【課題】製造工程の増大を抑制し、コンタクト抵抗および界面抵抗の増大を防止する。
【解決手段】実施形態において、シリコン層は、ゲートラストスキームを用いた機能的ゲート電極の製造後に、形成される。初期的な半導体構造物は、半導体基板上に形成された少なくとも一つの不純物領域、不純物領域の上に形成された犠牲膜、犠牲膜の上に形成された絶縁層、絶縁層の上に形成された絶縁層を備える。ビアは、初期の半導体構造物の絶縁層へ、および、コンタクト開口部が絶縁層に形成されるように絶縁層の厚さを通り抜けて、パターン化される。次に、絶縁層の下にある犠牲膜は、絶縁層の下に空隙を残して除去される。次に、金属シリサイド前駆体は、空隙スペースに配置され、金属シリサイド前駆体は、アニールプロセスを通じてシリサイド層に変換される。 （もっと読む）

【課題】高温にも耐え得る矩形断面の正確な金属薄膜パターンを、簡単な工程によって製造可能とすること。
【解決手段】下記に示す感光性金属錯体を含む塗布液１を基板１０に塗布し（Ａ）マスク２０を介して所定の部分のみを露光した（Ｂ）。露光によりエステル結合が切れて易溶化した可溶部１Ａを（Ｃ）、ＴＭＡＨ水溶液により除去し（Ｄ）、不溶部１Ｂを金属化するまで加熱し（Ｅ）、Ｃｕ等の金属３０でメッキする（Ｆ）。
【化９】
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【課題】被処理基板を加熱してトレンチやホールの間口部のオーバーハングを抑制しつつ金属膜を成膜するとともに、成膜後に速やかに被処理基板の温度を低下させることができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】載置台を低温に保持して、載置台上に被処理基板を吸着させずに載置する工程と、プラズマ生成ガスのプラズマを生成し、載置台に高周波バイアスを印加した状態で、被処理基板にプラズマ生成ガスのイオンを引きこんで被処理基板を予備加熱する工程と、ターゲットに電圧を印加して金属粒子を放出させ、プラズマ生成ガスのイオンとともにイオン化した金属イオンを被処理基板に引きこんで金属膜を形成する工程と、被処理基板を低温に保持された載置台に吸着させ、載置台と被処理基板との間に伝熱ガスを供給して被処理基板を冷却する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】無電解メッキパターンを正確に形成できる無電解メッキパターン形成用組成物、塗布液、及び無電解メッキパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】表面を有機物１０３で修飾されるとともに、前記表面１０３に触媒金属微粒子１０５を担持した金属化合物粒子１０１を含む無電解メッキパターン形成用組成物。前記有機物１０３としては、3-ヒドロキシ-4-ピロン誘導体、又は1,2-ジオールが挙げられる。前記触媒金属微粒子１０５としては、パラジウム、銀、白金、ニッケル、及び銅からなる群から選ばれる１種以上の微粒子が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】微細化が容易で、短チャネル効果が生じにくい半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタのチャネル長方向の断面形状において、アスペクト比の大きいゲート電極上に半導体層を形成することで、トランジスタを微細化しても短チャネル効果が生じにくいチャネル長を確保できる。また、半導体層と重畳し、ゲート電極より下層に絶縁層を介して下部電極を設ける。下部電極と重畳する半導体層は、下部電極の電位（電界）により導電型が付与され、ソース領域及びドレイン領域が形成される。半導体層の、ゲート絶縁層を介してゲート電極と対向する領域は、ゲート電極がシールドとして機能し、下部電極の電界の影響を受けない。すなわち、不純物導入工程を用いることなく、自己整合によりチャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を形成することができる。これにより、微細化が容易で、短チャネル効果が生じにくい半導体装置が実現できる。 （もっと読む）

【課題】電極材料が拡散するのを抑制し、特性の向上を実現する。
【解決手段】半導体装置を、ゲート電極３とゲート絶縁膜２との間、Ａｌ含有オーミック電極４、５とＡｕ配線９との間、及び、ゲート電極３の下方及びＡｌ含有オーミック電極４、５の上方、のいずれかに設けられ、第１ＴａＮ層６Ａ、Ｔａ層６Ｂ、第２ＴａＮ層６Ｃを順に積層した構造を有する電極材料拡散抑制層６を備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】貫通電極の形成に時間を要さず、貫通電極内でのボイドの発生を抑制できる半導体装置、およびこの半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置１は、孔１１１が形成された絶縁性あるいは半導体の層１１と、層１１の孔１１１内に設けられた貫通電極１２と、を備える。貫通電極１２は、シード層１２１と、めっき層１２２と、を備える。シード層１２１は、孔１１１の底面１１１Ａを覆う。また、シード層１２１は、孔１１１の側面１１１Ｂのうち、孔１１１の開口から、孔１１１の開口と孔１１１の底面１１１Ａとの間の所定の位置までの第１の領域を未被覆とし、この第１の領域（未被覆領域）１１１Ｂ１を除いた第二の領域を被覆している。めっき層１２２は、シード層１２１と、未被覆領域１１１Ｂ１の少なくとも一部を覆う。 （もっと読む）

