Fターム[5J055AX00]の内容
電子的スイッチ (55,123) | 目的、効果 (5,153)
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スイッチの基本性能向上 (933)
性能の向上 (482)
物理量(温度等)変化の補償 (146)
スイッチ状態の表示、マンインターフェイス (2)
スイッチの操作性向上、誤操作の防止 (16)
誤動作防止 (777)
故障対策 (573)
信頼性向上のための変形 (218)
電源電圧変動の対策 (81)
試験、調整 (60)
構造上の改善、配置、配線等 (18)
簡素化、小型化 (492)
特定の規格を考慮しているもの (2)
課題の発生する時、注目している時 (638)
課題の解決手段 (518)
Fターム[5J055AX00]に分類される特許
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プラズマディスプレイ装置
【課題】駆動過程における発熱問題を解消する一方、製造費用を節減し得るプラズマディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】本発明によるプラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネルと、該プラズマディスプレイパネルにエネルギーを供給し、該プラズマディスプレイパネルからエネルギーを回収するエネルギー回収回路を含み、前記プラズマディスプレイパネルにエネルギーを供給する経路のインダクタンスは前記プラズマディスプレイパネルからエネルギーを回収する経路のインダクタンスより小さいことを特徴とする。
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トランスファーゲート回路並びにそれを用いた集積回路装置及び電子機器
【課題】 小面積でありながら耐圧が確保できるトランスファーゲート回路並びにそれを備えた集積回路装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】 トランスファーゲート回路は、P型及びN型MOSトランジスタXfer(P,N)を有するトランスファーゲート240と、このトランスファーゲートのP型及びN型MOSトランジスタのゲートに印加される電圧を制御する制御回路SWLDecとを有する。制御回路は、第1の接続モード(リード及び消去)では、P型及びN型MOSトランジスタのゲートにそれぞれ異なる論理の電圧(3V,0V)を印加して、P型MOSトランジスタと前記N型MOSトランジスタとを共にオンさせ、第1の接続モードよりも高い電圧が第1または第2のラインに供給される第2の接続モード(プログラム)時には、P型及びN型MOSトランジスタのゲートに同一論理の電圧(0V)を印加して、P型MOSトランジスタをオンさせ、N型MOSトランジスタをオフさせる。
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半導体装置
【課題】
従来の半導体装置では、簡単な回路でソフトエラーを検出し、エラーの伝播を防ぐことが困難であった。
【解決手段】
本発明にかかる半導体装置は、複数の論理回路を直列に接続した発振回路10と、複数の論理回路のうち少なくとも2つ以上の論理回路の出力信号が入力され、前記出力信号の間の位相差が所定の位相差の範囲外となる場合に発振回路10を一時停止させ、他のブロックに発振回路10にエラーが発生したことを通知するリセット信号を出力するエラー検出回路20とを有するものである。
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半導体装置
【課題】歪特性を改善した半導体装置を提供する。
【解決手段】マルチゲートFET100のソース電極102とドレイン電極103の一方から高周波信号が入力して他方から出力されると共に、複数のゲート電極107、108、109に接続された制御端子の電位により高周波信号の通過および遮蔽を制御する高周波スイッチ回路用半導体装置である。ソース電極102に一番近い第1のゲート電極107のソース側ひさし部分の長さとドレイン電極103に一番近い第3のゲート電極109のドレイン側ひさし部分の長さがゲート電極の他のひさし部分の長さより長く、これらが付加容量を構成する。
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3値論理インバータ回路
【課題】少数のMOSで構成することができ、基板電流を回避することができる、3値論理インバータ回路を提供すること。
【解決手段】第1から第4のMOSを備え、第1から第4のMOSのゲート端子に、共通の入力信号を入力可能とし、第1のMOS及び前記第3のMOSにおける、サブストレート端子を第1の基板電圧に接続すると共に、ソース端子を第1の信号電圧に接続し、第2のMOS及び前記第4のMOSにおける、サブストレート端子を第2の基板電圧に接続すると共に、ソース端子を第2の信号電圧に接続し、第3のMOSのドレイン及び第4のMOSのドレインを相互に接続すると共にこの接続点を第2のMOSのソース端子に接続し、あるいは、第1のMOSのドレイン及び第2のMOSのドレインを相互に接続すると共にこの接続点を第3のMOSのソース端子に接続した。
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信号生成装置
【課題】電気負荷に対して所定波形の電流信号を通電するものにおいて、低ノイズ化を図ると共に、スイッチング損失の増加も抑制できる信号生成装置を提供する。
