングステン（Ｗ）線等を用いることができる。なお、ノズル１１０Ｃ及び１１０Ｄは、本発明に係る当接部の代表的な一例である。又、ノズル１１０Ｃ及び１１０Ｄ（当接部）、加熱手段１２０、及び吸引手段１３０は、本発明に係る電子部品組立装置の代表的な一例である。
【０１１６】
制御手段１５０は、発熱手段１１５Ａ及び１１５Ｂに電流を供給してノズル１１０Ｃ及び１１０Ｄを発熱させる。そして、ノズル１１０Ｃ及び１１０Ｄの発した熱を加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂを介して発熱体１９に供給し、発熱体１９を発熱させる。発熱体１９の熱は熱拡散層１８により均一化され、熱拡散層１８は略一定温度となり、他の実施の形態及びその変形例と同様に、複数の外部接続端子２４に効率よく伝えられ、複数の外部接続端子２４が溶融する。基板２００に半導体装置８０を搭載する場合も同様である。
【０１１７】
つまり、本実施の形態では、図５Ａ及び図５ＢのステップＳ１０では、制御手段１５０は、ノズル１１０Ｃ及び１１０Ｄに内蔵された発熱手段１１５Ａ及び１１５Ｂに電流を流して加熱する（発熱体１９には電流を流さない）。つまり、制御手段１５０が、加熱手段１２０に指令を出し、ノズル１１０Ｃとノズル１１０Ｄとの間の電位差を所定値に設定する動作は行わない。又、本実施の形態では、図５Ａ及び図５ＢのステップＳ１３、Ｓ１４、及びＳ１７では、発熱体１９に流れる電流ではなく、ノズル１１０Ｃ及び１１０Ｄに内蔵された発熱手段１１５Ａ及び１１５Ｂに流れる電流を制御する。
【０１１８】
なお、本実施の形態では、ノズル１１０Ｃ及び１１０Ｄを介して発熱体１９に電流を流さないため、ノズル１１０Ｃ及び１１０Ｄ間に電位差を発生させる必要はない。そこで、ノズル１１０Ｃ及び１１０Ｄは、十分な熱が供給可能であれば何れか一方のみを用いても構わない。又、十分な熱が供給可能でない場合には、更にノズルの数を増やすことも可能である。又、ノズル１１０Ｃ及び１１０Ｄの材料として導電性の材料を用いる必要はなく、例えば、セラミック等を用いることできる。
【０１１９】
このように、第４の実施の形態では、他の実施の形態及びその変形例とは異なり、発熱体１９に電流を流して発熱させるのではなく、発熱体１９に外部から熱を供給することにより発熱させる。このような方法でも、第１の実施の形態と同様の効果を奏する。
【０１２０】
なお、熱絶縁層１７を配線基板１１の第１主面側の最外層（半導体チップ２５に最も近い側の層）に設けることにより、加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂから供給する熱が半導体チップ２５（電子部品本体）に伝わることを防止できる。
【０１２１】
〈第５の実施の形態〉
既に説明した実施の形態及びその変形例では、半導体装置に熱絶縁層、熱拡散層、発熱体、及び加熱用電極を設ける例を示した。第５の実施の形態では、半導体装置以外の電子部品の一例として、セラミックコンデンサに熱絶縁層、熱拡散層、発熱体、及び加熱用電極を設ける例を示す。
【０１２２】
図１７は、第５の実施の形態に係る電子部品の一例を示す斜視図である。図１８は、第５の実施の形態に係る電子部品の一例を示す断面図である。本実施の形態では、電子部品９０をセラミックコンデンサとして以下の説明を行うが、電子部品は抵抗やインダクタ等の種々の電子部品であってもよい。
【０１２３】
図１７及び図１８を参照するに、電子部品９０は、電子部品本体９１と、外部電極９２Ａ及び９２Ｂと、加熱用電極９３Ａ及び９３Ｂと、熱絶縁層９７と、熱拡散層９８と、発熱体９９とを有するセラミックコンデンサである。電子部品本体９１は、誘電体（図示せず）や内部電極（図示せず）を有する。
【０１２４】
電子部品本体９１の両端部には外部電極９２Ａ及び９２Ｂが形成されている。外部電極９２Ａ及び９２Ｂは、電子部品９０の通常動作時（コンデンサとして機能する時）に使用する電極である。外部電極９２Ａ及び９２Ｂは、電子部品本体９１と電気的に接続され、かつ、外部接続端子（後述の、はんだ３０１）と電気的に接続可能な電極である。
【０１２５】
外部電極９２Ａ及び９２Ｂの一部の領域には、熱絶縁層９７、熱拡散層９８、及び発熱体９９がこの順番で積層されている。熱絶縁層９７は、更に、電子部品本体９１上面の両端部に外部電極９２Ａ及び９２Ｂと略垂直方向に延在している。熱絶縁層９７、熱拡散層９８、及び発熱体９９は、熱絶縁層１７、熱拡散層１８、及び発熱体１９と同様の機能を有する。熱絶縁層９７、熱拡散層９８、及び発熱体９９の材料は、熱絶縁層１７、熱拡散層１８、及び発熱体１９の材料と同様とすることができる。
【０１２６】
加熱用電極９３Ａ及び９３Ｂは、外部電極９２Ａ及び９２Ｂと略垂直方向に延在している熱絶縁層９７上に形成されている。又、加熱用電極９３Ａ及び９３Ｂは、熱拡散層９８及び発熱体９９の一部と接している。加熱用電極９３Ａ及び９３Ｂは、電子部品９０の搭載時又は取り外し時に使用する電極である。外部電極９２Ａ及び９２Ｂ並びに加熱用電極９３Ａ及び９３Ｂの材料は、それぞれ外部電極２１並びに加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂの材料と同様とすることができる。
【０１２７】
図１９は、第５の実施の形態に係る電子部品の電流について説明するための図である。図１９において、電子部品９０は、外部接続端子であるはんだ３０１を介して基板３００のパッド３０２上に搭載されている。はんだ３０１は、外部電極９２Ａ及び９２Ｂの熱絶縁層９７等から露出する部分、及び発熱体９９の一部と、基板３００のパッド３０２とを電気的に接続している。つまり、発熱体９９の一部も外部電極として機能する。
【０１２８】
電子部品９０の通常動作時には、電流は矢印Ａのように外部電極９２Ａ、電子部品本体９１、及び外部電極９２Ｂに流れる。これにより、電子部品９０はコンデンサとして機能する。一方、基板３００に搭載された電子部品９０を取り外す場合には、加熱用電極９３Ａ及び９３Ｂに、図３に示す装置１００のノズル１１０Ａ及び１１０Ｂがそれぞれ当接される。そして、電流は矢印Ｂのように加熱用電極９３Ａ及び９３Ｂから各発熱体９９を通って配線基板３００に流れる。この際、配線基板３００のパッド３０２の電位が、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂの電位よりも低くなるように、配線基板３００の配線設計をしておく必要がある。
【０１２９】
これにより、発熱体９９に電流が流れて発熱し、発した熱は熱拡散層９８で均一化され、外部接続端子であるはんだ３０１を加熱して溶融させる。その結果、電子部品９０を基板３００から取り外すことができる。この際、電子部品９０のみを加熱するため、電子部品９０の周囲に他の部品が搭載されている場合にも、他の部品を一緒に取り外したり損傷したりすることなく、電子部品９０のみを取り外すことができる。
【０１３０】
又、電子部品９０の両端部の各熱拡散層９８の電子部品本体９１側には、それぞれ熱絶縁層９７が設けられている。そのため、発熱体９９が発し熱拡散層９８が均一化した熱が電子部品本体９１に伝達し難いため、熱による電子部品本体９１の破壊を防止できる。その結果、取り外した電子部品９０の故障解析を行うことができる。
【０１３１】
又、電子部品９０には熱絶縁層９７が設けられているので、発熱体９９が発し熱拡散層９８が均一化した熱を逃がさずにはんだ３０１に効率よく伝えることができる。なお、電子部品９０の搭載も同様な方法により行うことができる。
【０１３２】
〈ノズルのバリエーション〉
上記各実施の形態及びその変形例では、主に図４に示すノズル１１０Ａ及び１１０Ｂを用いる例を示した。ここでは、ノズルの他の例を示す。
【０１３３】
図２０Ａ〜図２０Ｄは、ノズルの他の例を示す斜視図である。上記各実施の形態及びその変形例（第４の実施の形態を除く）において、図４に示すノズル１１０Ａ及び１１０Ｂに代えて、図２０Ａに示すノズル１１１を用いてもよい。
【０１３４】
図２０Ａに示すノズル１１１は、中央部に頂面から底面まで貫通する平面視円形の貫通孔１１１ｘが形成された略円柱状の部材である。貫通孔１１１ｘは、貫通孔１１０Ａｘ及び１１０Ｂｘと同様の機能を有するため、その説明は省略する。ノズル１１１は、正電極１１１Ａ及び負電極１１１Ｂを有し、正電極１１１Ａと負電極１１１Ｂとは絶縁部１１１Ｃにより互いに絶縁されている。正電極１１１Ａ及び負電極１１１Ｂは、隣接して配置されている加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂにそれぞれ当接可能である。なお、加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂは、本発明に係る第１電極及び第２電極の代表的な一例である。但し、加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂの何れが第１電極であってもよい。
【０１３５】
正電極１１１Ａ及び負電極１１１Ｂは、例えば、銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）等の導電性材料から形成することができる。絶縁部１１１Ｃは、例えば、エポキシ系樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂から形成することができる。ノズル１１１は、例えば、正電極１１１Ａと負電極１１１Ｂとを別々に作製し、作製した正電極１１１Ａと負電極１１１Ｂとで絶縁部１１１Ｃを挟持し、絶縁部１１１Ｃを加熱しながら両側から押圧することにより作製できる。
【０１３６】
なお、ノズル１１１は、本発明に係る当接部の代表的な一例である。又、正電極１１１Ａ及び負電極１１１Ｂは、本発明に係る第１導電部及び第２導電部の代表的な一例である。但し、正電極１１１Ａ及び負電極１１１Ｂの何れが第１導電部であってもよい。なお、加熱手段１２０は、正電極１１１Ａと負電極１１１Ｂとの間に電位差を生じさせることができる。
【０１３７】
このように、正電極１１１Ａと負電極１１１Ｂとが絶縁部１１１Ｃにより互いに絶縁されている構造とすることで、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂの機能を１つのノズル１１１で実現することができる。
【０１３８】
なお、図２０Ａにおいて加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂの平面形状は矩形状であるが、例えば、図２０Ｂに示すように、円の中心側が互いに対向するように配置された平面形状が略半円環状の加熱用電極２８Ｃ及び２８Ｄを用いてもよい。又、加熱用電極は、平面形状が矩形状や半円環状以外の任意の形状であってもよい。なお、加熱用電極２８Ｃ及び２８Ｄは、本発明に係る第１電極及び第２電極の代表的な一例である。但し、加熱用電極２８Ｃ及び２８Ｄの何れが第１電極であってもよい。
【０１３９】
図２０Ｃに示すノズル１１２は、中央部に頂面から底面まで貫通する平面視矩形状の貫通孔１１２ｘが形成された略四角柱状の部材である。貫通孔１１２ｘは、貫通孔１１０Ａｘ及び１１０Ｂｘと同様の機能を有するため、その説明は省略する。ノズル１１２は、正電極１１２Ａ及び負電極１１２Ｂを有し、正電極１１２Ａと負電極１１２Ｂとは絶縁部１１２Ｃにより互いに絶縁されている。正電極１１２Ａ及び負電極１１２Ｂは、隣接して配置されている加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂにそれぞれ当接可能である。
【０１４０】
正電極１１２Ａ、負電極１１２Ｂ、及び絶縁部１１２Ｃの材料は、それぞれ正電極１１１Ａ、負電極１１１Ｂ、及び絶縁部１１１Ｃの材料と同様とすることができる。ノズル１１２は、ノズル１１１と同様な方法で作製できる。
【０１４１】
なお、ノズル１１２は、本発明に係る当接部の代表的な一例である。又、正電極１１２Ａ及び負電極１１２Ｂは、本発明に係る第１導電部及び第２導電部の代表的な一例である。但し、正電極１１２Ａ及び負電極１１２Ｂの何れが第１導電部であってもよい。なお、加熱手段１２０は、正電極１１２Ａと負電極１１２Ｂとの間に電位差を生じさせることができる。
【０１４２】
このように、ノズルの形状は、必ずしも略円柱状の部材には限定されず、略四角柱状の部材であってもよい。又、ノズルは、略円柱状や略四角柱状以外の任意の形状であってもよい。
【０１４３】
図２０Ｄに示すノズル１１３は、中央部に配置された略円柱状の正電極１１３Ａと、正電極１１３Ａの周囲に環状に配置された貫通孔１１３ｘを介して正電極１１３Ａと同心的に配置された略円環柱状の負電極１１３Ｂを有する。又、ノズル１１３は、正電極１１３Ａと負電極１１３Ｂとを連結するように貫通孔１１３ｘ内に部分的に設けられた絶縁部１１３Ｃを有する。貫通孔１１３ｘは、貫通孔１１０Ａｘ及び１１０Ｂｘと同様の機能を有するため、その説明は省略する。正電極１１３Ａ及び負電極１１３Ｂは、同心的に配置されている加熱用電極２８Ｅ及び２８Ｆにそれぞれ当接可能である。
【０１４４】
加熱用電極２８Ｅの平面形状は略矩形状であり、加熱用電極２８Ｆの平面形状は額縁状である。加熱用電極２８Ｅと加熱用電極２８Ｆとの間には間隙が設けられ、両者は互いに絶縁されている。なお、加熱用電極２８Ｅ及び２８Ｆは、本発明に係る第１電極及び第２電極の代表的な一例である。但し、加熱用電極２８Ｅ及び２８Ｆの何れが第１電極であってもよい。
【０１４５】
正電極１１３Ａ、負電極１１３Ｂ、及び絶縁部１１３Ｃの材料は、それぞれ正電極１１１Ａ、負電極１１１Ｂ、及び絶縁部１１１Ｃの材料と同様とすることができる。ノズル１１３は、例えば、正電極１１３Ａと負電極１１３Ｂとを別々に作製し、絶縁部１１３Ｃで接着することにより作製できる。
【０１４６】
なお、ノズル１１３は、本発明に係る当接部の代表的な一例である。又、正電極１１３Ａ及び負電極１１３Ｂは、本発明に係る第１導電部及び第２導電部の代表的な一例である。但し、正電極１１３Ａ及び負電極１１３Ｂの何れが第１導電部であってもよい。なお、加熱手段１２０は、正電極１１３Ａと負電極１１３Ｂとの間に電位差を生じさせることができる。
【０１４７】
このように、正電極１１３Ａと負電極１１３Ｂとが貫通孔１１３ｘにより分離されて互いに絶縁されている構造とすることで、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂの機能を１つのノズル１１３で実現することができる。なお、加熱用電極２８Ｅの平面形状を略円形状としてもよく、加熱用電極２８Ｆの平面形状を略円環状としてもよい。又、ノズル１１３は、内側が正電極で外側が負電極である配置には限定されず、内側が負電極で外側が正電極である配置としてもよい。又、正電極１１３Ａは円柱状でなくてよく、負電極１１３Ｂは円環柱状でなくてもよい。
