この発明は、半導体本体（１）と基板（２）とを備え、半導体本体（１）がエミッタ領域（３）とベ−ス領域（４）とコレクタ領域（５）とを有する縦型バイポーラトランジスタを備え、領域の各々には接続領域（６，７，８）が設けられ、ベ−ス領域（４）とコレクタ領域（５）との間の境界にｐｎ結合が形成され、そして、動作中、ｐｎ結合に逆バイアスが加わり、又は、十分に大きなコレクタ電流が流れると、電荷キャリアのなだれ現象が起こり、コレクタ領域（５）に発光が生じる発光半導体素子に関する。この発明によれば、コレクタ領域（５）は生じた発光が伝送されるような厚みを有し、そして、コレクタ領域（５）は半導体本体（１）の自由面上に境界を成す。このようにして、生じた発光の吸収によるロスが少なくなり、生じた発光をより簡単に、例えば、素子（１０）の他の部分又は他の素子（１０）のための光信号として用いることができる。コレクタ領域（５）内に第二のサブ領域（５Ｂ）が、例えば、半導体本体（１）内に導電チャネルを誘起させるゲート電極（１１）をもって形成されてもよい。半導体本体（１）の表面に発光導体（１４）が存在すると好ましい。この発明は、さらに、この発明の素子（１０）を製造する方法を備える。
（もっと読む）

【課題】 エミッタ層の寸法幅を微細化し、高性能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 シリコン基板１上にコレクタ層として用いるエピタキシャル層２を形成する。エピタキシャル層２上にはＳｉＧｅ合金層４を形成し、ＳｉＧｅ合金層４上にはシリコン膜５およびｎ型拡散層（エミッタ層）６を形成する。このｎ型拡散層６は断面凸状のシリコン膜５の一部にｎ型不純物を拡散させて形成したものである。またｎ型拡散層６の上には、多結晶シリコン膜７ａおよびシリコン窒化膜８を形成する。さらにｎ型拡散層６、多結晶シリコン膜７ａ、及びシリコン窒化膜８は、絶縁膜からなる側壁膜９で囲う。 （もっと読む）

【課題】ベース抵抗およびリーク電流を低減した高性能なヘテロバイポーラトランジスタを提供する。
【解決手段】本発明のヘテロバイポーラトランジスタは、素子分離のための絶縁領域１０１に隣接して設けられるコレクタ領域１０２と、エミッタ領域１０７と、コレクタ領域１０２およびエミッタ領域１０７に挟まれる真性ベース領域１０３と、真性ベース領域１０３に隣接し、電気的に接続するように絶縁領域１０１上に設けられた外部ベース領域１０４とを備え、外部ベース領域１０４は、外部ベース領域１０４の固相成長を誘起する触媒金属およびＧｅを含み、結晶性半導体からなる。 （もっと読む）

【課題】 非格子整合半導体素子を有する半導体装置において、半導体素子におけるメタモルフィックバッファ層による大きな段差の発生による段切れ等の改善を図る。
【解決手段】 基体１上のメタモルフィックバッファ層２０を、素子間分離溝４１を挟んで半導体素子の形成部の外側に、メタモルフィックバッファ層２０の延在領域２０Ｒを形成して、半導体素子部と、これに隣接する他部との実質的段差の緩和を図って、この段差に基づく絶縁層、配線等の信頼性の向上を図るものである。 （もっと読む）

