【課題】真空装置を使用せずに、トランジスタ等の半導体装置に適用できるＭＯＳ構造の積層膜を形成する。
【解決手段】成膜方法は、半導体膜３を有する基板に、ポリシラン溶液を塗布し、半導体膜３上にポリシラン膜５を形成する工程（ＳＴＥＰ１）と、ポリシラン膜５上に、金属塩溶液を塗布し、金属イオン含有膜７を形成することにより、ポリシラン膜５をポリシロキサン膜５Ａへ、金属イオン含有膜７を金属微粒子含有膜７Ａへ、それぞれ改質する工程（ＳＴＥＰ２）を備え、ＭＯＳ構造の積層膜１００を形成する。 （もっと読む）

【課題】ゲート誘電体の上に複数のシリサイド金属ゲートが作製される相補型金属酸化物半導体集積化プロセスを提供する。
【解決手段】形成されるシリサイド金属ゲート相の変化を生じさせるポリＳｉゲートスタック高さの変化という欠点のないＣＭＯＳシリサイド金属ゲート集積化手法が提供される。集積化手法は、プロセスの複雑さ最小限に保ち、それによって、ＣＭＯＳトランジスタの製造コストを増加させない。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を破壊することを防止しつつ半導体素子の金属膜に対し安価に成膜できるとともに容易に厚膜化できる成膜付半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン層１１に重ねてアルミ膜１２を有する半導体素子１０に対しコールドスプレー装置３０によって成膜する成膜付半導体素子の製造方法は、第１工程と、第２工程とを有する。第１工程では、コールドスプレー装置３０が、アルミ膜１２の厚さＶ１より小さい粒径Ｒ１の第１銅粉末４１を噴射することにより、アルミ膜１２の表面に下地層２１を形成する。第２工程では、コールドスプレー装置３０が、第１銅粉末の粒径Ｒ１より大きく且つ下地層２１の表面からアルミ膜１２とシリコン層１１との境界面までの寸法Ｖ２より小さい粒径Ｒ２の第２銅粉末４２を噴射することにより下地層２１に重ねて厚膜層２２を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板やゲート絶縁膜の露出表面と、ソース電極およびドレイン電極の露出表面とに、良好で均一な膜質の半導体薄膜を設けることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１ａは、有機材料または酸化物材料またはシリコン系材料からなるゲート絶縁膜（絶縁層）１５上に、導電性酸化物材料からなる酸化物材料層１７-aとこの上部の金属材料層１７-bとからなるソース電極およびドレイン電極が設けられたものである。そしてゲート絶縁膜（絶縁層）１５とソース電極１７ｓおよびドレイン電極１７ｄとにおける酸化物材料層１７-aとの露出面が、自己組織化膜１９で覆われており、この自己組織化膜１９で覆われた上部のソース電極１７ｓ−ドレイン電極１７ｄ間にわたって半導体薄膜２１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 ビアホール上にオーミック電極が形成された半導体装置において、装置の小型化を図ること。
【解決手段】 本半導体装置は、基板１０と、基板１０上に形成された半導体層１２と、半導体層上１２に形成されたソースまたはドレイン電極を構成するオーミック電極２０と、を備え、基板１０及び半導体層１２には、基板１０及び半導体層１２を貫通するビアホール３０が形成され、ビアホール３０は、少なくとも半導体層を貫通する第１ビアホール３２と、第１ビアホール３２下の基板１０に形成された、第１ビアホール３２より開口断面積が大きい第２ビアホール３４と、を含み、オーミック電極２０は、第１ビアホール３２の上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、太陽電池の電極として用いられる導電性電極パターンを提供する。
【解決手段】基板１００上に上下に配設された下部金属膜及び上部金属膜を含み、該下部金属膜及び該上部金属膜のうちのいずれか一つは銀（Ａｇ）を含み、該下部金属膜及び該上部金属膜のうち他の１つは、該下部金属膜及び該上部金属膜のうちのいずれか一つと異なる遷移金属を含む。 （もっと読む）