【０１４８】
以上のように、ノズルは種々の形状とすることができ、加熱用電極の配置に合わせて、正電極と負電極とを別々のノズルとしてもよいし、正電極と負電極とを備えた１つのノズルを用いてもよい。
【０１４９】
以上、好ましい実施の形態及びその変形例について詳説したが、上述した実施の形態及びその変形例に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態及びその変形例に種々の変形及び置換を加えることができる。
【０１５０】
例えば、図１に示す半導体装置１０において、加熱用電極２８Ａや２８Ｂを封止部２７上に設けているが、配線基板１１の第１主面の一部を封止部２７から露出させ、封止部２７から露出した配線基板１１の第１主面に加熱用電極２８Ａや２８Ｂを設けても構わない。図８や図１４等についても同様である。
【０１５１】
又、各実施の形態及びその変形例では、外部接続端子としてはんだを例にして説明を行った。しかしながら、外部接続端子は、加熱により溶融するものであれば、はんだには限定されず、例えば、銀ペースト等の導電性ペースト等であってもよい。
【０１５２】
以上の各実施の形態及びその変形例を含む実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
配線基板と、
前記配線基板の一方の面側に搭載される電子部品本体と、
前記配線基板の他方の面側に形成され、前記電子部品本体と電気的に接続される外部電極と、
前記外部電極と同一層に形成され、導電性を有し、抵抗率が前記外部電極よりも高い発熱体と、
前記電子部品本体と前記発熱体との間に配置され、絶縁性を有し、前記配線基板を構成する材料とは異なる材料からなる熱絶縁層と、を有する電子部品。
（付記２）
前記発熱体と前記熱絶縁層との間に配置され、前記熱絶縁層よりも熱伝導率が小さい熱拡散層を更に有する付記１記載の電子部品。
（付記３）
前記熱絶縁層は、前記熱拡散層に隣接する層に設けられている付記２記載の電子部品。
（付記４）
前記発熱体は、前記熱拡散層に隣接する層に設けられている付記１乃至３の何れか一に記載の電子部品。
（付記５）
前記配線基板には、前記熱絶縁層よりも前記一方の面側に設けられた層を貫通する第１の貫通孔と、前記第１の貫通孔よりも小径であり、かつ、前記第１の貫通孔と連通し少なくとも前記熱絶縁層を貫通する第２の貫通孔と、が設けられ、
前記第１及び第2の貫通孔内には、前記発熱体に接続する貫通配線が設けられ、
前記第1の貫通孔の内壁と前記貫通配線との間に第2の熱絶縁層が設けられている付記１乃至４の何れか一に記載の電子部品。
（付記６）
前記熱絶縁層は、前記配線基板の前記一方の面側の最外層に設けられ、
前記熱絶縁層上に加熱用電極が設けられ、前記加熱用電極は少なくとも前記熱絶縁層を貫通する貫通配線を介して前記発熱体と熱的に接続されている付記１乃至４の何れか一に記載の電子部品。
（付記７）
前記電子部品本体を封止する封止部と、前記発熱体と接続された加熱用電極と、を更に有し、
前記加熱用電極の一部は前記一方の面に形成され、前記一方の面から前記封止部の側面及び上面に延在し、かつ、前記貫通配線を介して前記発熱体と電気的に接続されている付記５記載の電子部品。
（付記８）
前記加熱用電極はボンディングワイヤを介して前記貫通配線の一端と電気的に接続されている付記７記載の電子部品。
（付記９）
前記電子部品本体を封止する封止部と、前記発熱体と接続された加熱用電極と、を更に有し、
前記加熱用電極は、前記電子部品本体のリード端子の一部であり、
前記リード端子の一部は、前記封止部の上面に延在している付記５記載の電子部品。
（付記１０）
電子部品本体と、前記電子部品本体と電気的に接続された外部電極と、前記外部電極と同一層に形成され、導電性を有し、導電率が前記外部電極よりも低い発熱体と、前記発熱体と接続された加熱用電極と、を有する電子部品の前記加熱用電極に当接し、貫通孔を有する当接部と、
前記当接部を介して前記発熱体を発熱させる加熱手段と、
前記貫通孔を介して前記加熱用電極を吸引する吸引手段と、を有する電子部品組立装置。
（付記１１）
前記加熱用電極は、第１電極と第２電極と、を有し、
前記当接部は、前記第１電極に当接する第１導電部と、前記第２電極に当接する第２導電部と、前記第１導電部と前記第２導電部とを絶縁する絶縁部と、を有し、
前記加熱手段は、前記第１導電部と前記第２導電部との間に電位差を生じさせる付記１０記載の電子部品組立装置。
（付記１２）
前記当接部は、環状の前記第１導電部と、
前記第1導電部の内周に配置された第2導電部と、
絶縁性を有し、前記第1導電部と前記第２導電部とを連結する絶縁部と、を有する付記１１記載の電子部品組立装置。
（付記１３）
前記当接部は発熱手段を内蔵する付記１０記載の電子部品組立装置。
（付記１４）
前記発熱体に接する層に設けられ、前記発熱体の発する熱を均一化する熱拡散層を更に有し、
前記熱絶縁層は、前記熱拡散層と前記電子部品本体との間に設けられている付記１０乃至１３の何れか一に記載の電子部品組立装置。
（付記１５）
前記熱絶縁層は、前記熱拡散層に隣接する層に設けられている付記１４記載の電子部品組立装置。
（付記１６）
前記電子部品の前記外部電極に前記外部接続端子が接続されている付記１０乃至１５の何れか一に記載の電子部品組立装置。
【符号の説明】
【０１５３】
１０、３０、３０Ａ、４０、５０、５０Ａ、６０、７０、８０ 半導体装置
１１ 配線基板
１２ 第１配線層
１３ 第１絶縁層
１３ｘ 第１貫通配線
１４ 第２配線層
１５ 第２絶縁層
１５ｘ 第２貫通配線
１６ 第３配線層
１７、７７、９７ 熱絶縁層
１７ｘ 第３貫通配線
１８、９８ 熱拡散層
１９、７８、９９ 発熱体
２０ 第４配線層
２１、９２Ａ、９２Ｂ 外部電極
２２Ａ、２２Ｂ、５６Ａ、５６Ｂ 内部電極
２３ 第３絶縁層
２３ｘ 開口部
２４、３０１ 外部接続端子
２５、５５ 半導体チップ
２６ バンプ
２７、８７ 封止部
２８Ａ、２８Ｂ、２８Ｃ、２８Ｄ、２８Ｅ、２８Ｆ、３８Ａ、３８Ｂ、５８Ａ、５８Ｂ、６８Ａ、６８Ｂ、９３Ａ、９３Ｂ 加熱用電極
２９Ａ、２９Ｂ、３９Ａ、３９Ｂ 貫通配線
３６、４６ ボンディングワイヤ
５７ はんだ
９０ 電子部品
９１ 電子部品本体
１００、１００Ａ 装置
１１０Ａ、１１０Ｂ、１１０Ｃ、１１０Ｄ、１１１、１１２、１１３ ノズル
１１０Ａｘ、１１０Ｂｘ、１１１ｘ、１１２ｘ、１１３ｘ 貫通孔
１１１Ａ、１１２Ａ、１１３Ａ 正電極
１１１Ｂ、１１２Ｂ、１１３Ｂ 負電極
１１１Ｃ、１１２Ｃ、１１３Ｃ 絶縁部
１１５Ａ、１１５Ｂ 発熱手段
１２０ 加熱手段
１３０ 吸引手段
１４０ 監視手段
１５０ 制御手段
１６０ 記憶手段
１７０ 操作手段
２００、３００ 基板
３０２ パッド
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に搭載される電子部品、及び、前記電子部品を基板に搭載する又は前記電子部品を基板から取り外す電子部品組立装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、テレビやパーソナルコンピュータ等の様々な機器には、はんだ等を用いて半導体装置やコンデンサ等の電子部品が搭載された基板が備えられている。このような基板において、搭載されている電子部品が故障した場合には、故障した電子部品を取り外し、正常に動作する電子部品を新たに搭載する所謂リペア作業が必要となる。
【０００３】
リペア作業は、故障した電子部品の周辺に搭載されている部品や故障した電子部品が搭載されている基板に損傷を与えることなく行うことが望ましい。取り外した電子部品以外を再利用するためである。又、リペア作業は、故障した電子部品の電子部品本体（半導体チップ等）にも損傷を与えることなく行うことが望ましい。取り外した電子部品の故障解析を行うためである。
【０００４】
従来のリペア作業は、例えば、エアヒータによってリペア作業の対象となる電子部品にはんだの融点以上の熱風を吹き付けて電子部品を加熱し、はんだを溶融することにより行われていた。しかし、この方法では、電子部品に熱風を吹き付けて加熱するため、はんだに熱が効率よく伝わらず、はんだが溶融する頃には電子部品や基板が高温となり、電子部品が機能するための主要部分である電子部品本体や基板が損傷を受ける場合があった。又、実装密度の高い基板では、リペア作業の対象となる電子部品のみに熱風を吹き付けることは困難であり、周辺に搭載された部品にも熱風が吹き付けられ、リペア作業の対象となる電子部品と共に取り外されてしまう場合があった。
【０００５】
そこで、このような問題を解決すべく、様々な技術が提案されている。例えば、半導体パッケージと基板とを接続するはんだボールの周囲に、内部に加熱線が設けられたリペアシートを挟み込んだ半導体装置が提案されている。この半導体装置では、リペアシートを加熱線により加熱して周囲のはんだボールを溶融させることで、半導体パッケージのみを取り外すことができる。又、この半導体装置では、はんだボールの周囲にリペアシートを挟み込んだ状態で半導体パッケージを基板に搭載し、リペアシートを加熱線により加熱して周囲のはんだボールを溶融させることで、半導体パッケージのみを搭載できる（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
又、はんだボールが搭載されるランドの周囲に、電気絶縁層を介してＮｉ−Ｃｒ等の発熱抵抗体層を形成したＢＧＡパッケージ用基板が提案されている。この基板では、発熱抵抗体層に電流を流して発熱させ、ＢＧＡパッケージと基板とを接合しているはんだボールを溶融させることで、ＢＧＡパッケージのみを取り外すことができる（例えば、特許文献２参照）。
【０００７】
又、半導体チップと基板とを接続する突起電極を加熱するＮｉ−Ｃｒ等の発熱体を、半導体チップ又は基板の所定部に設けた半導体装置が提案されている。この半導体装置では、発熱体を加熱して突起電極を溶融させることで、半導体チップのみを取り外すことができる（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平１１−８７９０６号公報
【特許文献２】特開平１０−２８４８２０号公報
【特許文献３】特開昭６１−１４８８３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献１〜３で提案されている技術を用いれば、エアヒータによって熱風を吹き付けて電子部品を取り外す方法と比較すると、電子部品本体や基板に与える損傷は低減されると思われる。しかしながら、特許文献１〜３で提案されている技術では、電子部品本体に伝わる熱は遮断されてなく、依然として電子部品本体に損傷を与える虞は排除できない。
【００１０】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、電子部品本体に損傷を与えることなく搭載又は取り外しが可能な電子部品、及び、前記電子部品を基板に搭載する又は前記電子部品を基板から取り外す電子部品組立装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本電子部品は、配線基板と、前記配線基板の一方の面側に搭載される電子部品本体と、前記配線基板の他方の面側に形成され、前記電子部品本体と電気的に接続される外部電極と、前記外部電極と同一層に形成され、導電性を有し、抵抗率が前記外部電極よりも高い発熱体と、前記電子部品本体と前記発熱体との間に配置され、絶縁性を有し、前記配線基板を構成する材料とは異なる材料からなる熱絶縁層と、を有することを要件とする。
【００１２】
本電子部品組立装置は、電子部品本体と、前記電子部品本体と電気的に接続された外部電極と、前記外部電極と同一層に形成され、導電性を有し、導電率が前記外部電極よりも低い発熱体と、前記発熱体と接続された加熱用電極と、を有する電子部品の前記加熱用電極に当接し、貫通孔を有する当接部と、前記当接部を介して前記発熱体を発熱させる加熱手段と、前記貫通孔を介して前記加熱用電極を吸引する吸引手段と、を有することを要件とする。
【発明の効果】
【００１３】
開示の技術によれば、電子部品本体に損傷を与えることなく搭載又は取り外しが可能な電子部品、及び、前記電子部品を基板に搭載する又は前記電子部品を基板から取り外す電子部品組立装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す断面図である。
【図２Ａ】第１の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す底面図である。
【図２Ｂ】第１の実施の形態に係る半導体装置の他の例を示す底面図（その１）である。
【図２Ｃ】第１の実施の形態に係る半導体装置の他の例を示す底面図（その２）である。
【図３】半導体装置の搭載及び取り外しに用いる装置の一例を示す模式図である。
【図４】ノズルの一例を示す斜視図である。
【図５Ａ】半導体装置の取り外しの手順の一例を示すフローチャートである。
【図５Ｂ】半導体装置の搭載の手順の一例を示すフローチャートである。
【図６】第１の実施の形態の変形例１に係る半導体装置の一例を示す断面図である。
【図７】第１の実施の形態の変形例１に係る半導体装置の他の例を示す断面図である。
【図８】第１の実施の形態の変形例２に係る半導体装置の一例を示す断面図である。
【図９】第１の実施の形態の変形例３に係る半導体装置の一例を示す断面図である。
【図１０】第１の実施の形態の変形例３に係る半導体装置の他の例を示す断面図である。
【図１１】第２の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す断面図である。
【図１２Ａ】第２の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す底面図である。
【図１２Ｂ】第２の実施の形態に係る半導体装置の他の例を示す底面図（その１）である。
【図１２Ｃ】第２の実施の形態に係る半導体装置の他の例を示す底面図（その２）である。
【図１３】半導体装置の搭載及び取り外しに用いる装置の他の例を示す模式図（その１）である。
【図１４】第３の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す断面図である。
【図１５】第４の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す断面図である。
【図１６】半導体装置の搭載及び取り外しに用いる装置の他の例を示す模式図（その２）である。
【図１７】第５の実施の形態に係る電子部品の一例を示す斜視図である。
【図１８】第５の実施の形態に係る電子部品の一例を示す断面図である。