【解決手段】駆動装置1の信号生成手段42は、ランプ4に流れる電流を制御するFET2をスイッチング制御する際にランプ駆動電流の立ち上がり、立下り部分が正弦波状となる制御信号を生成してFET2に出力する。具体的には、近似波形生成手段41が、PWM信号の立上り期間にコンデンサ37を充電させ、立下り期間にコンデンサ37を放電させて、端子電圧の上昇度合い並びに下降度合いを複数段階に切替えて折線近似により正弦波状信号を生成し、ローパスフィルタ39を介して出力する。
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ヒューズ切断テスト回路及びヒューズ切断テスト方法並びに半導体回路
【課題】
不完全な切断状態の検出まで含めたヒューズの切断判定を高速且つ高精度に行うこと
【解決手段】
本発明に係るヒューズ切断テスト方法は、ヒューズの状態をテストするヒューズ切断テスト方法であって、当該ヒューズに流れる電流の値に基づいて、当該ヒューズの切断、非切断及びその中間の状態のいずれかを判断するヒューズ切断テスト方法。これにより、不完全な切断状態の検出まで含めたヒューズの切断判定を高速且つ高精度に行うことができる。
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負荷電流決定回路及び方法
負荷(6)における電流(Iload)を決定する回路(1)であって、メイントランジスタ(2)およびセンストランジスタ(3)を有し、各トランジスタは主電流通路(5,6)および制御端子1(9,10)を有し、主電流通路がそれぞれ負荷とアース端子(7)との間に並列に操作可能に接続され、制御端子同士が接続されている。センストランジスタ(3)の主電流通路(5)の両端間の電圧を、メイントランジスタ(3)の主電流通路(4)の両端間の電圧の所定部分にほぼ等しい電圧レベルに設定する手段を設ける。
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同期回路
【課題】 リセット端子を持たない1:nDEMUXやn:1MUXの複数個を同期させて並列動作させることが可能な同期回路を実現する。
【解決手段】 クロック信号を入力して作動する複数のカウンタIC手段の動作タイミングを一致させる同期回路において、前記複数のカウンタIC手段のうち、基準となるカウンタIC手段のクロック信号と同期対象となる他のカウンタIC手段のクロック信号との位相差を検出する位相差検出手段と、検出された前記位相差に基づいて前記他のカウンタIC手段のクロック信号の位相を制御する位相制御手段と、を備える。
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電源スイッチ回路
【課題】LSIチップ上で分離された複数の機能ブロック毎の電源に電圧差が発生しても、電源間をつなぐスイッチのオフ状態において電流を確実に遮断することが出来る電源スイッチ回路を提供する。
【解決手段】1aは、コントロール信号端子INCNT及び第1の電源入力端子IG11及び第2の電源入力端子IG12とを入力とし、第1の出力端子OG11及び第2の出力端子OG12とを出力とするゲート制御回路である。P1は、ゲート制御回路の第1の出力端子OG11がゲートに接続された第1のP型トランジスタであり、P2は、ゲート制御回路の第2の出力端子OG12がゲートに接続された第2のP型トランジスタであり、第1のP型トランジスタP1及び第2のP型トランジスタP2は、第1の電源VDD1と第2の電源VDD2間に直列に接続されスイッチ部分を構成する。
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信号出力回路
【課題】 従来の信号出力回路においては、出力オフセット電圧のずれが発生する場合がある。
【解決手段】 信号出力回路1は、第1および第2のエミッタフォロア回路、およびコンパレータ20を備えている。コンパレータ20は、上記第1および第2のエミッタフォロア回路からの出力信号を入力し、それらの大小関係を比較した結果を出力する。このコンパレータ20は、トランジスタT5(第5のトランジスタ)、トランジスタT6(第6のトランジスタ)、抵抗素子R3、およびカレントミラー回路30を含んで構成されている。抵抗素子R3は、トランジスタT5およびトランジスタT6のエミッタ同士を接続している。トランジスタT5およびトランジスタT6のコレクタには、カレントミラー回路30が接続されている。
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半導体装置
【課題】 小さな電流能力しか持たない信号源によるスイッチ制御と保護機能を備えたパワーMOSFETを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 第1端子にドレインを接続し、第2端子に上記パワーMOSFETのソースを接続し、上記第3端子と上記パワーMOSFETのゲートの間に高抵抗手段を接続する。上記パワーMOSFETに流れる電流を検出する電流検出手段の出力信号を受けて上記パワーMOSFETに流れる電流を制限する電流制限回路を上記パワーMOSFETのゲートと上記第2端子との間に設ける。
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スイッチ回路
【課題】実装面積及び製造コストを増大させることなく大電力の信号を入力した際に高調波歪みがほとんど発生しないスイッチ回路を実現できるようにする。
