【課題】パターン欠陥の発生を抑制、防止して、パターンを歩留まりよく形成できるインプリント方法、それを用いた配線パターンの形成方法、該方法により形成された配線パターンを備えた積層電子部品を提供する。
【解決手段】被転写材領域Ｒ１の重心を通る直線上において、(ａ)被転写材領域内に位置する部分を線分被転写材部Ｌ１とし、(ｂ)モールドパターン領域Ｒ２内に位置する部分を線分モールドパターン部Ｌ２とし、(ｃ)プレス領域Ｒ３内に位置する部分を線分プレス部Ｌ３とした場合において、(イ)線分被転写材部の長さが線分プレス部の長さ以上で、(ロ)線分被転写材部と線分プレス部の重なる部分が線分被転写材部の９２％以上を占め、かつ、(ハ)線分被転写材部の長さが線分モールドパターン部の長さ以上で、(ニ)線分被転写材部と線分モールドパターン部の重なる部分が線分被転写材部の９７％以上を占めるという条件を満たしてインプリントを行う。 （もっと読む）

【課題】６００℃〜７００℃の高温であっても高い耐酸化性と低抵抗を両立し、かつ低コストで形成可能な配線材料を提供する。
【解決手段】基板上に形成される銅配線と、銅配線上に５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の膜厚で形成される５０重量％以上のアルミニウムを含有する銅合金薄膜と、を具備する配線部材を用いる。上記銅配線の膜厚は、１μｍ以上５０μｍ以下である。基板と銅配線の間には下地層が配置されている。配線部材の電気抵抗率は、４×１０^-6Ωcm以下である。 （もっと読む）

【課題】絶縁層へのコンタクトホール形成時における、導電層の浸食や破損の抑制された電界効果型トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、表示装置、及び電磁波検出器を提供する。
【解決手段】導電層形成工程によって形成されたソース電極２０Ａ、ドレイン電極２０Ｂ、及び画素電極２０Ｃを含む導電層２０上に、該導電層２０及び酸化物半導体層１８を覆うように、無機材料を主成分とする無機絶縁層２３を形成する。そして、この無機絶縁層２３上にフォトレジスト膜３０を形成してパターン状に露光した後に、現像工程において、現像液を用いて現像することでレジストパターン３０Ｂ’を形成する。現像工程では、この現像液をエッチング液として用いて、無機絶縁層２３の内のレジストパターン３０Ｂ’から露出した領域を除去することによって導電層２０の一部を露出させて、無機絶縁層２２にコンタクトホール２７を形成する。 （もっと読む）

【課題】表面電極にはんだ接合層を有する半導体装置において、その製造工程でウェハの反りやはんだ接合層のクラックが発生することを抑制する。
【解決手段】表面電極は、半導体基板に接する第１層として２５０℃以下の基板温度でスパッタ法によってＡｌ−Ｓｉ層またはＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層を形成し、その表面に積層する第２層として４００℃以上の基板温度でスパッタ法によってＡｌ層またはＡｌ−Ｃｕ層を形成し、その表面側に、はんだ接合層、はんだ層を形成することによって、製造する。
２５０℃以下の基板温度で第１層を形成するため、シリコンノジュールの発生を防止することができ、第２層を４００℃以上の基板温度で形成するため、第２層の平坦性を確保でき、ウェハの反りやはんだ接合層のクラック発生を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】光電変換デバイスの表面に高アスペクト比の配線を容易に形成する。
【解決手段】基板Ｗ表面を走査移動する第１吐出部５２から、光硬化性樹脂を有する隔壁材料Ａ1を吐出し、その後方でＵＶ光を照射することにより硬化させる。さらに後方を移動する第２吐出部５４から配線材料を吐出させる。このとき、配線材料の吐出位置の周縁部には隔壁Ｂ1，Ｂ2が形成されているので、配線材料は面方向に広がることがなく、高アスペクト比の配線ＣＷを形成することができる。隔壁Ｂ1，Ｂ2については、封止材と同等の屈折率を有する材料を使い配線とともに封止するか、光照射により半硬化状態として配線形成後に熱処理により揮発させる。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れた半導体装置の製造方法、半導体装置、アクティブマトリクス装置、電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、基板７の一方の面側に、トランジスタ４のゲート絶縁体層４４を形成する第１の工程と、ゲート絶縁体層４４上に、厚さ方向に貫通する貫通部９１を備える絶縁体層９を形成する第２の工程と、貫通部９１内の底部付近のゲート絶縁体層４４上、および、貫通部９１の周囲の絶縁体層９上に、気相成膜法により同時にかつ互いに接触しないようにそれぞれ電極を形成し、ゲート絶縁体層４４上に形成された電極を用いて、ゲート電極４５を形成するとともに、絶縁体層９上に形成された電極を用いて、画素電極６を形成する第３の工程とを有する。また、平面視で、貫通部９１の開口部の縁が、当該貫通部９１の底部の縁より内側に位置する。 （もっと読む）