【図１９】第５の実施の形態に係る電子部品の電流について説明するための図である。
【図２０Ａ】ノズルの他の例を示す斜視図（その１）である。
【図２０Ｂ】ノズルの他の例を示す斜視図（その２）である。
【図２０Ｃ】ノズルの他の例を示す斜視図（その３）である。
【図２０Ｄ】ノズルの他の例を示す斜視図（その４）である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照して、実施の形態の説明を行う。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【００１６】
なお、本明細書において、電子部品とは、能動素子である半導体チップを有する半導体装置や、受動素子であるコンデンサや抵抗等を含む。又、本明細書において、電子部品が機能するための主要部分を電子部品本体と称する。例えば、電子部品が半導体装置であれば、電子部品本体は半導体チップである。又、電子部品がコンデンサであれば、電子部品本体は誘電体を含むコンデンサとして機能する部分であり、電子部品が抵抗であれば、電子部品本体は抵抗体を含む抵抗として機能する部分である。
【００１７】
〈第１の実施の形態〉
［半導体装置の構造］
まず、第１の実施の形態に係る半導体装置の構造について説明する。図１は、第１の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す断面図である。図２Ａは、第１の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す底面図である。なお、図１は、図２ＡのＡ−Ａ線に沿う断面を示している。図２Ａにおいて、便宜上、後述する第３絶縁層２３は省略されている。
【００１８】
図１を参照するに、半導体装置１０は、配線基板１１と、半導体チップ２５と、バンプ２６と、封止部２７と、加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂと、貫通配線２９Ａ及び２９Ｂとを有する。配線基板１１としては、例えば、ガラスクロスにエポキシ樹脂等を主成分とする樹脂を含浸させた所謂ガラスエポキシ基板や、エポキシ樹脂等を主成分とする絶縁層と配線層を交互に積層した所謂ビルドアップ配線基板等の様々な配線基板を用いることができる。
【００１９】
配線基板１１は、第１配線層１２と、第１絶縁層１３と、第２配線層１４と、第２絶縁層１５と、第３配線層１６と、熱絶縁層１７と、熱拡散層１８と、発熱体１９及び第４配線層２０と、第３絶縁層２３とが順次積層された構造を有する。なお、配線基板１１の第１配線層１２側の表面を第１主面と称する場合がある。又、配線基板１１の第３絶縁層２３側の表面を第２主面と称する場合がある。
【００２０】
第１配線層１２と第２配線層１４とは、第１絶縁層１３を貫通する貫通孔内に設けられた第１貫通配線１３ｘにより適宜電気的に接続されている。第２配線層１４と第３配線層１６とは、第２絶縁層１５を貫通する貫通孔内に設けられた第２貫通配線１５ｘにより適宜電気的に接続されている。第３配線層１６と第４配線層２０とは、熱絶縁層１７及び熱拡散層１８を貫通する貫通孔内に設けられた第３貫通配線１７ｘにより適宜電気的に接続されている。
【００２１】
第４配線層２０は、第３絶縁層２３の開口部２３ｘから露出する（配線基板１１の第２主面から露出する）複数の外部電極２１と、発熱体１９の両端部と電気的に接続されている２つの内部電極２２Ａ及び２２Ｂとを有する。複数の外部電極２１上には、それぞれ外部接続端子２４が形成されている。但し、外部電極２１上には必ずしも外部接続端子２４を形成する必要はない。例えば、外部接続端子２４を搭載していない半導体装置１０を製品として出荷してもよい。この場合には、製品を入手した者が外部電極２１上に外部接続端子２４を搭載するか、又は、半導体装置１０が搭載される基板側に外部接続端子を形成し、基板側に形成した外部接続端子と半導体装置１０の外部電極２１とを接続すればよい。このように、外部電極２１は、電子部品本体である半導体チップ２５と電気的に接続され、かつ、外部接続端子２４と電気的に接続可能な電極である。
【００２２】
第１配線層１２、第２配線層１４、第３配線層１６、第４配線層２０、第１貫通配線１３ｘ、第２貫通配線１５ｘ、及び第３貫通配線１７ｘの材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）等の導電性材料を用いることができる。第１貫通配線１３ｘ、第２貫通配線１５ｘ、及び第３貫通配線１７ｘの材料として、ポリアセチレンやポリチオフェン等の導電性高分子を用いても構わない。第１配線層１２、第２配線層１４、第３配線層１６、第４配線層２０、第１貫通配線１３ｘ、第２貫通配線１５ｘ、及び第３貫通配線１７ｘは、例えば、無電解めっき法等により形成することができる。
【００２３】
第１配線層１２の表面（バンプ２６側）や外部電極２１の表面（外部接続端子２４側）に、金（Ａｕ）めっき膜を形成しても構わない。又、金（Ａｕ）めっき膜に代えて、ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）めっき膜（ＮｉとＡｕをこの順番で積層しためっき膜）や、ニッケル（Ｎｉ）／パラジウム（Ｐｄ）／金（Ａｕ）めっき膜（ＮｉとＰｄとＡｕをこの順番で積層しためっき膜）等を形成しても構わない。
【００２４】
第１絶縁層１３、第２絶縁層１５、第３絶縁層２３の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂を主成分とする絶縁性樹脂等を用いることができる。第１絶縁層１３、第２絶縁層１５、第３絶縁層２３に、ガラスクロス等の補強部材を設けても構わない。外部接続端子２４の材料としては、例えば、Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕ等のＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系のはんだ材料（融点：略２１５〜２３５℃程度）を用いることができる。
【００２５】
発熱体１９は、電流が流れると熱を発する機能を有する。発熱体１９は、例えば、図２Ａの示すように、外部電極２１及び外部接続端子２４と接触しないように迂回させて、熱拡散層１８の表面全体に形成されている。発熱体１９を熱拡散層１８に接するように設けることにより、発熱体１９の発する熱を熱拡散層１８に効率よく伝達できる。発熱体１９の両端部は、それぞれ内部電極２２Ａ及び２２Ｂと電気的に接続されている。内部電極２２Ａ及び２２Ｂ間に所定の電圧を印加すると、発熱体１９に電流が流れて熱を発し、外部電極２１に接続される外部接続端子２４を溶融させることができる。
【００２６】
なお、本明細書における発熱体とは、電流を流すことにより、電子部品と基板とを接続する導電性材料（はんだや導電性ペースト等）を溶融できる程度の熱を発生可能なものをいう。又は、本明細書における発熱体とは、後述のように、電子部品の外部から熱を供給することにより、電子部品と基板とを接続する導電性材料（はんだや導電性ペースト等）を溶融できる程度の熱を保持可能なものをいう。
【００２７】
発熱体１９としては、例えば、ニクロム（Ｎｉ−Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、スズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＴＯ）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）等の金属系材料や、カーボンナノチューブ、ポリピロール、ポリアニリン、ポリフェニリン等の非金属系材料を用いることができる。発熱体１９は、例えば、スパッタ法や蒸着法等により薄膜として熱拡散層１８上に形成できる。又、発熱体１９は、例えば、焼成等により厚膜として熱拡散層１８上に形成してもよい。発熱体１９の厚さは適宜決定することができるが、例えば、５〜２０μｍ程度とすることができる。発熱体１９の幅は適宜決定することができるが、例えば、５〜２０μｍ程度とすることができる。
【００２８】
熱拡散層１８は、発熱体１９が発する熱を均一化する機能を有する。熱拡散層１８は、発熱体１９が発した熱を均一化し略一定温度となる。熱拡散層１８を設けることにより、発熱体１９が発した熱を複数の外部接続端子２４に効率よく伝えることができる。熱拡散層１８の材料としては、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や炭化珪素（ＳｉＣ）等の熱伝導率の高いセラミック等を用いることができる。熱拡散層１８の厚さは適宜決定することができるが、例えば、１０〜１００μｍ程度とすることができる。
【００２９】
熱拡散層１８は、例えば、原料のセラミック粉末と有機質のバインダを混ぜ合わせたスラリーからグリーンシートを作製する。そして、作製したグリーンシートに層間導通用の貫通孔を形成して貫通孔に導体ペースト等を充填して貫通配線を作製し、その後焼成することで作製できる。熱拡散層１８は、例えば、エポキシ系樹脂を主成分とする熱硬化性接着剤を介して熱絶縁層１７に積層した状態で熱硬化性接着剤を加熱しながら熱絶縁層１７側に押圧することにより熱絶縁層１７上に積層できる。
【００３０】
熱絶縁層１７は、発熱体１９が発し熱拡散層１８が均一化した熱が半導体チップ２５に伝達されることを防止する機能を有する。熱絶縁層１７を熱拡散層１８と半導体チップ２５との間に設けることにより、発熱体１９が発し熱拡散層１８が均一化した熱が半導体チップ２５に伝達されることを防止可能となり、熱に起因する半導体チップ２５の破壊を回避できる。又、熱絶縁層１７を設けることにより、発熱体１９が発し熱拡散層１８が均一化した熱を逃がさずに外部接続端子２４に効率よく伝えることができる。熱絶縁層１７の材料としては、例えば、チタン酸アルミニウム（ＡｌＴｉＯ３）やジルコニア（ＺｒＯ２）等の熱伝導率の低いセラミックやポリイミド樹脂等を用いることができるが、熱伝導率が配線基板の電気絶縁層よりも低いことが望ましい。熱絶縁層１７の厚さは適宜決定することができるが、例えば、１０〜１００μｍ程度とすることができる。
【００３１】
熱絶縁層１７がセラミックである場合には、熱拡散層１８と同様の方法により作製できる。熱絶縁層１７を第２絶縁層１５に積層する場合には、例えば、第２絶縁層１５としてエポキシ系樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂を選択する。そして、熱絶縁層１７を第２絶縁層１５に積層した状態で、第２絶縁層１５を加熱しながら熱絶縁層１７を第２絶縁層１５側に押圧することにより積層できる。熱絶縁層１７がポリイミド樹脂である場合には、ポリイミド樹脂を第２絶縁層１５上にラミネートすることにより、熱絶縁層１７を第２絶縁層１５に積層できる。
【００３２】
熱絶縁層１７は、熱拡散層１８よりも熱伝導率が小さくなければならない。熱絶縁層１７の熱伝導率は、熱拡散層１８の熱伝導率の２０分の１以下であることが好ましい。
【００３３】
なお、一般に、配線基板にはエポキシ系樹脂を主成分とする電気絶縁層が設けられることが多く、このような電気絶縁層は熱伝導率が比較的低い。しかし、このような電気絶縁層を熱絶縁層と兼用すると、電気絶縁層の耐熱温度や熱膨張係数等に起因して配線基板に反りが生じ、半導体チップとの接続信頼性が低下したりする虞がある。そこで、電気絶縁層とは別に熱絶縁層を別途設ける必要がある。
【００３４】
なお、熱絶縁層１７は、必ずしも熱拡散層１８に隣接する位置に設ける必要はなく、熱拡散層１８と破壊を防止したい電子部品本体（この場合には半導体チップ２５）との間の任意の位置に設けることにより、半導体チップ２５の破壊を防止できる。但し、発熱体１９が発し熱拡散層１８が均一化した熱を逃がさずに外部接続端子２４に効率よく伝える観点からは、熱絶縁層１７は熱拡散層１８に隣接して設けることが好ましい。又、エポキシ系樹脂等を主成分とする電気絶縁層の熱に起因する反りを防止する観点からも、熱絶縁層１７と熱拡散層１８との間に電気絶縁層を設けずに、熱絶縁層１７を熱拡散層１８に隣接して設けることが好ましい。
【００３５】
半導体チップ２５（電子部品本体）は、バンプ２６を介して配線基板１１にフリップチップ接続されている。半導体チップ２５は、例えば、シリコン（Ｓｉ）やＳＯＩ（silicon on insulator）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の半導体基板に半導体集積回路や保護膜、電極等を形成したものである。
【００３６】
バンプ２６は、半導体チップ２５の電極（図示せず）と配線基板１１の第１配線層１２とを電気的に接続している。バンプ２６の材料としては、例えば、Ｓｎ９５Ｐｂ（融点：略２７０〜３３０℃程度）、Ｓｎ８０Ａｕ（融点：略２８０〜３２０℃程度）、Ｓｎ０．７Ｃｕ（融点：略２４０〜２７０℃程度）等の、外部接続端子２４よりも融点の高いはんだ材料を用いることができる。
【００３７】
バンプ２６に外部接続端子２４よりも融点の高いはんだ材料を用い、半導体装置１０を基板から取り外す際に、バンプ２６が溶融せずに外部接続端子２４が溶融する温度に設定することで、バンプ２６に影響を与えずに半導体装置１０を取り外すことができる。又、半導体装置１０を基板に搭載する際に、バンプ２６が溶融せずに外部接続端子２４が溶融する温度に設定することで、バンプ２６に影響を与えずに半導体装置１０を搭載できる。但し、本実施の形態に係る半導体装置１０では、熱絶縁層１７を設けているため、外部接続端子２４からバンプ２６へ伝達しようとする熱は熱絶縁層１７により遮断される。そのため、バンプ２６の材料を外部接続端子２４と同一材料としてもよい。
【００３８】
封止部２７は、半導体チップ２５を封止するように配線基板１１の第１主面に設けられている。封止部２７の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂を主成分とする絶縁性樹脂を用いることができる。封止部２７の材料は、シリカ（ＳｉＯ２）やアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のフィラーを含有していても構わない。
【００３９】
加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂは、封止部２７上に設けられている。又、加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂは、封止部２７、第１絶縁層１３、第２絶縁層１５、熱絶縁層１７、及び熱拡散層１８を貫通する貫通孔内に設けられた貫通配線２９Ａ及び２９Ｂ並びに内部電極２２Ａ及び２２Ｂを介して、発熱体１９の両端部と電気的に接続されている。加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂは、後述するように、半導体装置１０の搭載及び取り外し時にノズルが当接する部分である。