本発明は、基板（１１）と、それぞれ第１の導電型、第１の導電型と反対の第２の導電型、及び第１の導電型の、エミッタ領域、ベース領域及びコレクタ領域（１、２、３）を有する垂直型バイポーラ・トランジスタを備える半導体本体（１２）とを有する半導体装置（１０）であって、コレクタ領域（３）は、ベース領域（２）と境を接する第１の部分領域（３Ａ）と、第１の部分領域（３Ａ）と境を接する第２の部分領域（３Ｂ）とを備え、第１の部分領域（３Ａ）は第２の部分領域（３Ｂ）よりも低いドーピング濃度を有し、トランジスタには、第１の部分領域（３Ａ）と横方向に境を接するゲート電極（５）が設けられ、ゲート電極（５）により第１の部分領域（３Ａ）が空乏化されうる半導体装置（１０）に関する。本発明によれば、コレクタ領域（３）は半導体本体（１２）の表面と境を接するが、エミッタ領域（１）は半導体本体（１２）中に埋め込まれ、コレクタ領域（３）は半導体本体（１２）の表面に形成されたメサ構造体（６）の一部分を形成する。このような装置（１０）は、高周波数及び高電圧で非常に好ましい特性を有しており、さらに製造することも簡単である。好ましい実施形態においては、コレクタ（３）は、メサ構造体（６）を形成するナノワイヤ（３０）を備える。
（もっと読む）

本発明は、それぞれ第１の導電型、第１の導電型と反対の第２の導電型、及び第１の導電型の、エミッタ領域、ベース領域及びコレクタ領域（１、２、３）を有するバイポーラ・トランジスタを備える半導体本体（１２）を有する半導体装置（１０）に関する。エミッタ領域又はコレクタ領域（１、３）のうちの一方がナノワイヤ（３０）を備える。半導体本体（１２）の表面における層（２０）からベース領域（２）が形成されており、ベース領域（２）の下の半導体本体（１２）中にエミッタ領域又はコレクタ領域（１、３）のうちの他方の領域（３、１）が形成されている。ナノワイヤ（３０）を備えるエミッタ領域又はコレクタ領域（１、３）は、その縦軸がその表面に対して垂直に延びるように半導体本体（１２）の表面上に設けられている。
（もっと読む）

【課題】 薄いベース領域を持つ従来のトランジスタに見られた高抵抗や高ノイズ等を抑制する。
【解決手段】 非選択的エピタキシ法により基板１０上に真性ベース１２を形成するステップと、真性ベース１２上に持ち上げられた外因性ベース１６を形成するステップと含んでなる、トランジスタの形成方法を提供する。 （もっと読む）

【解決手段】高速クロスポイントスイッチは、好適にはシリコン基板上に設けられ、バイポーラトランジスタスイッチング素子を使用する。バイポーラトランジスタはSiGeバイポーラ接合トランジスタである。交差する導電性入力及び出力マイクロストリップは、好適にはそれらの交点で細く形成されて結合線間のシャントキャパシタンスを減少する。また、入力バッファは、増幅段を形成するために、スイッチングトランジスタとカスコード状に接続されることが好ましい。信号及びその逆信号は、平衡線路対の中央での電磁場強度を減少するために平衡マイクロストリップに搬送されることにより、２個の交差平衡対間の隔離を改良する。
（もっと読む）

【課題】 作製が容易で広い温度範囲で高速動作するホットエレクトロントランジスタを提供すること
【解決手段】 窒化物系半導体から構成されたコレクタ層１０７、コレクタ障壁層１０６、ベース層１０５、アンドープ第１エミッタ障壁層１１５およびエミッタ層１０２を順に備えた半導体素子であって、コレクタ層１０７、ベース層１０５およびエミッタ層１０２は、それぞれ、ｎ型半導体から構成されており、第１エミッタ障壁層１１５は、エミッタ層１０２とベース層１０５との間に配置されており、第１エミッタ障壁層１１５のバンドギャップは、エミッタ層１０２のバンドギャップよりも大きく、第１エミッタ障壁層１１５に接してベース電極１１１が形成されている半導体素子。 （もっと読む）