【課題】占有面積が小さく、高集積化、大記憶容量化が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の制御ゲート、第２の制御ゲート及び記憶ゲートを有するトランジスタを用いる。記憶ゲートを導電体化させ、該記憶ゲートに特定の電位を供給した後、少なくとも該記憶ゲートの一部を絶縁体化させて電位を保持させる。情報の書き込みは、第１及び第２の制御ゲートの電位を記憶ゲートを導電体化させる電位とし、記憶ゲートに記憶させる情報の電位を供給し、第１または第２の制御ゲートのうち少なくとも一方の電位を記憶ゲートを絶縁体化させる電位とすることで行う。情報の読み出しは、第２の制御ゲートの電位を記憶ゲートを絶縁体化させる電位とし、トランジスタのソースまたはドレインの一方と接続された配線に電位を供給し、その後、第１の制御ゲートに読み出し用の電位を供給し、ソースまたはドレインの他方と接続されたビット線の電位を検出することで行う。 （もっと読む）

【課題】電気特性の変動が生じにくく、且つ電気特性の良好な半導体装置の作製方法を提供することである。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、酸化物半導体膜を形成し、第１の酸化物半導体膜を形成した後、加熱処理をして第２の酸化物半導体膜を形成し、第１の導電膜を形成し、厚さの異なる領域を有する第１のレジストマスクを形成し、第１のレジストマスクを用いて第２の酸化物半導体膜および第１の導電膜をエッチングして第３の酸化物半導体膜および第２の導電膜を形成し、第１のレジストマスクを縮小させて、第２のレジストマスクを形成し、第２のレジストマスクを用いて第２の導電膜の一部を選択的に除去することでソース電極およびドレイン電極を形成する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】めっき膜からデフェクトを容易に除去することが可能なめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置２０は、基板２を回転保持する基板回転保持機構１１０と、基板回転保持機構１１０に保持された基板２に対してめっき液３５を供給するめっき液供給機構３０と、を備えている。また、基板回転保持機構１１０に保持された基板２に対して物理力を印加することにより基板２を洗浄する物理洗浄機構７０が設けられている。物理洗浄機構７０は、基板２が乾燥されるよりも前に基板２に対して物理力を印加することにより、基板２上のめっき膜からデフェクトを除去する。 （もっと読む）

【課題】ニッケルめっき電極を備え、低ＶＦを兼ね備えた半導体装置の製造方法、および、半導体装置を提供することを目的としている。
【解決手段】ｎ型半導体基板の一方の表面近傍に、小電流領域の電圧降下を得るべく濃度設定されたｐ型の半導体層を形成してｐｎ接合を形成する工程と、ｐ型の半導体層表面に、鉛を含有するガラスパッシベーション膜を形成し、形成したガラスパッシベーション膜の一部を除去して開口部を形成する工程と、開口部を形成した後、ｐ型の半導体層表面に、アルミニウムの膜を形成する工程と、アルミニウムとｐ型の半導体層のシリコンを、熱処理により反応させてアルミニウム・シリサイド膜を生成する工程と、アルミニウム・シリサイド膜上部に存在するシリコンと未反応のアルミニウムを、エッチングにより除去して表面を粗面化する工程と、粗面化されたアルミニウム・シリサイド膜の上にニッケル電極を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】大面積の素子の製造が容易であり、ソース電極及びドレイン電極を形成する際にゲート絶縁層を損傷せず、有機絶縁材料が有する柔軟性を損なわない、有機薄膜トランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】ゲート電極、及び該ゲート電極を被覆し、有機絶縁材料を含むゲート絶縁層を形成する工程；該ゲート絶縁層上に塗布法、無電解めっき法又は原子層堆積法を用いて導電性材料からなる第１導電層を成膜する工程；該第１導電層上にパターンニングされた第２導電層を形成する工程；該第２導電層で被覆されていない第１導電層の部分を除去して、第１導電層及び第２導電層からなるソース電極及びドレイン電極を形成する工程；及びソース電極、ドレイン電極、及び該ソース電極と該ドレイン電極に挟まれた領域のゲート絶縁層が被覆されるように、有機半導体層を形成する工程；を有する、有機薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】柔軟性及び耐久性に優れ、素子特性が優れ、しかも大面積化が容易なボトムゲート・ボトムコンタクト構造の有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】第１導電層及び第２導電層からなるソース・ドレイン電極を有するボトムゲート・ボトムコンタクト構造の有機薄膜トランジスタであって、第１導電層は、酸化タングステン、酸化銀、酸化銅、酸化亜鉛、銀塩、銀及び銅からなる群から選ばれる１種以上の材料を含み、該第２導電層は、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｚｎ、Ｚｒ、及びこれらの金属のいずれかを含む合金からなる群から選ばれる１種以上の材料を含む、有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】作製工程を大幅に削減し、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供する。消費電力が少なく、信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ゲート配線上の一部を含む半導体層のエッチングと、画素電極とドレイン電極を接続するためのコンタクトホールの形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行うことで、フォトリソグラフィ工程を削減する。これにより露出したゲート配線の一部を絶縁層で覆い、これに液晶層の間隔を維持するスペーサを兼ねさせる。フォトリソグラフィ工程を削減することにより、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供することができる。また、半導体層に酸化物半導体を用いることで、消費電力が低減され、信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい発光表示装置を、作製工程を大幅に削減して低コストで作製する方法を提供する。
【解決手段】剥離層を介して基板上に素子領域を形成する際に、半導体層のエッチングと、画素電極とドレイン電極を接続するためのコンタクトホールの形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行う。更に素子領域を基板から剥離して、じん性の高い第１の支持体に設け、第１の支持体及びじん性の高い第２の支持体で液晶素子を挟持することで、薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい発光表示装置を、作製工程を大幅に削減して低コストで作製できる。 （もっと読む）