【００４０】
加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂ並びに貫通配線２９Ａ及び２９Ｂの材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）等の導電性材料を用いることができる。貫通配線２９Ａ及び２９Ｂの材料として、ポリアセチレンやポリチオフェン等の導電性高分子を用いても構わない。加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂ並びに貫通配線２９Ａ及び２９Ｂは、例えば、無電解めっき法等により形成することができる。加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂの表面並びに貫通配線２９Ａ及び２９Ｂの表面（貫通孔の内壁面側）に、金（Ａｕ）めっき膜を形成しても構わない。又、金（Ａｕ）めっき膜に代えて、ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）めっき膜（ＮｉとＡｕをこの順番で積層しためっき膜）や、ニッケル（Ｎｉ）／パラジウム（Ｐｄ）／金（Ａｕ）めっき膜（ＮｉとＰｄとＡｕをこの順番で積層しためっき膜）等を形成しても構わない。
【００４１】
半導体装置１０において、発熱体１９に電流を流すことにより発した熱は熱拡散層１８で均一化され外部接続端子２４を加熱する。その結果、外部接続端子２４は溶融し、半導体装置１０を基板から取り外すことができる。又、半導体装置１０を基板に搭載することができる。この際、半導体装置１０のみを加熱するため、半導体装置１０の周囲に他の部品が搭載されている場合にも、他の部品を一緒に取り外したり損傷したりすることなく、半導体装置１０のみを取り外すことができる。
【００４２】
又、半導体装置１０には熱絶縁層１７が設けられているので、発熱体１９が発し熱拡散層１８が均一化した熱が半導体チップ２５側に伝達し難いため、半導体チップ２５（電子部品本体）の熱による破壊を防止できる。又、半導体装置１０には熱絶縁層１７が設けられているので、発熱体１９が発し熱拡散層１８が均一化した熱を逃がさずに外部接続端子２４に効率よく伝えることができる。
【００４３】
なお、発熱体１９は、図２Ａに示すパターンには限定されず、熱拡散層１８の表面全体に引き回されていれば、任意のパターンとして構わない。例えば、図２Ｂに示すような外部接続端子２４の周囲を蛇行するパターンや、図２Ｃに示すような外部接続端子２４の周囲の大部分を囲むパターン等である。又、内部電極２２Ａ及び２２Ｂは、図２Ａに示すように片側に配置してもよいし、図２Ｂや図２Ｃに示すように対角に配置してもよいし、その他の任意の位置に配置してもよい。加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂも、片側に配置してもよいし対角に配置してもよいし、その他の任意の位置に配置してもよい。なお、加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂを近接して配置することにより、後述のように、１つのノズルで加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂに異なる電圧を印加できる。
【００４４】
［半導体装置の搭載及び取り外し］
次に、第１の実施の形態に係る半導体装置の搭載及び取り外しについて説明する。図３は、半導体装置の搭載及び取り外しに用いる装置の一例を示す模式図である。図３を参照するに、装置１００は、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂと、加熱手段１２０と、吸引手段１３０と、監視手段１４０と、制御手段１５０と、記憶手段１６０と、操作手段１７０とを有する。半導体装置１０は基板２００上に搭載されている。つまり、外部接続端子２４が溶融して、半導体装置１０の外部電極２１と基板２００の対応する電極とを電気的に接続している。なお、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂは、本発明に係る当接部の代表的な一例である。又、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂ（当接部）、加熱手段１２０、及び吸引手段１３０は、本発明に係る電子部品組立装置の代表的な一例である。
【００４５】
装置１００において、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂは一方が正電極、他方が負電極である。ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂは、それぞれ半導体装置１０の加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂと当接して電気的に接続されている。なお、加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂには極性がないため、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂは加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂの何れに当接してもよい。
【００４６】
図４は、ノズルの一例を示す斜視図である。図４に示すように、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂは、例えば、中央部に頂面から底面まで貫通する平面視円形の貫通孔１１０Ａｘ及び１１０Ｂｘが形成された略円柱状の部材であり、銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）等の導電性材料から形成されている。但し、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂは、中央部に貫通孔が形成された円柱状の部材には限定されず、例えば、中央部に貫通孔が形成された楕円柱状の部材や四角柱状の部材、多角形状の部材等であっても構わない。
【００４７】
貫通孔１１０Ａｘ及び１１０Ｂｘは、空気等（例えば、空気に静電気除去や洗浄効果のある所定のイオンを含有してもよい）を通過させるために設けられており、それぞれの一端は吸引手段１３０と接続されている。外部接続端子２４を加熱して溶融させた後、貫通孔１１０Ａｘ及び１１０Ｂｘを介して半導体装置１０を空気等で吸引することにより、半導体装置１０を基板２００から取り外すことができる。又、貫通孔１１０Ａｘ及び１１０Ｂｘを介して半導体装置１０を空気等で吸引して基板２００上に配置し、外部接続端子２４を加熱して溶融させた後、空気等の吸引を停止することにより、半導体装置１０を基板２００に搭載することができる。なお、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂと半導体装置１０とを離隔し易くするために、空気等の吸引を停止後、空気等を半導体装置１０側に噴射してもよい。
【００４８】
図３に戻り、加熱手段１２０は、ノズル１１０Ａとノズル１１０Ｂとの間に電位差を生じさせることにより（加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂ間に電圧を印加することにより）、発熱体１９に電流を供給して熱を発生させる機能を有する。加熱手段１２０は、例えば、出力電圧を可変できる直流電源である。
【００４９】
吸引手段１３０は、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂに設けられた貫通孔１１０Ａｘ及び１１０Ｂｘを介して半導体装置１０の加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂを吸引したり吸引を停止したり、空気等を加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂ側に噴射したりする機能を有する。吸引手段１３０は、例えば、吸引時に負圧を供給する吸引ポンプや吸引ポンプとノズル１１０Ａ及び１１０Ｂを連結する吸引チューブ等を備えている。
【００５０】
監視手段１４０は、半導体装置１０と基板２００の所定部分の温度やはんだ形状等、或いは半導体装置１０と基板２００の全体の状況等を監視する機能を有する。監視手段１４０の監視結果は、制御手段１５０に伝達される。監視手段１４０は、例えば、カメラやサーモグラフィ等を含む画像認識装置である。
【００５１】
制御手段１５０は、加熱手段１２０に指令を出し、ノズル１１０Ａとノズル１１０Ｂとの間の電位差を制御する機能を有する。又、制御手段１５０は、ノズル１１０Ａとノズル１１０Ｂとの間に流れる電流（発熱体１９に流れる電流）を検出し、電流が一定値になるようにフィードバック制御する機能を有する。又、制御手段１５０は、吸引手段１３０にノズル１１０Ａ及び１１０Ｂによる吸引、吸引停止、又は噴射の何れかを指示する機能を有する。又、制御手段１５０は、監視部１４０から伝達された情報に基づいて、外部接続端子２４の温度が融点に到達したか否かや、外部接続端子２４の形状が適切か否か等を判断する機能を有する。
【００５２】
制御手段１５０は、例えばＣＰＵ、ＲＯＭ、メインメモリ等を含み、制御手段１５０の各種機能は、ＲＯＭ等に記録されたプログラムがメインメモリに読み出されてＣＰＵにより実行されることによって実現される。但し、制御手段１５０の一部又は全部は、ハードウェアのみにより実現されてもよい。又、制御手段１５０は、物理的に複数の装置を含むものであってもよい。
【００５３】
記憶手段１６０は、搭載及び取り外しの対象となる電子部品（この場合は、半導体装置１０）の情報（例えば、発熱体１９の抵抗値等）を記憶する機能を有する。又、記憶手段１６０は、搭載及び取り外しの対象となる電子部品の熱容量のばらつきや、熱容量のばらつきに対応する最適な印加電圧や印加電流等をデータベース化して記憶する機能を有する。制御手段１５０は、記憶手段１６０のデータベース化された情報に基づいて、電子部品の熱容量等のばらつきに応じた最適な印加電流を設定することができる。例えば、制御手段１５０は、電子部品の熱容量が大きければ、最初から印加電流を多くし、電子部品の熱容量が小さければ印加電流を少なくすることができる。これにより、熱容量が大きな場合に加熱時間が長くなることを防止し、熱容量が小さい場合は温度が上昇し過ぎることを防止できる。記憶手段１６０は、半導体メモリでもよいし、光ディスクや磁気ディスク等でもよい。操作手段１７０は、電子部品搭載開始の指示の入力等を行う機能を有する。
【００５４】
次に、装置１００を用いて半導体装置１０を取り外す手順について説明する。ここでは、図３に示すように、半導体装置１０が基板２００上に搭載されている場合を考える。図５Ａは、半導体装置の取り外しの手順の一例を示すフローチャートである。
【００５５】
図５Ａを参照するに、ステップＳ１０では、図３及び図４に示すように、一方が正電極、他方が負電極であるノズル１１０Ａ及び１１０Ｂを、それぞれ半導体装置１０の加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂに当接する。これにより、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂは、それぞれ半導体装置１０の加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂと電気的に接続される。なお、この段階では、吸引手段１３０は吸引を停止している。次に、制御手段１５０は、加熱手段１２０に指令を出し、ノズル１１０Ａとノズル１１０Ｂとの間の電位差を所定値に設定し、ノズル１１０Ａとノズル１１０Ｂとの間に電圧印加を開始する。これにより、発熱体１９に電流が流れて発熱する。そして、発熱体１９が発した熱は熱拡散層１８で均一化されて外部接続端子２４に伝達され、外部接続端子２４は加熱される。なお、発熱体１９の抵抗値は予めわかっており、発熱体１９の抵抗値と発熱体１９に最初に印加すべき電圧（ノズル１１０Ａとノズル１１０Ｂとの間に設定すべき電位差）及びこの際に流れる電流は、記憶手段１６０に記憶されている。
【００５６】
次に、ステップＳ１１では、監視手段１４０は、外部接続端子２４の温度を監視し、監視結果を制御手段１５０に伝達する。温度は、例えば、サーモグラフィにより監視できる。
【００５７】
次に、ステップＳ１２では、制御手段１５０は、ステップＳ１１で監視手段１４０から伝達された情報に基づいて、外部接続端子２４の温度が外部接続端子２４の材料であるはんだの融点を超えたか否かを判定する。なお、外部接続端子２４の材料は予めわかっており、はんだの融点に関する情報は記憶手段１６０に記憶されている。
【００５８】
ステップＳ１２で外部接続端子２４の温度が融点を超えたと判定した場合（Ｙｅｓの場合）には、ステップＳ１３に移行する。ステップＳ１３では、制御手段１５０は、ノズル１１０Ａとノズル１１０Ｂとの間に流れる電流（発熱体１９に流れる電流）を検出し、加熱手段１２０に指令を出して、電流が一定値になるようにノズル１１０Ａとノズル１１０Ｂとの間の電位差を制御する。これにより、外部接続端子２４は略一定温度となる。
【００５９】
ステップＳ１２で外部接続端子２４の温度が融点を超えていないと判定した場合（Ｎｏの場合）には、ステップＳ１４に移行する。ステップＳ１４では、制御手段１５０は、ノズル１１０Ａとノズル１１０Ｂとの間に流れる電流（発熱体１９に流れる電流）を検出する。そして、制御手段１５０は、加熱手段１２０に指令を出して、電流が現在よりも大きな所定値となるようにノズル１１０Ａとノズル１１０Ｂとの間の電位差を制御する。これにより、ノズル１１０Ａとノズル１１０Ｂとの間に流れる電流（発熱体１９に流れる電流）は増加し、外部接続端子２４の温度は上昇する。
【００６０】
次に、ステップＳ１５では、監視手段１４０は、外部接続端子２４の温度及びはんだ形状を監視し、監視結果の画像情報を制御手段１５０に伝達する。温度及びはんだ形状に関する画像情報は、例えば、カメラやサーモグラフィ等により取得できる。
【００６１】
次に、ステップＳ１６では、制御手段１５０は、ステップＳ１５で監視手段１４０から伝達された画像情報に基づいて、外部接続端子２４のはんだが溶融したか否かを判定する。判定は、例えば、監視手段１４０から伝達された画像情報と、予め記憶手段１６０に記憶されている画像情報とを比較することにより行うことができる。