【解決課題】 複数の微細な貫通孔が存在するシリコン基板において、半導体プロセスに依らない簡素な技術により平坦部のみならず貫通孔内部にも密着性が良好な金属膜を成膜して、高密度実装用途に好適なシリコン基板を提供する。
【解決手段】 めっき前処理によりシリコン基板の平坦部と貫通孔内部の清浄シリコン表面を現出させ、ニッケル置換めっき・無電解銅めっき（Ｓ４）を順に行うことにより、シリコン基板の全ての貫通孔の内壁全面ならびに主面の全面もしくは一部の面を直接被覆し、密着性に優れ良好な導電性を示す膜を有するめっき層付シリコン基板を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも大幅に少ない原材料及び製造エネルギーを用いて製造することが可能な電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ソース領域１４４及びドレイン領域１４６並びにチャネル領域１４２を含む酸化物導電体層１４０と、チャネル領域１４２の導通状態を制御するゲート電極１２０と、ゲート電極１２０とチャネル領域１４２との間に形成され強誘電体材料からなるゲート絶縁層１３０とを備え、チャネル領域１４２の層厚は、ソース領域１４４の層厚及びドレイン領域１４６の層厚よりも薄い電界効果トランジスタ。酸化物導電体層１４０は、型押し成形技術を用いて形成されている。 （もっと読む）

【課題】透明性、導電性且つ生産後のロール状態での保存性が良好な有機電子デバイス用電極の提供。
【解決手段】透明基材上に、導電性の金属細線パターンと、導電性ポリマー層を設けた有機電子デバイス用電極において、該金属細線パターンの金属細線の厚みをａとし、開口部における該導電性ポリマー層の厚みをｂとしたとき、以下式１〜式３で表される条件を満たし、且つ、導電性ポリマー層がπ共役系導電性高分子とポリアニオンとを含んでなる導電性ポリマーおよび下記ポリマー（Ａ）を有する有機電子デバイス用電極。０．２≦ａ≦２．０（式１）０．２≦ｂ≦２．０（式２）−０．２≦ｂ−ａ≦１．８（式３）
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【課題】Ｃｕ系合金配線膜と半導体層との間に通常設けられるバリアメタル層を省略しても優れた低接触抵抗を発揮し得、さらに密着性に優れた配線構造を提供する。
【解決手段】本発明の配線構造は、基板の上に、基板側から順に、半導体層と、Ｃｕ合金層とを備えた配線構造であって、前記半導体層と前記Ｃｕ合金層との間に、基板側から順に、窒素、炭素、フッ素、および酸素よりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含有する（Ｎ、Ｃ、Ｆ、Ｏ）層と、ＣｕおよびＳｉを含むＣｕ−Ｓｉ拡散層との積層構造を含んでおり、前記（Ｎ、Ｃ、Ｆ、Ｏ）層を構成する窒素、炭素、フッ素および酸素のいずれかの元素は前記半導体層のＳｉと結合しており、前記Ｃｕ合金層は、Ｃｕ−Ｘ合金層（第一層）と第二層とを含む積層構造である。 （もっと読む）

【課題】アンダーバンプメタル形成のための無電解めっき処理の際に、薄型ウェハのハンドリング性を維持しながら、めっき時のウェハの破損を防止すると共にウェハの非めっき面へのめっき付着を防止する。
【解決手段】ウェハ裏面のバックグラインディング工程１と、次いで、ウェハの裏面に再剥離型粘着剤を粘着面にもつ粘着フィルムを１枚又は２枚以上積層して貼り付ける工程２と、次いで、粘着フィルムが裏面に貼り付けられたウェハに対して、ウェハ表面にアンダーバンプメタル（ＵＢＭ）を形成するための無電解めっき処理工程３と、次いで、粘着フィルムを剥離する工程４を実施することを含む半導体デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高精細なパターニングが可能なパターン形成体の効率的な製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板上に形成され、表面が疎水性を示す疎水性層上にフォトレジストパターンを形成するフォトレジストパターン形成工程と、上記フォトレジストパターンが形成された上記疎水性層の表面にエネルギーを照射して親水化し、親水性領域を形成する親水化工程と、上記フォトレジストパターンを剥離し、上記疎水性層表面に、上記親水性領域と上記親水化工程にて上記フォトレジストパターンで覆われていた疎水性領域とがパターン状に形成された親疎水パターンを形成するフォトレジストパターン剥離工程とを有することを特徴とするパターン形成体の製造方法を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】ｎ型半導体とｐ型半導体が混在する半導体ウエハ上へ、ニッケル又はニッケル合金の無電解めっきを行うための前処理液ろ提供する。
【解決手段】該前処理液は過酸化水素水とアンモニア水及び／又は水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）からなる水溶液である無電解めっきの前処理液で、ＦＥＴなどのソース、ドレイン電極など、ｎ型半導体とｐ型半導体が混在するトランジスタ電極を形成する際に、シリコン基板表面の不純物を効果的に除去するか又は低減して活性化させることができ、さらにこのようなシリコン基板がｎ型半導体とｐ型半導体が混在する場合に、この洗浄液による処理を行った後、後続の無電解Ｎｉ又はＮｉ合金めっきに適合でき、均一な無電解めっきを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】めっき反応速度を調整することでめっき未着を防ぐことが可能な貫通孔配線基板の製造方法を提供することである。
【解決手段】微小デバイスを構成する貫通孔配線基板の製造方法であって、基板４０の両表面を貫通する貫通孔４１を形成する工程と、貫通孔４１の少なくとも内表面にＮｉめっきを成長させる工程と、を備え、貫通孔４１の少なくとも内表面にＮｉめっきを成長させる工程では、Ｎｉめっきの析出レートを５０ｎｍ／ｍｉｎ未満にしてめっきを成長させる。 （もっと読む）

