【課題】光導波損失を低下させることが可能な半導体光変調器の製造方法等を提供する。
【解決手段】半導体光変調器の製造方法は、ｐ型半導体基板３上に、ｐ型半導体層５を形成する工程と、ｐ型半導体層５を表面５Ｓからエッチングしてｐ型半導体基板３の主面３Ｓに沿った第１の方向に沿って延びる孔部５Ｈを形成することにより、一対のストライプ構造５Ｐを形成する工程と、孔部５Ｈに埋め込み層１５を形成する工程と、埋め込み層１５上にコア層１７を形成する工程と、コア層１７上に、ｎ型半導体材料からなる上部クラッド層２３を形成する工程と、ｎ電極３７及びｐ電極３９を形成する工程と、を備える。埋め込み層１５は、ノンドープの半導体材料、ｐ型半導体層５よりもｐ型不純物濃度の低いｐ型半導体材料、又は、ｎ型不純物濃度が１×１０^１７ｃｍ^−３以下のｎ型半導体材料からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光を変調する光素子において、メサが欠けやすく、かつ、電極パッドの寄生容量が大きくなる。
【解決手段】光素子であって、リッジ状の光導波路部と、前記光導波路部に並んで配置された、メサプロテクタ部と、前記メサプロテクタ部の上部を覆うとともに、該メサプロテクタ部の両側に配置された樹脂部と、前記光導波路部上に配置された電極と、前記メサプロテクタ部に対して、前記光導波路部と反対側に位置する樹脂部上に配置された電極パッドと、前記樹脂部上に配置されるとともに、前記電極と前記電極パッドを電気的に接続する接続部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】精度の高い複屈折率調整が可能な半導体基板上の位相シフタを提供すること。
【解決手段】ＰＢＳ１００は、第１の光カプラ１１０と、複屈折率付与部１２０と、た複屈折率調整部１３０と、第２の光カプラ１４０とを、閃亜鉛鉱型構造を有する１０１半導体基板上に備える。複屈折率付与部１２０及び複屈折率調整部１３０が位相シフタとして機能する。第１のアーム導波路１０２の第５の導波路部１０２Ｃの上に、第１の電極１０２Ｄが配置され、第２のアーム導波路１０３の第４の導波路部１０３Ｂが有する第２の傾斜部分の上に第２の電極１０３Ｄが配置されている。第１の電極１０２Ｄが配置された第１の方向と、第２の電極１０３Ｄが配置された第２の方向は、複屈折率調整部１３０において、両電極に単位電圧を印加したときに、ＴＭ偏光に対する上下アーム導波路間の位相差が抑制され、ＴＥ偏光に対する上下アーム導波路間の位相差が増大される方向である。 （もっと読む）

【課題】複数のマッハツェンダー型導波路を入れ子構造に組み合わせた光変調器における合波部に合流する出力信号強度を適正に調整し、信号出力を容易に安定化することが可能な光変調器を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板３と、基板に形成され、複数のマッハツェンダー型導波路（１１〜１４）を並列に配置し、マッハツェンダー型導波路の入力導波路に接続される導波路を分岐して構成する分岐部と、マッハツェンダー型導波路からの出力導波路が合流する合波部とを有する光導波路と、光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極を備えた光変調器において、分岐部と分岐部から分岐した導波路が接続されるマッハツェンダー型導波路の入力導波路との間、あるいは、マッハツェンダー型導波路の出力導波路と合波部３６との間の少なくとも一つに、Ｙ分岐スイッチ（５１，５２）を設け、Ｙ分岐スイッチの分岐比を調整可能とする。 （もっと読む）

【課題】精度の高い複屈折率調整が可能な半導体基板上の位相シフタを提供すること。
【解決手段】ＰＢＳ１００は、第１の光カプラ１１０と、第１の複屈折率調整部１２０と、第２の複屈折率調整部１３０と、第２の光カプラ１４０とを閃亜鉛鉱型構造を有する半導体基板１０１上に備える。第１の複屈折率調整部１２０及び第２の複屈折率調整部１３０が位相シフタとして機能する。第１の複屈折率調整部１２０は、第１の幅の第１の導波路部１０２Ａと、第２の幅の第２の導波路部１０３Ａと、第１の電極１０２Ｂと、第２の電極１０３Ｂとで構成され、ここで、第１の幅は第２の幅よりも大きい。第２の複屈折率調整部１３０は、第１の導波路部１０２Ａから傾斜して配置された第３の導波路部１０２Ｃと、第２の導波路部１０３Ｂから傾斜して第３の導波路部１０２Ｃと平行に配置された第４の導波路部１０３Ｃと、第３の電極１０２Ｄと、第４の電極１０３Ｄとで構成される。 （もっと読む）

