【課題】他の光機能回路との集積が容易に可能で、使用波長帯域が広い光リミッタ回路および光受信回路を提供すること。
【解決手段】本回路は、入力導波路１０７、吸収係数を高くした半導体導波路１０８、出力導波路１０９からなり、入力パワが数百ｍＷ以上になる場合、後段の光回路を保護するための光ヒューズ機能を有する光リミッタである。半導体は、温度上昇によってバンドギャップ波長が長波長にシフトするので、特定の波長において、温度上昇と共に吸収係数がさらに増大する。即ち、ある程度の吸収係数を持つ半導体導波路は、それ自身で光リミッタ特性を有する。この回路では、温度上昇が１００℃以上になるので、過大な入力で導波路が溶融し、光ヒューズとしても機能する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層上の導波路型光デバイスのコアに蓄積されるキャリア濃度を高くして、その変調効率を高くする。
【解決手段】絶縁性の第１のクラッド層４と、前記第１のクラッド層４の一面に設けられた半導体の光導波層６と、前記光導波層６を覆う絶縁性の第２のクラッド層８とを有し、前記光導波層６は、一方向に延在するコア１４と、前記コア１４の一方の側面に接し前記コア１４より薄い第１のスラブ部１８と、前記コア１４の他方の側面に接し前記コア１４より薄い第２のスラブ部２２とを有し、前記第１のスラブ部１８は、前記コア１４に沿うｎ型領域１６を有し、前記第２のスラブ部２２は、前記コア１４に沿うｐ型領域２０を有し、前記ｎ型領域１６と前記ｐ型領域２０の間の領域には、バンドギャップが前記ｎ型領域１６及び前記ｐ型領域２０より狭くなるように、ｎ型不純物及びｐ型不純物がドーピングされている。 （もっと読む）

【課題】横幅方向の小型化を図ることができると共に、波長精度及び光出力精度を向上させることができる半導体光変調素子及び光半導体モジュールを提供する。
【解決手段】光導波路５を備える導波路型光変調器４において、導波路型光変調器４の光出射側の端面における光導波路５の有する光伝搬の有効範囲、すなわち、半導体光導波路構造を伝搬する光の基本モードが分布する領域の外の領域を、光導波路５を中心に横方向に対称に斜めに加工した。 （もっと読む）

【課題】コストの上昇や特性の低下を招くことなく、実装が容易な状態で、ＬＳＩのチップ間やチップ内の信号伝送を、光配線で行えるようにする。
【解決手段】素子形成領域１２２のシリコン上にエピタキシャル成長により形成した半導体層を光吸収層として備えて素子形成領域１２２に形成された光素子１２３と、光導波領域１２１に形成された溝部１０１ａと、溝部１０１ａに充填されて形成された下部クラッド層１０２と、下部クラッド層１０２の上に形成されて光素子１２３に光接続するコア１０３と、コア１０３の上に形成された上部クラッド層１０４と、コア１０３よりなる光導波路の光導波方向に垂直な方向の素子形成領域１２２の側部の基板１０１上に形成されて、光素子１２３に電極引き出し部１０５を介して接続する電極パッド部１０６とを備える。 （もっと読む）