【課題】実効キャリアー濃度が増加し、物質間のエネルギーバンドギャップ調節によりショットキー障壁が減少し、高い透過率を有する、優れた電気的、光学的、熱的及び構造的特性を有する新概念のオーミック接触システムを提供する。
【解決手段】発光ダイオード又はレーザーダイオードにおいてオーミック接触を形成するための薄膜電極において、ｐ型窒化ガリウム層上に積層され、Ｎｉ−Ｘ固溶体を含有する第１電極層と、前記第１電極層上に積層され、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｃ、Ｃｕ、及びＩｒからなる群から選択される少なくとも１種以上の元素を含有する第２電極層と、を含むことを特徴とする、薄膜電極である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電極表面を平坦化した高い信頼性を有する半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ｎ形ベース層２と、ｎ形ベース層２の表面に設けられたｐ形ベース領域３と、ｐ形ベース領域３の表面に選択的に設けられたｎ形エミッタ領域４と、ｐ形ベース領域３およびｎ形エミッタ領域４とゲート絶縁膜を介して対向するゲート電極５と、ｐ形ベース領域３およびｎ形エミッタ領域４に電気的に接続されたエミッタ電極２１と、エミッタ電極２１の表面に形成された凹部３１を埋め込んだ絶縁部材２５と、エミッタ電極２１と絶縁部材２５との上に設けられたエミッタ電極２３と、を備えたことを特徴とする半導体装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】接続導体との間のはんだ接合部の信頼性を確保する。
【解決手段】ジンケート法による無電解めっき法を用いて、半導体チップ１の表面側のＡｌ電極３の上にＮｉめっき層５が形成される。Ａｌ電極３の上には、選択的にＮｉめっき層５が析出されるため、周辺耐圧構造４部分には、Ｎｉめっき層５は形成されない。また、形成されるＮｉめっき層５は、所定の厚さに均一に形成することができる。続いて、Ｎｉめっき層５の上にＡｕめっき層６が形成される。無電解めっき法を用いることによって、Ａｕめっき層６もＮｉめっき層５と同様に、Ｎｉめっき層５の上に選択的、かつ均一に形成される。 （もっと読む）

【課題】スルーホールへのめっき性に優れる無電解めっき前処理剤を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）及び（２）で表されるイミダゾールアルコール化合物の１種又は２種以上と、パラジウム化合物とを含有する無電解めっき前処理剤。
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【課題】ドリフト領域、ベース領域およびソース・エミッタ領域からなる寄生素子による影響をなくすことができ、また、オン電圧が増大することを防止することができる半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板のおもて面に、ベース領域を貫通し、ドリフト領域１まで達するトレンチ３を形成する。ついで、ゲート絶縁膜４を介して、トレンチ３の内部に、ベース領域２の表面と同じ高さにまで達しないようにゲート電極５を埋め込み、第２凹部を形成する。ついで、第２凹部の内部に埋め込むように層間絶縁膜７を形成する。ついで、エッチバックを行い、ゲート電極５の表面にのみ層間絶縁膜７を残す。そして、エッチングによって、ベース領域２の表面がゲート電極５と層間絶縁膜７との界面より低い位置になるまで、ベース領域２の表面層を除去し、第１凹部６を形成する。ついで、第１凹部６の内部にソース電極８を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】基板の所定の位置に高い位置精度で膜を形成する。
【解決手段】電極形成用テンプレート１１２の表面１１２ａには、ウェハＷの貫通孔に対応する位置に開口部１１５が複数形成されている。電極形成用テンプレート１１２は、開口部１１５に連通する膜形成用液の流通路１１６を備えている。この電極形成用テンプレート１１２とウェハＷを密着させた後、この状態のまま、めっき液供給口１１７から流通路１１６を介して開口部１１５からウェハＷの貫通孔に対してめっき液を供給することで、ウェハＷの貫通孔に電極を形成する。 （もっと読む）