【課題】ＬＣＯＳによって実際に与えられる分散値には、設定値からの無視できないずれが生じていた。同じ印加電圧を加えても、ピクセルで実際に設定される位相値はピクセル番号によって僅かながら異なり、ＬＣＯＳのｘ軸上で位置依存性がある。１つの分散値に対するルックアップテーブル電圧データを使用して、ある番号のピクセルで適切な位相値が設定されていても、別の番号のピクセルではその適切な位相設定値からずれる。
【解決手段】本発明の方法では、設定した目標分散値から得られる位相設定値と、群遅延スペクトルを周波数に関して積分して得られた実際のＬＣＯＳの出力位相値との差分を求める。設定した目標位相設定値に求めた差分を加えた値を、新たな位相設定値として、ピクセル印加電圧へのフィードバックを行なう。実際に出力する位相分布が、設定した２次関数の位相分布により近くなり、群遅延リップルは抑制される。位相誤差のフィードバックを行うピクセル範囲を狭い範囲に限定しフィードバックの収束を高速に行う。 （もっと読む）

【課題】熱膨張係数の差に起因して光導波路基板の内部に発生する応力を低減することのできる光導波路デバイスを提供する。
【解決手段】厚さ３０μｍ以下の光導波路基板１１と、光導波路基板１１を保持し光導波路基板１１より誘電率が低い液晶ポリマ基板１２と、を有し、光導波路基板１１と液晶ポリマ基板１２が接着剤層１４によって接着された光導波路デバイス１０であって、光導波路基板１１と液晶ポリマ基板１２の熱膨張係数はそれぞれ基板面内に異方性を有し、光導波路基板１１の異方性の軸方向と液晶ポリマ基板１２の異方性の軸方向が揃うように、光導波路基板１１と液晶ポリマ基板１２の相対的向きが調整されている。 （もっと読む）

【課題】偽マスクの形成をさせると共にクラッド層がコンタクト層から露出することを回避可能にする、マッハツェンダー変調器を作製する方法を提供する。
【解決手段】マッハツェンダー変調器１１では、第１のウイング部４７ａが第４のIII−Ｖ化合物半導体の［１−１０］方向に延在する半導体順メサ縁５１ａと、第２のウイング部４７ｂが［１−１０］方向に延在する半導体順メサ縁５１ｂを有し、コンタクト層４７が［１−１０］方向に延在する半導体順メサ縁５１ｃを有する。故に、偽マスクの形成により導波路部１３ａの構造が乱されることがない。また、第１のウイング部４７ａは第１のトレンチ２３の外縁２３ａに到達し、第２のウイング部４７ｂは第２のトレンチ２５の外縁２５ａに到達する。故に、コンタクト層４７は、両ウイング部を形成可能な幅の半導体層から形成可能であるので、クラッド層４５がコンタクト層４７から露出されない。 （もっと読む）

【課題】量子井戸の位置による電界強度差を小さくすることができる光変調素子を提供する。
【解決手段】光変調素子は、ｐ−ＩｎＰクラッド層２２と、ｎ−ＩｎＰクラッド層２３と、ｐ−ＩｎＰクラッド層２２およびｎ−ＩｎＰクラッド層の間に挟まれ、かつ交互に積層された複数のウェル層１および複数のバリア層２を有する多重量子井戸４０とを備えている。複数のバリア層２は、ｎ−ＩｎＰクラッド層２３に含まれる第２導電型のドーパントが導入された第２導電型バリア層２ａを含んでいる。第２導電型バリア層２ａは、多重量子井戸４０においてｐ−ＩｎＰクラッド層２２に含まれる第１導電型のドーパントが拡散した範囲に設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板の同じ側面側に２つの信号電極の入力部がある場合でも、電気的クロストークを抑制し、製造コストの増加も抑えた進行波型光変調素子を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１と、基板に形成されたマッハツェンダー型光導波路を含む光導波路２と、光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極とを備える。変調電極は、マッハツェンダー型光導波路の２つの分岐導波路２１，２２に対して、別々の変調信号を印加する第１の信号電極３１と第２の信号電極３２とを有し、各信号電極は、基板の同じ側面側に変調信号入力部Ｔ１，Ｔ２を有する。信号電極の変調信号入力部Ｔ１、Ｔ２から作用部Ｓまでの少なくとも一部の領域では、第１の信号電極３１と第２の信号電極３２との間に配置された接地電極が、第１の信号電極に沿う第１の接地電極４１と第２の信号電極に沿う第２の接地電極４２に分離されている。 （もっと読む）