【００６２】
ステップＳ１６で外部接続端子２４のはんだが溶融したと判定した場合（Ｙｅｓの場合）には、ステップＳ１７に移行し、制御手段１５０は、加熱手段１２０に指令を出して、ノズル１１０Ａとノズル１１０Ｂとの間の電位差をゼロにする。これにより、ノズル１１０Ａとノズル１１０Ｂとの間に（発熱体１９に）電流が流れなくなる。ステップＳ１６で外部接続端子２４のはんだが溶融していないと判定した場合（Ｎｏの場合）には、ステップＳ１１に移行し、前述の処理を繰り返す。
【００６３】
次に、ステップＳ１８では、制御手段１５０は、吸引手段１３０に指令を出し、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂのそれぞれの貫通孔１１０Ａｘ及び１１０Ｂｘを介して半導体装置１０の加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂを空気等で吸引する。そして、半導体装置１０を基板２００上から移動させて吸引を停止することにより、半導体装置１０は基板２００から取り外される。なお、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂと半導体装置１０とを離隔し易くするために、空気等の吸引を停止後、更に空気等を噴射してもよい。
【００６４】
次に、ステップＳ１９では、監視手段１４０は、外部接続端子２４のはんだ形状を監視し、監視結果の画像情報を制御手段１５０に伝達する。はんだ形状に関する画像情報は、例えば、カメラにより取得できる。
【００６５】
次に、ステップＳ２０では、制御手段１５０は、ステップＳ１９で監視手段１４０から伝達された画像情報に基づいて、半導体装置１０の除去が完了したか否かを判定する。判定は、例えば、監視手段１４０から伝達された画像情報と、予め記憶手段１６０に記憶されている画像情報とを比較することにより行うことができる。
【００６６】
ステップＳ２０で半導体装置１０の除去が完了したと判定した場合（Ｙｅｓの場合）には、半導体装置１０の取り外しは終了する。ステップＳ２０で半導体装置１０の除去が完了していないと判定した場合（Ｎｏの場合）には、ステップＳ１６に移行し、前述の処理を繰り返す。このようにして、半導体装置１０を基板２００から取り外すことができる。
【００６７】
次に、装置１００を用いて半導体装置１０を搭載する手順について説明する。ここでは、図３に示すように、半導体装置１０を基板２００上に搭載する場合を考える。図５Ｂは、半導体装置の搭載の手順の一例を示すフローチャートである。
【００６８】
図５Ｂを参照するに、ステップＳ３０では、一方が正電極、他方が負電極であるノズル１１０Ａ及び１１０Ｂを、それぞれ半導体装置１０の加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂに当接する。これにより、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂは、それぞれ半導体装置１０の加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂと電気的に接続される。そして、制御手段１５０は、吸引手段１３０に指令を出し、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂのそれぞれの貫通孔１１０Ａｘ及び１１０Ｂｘを介して半導体装置１０の加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂを空気等で吸引し、半導体装置１０を基板２００の所定位置に配置する。その後、吸引を停止する。
【００６９】
次に、図５ＡのステップＳ１０〜Ｓ１７及びＳ１９と同様の処理を行う。次に、ステップＳ３１では、制御手段１５０は、ステップＳ１９で監視手段１４０から伝達された画像情報に基づいて、半導体装置１０の搭載が完了したか否かを判定する。判定は、例えば、監視手段１４０から伝達された画像情報と、予め記憶手段１６０に記憶されている画像情報とを比較することにより行うことができる。
【００７０】
ステップＳ３１で半導体装置１０の搭載が完了したと判定した場合（Ｙｅｓの場合）には、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂと半導体装置１０の加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂとの当接を解除することにより半導体装置１０の搭載は終了する。ステップＳ３１で半導体装置１０の搭載が完了していないと判定した場合（Ｎｏの場合）には、ステップＳ１６に移行し、前述の処理を繰り返す。このようにして、半導体装置１０を基板２００に搭載することができる。
【００７１】
このように、第１の実施の形態では、半導体装置１０を基板に搭載したり、基板から取り外したりする際に、半導体装置１０のみを加熱する。そのため、半導体装置１０の周囲に他の部品が搭載されている場合にも、他の部品を取り外したり損傷したりすることなく、半導体装置１０のみを搭載又は取り外しすることができる。
【００７２】
又、半導体装置１０には熱絶縁層１７が設けられているので、発熱体１９が発し熱拡散層１８が均一化した熱が半導体チップ２５側に伝達し難いため、半導体チップ２５（電子部品本体）の熱による破壊を防止できる。その結果、取り外した半導体装置１０の故障解析を行うことができる。
【００７３】
又、半導体装置１０には熱絶縁層１７が設けられているので、発熱体１９が発し熱拡散層１８が均一化した熱を逃がさずに外部接続端子２４に効率よく伝えることができる。
【００７４】
〈第１の実施の形態の変形例１〉
第１の実施の形態の変形例１では、第１の実施の形態とは異なる構造の半導体装置に本発明を適用する例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例１において、既に説明した実施の形態と同一構成部分についての説明は省略する。
【００７５】
図６は、第１の実施の形態の変形例１に係る半導体装置の一例を示す断面図である。図６を参照するに、半導体装置３０は、加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂが加熱用電極３８Ａ及び３８Ｂに置換され、貫通配線２９Ａ及び２９Ｂが貫通配線３９Ａ及び３９Ｂに置換されている点が半導体装置１０（図１参照）とは異なる。
【００７６】
半導体装置３０において、加熱用電極３８Ａ及び３８Ｂの一部は配線基板１１の第１主面に形成され、第１主面から封止部２７の側面及び上面に延在している。加熱用電極３８Ａ及び３８Ｂは、第１絶縁層１３、第２絶縁層１５、熱絶縁層１７、及び熱拡散層１８を貫通する貫通孔内に設けられた貫通配線３９Ａ及び３９Ｂ並びに内部電極２２Ａ及び２２Ｂを介して、発熱体１９の両端部と電気的に接続されている。加熱用電極３８Ａ及び３８Ｂは、例えば、無電解めっき法等により形成することができる。加熱用電極３８Ａ及び３８Ｂは、加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂと同様に、半導体装置３０の搭載及び取り外し時にノズルが当接する部分である。
【００７７】
加熱用電極３８Ａ及び３８Ｂ並びに貫通配線３９Ａ及び３９Ｂの材料としては、加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂ並びに貫通配線２９Ａ及び２９Ｂと同様の材料を用いることができる。加熱用電極３８Ａ及び３８Ｂ並びに貫通配線３９Ａ及び３９Ｂの表面に、加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂ並びに貫通配線２９Ａ及び２９Ｂと同様のめっき膜を形成しても構わない。
【００７８】
半導体装置３０には、半導体装置１０と同様に熱絶縁層１７、熱拡散層１８、及び発熱体１９が設けられ、更に、加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂに代えて加熱用電極３８Ａ及び３８Ｂが設けられている。そのため、半導体装置３０が基板２００（図３参照）に搭載されている場合には、図３に示す装置１００を用い図５Ａに示すフローチャートに従って、半導体装置３０を基板２００から取り外すことができる。又、半導体装置３０を基板２００（図３参照）に搭載する場合には、図３に示す装置１００を用い図５Ｂに示すフローチャートに従って、半導体装置３０を基板２００に搭載することができる。その結果、第１の実施の形態と同様の効果を奏する。
【００７９】
なお、図６に示す半導体装置３０のように加熱用電極３８Ａ及び３８Ｂと貫通配線３９Ａ及び３９Ｂの一端とを直接接続せずに、図７に示す半導体装置３０Ａのようにボンディングワイヤ３６を介して電気的に接続しても構わない。ボンディングワイヤ３６としては、例えば、金（Ａｕ）や銅（Ｃｕ）等の導電線を用いることができる。
【００８０】
〈第１の実施の形態の変形例２〉
第１の実施の形態の変形例２では、第１の実施の形態及びその変形例１とは異なる構造の半導体装置に本発明を適用する例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例２において、既に説明した実施の形態及びその変形例と同一構成部分についての説明は省略する。
【００８１】
図８は、第１の実施の形態の変形例２に係る半導体装置の一例を示す断面図である。図８を参照するに、半導体装置４０は、半導体チップ２５がバンプ２６を介して配線基板１１にフリップチップ接続されていた半導体装置１０（図１参照）等とは異なり、半導体チップ２５が配線基板１１にワイヤボンディングされている。
【００８２】
より詳しくは、半導体チップ２５は、接着層（図示せず）を介して配線基板１１の第１主面に設けられている。半導体チップ２５の電極（図示せず）は、ボンディングワイヤ４６を介して配線基板１１の第１配線層１２と電気的に接続されている。ボンディングワイヤ４６は、半導体チップ２５の電極（図示せず）と配線基板１１の電極（第１配線層１２）とを接続する導電線である。ボンディングワイヤ４６の材料としては、例えば、金（Ａｕ）や銅（Ｃｕ）等を用いることができる。
【００８３】
半導体装置４０には、半導体装置１０と同様に熱絶縁層１７、熱拡散層１８、発熱体１９、及び加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂが設けられている。そのため、半導体装置４０が基板２００（図３参照）に搭載されている場合には、図３に示す装置１００を用い図５Ａに示すフローチャートに従って、半導体装置４０を基板２００から取り外すことができる。又、半導体装置４０を基板２００（図３参照）に搭載する場合には、図３に示す装置１００を用い図５Ｂに示すフローチャートに従って、半導体装置４０を基板２００に搭載することができる。その結果、第１の実施の形態と同様の効果を奏する。
【００８４】
〈第１の実施の形態の変形例３〉
第１の実施の形態の変形例３では、第１の実施の形態及びその変形例１、２とは異なる構造の半導体装置に本発明を適用する例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例３において、既に説明した実施の形態及びその変形例と同一構成部分についての説明は省略する。
【００８５】
図９は、第１の実施の形態の変形例３に係る半導体装置の一例を示す断面図である。図９を参照するに、半導体装置５０は、加熱用電極５８Ａ及び５８Ｂとして樹脂封止によりパッケージ化された半導体チップ５５の２つのリード端子を用いている点が半導体装置１０（図１参照）等とは異なる。
【００８６】
半導体装置５０において、半導体チップ５５は樹脂封止によりパッケージ化されており、複数のリード端子のそれぞれの一部分が樹脂封止部から外部に引き出されている。複数のリード端子のうちの２つが加熱用電極５８Ａ及び５８Ｂとして用いられており、封止部２７の上面に延在している。加熱用電極５８Ａ及び５８Ｂは、樹脂封止部内に形成された内部配線（図示せず）により、内部電極５６Ａ及び５６Ｂと電気的に接続されている。内部電極５６Ａ及び５６Ｂは、それぞれはんだ５７を介して、配線基板１１の第１配線層１２と電気的に接続されている。つまり、加熱用電極５８Ａ及び５８Ｂは、発熱体１９と電気的に接続されている。
【００８７】
加熱用電極５８Ａ及び５８Ｂの材料としては、例えば、銅合金や４２アロイ等の金属板を用いることができる。金属板の表面に、例えば、金（Ａｕ）や錫（Ｓｎ）等のめっき膜を形成しても構わない。内部電極５６Ａ及び５６Ｂの材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）等の導電性材料を用いることができる。
【００８８】
はんだ５７としては、例えば、Ｓｎ９５Ｐｂ（融点：略２７０〜３３０℃程度）、Ｓｎ８０Ａｕ（融点：略２８０〜３２０℃程度）、Ｓｎ０．７Ｃｕ（融点：略２４０〜２７０℃程度）等の、外部接続端子２４よりも融点の高いはんだ材料を用いることができる。
【００８９】
はんだ５７に外部接続端子２４よりも融点の高いはんだ材料を用い、半導体装置５０を基板から取り外す際に、はんだ５７が溶融せずに外部接続端子２４が溶融する温度に設定することで、はんだ５７に影響を与えずに半導体装置５０を取り外すことができる。又、半導体装置５０を基板に搭載する際に、はんだ５７が溶融せずに外部接続端子２４が溶融する温度に設定することで、はんだ５７に影響を与えずに半導体装置５０を搭載できる。但し、本実施の形態に係る半導体装置５０では、熱絶縁層１７を設けているため、外部接続端子２４からはんだ５７へ伝達しようとする熱は熱絶縁層１７により遮断されるため、はんだ５７の材料を外部接続端子２４と同一材料としてもよい。
【００９０】
半導体装置５０には、半導体装置１０と同様に熱絶縁層１７、熱拡散層１８、及び発熱体１９が設けられ、更に、加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂに代えて加熱用電極５８Ａ及び５８Ｂが設けられている。そのため、半導体装置５０が基板２００（図３参照）に搭載されている場合には、図３に示す装置１００を用い図５Ａに示すフローチャートに従って、半導体装置５０を基板２００から取り外すことができる。又、半導体装置５０を基板２００（図３参照）に搭載する場合には、図３に示す装置１００を用い図５Ｂに示すフローチャートに従って、半導体装置５０を基板２００に搭載することができる。その結果、第１の実施の形態と同様の効果を奏する。
【００９１】
