【課題】キャリア捕獲中心の少ないＳｉＣ半導体素子を提供する。
【解決手段】ｎ型またはｐ型のＳｉＣ基板１１と、ｎ型またはｐ型の少なくとも１つのＳｉＣエピタキシャル層１２、あるいはｎ型またはｐ型の少なくとも１つのイオン注入層１４と、を有し、ｐｎ接合界面付近および伝導度変調層（ベース層）内を除いた、ＳｉＣ基板表面付近、ＳｉＣ基板とＳｉＣエピタキシャル層との界面付近、およびＳｉＣエピタキシャル層の表面付近のうち少なくとも１つの領域１００に、炭素注入層、珪素注入層、水素注入層、またはヘリウム注入層を有し、かつ、炭素原子、珪素原子、水素原子、またはヘリウム原子をイオン注入することで導入した格子間炭素原子をアニーリングにより伝導度変調層内へ拡散させるとともに格子間炭素原子と点欠陥とを結合させることで、電気的に活性な点欠陥が低減された領域を伝導度変調層内に有するＳｉＣバイポーラ型半導体素子。 （もっと読む）

【課題】高温や電流密度が高い条件下でも基板へ少数キャリアが到達するのを防いで、順方向電圧の増大を防ぐことができるバイポーラ半導体素子を提供する。
【解決手段】このＳｉＣ ｐｉｎダイオード２０では、ｎ型ＳｉＣ基板２１とｎ型バッファ層２２との間に形成したｎ型少数キャリア消滅層３１は、ｎ型バッファ層２２よりも炭素空孔欠陥の濃度が高く、少数キャリア消滅層３１の炭素空孔欠陥はｐ型のアノード層２４,２５からの正孔のトラップとして働く。よって、小数キャリア消滅層３１に達した正孔(少数キャリア)がトラップされ、小数キャリア消滅層３１において正孔密度Ｋ２が急激に減衰する。これにより、正孔(少数キャリア)が基板２１へ到達することを防いで、基板２１から積層欠陥が拡大するのを防いで、順方向電圧の増大を防止できる。 （もっと読む）

【課題】イオン注入後のアニール後に生じる残留欠陥を除去することができ、その後シリコンエピタキシャル層を形成しても積層欠陥を生じない、高品質な半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の製造方法であって、少なくとも、シリコン単結晶基板に選択的にイオン注入を行う工程と、該イオン注入後に、前記シリコン単結晶基板の結晶性を回復させる回復熱処理と前記注入イオンを拡散させる拡散熱処理を行う熱処理工程と、該熱処理後に、前記イオン注入工程によって前記シリコン単結晶基板の表面層に形成されたアモルファス層の全部を取り込む厚さの熱酸化膜を形成する熱酸化膜形成工程と、該形成された熱酸化膜を除去する工程と、該熱酸化膜を除去した表面上にエピタキシャル層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】エミッタ電極−コレクタ電極間において、オフ電流が小さく、かつ、低電圧で大電流変調が可能であるオン／オフ比に優れたトランジスタ素子を提供すること。
【解決手段】エミッタ電極とコレクタ電極との間に、有機半導体層とシート状のベース電極とが設けられているトランジスタ素子において、該有機半導体層が、下記一般式（１）で表される化合物を含んでいるトランジスタ素子。
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【課題】微細加工が求められる半導体装置であるＢｉＣＭＯＳの製造方法に関し、特に半導体基板上に形成されるエピタキシャル層の表面の平坦性を向上することを課題とする。
【解決手段】本発明のＢｉＣＭＯＳの製造方法は、Ｐ型シリコン基板１の主面をエッチングしてくぼみ部３２を形成する第１工程と、くぼみ部３２を被覆するシリコン酸化膜２２をマスクにして当該Ｐ型シリコン基板１にＮ＋型埋め込み層２を形成する第２工程と、Ｎ＋型埋め込み層２を含むＰ型シリコン基板１の主面を熱酸化して、Ｐ型シリコン基板１上にシリコン酸化膜２２を含むシリコン熱酸化膜２５を形成する第３工程と、シリコン熱酸化膜２５を除去した後、Ｎ＋型埋め込み層２を含むＰ型シリコン基板１の主面上にＮ型エピタキシャル層を形成する第４工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】エミッタ電極−コレクタ電極間において、低電圧で大電流変調を可能とするトランジスタ素子を提供する。また、そうしたトランジスタ素子の製造方法、また、そのトランジスタ素子有する発光素子及びディスプレイを提供する。
【解決手段】エミッタ電極３とコレクタ電極２との間に、半導体層５（５Ａ，５Ｂ）とシート状のベース電極４が設けられているトランジスタ素子により、上記課題を解決する。半導体層５は、エミッタ電極３とベース電極４との間及びコレクタ電極２とベース電極４との間に設けられて、それぞれ第２半導体層５Ｂ及び第１半導体層５Ａを構成し、さらに、ベース電極の厚さが８０ｎｍ以下であることが好ましい。また、少なくともエミッタ電極とベース電極との間又はコレクタ電極とベース電極との間には、暗電流抑制層が設けられていてもよい。 （もっと読む）

