【課題】光の通過損失が増大することを抑制しつつ、位相調整を行うことが可能な光変調装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、第１出力光導波路３８ａ及び第２出力光導波路３８ｂに第２ＭＭＩ３４を介して第１光導波路３２ａ及び第２光導波路３２ｂが接続するマッハツェンダ型光変調器１０と、第１光導波路３２ａ及び第２光導波路３２ｂに設けられた位相調整用電極４０に対して位相制御信号を入力すると共に、位相制御信号を位相調整用電極夫々の間で切替える機能を有する位相調整回路１２と、第１光導波路３２ａ及び第２光導波路３２ｂを伝搬する光を変調させる変調信号を、第１光導波路３２ａ及び第２光導波路３２ｂに設けられた変調用電極４２に差動信号として入力する駆動回路１４と、駆動回路１４から出力される差動信号の極性を反転させる信号極性反転回路５０と、を備える光変調装置である。 （もっと読む）

【課題】バイアス調整を行わない状態で使用しても、動作点のズレに伴う感度特性のばらつきが発生しない電界センサを提供する。
【解決手段】長さが異なる１対の光導波路と、１対の光導波路の光入射側と光出射側とのそれぞれに接続された２つの３ｄＢ光カプラと、２つの３ｄＢ光カプラのそれぞれに接続された光入力ポートおよび光出力ポートと、一方の光導波路に設けられた電気線路を有するＭＺ干渉回路と、１対の導波路に光を入力する光入力手段と、ＭＺ干渉回路の電気線路に入力するＲＦ信号受信手段と、ＭＺ干渉回路から出力された光出力を検出する光検出手段と、光入力手段からＭＺ干渉回路に入力する光を決定した波長に調整する調整手段とを備え、受信したＲＦ信号を電気光学効果を起こすことより１対の光導波路の出射光の位相差に変化を与え、光検出器は、１対の光導波路から出射された光の位相差を検出することにより、ＲＦ信号の出力を測定する。 （もっと読む）

【課題】熱干渉を抑制した小型な多連熱光学位相シフタおよびそれを用いた光干渉回路を提供すること。
【解決手段】２つの方向性結合器１０２ａ、１０２ｂとそれらを連結するアーム導波路１０３からなるマッハツェンダ干渉計と、二重コア、アーム導波路１０３上に設置された薄膜ヒータ１１１、およびそのヒータ１１１に電力を供給する配線１１２とからなる位相シフタと、アーム導波路１０３の両側に形成された断熱溝１２１とから構成されている。二重コアとその上方の薄膜ヒータ１１１は、アーム導波路１０３で（図１の紙面の縦方向に）整列しておらず、アーム導波路１０３の長手方向に対して垂直方向に平行移動した位置にそれぞれが重なることがないように、ずらして配置したことを特徴としている。隣接する二重コアおよび薄膜ヒータ１１１をずらず量としては、薄膜ヒータ１１１の長さ以上にずらずことが重要である。 （もっと読む）

【課題】安価で容易に作製可能な光カプラを実現すること。
【解決手段】光カプラ１は、石英基板１０と、石英基板１０の両面にそれぞれ形成されたＡｇからなる金属膜１１、１２と、を有している。金属膜１１は、石英基板１０の一方の表面１０ａに形成され、金属膜１２は、石英基板１０の他方の表面１０ｂの全面に形成されている。金属膜１１には、その金属膜１１を貫通する孔１３が複数形成されている。孔１３の石英基板１０の主面に平行な面での断面は円形である。孔１３の直径は、１５０ｎｍである。孔１３は正方格子状に配列されており、その孔１３の間隔は５００ｎｍである。この光カプラ１では、石英基板１０内の入射光１４の一部を、入射光１４の伝搬方向に対して１１１°の方向に分岐光１５として放射させることができる。 （もっと読む）