【課題】貫通電極の形成に際して、半導体基板の表面の上方に設ける第１の突起電極が製造工程中に脱落することを防止する手段を提供する。
【解決手段】基板１、１aの第１の面側に金属シード膜７、７aを設けた状態で、基板の第１の面側の全面に接着層及び支持基板を設ける。基板の第１の面上に設けた接着層及び支持基板を除去した後に、金属シード膜の露出した部分を除去する。この後、複数の半導体チップＳ１、Ｓ２を積そうして、第１のリフローを行う。 （もっと読む）

【課題】膜厚のばらつき及び表面の平坦性に優れ、基材との十分な密着性を有する導電膜パターンを、複雑、高価な設備、工程を必要とせずに形成する導電膜パターン及びその形成方法を提供する。
【解決手段】金属微粒子含有インクを基材上に配置し、焼成することにより形成される導電膜パターンにおいて、前記基材のインク被配置面に、有機塩あるいは無機塩の含有されたプライマー層が形成されているものであることを特徴とする導電膜パターン。 （もっと読む）

【課題】高温環境下での絶縁膜の腐食を抑制して、絶縁不良を回避した半導体装置及びその製造方法を提供することことを課題とする。
【解決手段】半導体基板１１上にエピタキシャル成長により第１絶縁膜１２が積層形成され、この第１絶縁膜１２上には、耐熱性の電極１３が選択的に形成され、この電極１３の上部には、シリカガラスを主成分とする層間絶縁膜１４が形成され、この層間絶縁膜１４の表面には絶縁バリア膜１５が形成され、この絶縁バリア膜１５の上には、Ａｌの配線１６が形成され、絶縁バリア膜１５は、絶縁性の窒化物、炭化物、窒化炭化物の単層膜、多層膜、または混合膜で構成されている。 （もっと読む）

【課題】対向する金属配線を有する配線構造において特性の安定化や性能の向上を図ると共に高耐圧化を実現する。
【解決手段】配線設計装置は、対向する金属配線間に与えられる最大の電位差をＶ_maxとしたときに配線間距離ｄ_minを与える関係式Ｖ_max＝Ａ×ｌｎ（ｄ_min／ｄ０）＋Ｂ（Ａ，Ｂは定数、ｄ０は基準となる距離）を予め記憶する記憶部１と、金属配線間の距離を、想定される最大電位差Ｖ_maxに対してＶ_max＝Ａ×ｌｎ（ｄ_min／ｄ０）＋Ｂにより得られる配線間距離ｄ_min以上として設定する設計部２とを備える。 （もっと読む）

【課題】
転写型に形成された薄膜電子材料層を、転写型から良好に離型して転写することのできる薄膜電子素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
凹凸パターンが形成された転写型４に親液処理をする親液処理工程と、親液処理がされた転写型４に剥離層を形成する剥離層形成工程と、剥離層が形成された転写型４に薄膜電子材料層を形成する薄膜電子材料層形成工程と、前記転写型４に形成された薄膜電子材料層を基板上に転写する転写工程と、を備えている。剥離層を形成する前に親液処理を行うことで、剥離層をムラなく均一に広がるように形成することができる。それにより、転写型４に形成された薄膜電子材料層を転写型４から良好に離型して転写することができる。 （もっと読む）

【課題】インプリントモールドの凹部への感光性配線ペースト層の充填不良や、ウェットエッチング（現像）工程での配線パターンの倒壊や剥がれの発生を抑制，防止して、効率よく精度の高い配線パターンを形成する。
【解決手段】感光性配線ペースト層２を形成する工程と、凹凸パターン１７を有するインプリントモールド３を感光性配線ペースト層２に押し付けて光照射する工程と、感光性配線ペースト層２の未感光部をウェットエッチングにより除去して、インプリントモールドの凹凸パターンに対応する配線パターンを形成する工程とを備えた配線パターンの形成方法において、感光性配線ペースト層２の厚みｔｐを下記の式（１）の範囲で規定する。
６μｍ＋（Ｖ／Ｓ）＜ｔｐ＜２０μｍ＋（Ｖ／Ｓ）……（１）
ただし、
ｔｐ：感光性配線ペースト層の厚み、
Ｓ：ペースト転写領域の面積、
Ｖ：前記凹凸パターンの、前記感光性配線ペースト層と接する領域における凹部の体積 （もっと読む）