なお、図１０に示す半導体装置５０Ａのように、半導体チップ５５のリード端子のうちの２つを封止部２７の側面及び上面に延在させて加熱用電極５８Ａ及び５８Ｂとしても構わない。
【００９２】
〈第２の実施の形態〉
第１の実施の形態及びその変形例では、封止部の表面に加熱用電極を設ける例を示したが、第２の実施の形態では、外部電極側に加熱用電極を設ける例を示す。なお、第２の実施の形態において、既に説明した実施の形態及びその変形例と同一構成部分についての説明は省略する。
【００９３】
図１１は、第２の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す断面図である。図１２Ａは、第２の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す底面図である。なお、図１１は、図１２ＡのＢ−Ｂ線に沿う断面を示している。図１２Ａにおいて、便宜上、第３絶縁層２３は省略されている。
【００９４】
図１１及び図１２Ａを参照するに、半導体装置６０は、加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂ並びに貫通配線２９Ａ及び２９Ｂが削除され、内部電極２２Ａ及び２２Ｂ上に加熱用電極６８Ａ及び６８Ｂが設けられた点が半導体装置１０（図１参照）とは異なる。つまり、半導体装置１０（図１参照）では、封止部２７の表面に加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂを設けていたが、半導体装置６０では、その反対側である内部電極２２Ａ及び２２Ｂ上に加熱用電極６８Ａ及び６８Ｂを設けている。加熱用電極６８Ａ及び６８Ｂは、例えば、はんだバンプであり、外部接続端子２４と同様の材料を用いることができる。
【００９５】
図１３に示すように、半導体装置６０の装置１００への接続は、半導体装置６０が搭載されている基板２００を介して行うことができる。つまり、加熱用電極６８Ａ及び６８Ｂと電気的に接続されている基板２００側の配線にノズル１１０Ａ及び１１０Ｂを当接させ、基板２００側の配線を介して装置１００から加熱用電極６８Ａ及び６８Ｂに電圧を印加することができる。半導体装置６０を基板２００に搭載する際も同様にして接続できる。
【００９６】
半導体装置６０には、半導体装置１０と同様に熱絶縁層１７、熱拡散層１８、及び発熱体１９が設けられ、更に、加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂに代えて加熱用電極６８Ａ及び６８Ｂが設けられている。そのため、半導体装置６０が基板２００（図３参照）に搭載されている場合には、図１３に示す装置１００を用い図５Ａに示すフローチャートに従って、半導体装置６０を基板２００から取り外すことができる。但し、本実施の形態では、図５ＡのステップＳ１０では、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂを基板２００側の配線に当接させ、電圧印加を開始する。又、ステップＳ１８では、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂを基板２００側の配線から半導体装置６０の上面に移動させ、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂを半導体装置６０の上面に当接させてから半導体装置６０の上面を吸引する。そして、半導体装置１０を基板２００上から移動させて吸引を停止する。
【００９７】
又、半導体装置６０を基板２００（図３参照）に搭載する場合には、図１３に示す装置１００を用い図５Ｂに示すフローチャートに従って、半導体装置６０を基板２００に搭載することができる。但し、本実施の形態では、図５ＢのステップＳ３０では、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂを半導体装置６０の上面に当接させて吸引し、半導体装置６０を基板２００の所定位置に配置後、吸引を停止する。そして、ステップＳ１０では、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂを半導体装置６０の上面から基板２００側の配線に移動させ、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂを基板２００側の配線に当接させてから電圧印加を開始する。
【００９８】
この際、半導体装置６０のみを加熱するため、半導体装置６０の周囲に他の部品が搭載されている場合にも、他の部品を一緒に取り外したり損傷したりすることなく、半導体装置６０のみを搭載又は取り外しすることができる。又、半導体装置６０には熱絶縁層１７が設けられているので、発熱体１９が発した熱が半導体チップ２５側に伝達し難いため、半導体チップ２５（電子部品本体）の熱による破壊を防止できる。その結果、取り外した半導体装置６０の故障解析を行うことができる。又、半導体装置６０には熱絶縁層１７が設けられているので、発熱体１９が発し熱拡散層１８が均一化した熱を逃がさずに外部接続端子２４に効率よく伝えることができる。
【００９９】
このように、第２の実施の形態では、外部電極側（第２主面側）に加熱用電極を設けることにより、第１の実施の形態と同様の効果を奏する。なお、図６、図７、図８、図９、及び図１０において、封止部２７の表面に加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂを設けずに、その反対側である内部電極２２Ａ及び２２Ｂ上に加熱用電極６８Ａ及び６８Ｂを設けた場合にも同様の効果を奏する。
【０１００】
又、発熱体１９は、図１２Ａに示すパターンには限定されず、熱拡散層１８の全体に引き回されていれば、任意のパターンとして構わない。例えば、図１２Ｂや図１２Ｃに示すような外部接続端子２４の周囲を蛇行するパターン等とすることができる。又、図１２Ｂや図１２Ｃに示すように、加熱用電極６８Ａ及び６８Ｂは、エリアアレイ状に設けられた外部接続端子２４のうちの一部（信号線等に使用していない部分）を使用しても構わない。これにより、半導体装置６０の小型化が図れる。又、図１２Ｃに示すように、加熱用電極６８Ａ及び６８Ｂは、エリアアレイ状に設けられた外部接続端子２４のうちの一部（信号線等に使用していない部分）を複数個並列接続して使用しても構わない。これにより、半導体装置６０と基板２００との接続信頼性を向上できる。
【０１０１】
〈第３の実施の形態〉
既に説明した実施の形態及びその変形例では、熱拡散層の表面に発熱体を設ける例を示したが、第３の実施の形態では、半導体装置に形成した貫通孔内部に熱絶縁層及び発熱体を設ける例を示す。なお、第３の実施の形態において、既に説明した実施の形態及びその変形例と同一構成部分についての説明は省略する。
【０１０２】
図１４は、第３の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す断面図である。図１４を参照するに、半導体装置７０は、熱拡散層１８の表面に発熱体１９が設けられていた半導体装置１０（図１参照）等とは異なり、半導体装置７０の一部を貫通する貫通孔内部に熱絶縁層７７及び発熱体７８を含む貫通配線７９が設けられている。
【０１０３】
より詳しくは、半導体装置７０には、封止部２７と、配線基板１１の熱絶縁層１７よりも第１主面側の層である第１絶縁層１３及び第２絶縁層１５とを貫通する第１の貫通孔が設けられている。又、配線基板１１には、第１の貫通孔よりも小径であり、かつ、第１の貫通孔と連通し熱絶縁層１７及び熱拡散層１８を貫通する第２の貫通孔が設けられている。そして、第１の貫通孔内には、第１の貫通孔の内壁と接しないように発熱体７８が設けられ、更に、発熱体７８の周囲を覆うように熱絶縁層７７が設けられている。又、第２の貫通孔内には、発熱体７８が充填されている。
【０１０４】
加熱用電極２８Ｂは発熱体７８の一端と電気的に接続され、内部電極２２Ｂは発熱体７８の他端と電気的に接続されている。なお、内部電極２２Ａと内部電極２２Ｂは、配線基板１１内の配線（図示せず）によって電気的に接続されている。
【０１０５】
熱絶縁層７７の材料としては、例えば、ポリイミド樹脂等を用いることができる。発熱体７８としては、例えば、ポリピロール等を用いることができる。貫通配線７９を形成するには、例えば、封止部２７、第１絶縁層１３、及び第２絶縁層１５を貫通し熱絶縁層１７の表面を露出する第１の貫通孔を形成する。そして、第１の貫通孔内にポリイミド樹脂を充填する。更に、第１の貫通孔内に充填されたポリイミド樹脂、熱絶縁層１７、及び熱拡散層１８を貫通し内部電極２２Ｂの表面を露出する貫通孔を、第１の貫通孔の内壁面を露出させないように形成する。この際、熱絶縁層１７及び熱拡散層１８に形成される貫通孔が第２の貫通孔である。次に、内壁面がポリイミド樹脂で被覆された第１の貫通孔内と、それに連通する第２の貫通孔内にポリピロールを充填させる。これにより、第１の貫通孔内では周囲をポリイミド樹脂に囲まれ、第２の貫通孔内に充填された発熱体７８が形成される。
【０１０６】
なお、熱絶縁層７７の材料としては、カーボンナノチューブを用いてもよい。カーボンナノチューブは、予め前述の第１の貫通孔及び第２の貫通孔を形成後、平面視で第１の貫通孔内の第２の貫通孔より外側の部分に、長手方向が熱拡散層１８等と略垂直になる方向に、平面視円環状に挿入することができる。カーボンナノチューブは長手方向の熱抵抗は小さいが短手方向の熱抵抗は大きいため、カーボンナノチューブを長手方向が熱拡散層１８等と略垂直になる方向に形成することにより、発熱体７８の発する熱が周囲に伝わることを防止できる。発熱体７８としては、例えばポリピロール等を用いることができ、カーボンナノチューブが形成する円環内及び第２の貫通孔内に充填することができる。
【０１０７】
半導体装置７０には、熱絶縁層１７及び７７、熱拡散層１８、発熱体７８、及び加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂが設けられている。そのため、半導体装置７０が基板２００（図３参照）に搭載されている場合には、図３に示す装置１００を用い図５Ａに示すフローチャートに従って、半導体装置７０を基板２００から取り外すことができる。つまり、半導体装置７０において、発熱体７８に電流を流すことにより発した熱は、発熱体７８に接する熱拡散層１８に伝わり、熱拡散層１８で均一化され外部接続端子２４を加熱する。その結果、外部接続端子２４は溶融し、半導体装置７０を基板から取り外すことができる。又、半導体装置７０を基板２００（図３参照）に搭載する場合には、図３に示す装置１００を用い図５Ｂに示すフローチャートに従って、半導体装置７０を基板２００に搭載することができる。
【０１０８】
この際、半導体装置７０のみを加熱するため、半導体装置７０の周囲に他の部品が搭載されている場合にも、他の部品を一緒に取り外したり損傷したりすることなく、半導体装置７０のみを搭載又は取り外しすることができる。又、半導体装置７０には熱絶縁層１７及び７７が設けられているので、発熱体７８が発した熱が半導体チップ２５側に伝達し難いため、半導体チップ２５（電子部品本体）の熱による破壊を防止できる。その結果、取り外した半導体装置７０の故障解析を行うことができる。又、半導体装置７０には熱絶縁層１７及び７７が設けられているので、発熱体７８が発した熱を逃がさずに外部接続端子２４に効率よく伝えることができる。
【０１０９】
このように、第３の実施の形態では、半導体装置に形成した貫通孔内部に発熱体を設けることにより、第１の実施の形態と同様の効果を奏する。なお、図６、図７、図９、及び図１０において、熱拡散層１８の表面に発熱体１９を設けずに、貫通配線３９Ａ及び３９Ｂ内部に熱絶縁層７７及び発熱体７８を設けた場合にも同様の効果を奏する。又、図８において、熱拡散層１８の表面に発熱体１９を設けずに、貫通配線２９Ａ及び２９Ｂ内部に熱絶縁層７７及び発熱体７８を設けた場合にも同様の効果を奏する。
【０１１０】
〈第４の実施の形態〉
既に説明した実施の形態及びその変形例では、発熱体に電流を流すことで熱を発生させる例を示したが、第４の実施の形態では、半導体装置の外部から加熱用電極を介して熱を供給し、供給された熱を発熱体が保持する例を示す。なお、第４の実施の形態において、既に説明した実施の形態及びその変形例と同一構成部分についての説明は省略する。
【０１１１】
図１５は、第４の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す断面図である。図１５を参照するに、半導体装置８０は、熱絶縁層１７が配線基板１１の第１主面側の最外層（半導体チップ２５に最も近い側の層）に設けられた点、及び封止部２７が封止部８７に置換された点が半導体装置１０（図１参照）とは異なる。
【０１１２】
封止部８７は、半導体チップ２５を封止するように配線基板１１の第１主面（熱絶縁層１７の表面）の一部に設けられている。封止部８７の材料としては、封止部２７と同様に、例えば、エポキシ系樹脂を主成分とする絶縁性樹脂を用いることができる。熱絶縁層１７の一部は封止部８７から露出しており、封止部８７から露出する熱絶縁層１７上には２つの加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂが設けられている。
【０１１３】
加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂは、熱絶縁層１７、第１絶縁層１３、第２絶縁層１５、及び熱拡散層１８を貫通する貫通配線２９Ａ及び２９Ｂ、並びに内部電極２２Ａ及び２２Ｂを介して発熱体１９と熱的に接続されている。なお、熱的に接続されているとは、熱伝導率の高い材料で接続されていることを意味する。熱伝導率の高い材料として導電性材料を選択した結果、熱的に接続されると同時に電気的に接続されても構わない。
【０１１４】
なお、封止部２７（図１等参照）と同様に、封止部８７を配線基板１１の第１主面（熱絶縁層１７の表面）の全部を覆うように形成し、加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂを封止部８７上に設けてもよい。但し、この構造の場合には、半導体装置８０の外部から加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂを介して供給される熱が封止部８７にも伝わるため、封止部８７として耐熱性に優れた樹脂材料を選定する必要がある。言い換えれば、このような制限がない点で、図１５に示す構造の方が優れている。
【０１１５】