【課題】析出膜厚が均一で、めっき反応の促進効果を持ち皮膜の未析出問題がなく、自己分解による浴内析出のない浴の安定性に優れ、被めっき物となる導体の組成等に影響されない無電解Ｐｄめっき液と無電解Ａｕめっき方法を提供する。
【解決手段】表面がＣｕ、Ｎｉ−Ｐからなる導体上にＰｄあるいはＡｕの皮膜を形成する無電解めっき方法において、前記導体表面に触媒層として置換還元めっき方法によりＰｔとＲｕを０．０５ｍｇ／ｄｍ^２以下の付与量で形成する工程と、前記ＰｔとＲｕからなる触媒層を付与した導体上にＰｄあるいはＡｕの無電解めっき皮膜形成処理を行う工程とからなり、前記無電解めっき液の、ｐＨが５以下で、炭素の数が３以下のアルコールを含有していることを特徴とする無電解めっき方法。 （もっと読む）

【課題】無電解めっき方法において、パラジウム等の貴金属を使用することなく、またクロム酸等の有害な薬剤を使用せずにめっきと被めっき物間の良好な密着性を確保でき、かつ、めっき液を繰り返し使用することができる無電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】被めっき物の表面上に、めっき金属の金属イオンを還元する能力を有する有機残基を側鎖に含有するポリマーを塗設する工程（１）と、前記ポリマーが塗設された被めっき物の表面上に、前記金属イオンを含みこの金属イオンを還元しうる還元剤を含まない溶液中において、前記金属イオンの部分還元金属酸化物を析出させる工程（２）と、前記金属イオンを還元しうる還元剤を含む溶液中において、前記部分還元金属酸化物を自己触媒性を有するめっき金属に還元する工程（３）と、被めっき物の表面上に、無電解めっき液中においてめっき金属の被膜を形成する工程（４）と、を含む無電解めっき方法。 （もっと読む）

【課題】導電性、透明性、フレキシブル性、導電性の面均一性に優れた透明電極と、該透明電極を用いた、寿命に優れた有機電子素子を提供する。
【解決手段】透明基板上に、少なくともパターン状に形成された金属粒子を含有する金属導電層と、少なくとも導電性ポリマーを含有するポリマー導電層を有し、かつ、該金属導電層が、該ポリマー導電層で被覆積層されている透明電極であって、該金属導電層表面の一部が絶縁層により被覆されている事を特徴とする透明電極及び有機電子素子。 （もっと読む）

【課題】従来のＣＭＰを伴うダマシン法を用いた配線や電極の形成は、製造工程が煩雑であり高コスト化している。表示装置等の大型基板に配線形成を行うには平坦性等の高精度が要求されて好適せず、また研磨による配線材料の除去・廃棄量が多いという課題がある。
【解決手段】配線の形成方法及び配線を有する表示装置の形成方法は、基板上若しくは回路素子上に設けられた第１の金属拡散防止膜上に、金属シード層をＣＶＤ法により形成し、フォトレジストマスクを用いて選択的に無電解メッキ法、又は電解メッキ法により、金属配線層を形成し、金属シード層及び第１の金属拡散防止膜の不要領域除去と、金属シード層及び金属配線層及び第１の金属拡散防止膜の側面を含む表面を覆うように無電解メッキ法による第２の金属拡散防止膜の選択的な形成とにより配線及び電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】メッキ膜上に置換メッキ膜を十分な厚みで確実に形成されている電子部品を提供する。
【解決手段】基板２上に、無電解メッキにより形成された第１のメッキ膜と、第１のメッキ膜上に形成された第２のメッキ膜、すなわち置換メッキ膜とを有する電極３，４が形成されており、第１のメッキ膜において、面積をＳ、第１のメッキ膜のメッキ膜が存在しない部分との境界の該境界に沿う長さ方向寸法の合計をＬとしたき、比Ｓ／Ｌが０．２以下である、電子部品１。 （もっと読む）