【課題】
駆動電圧の増加を抑制しながら周波数応答特性の広帯域化が可能な光変調器を提供することであり、さらには、製造に掛る時間やコストの増加を抑制した光変調器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成された光導波路２と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極とを有する光変調器において、該変調電極は、信号電極Ｓとそれを挟むように配置される接地電極Ｇとからなるコプレーナ型電極であり、該信号電極と該接地電極との間隔（Ｇ１，Ｇ２）は、基板に最も近い部分から基板からはなれる方向に向かって徐々に広くなるよう構成され、少なくとも該信号電極全体は、単一の材料から構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
特別な製造工程を用いることなく、光導波路自体に偏光子作用を安定的に付加することが可能な導波路型偏光子を提供すること。
【解決手段】
Ｚカット型のニオブ酸リチウム基板１と、該基板上にリッジ構造の光導波路が形成された導波路型偏光子において、該リッジ構造の幅は、該光導波路を伝播する光波の常光の光分布が変化するリッジ幅であり、かつ、該光波の異常光の光分布が変化しないリッジ幅であり、該リッジ構造の角度は９０°よりも小さく、該リッジ構造の側面に、膜厚が０≦ｎ・ｔ／λ≦０．３７４２の条件（ただし、ｎは屈折率，ｔは膜厚，λは光波の波長であり、膜厚、波長の単位はμｍである。）を満足する低屈折率膜３が形成され、該低屈折率膜の上に、膜厚が０．０８９≦ｎ・ｔ／λの条件を満足する高屈折率膜４が形成されて、異常光透過偏光子機能を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減できる光変調器を得る。
【解決手段】マッハツェンダ型光変調器３は、入力光の強度又は位相を変調させる。マッハツェンダ型光変調器３の出力に出力光導波路４が接続されている。マッハツェンダ型光変調器３から出力された変調光は出力光導波路４を伝播する。出力光導波路４に近接して受光部５，６が配置されている。受光部５，６は、出力光導波路４からの漏洩光を検知する。これらのマッハツェンダ型光変調器３、出力光導波路４、及び受光部５，６は、１つのｎ型ＩｎＰ基板１上にモノリシックに集積されている。 （もっと読む）

【課題】光導波路素子と接続基板との電気的接続の不連続性を減少させ、電気特性の劣化を防止した光導波路素子モジュールを提供する。
【解決手段】光導波路を伝搬する光波を制御する制御電極を有する光導波路素子と、該制御電極と電気的に接続された配線を有する接続基板とを筐体内に収容する光導波路素子モジュールにおいて、該制御電極は、信号電極と該信号電極を挟むように配置された接地電極とから構成され、該接続基板は、信号線路と該信号線路を挟むように配置された接地線路とが設けられ、該制御電極の入力端部又は出力端部における該接地電極の間隔Ｗ１が、該接続基板の該光導波路素子側の該接地線路の間隔Ｗ２よりも大きく、該制御電極は、該入力端部又は該出力端部から離れた部分に、該接地電極の間隔が該間隔Ｗ２よりも小さい部分を有し、該光導波路素子と該接続基板とを繋ぐ接地用の配線間隔Ｗは、少なくとも該間隔Ｗ１よりも小さい配線を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光損失および駆動電圧を低減でき、かつ半導体レーザとの集積が容易な光変調器を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の光変調器は、光を変調する変調領域と、該変調領域に隣接したパッシブ領域とを有し、該変調領域および該パッシブ領域には、半導体基板と、該半導体基板上のｎ型クラッド層と、該ｎ型クラッド層上のコア層と、該コア層上のｐ型クラッド層と、が形成され、該変調領域には、該ｐ型クラッド層と、該ｐ型クラッド層上のコンタクト層と、該コンタクト層上のＰ側電極と、が形成され、 該パッシブ領域において、該コア層と該ｐ型クラッド層との間にノンドープクラッド層が形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発生するテラヘルツ波を比較的高いスピードで変調することが可能な電気光学結晶を含むテラヘルツ波発生素子などを提供する。
【解決手段】テラヘルツ波発生素子の一例は、光を伝播させる電気光学結晶４を含む導波路と、導波路を伝播する光から発生するテラヘルツ波を空間に取り出す光結合部材７と、少なくとも２つの電極６a、６bを備える。電極６a、６bは、導波路に電界を印加することにより、電気光学結晶４の１次電気光学効果により導波路を伝播する光の伝播状態に変化を与える機能を有する。導波路の電気光学結晶４の結晶軸は、２次非線形過程により発生するテラヘルツ波と導波路を伝播する光との位相整合が取れる様に設定される。 （もっと読む）