基板２００に搭載された半導体装置８０を取り外す場合には、加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂに、図１６に示す装置１００Ａのノズル１１０Ｃ及び１１０Ｄがそれぞれ当接される。ノズル１１０Ｃ及び１１０Ｄは、例えば、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂと同様に、中央部に頂面から底面まで貫通する平面視円形の貫通孔が形成された略円柱状の部材とすることができる。但し、ノズル１１０Ｃ及び１１０Ｄは、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂとは異なり、発熱手段１１５Ａ及び１１５Ｂを内蔵している。発熱手段１１５Ａ及び１１５Ｂとしては、例えば、ニクロム（Ｎｉ−Ｃｒ）線やタングステン（Ｗ）線等を用いることができる。なお、ノズル１１０Ｃ及び１１０Ｄは、本発明に係る当接部の代表的な一例である。又、ノズル１１０Ｃ及び１１０Ｄ（当接部）、加熱手段１２０、及び吸引手段１３０は、本発明に係る電子部品組立装置の代表的な一例である。
【０１１６】
制御手段１５０は、発熱手段１１５Ａ及び１１５Ｂに電流を供給してノズル１１０Ｃ及び１１０Ｄを発熱させる。そして、ノズル１１０Ｃ及び１１０Ｄの発した熱を加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂを介して発熱体１９に供給し、発熱体１９を発熱させる。発熱体１９の熱は熱拡散層１８により均一化され、熱拡散層１８は略一定温度となり、他の実施の形態及びその変形例と同様に、複数の外部接続端子２４に効率よく伝えられ、複数の外部接続端子２４が溶融する。基板２００に半導体装置８０を搭載する場合も同様である。
【０１１７】
つまり、本実施の形態では、図５Ａ及び図５ＢのステップＳ１０では、制御手段１５０は、ノズル１１０Ｃ及び１１０Ｄに内蔵された発熱手段１１５Ａ及び１１５Ｂに電流を流して加熱する（発熱体１９には電流を流さない）。つまり、制御手段１５０が、加熱手段１２０に指令を出し、ノズル１１０Ｃとノズル１１０Ｄとの間の電位差を所定値に設定する動作は行わない。又、本実施の形態では、図５Ａ及び図５ＢのステップＳ１３、Ｓ１４、及びＳ１７では、発熱体１９に流れる電流ではなく、ノズル１１０Ｃ及び１１０Ｄに内蔵された発熱手段１１５Ａ及び１１５Ｂに流れる電流を制御する。
【０１１８】
なお、本実施の形態では、ノズル１１０Ｃ及び１１０Ｄを介して発熱体１９に電流を流さないため、ノズル１１０Ｃ及び１１０Ｄ間に電位差を発生させる必要はない。そこで、ノズル１１０Ｃ及び１１０Ｄは、十分な熱が供給可能であれば何れか一方のみを用いても構わない。又、十分な熱が供給可能でない場合には、更にノズルの数を増やすことも可能である。又、ノズル１１０Ｃ及び１１０Ｄの材料として導電性の材料を用いる必要はなく、例えば、セラミック等を用いることできる。
【０１１９】
このように、第４の実施の形態では、他の実施の形態及びその変形例とは異なり、発熱体１９に電流を流して発熱させるのではなく、発熱体１９に外部から熱を供給することにより発熱させる。このような方法でも、第１の実施の形態と同様の効果を奏する。
【０１２０】
なお、熱絶縁層１７を配線基板１１の第１主面側の最外層（半導体チップ２５に最も近い側の層）に設けることにより、加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂから供給する熱が半導体チップ２５（電子部品本体）に伝わることを防止できる。
【０１２１】
〈第５の実施の形態〉
既に説明した実施の形態及びその変形例では、半導体装置に熱絶縁層、熱拡散層、発熱体、及び加熱用電極を設ける例を示した。第５の実施の形態では、半導体装置以外の電子部品の一例として、セラミックコンデンサに熱絶縁層、熱拡散層、発熱体、及び加熱用電極を設ける例を示す。
【０１２２】
図１７は、第５の実施の形態に係る電子部品の一例を示す斜視図である。図１８は、第５の実施の形態に係る電子部品の一例を示す断面図である。本実施の形態では、電子部品９０をセラミックコンデンサとして以下の説明を行うが、電子部品は抵抗やインダクタ等の種々の電子部品であってもよい。
【０１２３】
図１７及び図１８を参照するに、電子部品９０は、電子部品本体９１と、外部電極９２Ａ及び９２Ｂと、加熱用電極９３Ａ及び９３Ｂと、熱絶縁層９７と、熱拡散層９８と、発熱体９９とを有するセラミックコンデンサである。電子部品本体９１は、誘電体（図示せず）や内部電極（図示せず）を有する。
【０１２４】
電子部品本体９１の両端部には外部電極９２Ａ及び９２Ｂが形成されている。外部電極９２Ａ及び９２Ｂは、電子部品９０の通常動作時（コンデンサとして機能する時）に使用する電極である。外部電極９２Ａ及び９２Ｂは、電子部品本体９１と電気的に接続され、かつ、外部接続端子（後述の、はんだ３０１）と電気的に接続可能な電極である。
【０１２５】
外部電極９２Ａ及び９２Ｂの一部の領域には、熱絶縁層９７、熱拡散層９８、及び発熱体９９がこの順番で積層されている。熱絶縁層９７は、更に、電子部品本体９１上面の両端部に外部電極９２Ａ及び９２Ｂと略垂直方向に延在している。熱絶縁層９７、熱拡散層９８、及び発熱体９９は、熱絶縁層１７、熱拡散層１８、及び発熱体１９と同様の機能を有する。熱絶縁層９７、熱拡散層９８、及び発熱体９９の材料は、熱絶縁層１７、熱拡散層１８、及び発熱体１９の材料と同様とすることができる。
【０１２６】
加熱用電極９３Ａ及び９３Ｂは、外部電極９２Ａ及び９２Ｂと略垂直方向に延在している熱絶縁層９７上に形成されている。又、加熱用電極９３Ａ及び９３Ｂは、熱拡散層９８及び発熱体９９の一部と接している。加熱用電極９３Ａ及び９３Ｂは、電子部品９０の搭載時又は取り外し時に使用する電極である。外部電極９２Ａ及び９２Ｂ並びに加熱用電極９３Ａ及び９３Ｂの材料は、それぞれ外部電極２１並びに加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂの材料と同様とすることができる。
【０１２７】
図１９は、第５の実施の形態に係る電子部品の電流について説明するための図である。図１９において、電子部品９０は、外部接続端子であるはんだ３０１を介して基板３００のパッド３０２上に搭載されている。はんだ３０１は、外部電極９２Ａ及び９２Ｂの熱絶縁層９７等から露出する部分、及び発熱体９９の一部と、基板３００のパッド３０２とを電気的に接続している。つまり、発熱体９９の一部も外部電極として機能する。
【０１２８】
電子部品９０の通常動作時には、電流は矢印Ａのように外部電極９２Ａ、電子部品本体９１、及び外部電極９２Ｂに流れる。これにより、電子部品９０はコンデンサとして機能する。一方、基板３００に搭載された電子部品９０を取り外す場合には、加熱用電極９３Ａ及び９３Ｂに、図３に示す装置１００のノズル１１０Ａ及び１１０Ｂがそれぞれ当接される。そして、電流は矢印Ｂのように加熱用電極９３Ａ及び９３Ｂから各発熱体９９を通って配線基板３００に流れる。この際、配線基板３００のパッド３０２の電位が、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂの電位よりも低くなるように、配線基板３００の配線設計をしておく必要がある。
【０１２９】
これにより、発熱体９９に電流が流れて発熱し、発した熱は熱拡散層９８で均一化され、外部接続端子であるはんだ３０１を加熱して溶融させる。その結果、電子部品９０を基板３００から取り外すことができる。この際、電子部品９０のみを加熱するため、電子部品９０の周囲に他の部品が搭載されている場合にも、他の部品を一緒に取り外したり損傷したりすることなく、電子部品９０のみを取り外すことができる。
【０１３０】
又、電子部品９０の両端部の各熱拡散層９８の電子部品本体９１側には、それぞれ熱絶縁層９７が設けられている。そのため、発熱体９９が発し熱拡散層９８が均一化した熱が電子部品本体９１に伝達し難いため、熱による電子部品本体９１の破壊を防止できる。その結果、取り外した電子部品９０の故障解析を行うことができる。
【０１３１】
又、電子部品９０には熱絶縁層９７が設けられているので、発熱体９９が発し熱拡散層９８が均一化した熱を逃がさずにはんだ３０１に効率よく伝えることができる。なお、電子部品９０の搭載も同様な方法により行うことができる。
【０１３２】
〈ノズルのバリエーション〉
上記各実施の形態及びその変形例では、主に図４に示すノズル１１０Ａ及び１１０Ｂを用いる例を示した。ここでは、ノズルの他の例を示す。
【０１３３】
図２０Ａ〜図２０Ｄは、ノズルの他の例を示す斜視図である。上記各実施の形態及びその変形例（第４の実施の形態を除く）において、図４に示すノズル１１０Ａ及び１１０Ｂに代えて、図２０Ａに示すノズル１１１を用いてもよい。
【０１３４】
図２０Ａに示すノズル１１１は、中央部に頂面から底面まで貫通する平面視円形の貫通孔１１１ｘが形成された略円柱状の部材である。貫通孔１１１ｘは、貫通孔１１０Ａｘ及び１１０Ｂｘと同様の機能を有するため、その説明は省略する。ノズル１１１は、正電極１１１Ａ及び負電極１１１Ｂを有し、正電極１１１Ａと負電極１１１Ｂとは絶縁部１１１Ｃにより互いに絶縁されている。正電極１１１Ａ及び負電極１１１Ｂは、隣接して配置されている加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂにそれぞれ当接可能である。なお、加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂは、本発明に係る第１電極及び第２電極の代表的な一例である。但し、加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂの何れが第１電極であってもよい。
【０１３５】
正電極１１１Ａ及び負電極１１１Ｂは、例えば、銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）等の導電性材料から形成することができる。絶縁部１１１Ｃは、例えば、エポキシ系樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂から形成することができる。ノズル１１１は、例えば、正電極１１１Ａと負電極１１１Ｂとを別々に作製し、作製した正電極１１１Ａと負電極１１１Ｂとで絶縁部１１１Ｃを挟持し、絶縁部１１１Ｃを加熱しながら両側から押圧することにより作製できる。
【０１３６】
なお、ノズル１１１は、本発明に係る当接部の代表的な一例である。又、正電極１１１Ａ及び負電極１１１Ｂは、本発明に係る第１導電部及び第２導電部の代表的な一例である。但し、正電極１１１Ａ及び負電極１１１Ｂの何れが第１導電部であってもよい。なお、加熱手段１２０は、正電極１１１Ａと負電極１１１Ｂとの間に電位差を生じさせることができる。
【０１３７】
このように、正電極１１１Ａと負電極１１１Ｂとが絶縁部１１１Ｃにより互いに絶縁されている構造とすることで、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂの機能を１つのノズル１１１で実現することができる。
【０１３８】
なお、図２０Ａにおいて加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂの平面形状は矩形状であるが、例えば、図２０Ｂに示すように、円の中心側が互いに対向するように配置された平面形状が略半円環状の加熱用電極２８Ｃ及び２８Ｄを用いてもよい。又、加熱用電極は、平面形状が矩形状や半円環状以外の任意の形状であってもよい。なお、加熱用電極２８Ｃ及び２８Ｄは、本発明に係る第１電極及び第２電極の代表的な一例である。但し、加熱用電極２８Ｃ及び２８Ｄの何れが第１電極であってもよい。
【０１３９】
図２０Ｃに示すノズル１１２は、中央部に頂面から底面まで貫通する平面視矩形状の貫通孔１１２ｘが形成された略四角柱状の部材である。貫通孔１１２ｘは、貫通孔１１０Ａｘ及び１１０Ｂｘと同様の機能を有するため、その説明は省略する。ノズル１１２は、正電極１１２Ａ及び負電極１１２Ｂを有し、正電極１１２Ａと負電極１１２Ｂとは絶縁部１１２Ｃにより互いに絶縁されている。正電極１１２Ａ及び負電極１１２Ｂは、隣接して配置されている加熱用電極２８Ａ及び２８Ｂにそれぞれ当接可能である。
【０１４０】
正電極１１２Ａ、負電極１１２Ｂ、及び絶縁部１１２Ｃの材料は、それぞれ正電極１１１Ａ、負電極１１１Ｂ、及び絶縁部１１１Ｃの材料と同様とすることができる。ノズル１１２は、ノズル１１１と同様な方法で作製できる。
【０１４１】
なお、ノズル１１２は、本発明に係る当接部の代表的な一例である。又、正電極１１２Ａ及び負電極１１２Ｂは、本発明に係る第１導電部及び第２導電部の代表的な一例である。但し、正電極１１２Ａ及び負電極１１２Ｂの何れが第１導電部であってもよい。なお、加熱手段１２０は、正電極１１２Ａと負電極１１２Ｂとの間に電位差を生じさせることができる。
【０１４２】
このように、ノズルの形状は、必ずしも略円柱状の部材には限定されず、略四角柱状の部材であってもよい。又、ノズルは、略円柱状や略四角柱状以外の任意の形状であってもよい。
【０１４３】
図２０Ｄに示すノズル１１３は、中央部に配置された略円柱状の正電極１１３Ａと、正電極１１３Ａの周囲に環状に配置された貫通孔１１３ｘを介して正電極１１３Ａと同心的に配置された略円環柱状の負電極１１３Ｂを有する。又、ノズル１１３は、正電極１１３Ａと負電極１１３Ｂとを連結するように貫通孔１１３ｘ内に部分的に設けられた絶縁部１１３Ｃを有する。貫通孔１１３ｘは、貫通孔１１０Ａｘ及び１１０Ｂｘと同様の機能を有するため、その説明は省略する。正電極１１３Ａ及び負電極１１３Ｂは、同心的に配置されている加熱用電極２８Ｅ及び２８Ｆにそれぞれ当接可能である。
【０１４４】
加熱用電極２８Ｅの平面形状は略矩形状であり、加熱用電極２８Ｆの平面形状は額縁状である。加熱用電極２８Ｅと加熱用電極２８Ｆとの間には間隙が設けられ、両者は互いに絶縁されている。なお、加熱用電極２８Ｅ及び２８Ｆは、本発明に係る第１電極及び第２電極の代表的な一例である。但し、加熱用電極２８Ｅ及び２８Ｆの何れが第１電極であってもよい。
【０１４５】
正電極１１３Ａ、負電極１１３Ｂ、及び絶縁部１１３Ｃの材料は、それぞれ正電極１１１Ａ、負電極１１１Ｂ、及び絶縁部１１１Ｃの材料と同様とすることができる。ノズル１１３は、例えば、正電極１１３Ａと負電極１１３Ｂとを別々に作製し、絶縁部１１３Ｃで接着することにより作製できる。
【０１４６】
なお、ノズル１１３は、本発明に係る当接部の代表的な一例である。又、正電極１１３Ａ及び負電極１１３Ｂは、本発明に係る第１導電部及び第２導電部の代表的な一例である。但し、正電極１１３Ａ及び負電極１１３Ｂの何れが第１導電部であってもよい。なお、加熱手段１２０は、正電極１１３Ａと負電極１１３Ｂとの間に電位差を生じさせることができる。
【０１４７】