【課題】半導体構造の歩留りを向上させるＳｉＧｅ付着条件を決定する方法を提供すること。
【解決手段】この半導体構造の製造は単結晶シリコン（Ｓｉ）層から開始される。次いでこの単結晶Ｓｉ層内に、第１および第２の浅いトレンチ分離（ＳＴＩ）領域を形成する。これらのＳＴＩ領域は第１の単結晶Ｓｉ領域を間に挟み、これを画定する。次に、この構造の上にシリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）混合物を、あるＳｉＧｅ付着条件で付着させて、（ｉ）第１の単結晶シリコン領域の上面から第２の単結晶シリコン領域を成長させ、（ｉｉ）第１および第２のＳＴＩ領域の上面からそれぞれ第１および第２のポリシリコン領域を成長させる。その結果として得られる歩留りが予め指定された範囲内に収まるまで、ＳｉＧｅ付着温度を高くし、または前駆体流量を小さくし、あるいはその両方を実施することによって、この構造を大量生産するための満足のいくＳｉＧｅ付着条件を決定することができる。 （もっと読む）

【課題】下方に配置された基板とは異なる極性を有する不連続な非平面状サブコレクタを含む半導体構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】この構造は、サブコレクタの上方の活性領域（コレクタ）、活性領域の上方のベース、およびベースの上方のエミッタを含む。不連続なサブコレクタの不連続部分間の距離は、半導体構造の動作特性を調整する。調整可能な動作特性は、絶縁破壊電圧、電流利得遮断周波数、電力利得遮断周波数、通過周波数、電流密度、静電容量範囲、ノイズ注入、少数キャリヤ注入、ならびにトリガ電圧および保持電圧を含む。 （もっと読む）

ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ内にゲルマニウム濃縮領域を形成する方法およびゲルマニウム濃縮領域を有するヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ。シリコン・ゲルマニウム部分を有するベースが、コレクタの上に形成される。ベースの熱酸化が、熱酸化を受けたシリコン・ゲルマニウム部分の表面上にゲルマニウム濃縮領域を形成させる。エミッタが、ゲルマニウム濃縮部分領域の上に位置して形成される。ゲルマニウム濃縮領域が、改善された高周波／高速動作を含めて、有利な動作特性をヘテロ接合バイポーラ・トランジスタに与える。

（もっと読む）

濃度１から１０％のＳｉＨ_３ＣＨ_３をＨ_２により希釈し、希釈したＳｉＨ_３ＣＨ_３の一部と、ＧｅＨ_４と、ＳｉＨ_４（またはＤＣＳ）とをそれぞれ所定の流量でエピタキシャル装置のチャンバへ供給し、ＳｉＧｅ：Ｃをエピタキシャル成長技術により形成する。ＳｉＨ_３ＣＨ_３を希釈することにより、ＳｉＨ_３ＣＨ_３に含まれる酸素系不純物の濃度が低減するので、チャンバへ供給される酸素系不純物が低減して、成膜されるＳｉＧｅ：Ｃに含まれる酸素系不純物の濃度が低減する。 （もっと読む）

半導体部品の製造方法は、半導体基板（２１０、５１０）を提供するステップと、半導体基板に溝（１３０、４３０）を形成して、その溝により互いに分離された複数の活性化領域を形成するステップと、溝の一部の下方の半導体基板に埋め込み層（２４０、７５０）を形成するステップであって、埋め込み層が溝と少なくとも部分的に接するステップと、埋め込み層の形成後に、溝に絶縁材料（１３３、８１０）を析出させるステップと、複数の活性化領域の一つにコレクタ領域（１５０，９５０）を形成するステップであって、コレクタ領域が埋め込み層との接触部を形成するステップと、複数の活性化領域の一つを覆うベース構造を形成するステップと、複数の活性化領域の一つを覆うエミッタ領域を形成するステップとを含む。
（もっと読む）