【課題】銅ピラーを有するウェハ裏面構造を提供する。
【解決手段】集積回路構造は、前面および背面を有する半導体基板と、半導体基板を貫通する導電ビアとを含む。導電ビアは、半導体基板の背面に延伸する後端を含む。再分配線（ＲＤＬ）が半導体基板の背面上にあり、導電ビアの後端に電気的に接続される。パッシベーション層がＲＤＬ上にあり、パッシベーション層には開口があり、ＲＤＬの一部が開口を通して露出される。銅ピラーは開口内に一部を有し、ＲＤＬに電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】 レジスト材料の利用効率を向上させて、作製コストの削減を目的としたレジス
トパターンの作製方法、レジストパターンの除去方法、半導体装置の作製方法を提供する
ことを課題とする。
【解決手段】 本発明は、減圧下で、被加工物上に、感光剤を含む組成物を吐出してレジ
ストパターンを形成するステップを有することを特徴とする。また、前記レジストパター
ンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、若しくは、前記レジストパタ
ーンに、フォトマスクを介して前記感光剤の感光波長域の光を照射するステップ、前記レ
ジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、前記被加工物上
の前記レジストパターンを除去するステップを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
使用現場で使用者や顧客の要望に応じて、回路システムを形成することのできる薄膜トランジスタ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
薄膜トランジスタ装置において、ＴＦＴにより構成した複数の集積回路ブロック１，２と、これらの集積回路ブロックを相互に接続するための網目状に交差したマトリックス配線３、４、５、６を設ける。相互の集積回路ブロック間の接続は、使用現場で使用者や顧客の要望に応じて導電性材料を印刷等により、マトリックス配線の各々の配線交差部に選択的に設けることにより行い、所望の回路システムを構成する。 （もっと読む）

【課題】少ない工程数で、耐熱性、耐久性が優れる高分子化合物を使用し、金属の積層量を任意に制御できる金属膜のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】シリコーン系樹脂を含む基板表面に所望のパターンの遮蔽材を被覆する工程、遮蔽材を被覆した基板表面に積算光量１，０００〜１，０００，０００ｍＪ／ｃｍ^２の活性エネルギー線を照射して被照射部分と未照射部分を形成する工程、及び被照射部分と未照射部分を有する基板表面に金属を積層する工程により金属膜のパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】第２絶縁層にビアとなる接続孔を形成するときにビアと配線の間に位置ずれが生じても、エアギャップとビアが繋がることを抑制できるようにする。
【解決手段】配線１６２は第１絶縁層１２０に埋め込まれており、上面が第１絶縁層１２０の上面より高い。エアギャップ１２８は、配線１６２と第１絶縁層１２０の間に位置している。エッチングストッパー膜２００は、第１絶縁層１２０上、エアギャップ１２８上、及び配線１６２上に形成されている。第２絶縁層２２０はエッチングストッパー膜２００上に形成されている。ビア２６２は第２絶縁層２２０に埋め込まれており、配線１６２に接続している。そしてエッチングストッパー膜２００は、エアギャップ１２８上に位置する部分２０２が、配線１６２上に位置する部分より厚い。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に樹脂絶縁膜のパターンを切削加工で形成する方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、接続用の電極（２）が一主面に形成された半導体基板（１）において、前記接続用の電極（２）を覆うように前記一主面側に樹脂絶縁膜（３）を形成する第１工程と、すくい角をゼロ又は負とした、バイト（４）による切削加工により、前記接続用の電極（２）の接続部位（２１）を露出させるように、テーパ部（１０）と前記接続部位（２１）とからなる開孔（３１）を形成する第２工程とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】構造が簡単な印刷法で形成が可能な情報記録部材を提供すること。
【解決手段】基板１０２と、前記基板上に設けられた一つ以上の下部配線１０３と、前記下部配線上に印刷法で設けられた複数の導電性バンプ１０４と、前記基板と前記下部配線と前記導電性バンプとを覆うように設けられた絶縁層１０５と、前記下部配線と交差し前記導電性バンプに重なるように前記絶縁層上に設けられた一つ以上の上部配線１０６とを備えることを特徴とする情報記録装置。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスで製造でき、リーク電流が抑制された電子素子を提供する。
【解決手段】基板１０上に、端部断面のテーパー角度が６０°以下である下部電極２２と、前記下部電極２２上に配置され、水素原子の含有率が３原子％以下であり、波長６５０ｎｍにおける屈折率ｎが１．４７５以下であるＳｉＯ_２膜２４と、前記ＳｉＯ_２膜２４上に配置され、前記下部電極２２と重なり部を有する上部電極２６と、を有する電子素子である。 （もっと読む）