【課題】光の吸収損や電気信号の導波損を低減し得る半導体光素子及びマッハツェンダー型光変調素子を提供する。
【解決手段】マッハツェンダー型光変調素子１Ａの位相制御部１０は、ｎ型下部クラッド層１３、コア層１４ａ及び１４ｂ、並びに上部クラッド層１５ａ及び１５ｂをそれぞれ含むメサ構造部１９ａ及び１９ｂを有する。メサ構造部１９ａの上部クラッド層１５ａは、コア層１４ａ上に配置された第一領域１５１ａと、第一領域１５１ａ上に並んで配置された第二領域１５２ａ及び第三領域１５３ａとを含む。メサ構造部１９ｂの上部クラッド層１５ｂは、コア層１４ｂ上に配置された第四領域１５１ｂと、第四領域１５１ｂ上に並んで配置された第五領域１５２ｂ及び第六領域１５３ｂとを含む。領域１５１ａ，１５２ａ，１５１ｂ，及び１５２ｂはｐ型半導体からなり、領域１５３ａ，１５３ｂはアンドープ半導体からなる。 （もっと読む）

【課題】入射光を２つの偏波に分離して光回路に入射する光回路装置において、ＰＤＬ及び挿入損失を低減する。
【解決手段】光回路と、入射波から２つの偏波への分離、及び２つの偏波から出射波への合成を行う偏波分離合成器と、前記光回路及び前記偏波分離合成器の間を接続し、前記分離された２つの偏波が個々に入射される第１及び第２の光導波路と、
前記第１の光導波路に配置され、前記偏波分離合成器により分離された一方の偏波の偏波面を、前記分離されたもう一方の偏波の偏波面となるよう回転する偏波回転素子と、を平面基板上に集積したことを特徴とする光回路装置。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＣと他の導波路型光素子とが付き合わせ接続されて構成された光素子チップをパッケージに収納する光モジュールにおいて、熱応力による光学的・機械的信頼性の低下を抑制すること。
【解決手段】光モジュール３００は、ＧａＮ系光変調器３１１の両端に第１及び第２のＰＬＣ３１２、３１３が突き合わせ接続された光素子チップ３１０と、ＧａＮ系光変調器３１１が固定された凸部３２０Ａを有するパッケージ３２０とを備える。パッケージ３２０の材料を、熱膨張係数がＧａＮ系光変調器とＰＬＣの両方に合うように選択することが可能であり、そのような場合、ＧａＮ系光変調器３１１に加えて、第１及び第２のＰＬＣ３１２、３１３もパッケージ３２０の凸部３２０Ａに固定することができる。たとえば、パッケージ３２０の材料として、熱膨張係数が５．３×１０^-6／Ｋ程度のコバールを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ＭＺ光変調器を備えた光伝送装置であって、消光比が高く、かつ、チャープが少ない形で光を変調できる光伝送装置を提供する。
【解決手段】光伝送装置は、一方のアーム１１_１に、その光吸収係数が他の部分に比べて大きな、出力光の強度が最小となる電圧を各電極１５に印加した場合におけるアーム１１_１の伝搬損失とアーム１１_２の伝搬損失とが一致するように、その形状が定められた損失調整部１４が設けられている半導体ＭＺ光変調器１０と、半導体ＭＺ光変調器１０の各電極１５に、同時刻における時間変化率の正負が逆の，振幅が等しい変調電圧を印加する駆動回路１８とを、備える。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板上に形成されたシリコンベース電気光学装置における、高効率な光接続を実現し、高速動作と光伝搬損失の低減とを両立させることができる電極接続構造を提供する。
【解決手段】電気光学装置において、第１の導電型の第１のシリコン半導体層と第２の導電型の第２のシリコン半導体層との積層構造がリブ導波路形状を有して光の閉じ込め領域を構成し、リブ導波路のスラブ部分に、金属電極が接続された領域を設ける。金属電極が接続された領域においてスラブ部分の厚さをその周囲のスラブ部分の厚さよりも大きくする。金属電極が接続された領域までのリブ導波路からの距離を変化させたときにリブ導波路の０次モードの実効屈折率が変化しないようなその距離の範囲内に、金属電極が接続された領域を設定する。 （もっと読む）