このように、正電極１１３Ａと負電極１１３Ｂとが貫通孔１１３ｘにより分離されて互いに絶縁されている構造とすることで、ノズル１１０Ａ及び１１０Ｂの機能を１つのノズル１１３で実現することができる。なお、加熱用電極２８Ｅの平面形状を略円形状としてもよく、加熱用電極２８Ｆの平面形状を略円環状としてもよい。又、ノズル１１３は、内側が正電極で外側が負電極である配置には限定されず、内側が負電極で外側が正電極である配置としてもよい。又、正電極１１３Ａは円柱状でなくてよく、負電極１１３Ｂは円環柱状でなくてもよい。
【０１４８】
以上のように、ノズルは種々の形状とすることができ、加熱用電極の配置に合わせて、正電極と負電極とを別々のノズルとしてもよいし、正電極と負電極とを備えた１つのノズルを用いてもよい。
【０１４９】
以上、好ましい実施の形態及びその変形例について詳説したが、上述した実施の形態及びその変形例に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態及びその変形例に種々の変形及び置換を加えることができる。
【０１５０】
例えば、図１に示す半導体装置１０において、加熱用電極２８Ａや２８Ｂを封止部２７上に設けているが、配線基板１１の第１主面の一部を封止部２７から露出させ、封止部２７から露出した配線基板１１の第１主面に加熱用電極２８Ａや２８Ｂを設けても構わない。図８や図１４等についても同様である。
【０１５１】
又、各実施の形態及びその変形例では、外部接続端子としてはんだを例にして説明を行った。しかしながら、外部接続端子は、加熱により溶融するものであれば、はんだには限定されず、例えば、銀ペースト等の導電性ペースト等であってもよい。
【０１５２】
以上の各実施の形態及びその変形例を含む実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
配線基板と、
前記配線基板の一方の面側に搭載される電子部品本体と、
前記配線基板の他方の面側に形成され、前記電子部品本体と電気的に接続される外部電極と、
前記外部電極と同一層に形成され、導電性を有し、抵抗率が前記外部電極よりも高い発熱体と、
前記電子部品本体と前記発熱体との間に配置され、絶縁性を有し、前記配線基板を構成する材料とは異なる材料からなる熱絶縁層と、を有する電子部品。
（付記２）
前記発熱体と前記熱絶縁層との間に配置され、前記熱絶縁層よりも熱伝導率が小さい熱拡散層を更に有する付記１記載の電子部品。
（付記３）
前記熱絶縁層は、前記熱拡散層に隣接する層に設けられている付記２記載の電子部品。
（付記４）
前記発熱体は、前記熱拡散層に隣接する層に設けられている付記１乃至３の何れか一に記載の電子部品。
（付記５）
前記配線基板には、前記熱絶縁層よりも前記一方の面側に設けられた層を貫通する第１の貫通孔と、前記第１の貫通孔よりも小径であり、かつ、前記第１の貫通孔と連通し少なくとも前記熱絶縁層を貫通する第２の貫通孔と、が設けられ、
前記第１及び第2の貫通孔内には、前記発熱体に接続する貫通配線が設けられ、
前記第1の貫通孔の内壁と前記貫通配線との間に第2の熱絶縁層が設けられている付記１乃至４の何れか一に記載の電子部品。
（付記６）
前記熱絶縁層は、前記配線基板の前記一方の面側の最外層に設けられ、
前記熱絶縁層上に加熱用電極が設けられ、前記加熱用電極は少なくとも前記熱絶縁層を貫通する貫通配線を介して前記発熱体と熱的に接続されている付記１乃至４の何れか一に記載の電子部品。
（付記７）
前記電子部品本体を封止する封止部と、前記発熱体と接続された加熱用電極と、を更に有し、
前記加熱用電極の一部は前記一方の面に形成され、前記一方の面から前記封止部の側面及び上面に延在し、かつ、前記貫通配線を介して前記発熱体と電気的に接続されている付記５記載の電子部品。
（付記８）
前記加熱用電極はボンディングワイヤを介して前記貫通配線の一端と電気的に接続されている付記７記載の電子部品。
（付記９）
前記電子部品本体を封止する封止部と、前記発熱体と接続された加熱用電極と、を更に有し、
前記加熱用電極は、前記電子部品本体のリード端子の一部であり、
前記リード端子の一部は、前記封止部の上面に延在している付記５記載の電子部品。
（付記１０）
電子部品本体と、前記電子部品本体と電気的に接続された外部電極と、前記外部電極と同一層に形成され、導電性を有し、導電率が前記外部電極よりも低い発熱体と、前記発熱体と接続された加熱用電極と、を有する電子部品の前記加熱用電極に当接し、貫通孔を有する当接部と、
前記当接部を介して前記発熱体を発熱させる加熱手段と、
前記貫通孔を介して前記加熱用電極を吸引する吸引手段と、を有する電子部品組立装置。
（付記１１）
前記加熱用電極は、第１電極と第２電極と、を有し、
前記当接部は、前記第１電極に当接する第１導電部と、前記第２電極に当接する第２導電部と、前記第１導電部と前記第２導電部とを絶縁する絶縁部と、を有し、
前記加熱手段は、前記第１導電部と前記第２導電部との間に電位差を生じさせる付記１０記載の電子部品組立装置。
（付記１２）
前記当接部は、環状の前記第１導電部と、
前記第1導電部の内周に配置された第2導電部と、
絶縁性を有し、前記第1導電部と前記第２導電部とを連結する絶縁部と、を有する付記１１記載の電子部品組立装置。
（付記１３）
前記当接部は発熱手段を内蔵する付記１０記載の電子部品組立装置。
（付記１４）
前記発熱体に接する層に設けられ、前記発熱体の発する熱を均一化する熱拡散層を更に有し、
前記熱絶縁層は、前記熱拡散層と前記電子部品本体との間に設けられている付記１０乃至１３の何れか一に記載の電子部品組立装置。
（付記１５）
前記熱絶縁層は、前記熱拡散層に隣接する層に設けられている付記１４記載の電子部品組立装置。
（付記１６）
前記電子部品の前記外部電極に前記外部接続端子が接続されている付記１０乃至１５の何れか一に記載の電子部品組立装置。
【符号の説明】
【０１５３】
１０、３０、３０Ａ、４０、５０、５０Ａ、６０、７０、８０ 半導体装置
１１ 配線基板
１２ 第１配線層
１３ 第１絶縁層
１３ｘ 第１貫通配線
１４ 第２配線層
１５ 第２絶縁層
１５ｘ 第２貫通配線
１６ 第３配線層
１７、７７、９７ 熱絶縁層
１７ｘ 第３貫通配線
１８、９８ 熱拡散層
１９、７８、９９ 発熱体
２０ 第４配線層
２１、９２Ａ、９２Ｂ 外部電極
２２Ａ、２２Ｂ、５６Ａ、５６Ｂ 内部電極
２３ 第３絶縁層
２３ｘ 開口部
２４、３０１ 外部接続端子
２５、５５ 半導体チップ
２６ バンプ
２７、８７ 封止部
２８Ａ、２８Ｂ、２８Ｃ、２８Ｄ、２８Ｅ、２８Ｆ、３８Ａ、３８Ｂ、５８Ａ、５８Ｂ、６８Ａ、６８Ｂ、９３Ａ、９３Ｂ 加熱用電極
２９Ａ、２９Ｂ、３９Ａ、３９Ｂ 貫通配線
３６、４６ ボンディングワイヤ
５７ はんだ
９０ 電子部品
９１ 電子部品本体
１００、１００Ａ 装置
１１０Ａ、１１０Ｂ、１１０Ｃ、１１０Ｄ、１１１、１１２、１１３ ノズル
１１０Ａｘ、１１０Ｂｘ、１１１ｘ、１１２ｘ、１１３ｘ 貫通孔
１１１Ａ、１１２Ａ、１１３Ａ 正電極
１１１Ｂ、１１２Ｂ、１１３Ｂ 負電極
１１１Ｃ、１１２Ｃ、１１３Ｃ 絶縁部
１１５Ａ、１１５Ｂ 発熱手段
１２０ 加熱手段
１３０ 吸引手段
１４０ 監視手段
１５０ 制御手段
１６０ 記憶手段
１７０ 操作手段
２００、３００ 基板
３０２ パッド
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、
前記配線基板の一方の面側に搭載される電子部品本体と、
前記配線基板の他方の面側に形成され、前記電子部品本体と電気的に接続される外部電極と、
前記外部電極と同一層に形成され、導電性を有し、抵抗率が前記外部電極よりも高い発熱体と、
前記電子部品本体と前記発熱体との間に配置され、絶縁性を有し、前記配線基板を構成する材料とは異なる材料からなる熱絶縁層と、を有する電子部品。
【請求項２】
前記発熱体と前記熱絶縁層との間に配置され、前記熱絶縁層よりも熱伝導率が小さい熱拡散層を更に有する請求項１記載の電子部品。
【請求項３】
前記熱絶縁層は、前記熱拡散層に隣接する層に設けられている請求項２記載の電子部品。
【請求項４】
前記発熱体は、前記熱拡散層に隣接する層に設けられている請求項１乃至３の何れか一項記載の電子部品。
【請求項５】
前記配線基板には、前記熱絶縁層よりも前記一方の面側に設けられた層を貫通する第１の貫通孔と、前記第１の貫通孔よりも小径であり、かつ、前記第１の貫通孔と連通し少なくとも前記熱絶縁層を貫通する第２の貫通孔と、が設けられ、
前記第１及び第2の貫通孔内には、前記発熱体に接続する貫通配線が設けられ、
前記第1の貫通孔の内壁と前記貫通配線との間に第2の熱絶縁層が設けられている請求項１乃至４の何れか一項記載の電子部品。
【請求項６】
前記熱絶縁層は、前記配線基板の前記一方の面側の最外層に設けられ、
前記熱絶縁層上に加熱用電極が設けられ、前記加熱用電極は少なくとも前記熱絶縁層を貫通する貫通配線を介して前記発熱体と熱的に接続されている請求項１乃至４の何れか一項記載の電子部品。
【請求項７】
電子部品本体と、前記電子部品本体と電気的に接続された外部電極と、前記外部電極と同一層に形成され、導電性を有し、導電率が前記外部電極よりも低い発熱体と、前記発熱体と接続された加熱用電極と、を有する電子部品の前記加熱用電極に当接し、貫通孔を有する当接部と、
前記当接部を介して前記発熱体を発熱させる加熱手段と、
前記貫通孔を介して前記加熱用電極を吸引する吸引手段と、を有する電子部品組立装置。
【請求項８】
前記加熱用電極は、第１電極と第２電極と、を有し、
前記当接部は、前記第１電極に当接する第１導電部と、前記第２電極に当接する第２導電部と、前記第１導電部と前記第２導電部とを絶縁する絶縁部と、を有し、
前記加熱手段は、前記第１導電部と前記第２導電部との間に電位差を生じさせる請求項７記載の電子部品組立装置。
【請求項９】
前記当接部は、環状の前記第１導電部と、
前記第1導電部の内周に配置された第2導電部と、
絶縁性を有し、前記第1導電部と前記第２導電部とを連結する絶縁部と、を有する請求項８記載の電子部品組立装置。
【請求項１０】
前記当接部は発熱手段を内蔵する請求項７記載の電子部品組立装置。
【請求項１】
配線基板と、
前記配線基板の一方の面側に搭載される電子部品本体と、
前記配線基板の他方の面側に形成され、前記電子部品本体と電気的に接続される外部電極と、
前記外部電極と同一層に形成され、導電性を有し、抵抗率が前記外部電極よりも高い発熱体と、
前記電子部品本体と前記発熱体との間に配置され、絶縁性を有し、前記配線基板を構成する材料とは異なる材料からなる熱絶縁層と、を有する電子部品。
【請求項２】
前記発熱体と前記熱絶縁層との間に配置され、前記熱絶縁層よりも熱伝導率が小さい熱拡散層を更に有する請求項１記載の電子部品。
【請求項３】
前記熱絶縁層は、前記熱拡散層に隣接する層に設けられている請求項２記載の電子部品。
【請求項４】
前記発熱体は、前記熱拡散層に隣接する層に設けられている請求項１乃至３の何れか一項記載の電子部品。
【請求項５】
前記配線基板には、前記熱絶縁層よりも前記一方の面側に設けられた層を貫通する第１の貫通孔と、前記第１の貫通孔よりも小径であり、かつ、前記第１の貫通孔と連通し少なくとも前記熱絶縁層を貫通する第２の貫通孔と、が設けられ、
前記第１及び第2の貫通孔内には、前記発熱体に接続する貫通配線が設けられ、
前記第1の貫通孔の内壁と前記貫通配線との間に第2の熱絶縁層が設けられている請求項１乃至４の何れか一項記載の電子部品。
【請求項６】
前記熱絶縁層は、前記配線基板の前記一方の面側の最外層に設けられ、
前記熱絶縁層上に加熱用電極が設けられ、前記加熱用電極は少なくとも前記熱絶縁層を貫通する貫通配線を介して前記発熱体と熱的に接続されている請求項１乃至４の何れか一項記載の電子部品。
【請求項７】
電子部品本体と、前記電子部品本体と電気的に接続された外部電極と、前記外部電極と同一層に形成され、導電性を有し、導電率が前記外部電極よりも低い発熱体と、前記発熱体と接続された加熱用電極と、を有する電子部品の前記加熱用電極に当接し、貫通孔を有する当接部と、
前記当接部を介して前記発熱体を発熱させる加熱手段と、
前記貫通孔を介して前記加熱用電極を吸引する吸引手段と、を有する電子部品組立装置。
【請求項８】
前記加熱用電極は、第１電極と第２電極と、を有し、
前記当接部は、前記第１電極に当接する第１導電部と、前記第２電極に当接する第２導電部と、前記第１導電部と前記第２導電部とを絶縁する絶縁部と、を有し、
前記加熱手段は、前記第１導電部と前記第２導電部との間に電位差を生じさせる請求項７記載の電子部品組立装置。
【請求項９】
前記当接部は、環状の前記第１導電部と、
前記第1導電部の内周に配置された第2導電部と、
絶縁性を有し、前記第1導電部と前記第２導電部とを連結する絶縁部と、を有する請求項８記載の電子部品組立装置。
【請求項１０】
前記当接部は発熱手段を内蔵する請求項７記載の電子部品組立装置。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図３】
【図４】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２Ａ】
【図１２Ｂ】
【図１２Ｃ】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０Ａ】
【図２０Ｂ】
【図２０Ｃ】
【図２０Ｄ】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図３】
【図４】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２Ａ】
【図１２Ｂ】
【図１２Ｃ】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０Ａ】
【図２０Ｂ】
【図２０Ｃ】
【図２０Ｄ】
【公開番号】特開２０１２−１９５４５２（Ｐ２０１２−１９５４５２Ａ）
【公開日】平成２４年１０月１１日（２０１２．１０．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−５８３６４（Ｐ２０１１−５８３６４）
【出願日】平成２３年３月１６日（２０１１．３．１６）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月１１日（２０１２．１０．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月１６日（２０１１．３．１６）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
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