【課題】特に初期条件の厳密な制御が不要となることからデバイスの作製が容易になり、また持続的なパルス発振を実現する。
【解決手段】連続して供給される入力光に応じて励起子が励起されるエネルギー準位２１を有する量子ドットＡと、第１のエネルギー準位２１と共鳴するエネルギー準位２２を有するとともに当該エネルギー準位２２から下位準位であるエネルギー準位２３へ励起子が遷移することによるエネルギー放出量に応じた出力となる出力光を生成する量子ドットＢとを有するエネルギー供給用量子ドットグループ２と、量子ドットＡにおけるエネルギー準位２１からの励起子の一部が遅延系４を介して供給され、これに基づいて制御光を出力する遅延システム用量子ドットグループ３とを備え、量子ドットＢは、制御光に応じてエネルギー準位２３における励起子の励起状態を変化させて、これに基づいて、パルス波形からなる上記出力光を生成する。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で、任意の偏波方向の光入力信号に対するサンプリングが可能な光ゲート素子を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、下部クラッド層、バルク材料からなる活性層１３、および、上部クラッド層が順次積層された導波路構造と、少なくともその一部が該導波路構造の上方に形成される上部電極２１と、を備え、該導波路構造は、ハイメサ導波路構造Ｉと、光入射端面１０ａおよび光出射端面１０ｂのうちの少なくとも一方とハイメサ導波路構造Ｉとの間に形成され、ハイメサ導波路構造Ｉと光の導波方向に連続する埋込み導波路構造ＩＩ_a、ＩＩ_bと、を含み、上部電極２１は、該導波路構造の少なくとも一部の上方に形成される主電極部２１ａと、ハイメサ導波路構造Ｉの導波方向の側方、かつ、半導体基板の上方に形成される電極パッド部２１ｂと、主電極部２１ａと電極パッド部２１ｂとを電気的に接続する接続部２１ｃと、を含む。 （もっと読む）

【課題】
光導波路素子の状態だけでなく、光導波路素子を製造するプロセスにおいても、補強基板による焦電効果で光導波路素子が損傷することを抑制し、光導波路素子の電気的な特性劣化を抑え、さらに、生産に係る歩留まりを改善することを可能とする光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する厚さが３０μｍ以下の基板に光導波路が形成された光導波路基板と、該光導波路基板が電気光学効果を有する補強基板と接着剤層を介して接合されている光導波路素子において、該補強基板の該接着剤層側の面には、半導体層が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】変調帯域を十分に拡大することができる光変調器を得る。
【解決手段】半導体チップ１０内に導波路１２が設けられている。進行波型電極１４の入力部１４ａに、第１のワイヤ１８を介して給電ライン２０が接続されている。進行波型電極１４の出力部１４ｂに、第２のワイヤ２２及び終端ライン２４を介して終端抵抗２６が接続されている。出力部１４ｂと接地点の間の電気容量は、入力部１４ａと接地点の間の電気容量よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】光電子装置を提供する。
【解決手段】光電子装置は、半導体基板内に形成されたｐドーピング領域とｎドーピング領域と、ｐドーピング領域とｎドーピング領域との間に形成された光導波路コア領域と、光導波路コア領域とｐドーピング領域との間に形成され、それぞれが第１距離だけ離隔して形成され、光導波路コア領域の厚さと同じ厚さを有する複数の第１スラブと、光導波路コア領域とｎドーピング領域との間に形成され、それぞれが第２距離だけ離隔して形成され、光導波路コア領域の厚さと同じ厚さを有する複数の第２スラブと、を含む。 （もっと読む）

【課題】安定的な伝送を可能とする半導体ゲイン領域集積型ＭＺ変調器モジュールを提供する。
【解決手段】半導体レーザと、半導体レーザから発せられた光を交流信号により変調して出力するマッハツェンダ変調器とがチップ上に集積された半導体レーザ集積型マッハツェンダ変調器であって、温度に変化が生じた場合に、チップ温度の変化に応じて交流信号を制御（交流信号の振幅の制御、及び交流信号のバイアス電圧の制御を含む）することで、マッハツェンダ変調器から出力される光の消光比を大きくすることを特徴とするレーザ集積マッハツェンダ変調器。 （もっと読む）