【解決手段】第1の入出力端子2及び第2の入出力端子3は、それぞれ第1の基本スイッチ部11及び第2の基本スイッチ部12を介してアンテナ端子1と接続されている。各基本スイッチ部11は、それぞれが4個の直列に接続されたFETからなるスルースイッチと、シャントスイッチとからなり、各スルースイッチ及び各シャントスイッチを構成するFETのソースは、抵抗を介して第1〜第4の電位固定端子とそれぞれ接続されており、第1と第4及び第2と第3の電位固定端子が互いに接続されている。第1のシャントスイッチ31の1段目のFET43Aのソースと接続された抵抗は、順方向に接続されたダイオードを介して第3の電位固定端子と接続されている。
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負荷駆動装置及び負荷駆動方法
【課題】 複数の負荷を駆動する場合に、負荷電流の集中的な増加を確実に抑制することができる負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】 負荷駆動装置の制御回路11は、3つの負荷A〜Cについて、同時に駆動される期間が存在しなくなるようにPWM信号A〜Cを出力する。具体的には、共通の搬送波信号の位相を遅延回路12B,12Cによって周期Tの1/3ずつ相互に変化させ、負荷の数に応じてPWM信号の出力位相を均等に変化させる。
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論理閾値変換方法及びその装置
【課題】電源電圧の全範囲にわたって論理回路の論理閾値を線形に制御可能にする。
【解決手段】論理閾値制御電圧を論理閾値制御回路に入力させ、前記論理閾値制御回路の出力を論理回路の出力端子に接続させ、前記論理回路の論理閾値を電源電圧の全範囲にわたって変換する。
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オフセットエラー修正およびそれに同一のものを使用するシステムを用いるサンプル&ホールド回路および方法
サンプル&ホールド回路は、入力信号のサンプルを格納するサンプリングコンデンサと、サンプリングコンデンサに格納されるサンプルを出力する出力ステージと、入力信号をサンプリングし、サンプリングコンデンサにサンプルを格納する入力回路を含む。入力回路は、第1の動作段階中に入力信号を選択的にサンプリングし、第2の動作段階中に入力信号のサンプルをホールドする自動ゼロ化入力バッファを含む。自動ゼロ化入力バッファは任意のオフセットエラーをキャンセルする。入力回路はまた、第2の動作段階中に、サンプリングコンデンサをサンプル&ホールド回路の入力と選択的に結合するため、また、第1の動作段階中にサンプリングコンデンサを自動ゼロ化入力バッファの出力と選択的に結合するためのスイッチング回路を含む。
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半導体装置
【課題】リーク電流遮断回路を備える半導体装置において、別途データ保持回路の配置領域や記憶手段を設けることなく、そのデータが破壊されるのを防止することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】データ保持回路を含む内部回路と、電源側およびグランド側のリーク電流遮断回路とを備える。例えば、グランド側のリーク電流遮断回路は、内部回路を構成するグランド側トランジスタのソースとグランドとの間を電気的に接続状態または遮断状態とするスイッチと、グランド側トランジスタのソースの電位がグランドの電位と略等しいことを検出するとスイッチを遮断状態とし、グランド側トランジスタのソースの電位がデータ保持回路にデータを保持するために必要なローレベルの最高電位よりも低い所定の電位まで上昇したことを検出するとスイッチを接続状態とする制御回路とを備える。
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半導体集積装置
【課題】内部の機能切替における必要なクロックの切替にかかる煩雑さを解消し、外部から内部の機能切替の命令のみで精密なクロック設定を実現する半導体集積装置を提供する。
【解決手段】外部から入力される内部機能の切替の命令100の内容を判別し、特定の機能ブロック118に対して必要なクロックの周波数を判別するクロック周波数判定回路114と、切り替え前後の周波数の関係により、機能切り替えとクロック切り替えのタイミングを制御し、切り替えの状態を表す機能切替・クロック切替完了フラグ110を外部に出力するクロック切替制御回路113とを備えることにより、クロック切り替えの制御を外部から行う必要がなくなるようにした。
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電源リセット回路
【課題】
従来の電源リセット回路と比べて、構成部品を減らし製造コストを低減することができ、複数の電源電圧を使用する電子機器に備えることができる電源リセット回路を提供する。
【解決手段】
電源から入力された電源電圧を予め定められた電圧して出力するレギュレータ手段に入力される電圧を監視する入力電圧監視手段は、電源からレギュレータ手段に入力される電圧が予め定められた電圧より高い電圧になると、前記レギュレータ手段に予め定められた電圧を出力させる制御信号を出力する。
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クロックジェネレータ
【課題】 チャージポンプ回路の出力電圧変動を抑制する。
【解決手段】 PLL回路1は、位相比較器2、チャージポンプ回路・LPF部3、VCO4、及び分周器5から構成され、チャージポンプ回路・LPF部3には、チャージポンプ回路6の充電電流及び放電電流を同一にするための補正チャージポンプ電流をチャージポンプ回路6に供給するチャージポンプ電流補正回路9が設けられている。
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