【課題】光導波路にＴＯ効果を低消費電力で発現できるとともに、光導波路の偏波保持特性の低下を抑制できること。
【解決手段】本発明の一態様にかかる光導波回路は、基板上に形成されたクラッド層と、クラッド層内に形成された光導波路と、クラッド層の上部であって光導波路の上方に形成され、光導波路を加熱するヒータとを備える。クラッド層は、光導波路の両側方に、この光導波路の延伸方向に沿って形成された溝領域を有する。この溝領域には、クラッド層の上面に平行であって光導波路の延伸方向に垂直な方向に向けて、少なくとも光導波路の側面に至る深さの溝部と中実部とが交互に形成される。この中実部は、この垂直な方向に溝領域の両端をつなぐように連続する。 （もっと読む）

【課題】制御装置などを必要とせずに、素子自体が動作点シフト抑制機能を有するネスト型光導波路構造の光導波路素子を提供する。
【解決方法】電気光学効果を有する、ニオブ酸リチウム等からなる基板と、基板上に形成された光導波路と、光導波路内を導波する光波を変調するための複数の変調用電極とを具え、光導波路は、光波の進行方向において２つに分岐して２本のメイン光導波を構成し、各メイン光導波路は光波の進行方向においてさらに２つに分岐して２本のサブ光導波路を構成し、２本のメイン光導波路は、メインマッハツエンダー型光導波路を構成するとともに、２本のサブ光導波路は、メインマッハツエンダー型光導波路内に組み込まれるようにしてサブマッハツエンダー型光導波路を構成し、基板の、相対向して位置する２つの前記サブマッハツエンダー型光導波路間において、熱伝導抑止領域を有するようにして光導波路素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】電気光学結晶への電荷の残留を解消することで、電気光学結晶の内部に形成される回折格子の回折効率のオフセットを抑え、回折格子による適切な光変調の実現する。
【解決手段】交流信号をデータ信号によって振幅変調させた振幅変調信号を電気光学結晶に印加する。これによって、電気光学結晶には正側負側の両側に振動する信号が印加されることとなり、電気光学結晶への電荷の残留が解消することができる。その結果、電気光学結晶の内部に形成される回折格子の回折効率のオフセットを抑えて、回折格子による適切な光変調の実現が可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＭＺ型導波路の合波部から放出される主出力光とモニタ光（放射モード光）との光強度変化が相補的関係となるように設定することが可能な光導波路素子を提供する。
【解決手段】基板に少なくとも１つのマッハツェンダー型導波路が形成され、該マッハツェンダー型導波路の出射側の合波部２０には、２本の分岐導波路２２，２３が導入されると共に、出力主導波路２４と該出力主導波路を挟む２本の出力副導波路２５，２６とが導出されるように構成された光導波路素子において、該分岐導波路２２，２３はシングルモード導波路で構成され、該合波部２０の導波路はマルチモード導波路で構成され、該マルチモード導波路の幅Ｗ２は、該シングルモード導波路の幅Ｗ１，Ｗ３よりも広く、かつ、該シングルモード導波路の幅の２倍の幅よりも狭く構成されている。 （もっと読む）