【課題】
共振型電極を用いながら、動作帯域を拡大すると共に、製造時の電極形状のバラツキに起因する特性の劣化を抑制することが可能な光制御素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成された複数の光導波路２と、該基板に設けられ、該光導波路を伝搬する光の位相を制御するための制御電極３とを有する光制御素子において、該制御電極３は、共振型電極と、該共振型電極に制御信号を給電する給電電極とを備え、該共振型電極は、１本の信号電極３０を有し、該信号電極の長さは、所定周波数を有する該制御信号が該信号電極上に形成する波長より長く設定され、該給電電極は、１本の入力配線部４１を複数に分岐した分岐配線部４２，４３を有し、該分岐配線部の全てが、該信号電極上の異なる位置５１，５２に接続され、該信号電極には、該分岐配線部により同相又は所定位相差を有する制御信号が給電されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気フィルタ回路を適用して光応答の周波数特性を平坦化した場合でも低周波領域における電気反射特性の劣化を抑えることのできる小型の光変調器を提供する。
【解決手段】光変調器は、光導波路１１および電気導波路１２が形成された基板１０と、変調電気信号Ｓを発生する駆動回路２０と、該変調電気信号ＳをコンデンサＣ１および抵抗Ｒ１からなる電気フィルタ回路を介して電気導波路１２に与える中継基板３０と、電気導波路１２を伝播した変調電気信号を終端する終端抵抗Ｒ_Ｔとを備え、電気導波路１２の一端が接地電位に対して開放されるとともに、電気フィルタ回路のインピーダンスと終端抵抗Ｒ_Ｔの抵抗値との和が駆動回路２０のインピーダンスに略等しく、かつ、終端抵抗Ｒ_Ｔの抵抗値と電気導波路１２の特性インピーダンスＺとが略等しくなるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】ＰＤＬが低減された導波路型光回路を提供すること。
【解決手段】導波路コア同士が近接して配置されて構成された光分岐結合器である光カプラと、前記光カプラの前記導波路コアの両側に沿って形成され、該導波路コアの光学主軸が傾くのを抑制するダミーパターンと、を備える。好ましくは、前記ダミーパターンの長さは、前記光カプラの結合に寄与する結合部の長さと同等、或いはそれ以上である。好ましくは、前記ダミーパターンと前記光カプラの導波路コアとの間隔は、前記光カプラの前記導波路コア間のギャップサイズと同じ大きさか、或いはそれ以上である。 （もっと読む）

【課題】よりコンパクトにすることとができる可変光減衰器を提供する。
【解決手段】基板１０１と、酸化バナジウムの結晶から構成された光透過部１０２とを少なくとも備える。光透過部１０２をコアとし、基板１０１をクラッド層とする光導波路を構成すればよい。酸化バナジウム（ＶＯ₂）の結晶からなる光透過部１０２においては、光誘起相転移により絶縁体相および金属相の２つの状態が入れ替わり、光吸収特性が変化する。こため、この可変光減衰器によれば、入射する光による光誘起相転移で、光透過部１０２における上述した２つの状態を切り替えることができ、透過（導波）する光の減衰状態を切り替えることができる。たとえば、光誘起相転移が起きる強度の光が入射すると、光透過部１０２が金属相に相転移して光吸収が増大し、入射して透過する光の強度を減衰させることができる。 （もっと読む）