【課題】 大気圧下加熱処理などを行わずに、ＭＢＯＴ素子構造の改良により良好な電流増幅特性やＯＮ／ＯＦＦ比を得る。
【解決手段】 エミッタ電極とコレクタ電極との間に有機半導体層とシート状のベース電極が設けられている有機トランジスタ素子であって、前記ベース電極とコレクタ電極の間に、電荷透過促進層を有するものとする。 （もっと読む）

【課題】高耐圧電子デバイスおよび耐環境電子デバイスを提供する。
【解決手段】本発明においては、ダイオードやトランジスタ等の電子デバイス中で電子が走行する領域に、高純度の酸化モリブデンであって、その禁制帯幅が３．４５ｅＶ以上であるような酸化モリブデンが用いられる。本発明によれば、高耐圧特性および高耐環境特性を有する電子デバイスが実現できる。 （もっと読む）

【課題】エミッタ電極に対するコンタクト部を容易に形成しながら、エミッタ層の幅を小さくすることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】このバイポーラトランジスタ（半導体装置）１００は、シリコン層７と、シリコン層７の表面に形成された不純物領域８と、不純物領域８上に形成されたポリシリコン層からなるエミッタ電極１０ａと、不純物領域８とエミッタ電極１０ａとの間に形成され、エミッタ電極１０ａの幅Ｗ３よりも小さい幅Ｗ２を有するＳｉＧｅ層９とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、深いエッチングや長時間の拡散を要することなく素子分離構造或いは引出電極構造を構成することによって素子間隔や素子自体を縮小する。
【解決手段】 一導電型半導体基板１上に逆導電型エピタキシャル層２を設けるとともに、逆導電型エピタキシャル層２に素子分離絶縁膜を含む局所的選択酸化膜３を設けた半導体装置における局所的選択酸化膜３を貫通するとともに一導電型半導体基板１に達しない貫通孔４を設けるともに、一導電型半導体基板１に達する高不純物濃度領域５を貫通孔４の底部に接するように設ける。 （もっと読む）

【課題】高周波用途の半導体装置に採用する厚い絶縁膜をＬＯＣＯＳ法で形成する場合に、バーズビーグ増による欠陥の増大や、高温で長時間の酸化時間に伴う欠陥の増大という問題があった。これ等の問題点を考慮すると、超高周波用途の半導体装置に現状で用いることができる酸化膜の膜厚を厚くするにも限界があった。
【解決手段】半導体層に複数のトレンチを設け熱酸化により一体化して、内部に空隙部を有する絶縁領域を形成する。トレンチの深さで絶縁領域の厚みを制御でき、従来のＬＯＣＯＳ法以上の厚い絶縁領域を結晶欠陥等を増大することなく形成できる。絶縁領域を例えば電極パッドの下方に設けることにより、浮遊容量を低減できる。また、絶縁領域内部の空隙部によって、更に浮遊容量を低減できる。 （もっと読む）

【課題】電流増幅率ｈFEやコレクタ・エミッタ間の耐圧を、他の半導体素子に影響を与えずに、容易に調整することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本半導体装置は、第1の導電型不純物を含む半導体基板と、半導体基板上に形成された第2の導電型不純物を含む第1の半導体領域と、第1の半導体領域上に、周囲を第１の導電型不純物を含む第2の半導体領域で囲むように形成された、第2の導電型不純物を含む第3の半導体領域と、第2の半導体領域直下の第1の半導体領域内に形成された、第1の半導体領域より高濃度の第2の導電型不純物を含む埋込半導体領域と、第2の半導体領域及び第1の半導体領域の接合部に形成された、第1の半導体領域より高濃度の第2の導電型不純物を含む介挿半導体層とを有し、第3の半導体領域をエミッタとし、第2の半導体領域をベースとし、埋込半導体領域をコレクタとするバーティカル型バイポーラトランジスタである。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコンエミッタ電極構造の縦型ＮＰＮバイポーラトランジスタの電流増幅率を、何らの工程を付加することなく制御し、低コスト化とバイポーラトランジスタの高周波数応答特性とを両立させる。
【解決手段】低温による（４００℃）のエミッタポリシリコン１９０の形成時に、真性ベース１４０とポリシリコンエミッタ１９０間に界面酸化膜（自然酸化膜）が成長する。その後、エミッタ１５０を形成するための熱処理温度を、８２０℃〜９１０℃の範囲で調整することによって、界面酸化膜の状態と電子のパイルアップ状態を制御し、これによって、電流増幅率を微調整する。 （もっと読む）

【課題】エミッタ電極−コレクタ電極間において、低電圧で大電流変調を可能とするトランジスタ素子を提供する。また、そうしたトランジスタ素子の製造方法、また、そのトランジスタ素子有する発光素子及びディスプレイを提供する。
【解決手段】エミッタ電極３とコレクタ電極２との間に、半導体層５（５Ａ，５Ｂ）とシート状のベース電極４が設けられているトランジスタ素子により、上記課題を解決する。半導体層５は、エミッタ電極３とベース電極４との間及びコレクタ電極２とベース電極４との間に設けられて、それぞれ第２半導体層５Ｂ及び第１半導体層５Ａを構成し、さらに、ベース電極の厚さが８０ｎｍ以下であることが好ましい。また、少なくともエミッタ電極とベース電極との間又はコレクタ電極とベース電極との間には、暗電流抑制層が設けられていてもよい。 （もっと読む）