多数キャリアが正孔であるトランジスタにおいて、少なくとも１つの狭いバンドギャップの領域または層が、ｐ型にドーピングされるかまたは過剰の正孔を含み、かつ機械的圧縮ひずみを受け、これによって、正孔の移動度がかなり増大し得る。ｐチャネル量子井戸ＦＥＴでは、量子井戸のＩｎＳｂ井戸のｐ型層５（変調ドーピングまたは直接ドーピングされている）が、Ｉｎ_１−ｘＡｌ_ｘＳｂ層４と、Ｉｎ_１−ｘＡｌ_ｘＳｂ層６との間にあるが、ここで、ｘは、軽い正孔および重い正孔が、ｋＴをはるかに超える量だけ分離されるような範囲にまで、層５中にひずみを導入するに十分な値である。ｐｎｐバイポーラデバイスを含む、本発明の範囲内にあるトランジスタは、相補型論理回路における電子が多数キャリアである従来の等価物と一緒に用いられ得る。
（もっと読む）

バイポーラトランジスタ及びその製造方法に関する。第１のエピタキシャル層（２３）上への第２の、より高濃度にドープされたエピタキシャル層の成長によって、外部ベース領域（４０）が形成される。第２のエピタキシャル層は上にあるポリシリコンエミッタ台座（２８）の下まで広がり、かつ、この台座（２８）から絶縁される。
（もっと読む）

一実施形態においては、基板上にシリコン膜又はシリコンゲルマニウム膜を堆積させる方法であって、プロセスチャンバ内に基板を配置するステップと、基板表面を約６００℃〜９００℃の範囲の温度に、プロセスチャンバ内の圧力を約１３Ｐａ（０.１トール）〜約２７ｋＰａ（２００トール）の範囲に維持しつつ、加熱するステップと、を含む前記が提供される。堆積ガスは、プロセスチャンバに供給され、ＳｉＨ_４、任意のゲルマニウム源ガス、エッチング剤、キャリヤガス、任意に少なくとも１つのドーパントガスを含んでいる。シリコン膜又はシリコンゲルマニウム膜は、基板上に選択的且つエピタキシャル的に成長する。一実施形態は、シリコン含有膜とキャリヤガスとして不活性ガスを堆積させる方法を含んでいる。方法は、また、選択的シリコンゲルマニウムエピタキシャル膜を用いる電子デバイスの製造を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＧｅ真性ベースとエミッタに近接した隆起型外因性ベースとを持つ改良されたバイポーラ・トランジスタを提供する。
【解決手段】 隆起型外因性ベースを持ち、外因性ベースとエミッタ（１０６）との間の選択可能な自己整合性を備えるバイポーラ・トランジスタが開示される。製造方法は、真性ベース（１０８）の上に所定の厚さのポリシリコン又はシリコンの第１外因性ベース層（１０２）を形成するステップを含む。次いで、誘電体のランディング・パッド（１２８）が、リソグラフィによって第１外因性ベース層（１０２）の上に形成される。次に、ポリシリコン又はシリコンの第２外因性ベース層（１０４）が誘電体ランディング・パッド（１２８）の上に形成され、隆起型外因性ベースの全体の厚さが完成する。エミッタ（１０６）開口部が、リソグラフィ及びＲＩＥを用いて形成され、その際、第２外因性ベース層（１０４）は、誘電体ランディング・パッド（１２８）上でエッチング停止される。エミッタ（１０６）と隆起型外因性ベースとの間の自己整合性の程度は、第１外因性ベース層（１０２）の厚さと、誘電体ランディング・パッド（１２８）の幅と、スペーサの幅とを選択することによって達成される。 （もっと読む）

【課題】既に達した速度を潜在的に越えることさえできる極めて高速で動作できるバイポーラトランジスタとその方法を提供することである。
【解決手段】バイポーラトランジスタから制御可能な光放射を生成する方法及び素子が開示されている。また、以下の工程、つまりエミッタ、ベース、及びコレクタ領域を有するバイポーラトランジスタを提供し、電気信号とエミッタ、ベース、及びコレクタ領域を結合する電極を提供し、及び自然放射の不利益に対して誘導放射を強化するためにベース領域を適合させ、それによりベース領域のキャリア再結合寿命を削減する工程を含むバイポーラトランジスタの速度を増大させる方法も開示されている。 （もっと読む）