【課題】サブバンド間遷移素子とシリコン細線によるハイブリット集積化において、シリコン細線との結合効率の向上、及び光路長増大による位相変調効果の増大を実現させ、光ゲートスイッチのＳＮ比改善と低エネルギー動作化等の高性能化を実現する。
【解決手段】ＩｎＧａＡｓやＡｌＡｓＳｂなどの量子井戸構造を形成可能な半導体材料を用い、その量子井戸構造でのサブバンド間遷移によって引き起こされる位相変調効果を有するサブバンド間遷移導波路に、ＴＥ光信号に対する反射構造（Ｒ１）を設けてサブバンド間遷移スイッチ導波路１０を構成する。導波路端面（Ｐ１）から入力された信号光５は、導波路で位相変調効果を受け、光導波路に設けた反射構造（Ｒ１）にて反射され、再び、導波路内で位相変調効果を受けて、導波路端面（Ｐ１）から出力されるので、シリコン細線導波路との入出力端の同一化および光路長増大を実現できる。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧が低く、かつ高速で変調が可能な光変調器を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光を導波するための光導波路と、前記基板の一方の面側に形成され、前記光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための中心導体及び接地導体からなる進行波電極とを有し、前記進行波電極が、前記高周波電気信号を印加することにより前記光の位相を変調するための相互作用部と、外部回路から前記相互作用部に前記高周波電気信号を印加するための入力用フィードスルー部を具備する光変調器において、前記基板は、前記入力用フィードスルー部の下方における少なくとも一部の部位の厚みが当該部位を除く他の部位の厚みよりも薄く形成された薄厚部を備える。これにより、基板の共振周波数により決定される周波数ディップを所望の周波数よりも高い周波数領域にシフトさせる。 （もっと読む）

【課題】埋め込み素子の導波路とハイメサリッジ素子の導波路がずれるのを防ぐ。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０上に半導体積層構造３０と半導体積層構造３２を横並びに形成する。半導体積層構造３０，３２上にｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６を形成する。ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６をパターニングして、半導体積層構造３０上のｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６を除去する。半導体積層構造３０をエッチングして導波路リッジ４０を形成し、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６及び半導体積層構造３２をエッチングしてハイメサリッジ４２を形成する。導波路リッジ４０の両サイドを埋め込み層４４，４６，４８で埋め込む。導波路リッジ４０及びその近傍の埋め込み層上にｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層５２を形成する。ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６，５２をマスクとして埋め込み層をエッチングして埋め込み素子とハイメサリッジ素子とを形成する。 （もっと読む）

【課題】
低駆動電圧で安定動作することが可能な光制御素子を提供することであり、特に、２つの共振型電極を用いて、両電極間のクロストーク（結合）が発生しても安定動作が可能な光制御素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成された複数の光導波路２と、該基板に設けられ、該光導波路を伝搬する光の位相を制御するための制御電極３とを有する光制御素子において、該制御電極は、同じ共振周波数を有する少なくとも共振型電極３１，３２と、該共振型電極の各々に制御信号を給電する給電電極４１，４２とを備え、各共振型電極の形状及び形成位置、並びに各共振型電極への給電電極による給電位置は、互いに奇モード結合が可能なように設定され、各共振型電極には、該給電電極により同相の制御信号が給電されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
低駆動電圧化及び小型化が可能な光制御素子を提供することであり、特に、低コストな駆動系部品の使用による低コスト化が可能な光制御素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成された複数の光導波路２と、該基板に設けられ、該光導波路を伝搬する光の位相を制御するための制御電極３とを有する光制御素子において、該制御電極３は、同じ共振周波数を有する少なくとも２つの共振型電極３１，３２と、該共振型電極の各々に制御信号を給電する給電電極４１，４２とを備え、各共振型電極３１，３２の形状及び形成位置、並びに各共振型電極への給電電極による給電位置は、互いに奇モード結合が可能なように設定され、該給電電極は、１本の入力配線部４０を複数に分岐した分岐配線部４１，４２を有し、各共振型電極には、該分岐配線部により同相又は所定位相差を有する制御信号が給電されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マッハツェンダ型変調器の出力特性の向上を図る。
【解決手段】マッハツェンダ型変調器１０は、第１光導波路１３ａ及び第２光導波路１３ｂと、第１光導波路１３ａに設けられた第１変調電極１６ａ及び第１調整電極１７ａと、第２光導波路１３ｂに設けられた第２変調電極１６ｂ及び第２調整電極１７ｂとを備える。このマッハツェンダ型変調器１０において、第１光導波路１３ａと第２光導波路１３ｂの間の位相差を維持しながら、第１調整電極１７ａと第２調整電極１７ｂにそれぞれ電気信号を供給し、第１光導波路１３ａと第２光導波路１３ｂの間の損失差を調整する。このような方法で位相差及び損失差を適切に調整することにより、消光比、チャープ特性の向上を図ることが可能になる。 （もっと読む）