【課題】電気的終端中のコンデンサが壊れた場合でもバイアス電源を保護でき、またバイアス電源で使用されているオペアンプの発振を抑圧できる光変調器モジュールを提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成された光を導波するための光導波路２と、前記基板の一方の面側に形成され、前記光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための中心導体３ａ及び接地導体３ｂ、３ｃからなる電極とからなる光変調器５０と、前記光変調器の前記電極に接続され、当該電極を通過した高周波電気信号を終端する電気的終端２４と、前記光変調器と前記電気的終端とを内部に配置する筐体７と、を有する光変調器モジュールにおいて、前記電気的終端は終端抵抗２５とコンデンサ１４とを含んでおり、前記終端抵抗の所定の位置にして当該位置で前記終端抵抗が実質的に分割された状態でバイアス電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】バルクシリコン基板を使用する変調器を提供する。
【解決手段】所定の幅及び所定の深さにエッチングされたトレンチを備えるバルクシリコン基板２８１と、バルクシリコン基板２８１のトレンチに形成される下部クラッド層２８０と、下部クラッド層２８０上に形成される複数個の導波路２１０，２３０，２４０，２６０と、下部クラッド層２８０上に形成され、導波路２３０の屈折率を変調して、導波路２３０を通過する光信号の位相を変調する位相変調部２７０と、複数個の導波路２１０，２３０，２４０，２６０及び位相変調部２７０上に形成される上部クラッド層と、を備える変調器２００である。 （もっと読む）

【課題】小型化および集積化した強誘電体材料による光スイッチおよび光変調器
【解決手段】単結晶のベース基板と、ベース基板の表面に形成され、ペロブスカイト構造を有し、且つ、自発分極を有する菱面体晶の強誘電体薄膜とを備える基板構造体および基板構造体を製造する製造方法を提供する。強誘電体薄膜に形成された光導波路と、光導波路に対して、ベース基板の表面と平行な方向の電界を印加する電界印加部とを更に備えてよい。電界印加部は、光導波路に印加される電界の電界方向と、強誘電体薄膜における自発分極の方向とが平行となるように、電界を発生してよい。 （もっと読む）

【課題】マッハツェンダ部間のクロストークを抑制すること。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１０と、前記基板に設けられたメイン導波路１４と、前記基板に設けられ前記メイン導波路に結合された複数の第１導波路と、少なくとも前記第１導波路間と前記第１導波路上とに設けられ前記第１導波路内にＤＣ電界を発生させる第１ＤＣ電極２４と、を備える第１マッハツェンダ部５０と、前記第１導波路それぞれに対応し、前記基板に設けられ前記第１導波路のそれぞれに複数結合された第２導波路１６と、前記第２導波路内にＤＣ電界を発生させる第２ＤＣ電極２６と、を備える複数の第２マッハツェンダ部５２と、を具備し、前記複数の第２マッハツェンダ部のうち少なくとも１つは、前記第２ＤＣ電極が前記第２導波路間に設けられておらず少なくとも前記第２導波路上に設けられている光デバイス。 （もっと読む）

【課題】井戸層数、変調器長を変化させないまま消光比を増大する光半導体装置を提供することにある。
【解決手段】半導体混晶からなる基板１１と、基板１１の上に形成される、量子井戸層、バリア層を含む多重量子井戸構造の活性部１２と、活性部１２の上下をそれぞれ覆う上下クラッド部１３，１４とからなる電界吸収型光変調器を有し、上クラッド部１３の一部をエッチングし、光波長程度の幅のリッジメサ部１５をもつ、リッジ導波路構造を作製し、リッジメサ部１５の両脇を熱伝導率の小さい有機材料で埋め込んだ埋め込み部１６を設けた。 （もっと読む）