【課題】平板状の複屈折結晶を用いた、小型且つＰＭＤおよび偏波クロストークの特性が良好な偏波合成装置を提供する。
【解決手段】第１の出力導波路１０８１が出力端面Ｍに対して斜めに形成され、第２の出力導波路１０９１が第１の出力導波路１０８１と出力端面Ｍの双方に対して斜めに形成された光導波路素子１０と、第１及び第２の出力導波路１０８１，１０９１からそれぞれ出射された光を互いに平行な光にするレンズ２０と、光導波路素子１０又はレンズ２０からの出射光の偏波を回転させて該出射光を偏波が互いに異なる光ＬＯ，ＬＥとする偏波回転部３０と、偏波が互いに異なる光ＬＯ，ＬＥを偏波合成する偏波合成素子４０と、を備え、偏波合成素子４０の光伝搬方向の厚さＬは、偏波合成された光の偏波モード分散の許容最大値に対応する第１の厚さよりも小さく、偏波合成された光の偏波クロストークの許容最小値に対応する第２の厚さよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】
共振周波数の異なる複数の共振型電極を用いながら、変調効率が高く低コスト化することが可能な光制御素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成された光導波路２と、該基板に設けられ、該光導波路を伝搬する光の位相を制御するための制御電極３とを有する光制御素子において、該制御電極３は、該光導波路２に沿って配置される、共振周波数（ｆ１，ｆ２）の異なる複数の共振型電極３１，３２を有し、制御信号を入力する１つの入力配線３０と、該入力配線から分岐する分岐信号線が各共振型電極に接続され、かつ、該分岐信号線は、各共振型電極において該制御信号が該共振型電極に供給されるタイミングと、該光導波路を伝搬する光が当該共振型電極の近傍を通過するタイミングとを一致させるように構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】より小さな変調電圧振幅で高速変調可能なリング光変調器を提供することを目的とする。
【構成】実施形態のリング光変調器は、リング共振器１２０と入出力光導波路１１０とを備えている。そして、前記リング共振器を構成する閉ループ光導波路１２１の共振波長λ_ｒにおける群屈折率をｎ_ｇ、閉ループ光導波路１２１の周長をｌ［μｍ］、閉ループ光導波路１２１のうち光カプラ１３０として機能するリング共振器１２０の一部を除く残りの部分の導波路長をｌ’［μｍ］とするとき、光カプラ１３０の出力から入力までリング共振器１２０を周回する共振波長λ_ｒの光に対して、電流ＯＦＦ時の共振器一周回あたりの損失ｘ［％］と光カプラのパワー結合比ｙ［％］が、所定の式（２）から式（８）までの関係を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は，高周波信号の周波数帯において広い変調帯域を有する高周波信号の発生装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の光高周波信号発生器は，光コム信号を発生する光コム発生器１１と，光コム発生器１１から発生した光コム信号を分波する光分波器１３と，光分波器１３で分波された光コム信号を結合する光結合器１５と，光結合器１５が結合した光周波数成分の差周波信号を発生する光混合器１７と，光分波器１３から出力された光コム信号の一部から所定の成分を抽出するための第１の光フィルタ１９を有する。この第１の光フィルタ１９が抽出した光成分と，光コム信号のうち分波器で分波された光成分を光混合器が混合することで，差周波信号が発生する。 （もっと読む）

【課題】寄生抵抗が低減されたダイオード構造が形成できるようにする。
【解決手段】 この半導体素子は、ｎ型とされた窒化物半導体から構成されて主表面がＣ面方向とされている第１半導体層１０１と、第１半導体層１０１とは格子定数が異なる窒化物半導体から構成され、主表面がＣ面方向とされて第１半導体層１０１の上に形成された第２半導体層１０２と、第２半導体層１０２とは格子定数が異なるｎ型の窒化物半導体から構成され、主表面がＣ面方向とされて第２半導体層１０２の上に形成された第３半導体層１０３とを少なくとも備える。また、第２半導体層１０２は、臨界膜厚より薄く形成されている。加えて、第１半導体層と第２半導体層との格子定数の大小関係と、第３半導体層と第２半導体層との格子定数の大小関係とは同じとされている。 （もっと読む）

【課題】光吸収層の層厚を増加させることなく、消光比の偏波依存性の低減と、光閉じ込め係数の向上とを同時に図ることが可能な光ゲート素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１１上に、第１のクラッド層１２、バルク材料からなる光吸収層１３、および、第２のクラッド層１４が順次積層された導波路構造を備え、前記導波路構造は、光吸収層１３と第１のクラッド層１２との間、および、光吸収層１３と第２のクラッド層１４との間に光閉じ込め層１５、１６をさらに有し、光閉じ込め層１５、１６の屈折率が、第１および第２のクラッド層１２、１４の屈折率よりも大であるとともに、光吸収層１３の屈折率よりも小であることを特徴とする。 （もっと読む）