【課題】特にＧａＡｓＳｂ系ベース層を有するＨＢＴにおいて、ＨＢＴ素子の特性を劣化させることなく、素子表面を部分的に不活性化するＨＢＴを提供する。
【解決手段】所定の材質の基板１上に形成したコレクタ層３、ベース層４、エミッタ層５を含む層構造の少なくとも側壁をＡｌ酸化膜８で覆っている構造とする。基板１としてＩｎＰを、ベース層４に、少なくとも一層はＡｌ（ｘ）Ｇａ（１−ｘ）Ａｓ（ｙ）Ｓｂ（１−ｙ）を用いる（ｘ，ｙ：組成比、０．０≦ｘ≦０．２，０．２≦ｙ≦０．８）。すなわち、基板１上に、エミッタ層５、ベース層４、コレクタ層３を含むＨＢＴの層構造を結晶成長により作製した後、エッチングによりメサ状に加工し、さらに、表面に堆積させた前記Ａｌ化合物を酸化させることによりＡｌ酸化膜８を形成し、電極形成領域に堆積させたＡｌ酸化膜８をエッチングにより除去して電極９を形成する。 （もっと読む）

【課題】高い直流電流増幅率、特に小電流領域で高い直流電流増幅率を得ることができる縦型バイポーラトランジスタを提供する。
【解決手段】ｎ型半導体基板１の下層に高濃度ｎ型半導体層２を形成し、上層にｐ型半導体層３を形成し、ｐ型半導体層３に表面から層内へ延在する高濃度ｎ型半導体層４を形成し、ｐ型半導体層３および高濃度ｎ型半導体層４に二酸化珪素膜５を形成してなり、所定の水分を添加した酸素、または所定の水分を添加した酸素を含むガスからなる雰囲気下で熱処理することにより、二酸化珪素膜５の表面電荷密度を低くして、高い直流電流増幅率、特に小電流領域に於いて高い直流電流増幅率を得る。 （もっと読む）

【課題】 層厚の厚い電極部および信頼性の高い保護膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体層２１の積層方向Ｚの一表面上に電極部３４を形成する。次に半導体層２１および電極部３４とを予め定める第１の温度Ｔ１のＮ_２雰囲気下でシンタ処理し、半導体層２１と電極部３４とのオーミック性を向上させる。次にＰＳＧ膜３５がアニーリングされかつ堆積される予め定める第２の温度Ｔ２において、酸化膜２２の表面と電極部３４の表面とにＰＳＧ膜３５を堆積して形成する。次にＰＳＧ膜３５の一部をエッチングすることによって、電極部３４の一部が露出するように第２貫通孔３７を形成する。 （もっと読む）

【課題】直流電流増幅率の特性が向上した耐電圧、大電力のバイポーラトランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】ベース領域３及びエミッタ領域４の上部に、それぞれベース電極パターン９ａ、エミッタ電極パターン１０ａを形成する。形成方法は、電極材料であるＡｌをスパッタ処理によりＡｌ膜を形成し、リソグラフィ、ドライエッチング処理により電極パターンにする。次に、酸化剤である水、酸素雰囲気下で熱処理を行ない、表面が酸化されたベース電極９ｂ、エミッタ電極１０ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】
エミッタ抵抗を低減でき電流利得特性を向上させたバイポーラトランジスタの製造方法及び、このバイポーラトランジスタを有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
コレクタ領域の表面に第1酸化膜を形成する工程と、第1酸化膜の表面にベース層を形成する工程と、ベース層の表面に第2酸化膜を形成した後にベース層をパターニングするとともに、コレクタ電極形成位置の第1酸化膜をエッチングすることにより前記第2酸化膜と等しい膜厚にする工程と、エミッタ電極を形成するためのエミッタ用開口及びコレクタ電極を形成するためのコレクタ用開口を形成する工程とを有することとした。 （もっと読む）

【課題】 欠陥制御と拡散制御を同時に実現し、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｐ型シリコン基板１の主表面領域中に、Ｎ⁺ 埋め込み層２およびＮ型エピタキシャル層３が形成されている。Ｎ型エピタキシャル層３にはＳＴＩ溝６０が形成され、その凹部内面には熱酸化膜６が形成されている。さらにＳＴＩ溝６０はＨＤＰ−ＮＳＧ膜７で埋め込まれている。また、ＳＴＩ溝６０内に形成された深い溝７０はシリコン基板１に到達するまでの深さで形成され、その凹部内面には熱酸化膜９が形成されている。この熱酸化膜９の膜厚はＳＴＩ溝６０内の熱酸化膜６よりも薄く形成されている。また、深い溝７０内には、さらにシリコン酸化膜１０が形成され、ポリシリコン膜１１で埋め込まれている。 （もっと読む）