【課題】大型化せずに高耐電力化が図れるとともに、低損失化が図れる高周波スイッチ回路を得ること。
【解決手段】１／４波長の長さを有し、一方端が入力端子６に接続され、他方端が出力端子７に接続される信号線路３と、１／４波長の長さを有して前記信号線路の短手方向の両側に並置され、前記信号線路の一方端に対応する端部が信号グランドに接続される結合線路４ａ，４ｂと、スイッチング素子８とインダクタ９との並列接続で構成され、前記スイッチング素子のオフ動作時に並列共振を生ずる並列回路であって、前記並列接続の一方の接続端が前記結合線路の他方端に接続され、他方の接続端が信号グランドに接続される並列回路５ａ，５ｂとを備えている。 （もっと読む）

【課題】高周波用スイッチ回路としての歪み特性が悪くなってしまうという問題があった。
【解決手段】本発明のスイッチ回路は、入出力端子間に直列に接続されたトランジスタと、トランジスタの導通状態を制御する信号が入力される制御端子と、トランジスタの制御電極と制御端子間に接続された第１の抵抗と、制御端子とトランジスタの制御電極間に第１の抵抗と並列に接続された、ダイオードと第２の抵抗の直列回路を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＦＷＤが小電流で逆回復する時のサージ電圧や電圧振動を抑制するために、対向アームのオンゲート抵抗値を大きくする方式では、通常電流時の損失が大きくなり、装置の損失が大きく、装置が大型となる。
【解決手段】ターンオフ時にＩＧＢＴ３に接続されている内部インダクタンス５に発生する電圧を検出する電圧検出回路１２と、オフゲート信号が入力されてから電圧検出回路１２が電圧検出するまでの検出時間と予め定められた設定時間とを比較する比較回路１３と、を備え、比較結果に応じてターンオン用のゲート駆動抵抗８又は１１をスイッチ素子６、１０で切替える。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体におけるサージ電圧の上昇を抑制しつつパワー半導体のスイッチングロスを低減することが可能であり、かつパワー半導体装置を小型化することが可能なパワー半導体の駆動回路を提供する。
【解決手段】ゲート駆動回路１００に、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１のスイッチング動作によりＩＧＢＴ２００をターンオンするオン側駆動回路２と、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１２のスイッチング動作によりＩＧＢＴ２００をターンオフするオフ側駆動回路３と、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１３のスイッチング動作によりＩＧＢＴ２００のターンオフ状態を保持するオフ保持回路５と、を具備し、オフ保持回路５に、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１３のスイッチング動作によりターンオフ動作を開始し、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１およびＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１３よりもターンオフ動作に要する時間が長いＰＮＰ型バイポーラトランジスタ１４を設けた。 （もっと読む）

【課題】チップサイズを増大することなく相互変調歪及び高調波歪が低減可能な高周波スイッチ回路を提供する。
【解決手段】アンテナ端子と、第１及び第２のＲＦ端子と、前記アンテナ端子と前記第１のＲＦ端子との間に配置された第１のスルートランジスタと、前記アンテナ端子と前記第２のＲＦ端子との間に配置された第２のスルートランジスタと、接地と前記第１のＲＦ端子との間に配置された第１のシャントトランジスタと、接地と前記第２のＲＦ端子との間に配置された第２のシャントトランジスタと、互いに逆方向となるように並列接続されたＭＯＳキャパシタを有し、前記アンテナ端子と前記接地との間、及び前記第１及び第２のＲＦ端子のいずれかと前記接地との間、の少なくともいずれかに配置された歪補償回路と、を備え、前記アンテナ端子と、前記第１及び第２のＲＦ端子と、の間の電気的接続が切り替え可能とされたことを特徴とする高周波スイッチ回路が提供される。 （もっと読む）

【課題】雰囲気温度が高温の場合に大電力送信を行う際にあってもゲートリーク電流の増加に起因する昇圧された端子電圧の低下を抑圧し、高調波ひずみ特性の向上を図る。
【解決手段】送信の際、デコーダ回路２２によって、第１のスイッチ素子３１のゲートには、昇圧回路２１により得られた昇圧電圧Ｖ１が印加される一方、第２のスイッチ素子３２のゲートには、０Ｖが印加されることにより、第１のスイッチ素子３１は導通状態となり、第２のスイッチ素子３２は、非導通状態となり、さらに、第３のスイッチ素子３３は、導通状態となり、ダイオード３９が逆バイアス状態とされるため、第２のスイッチ素子３２のゲートリーク電流が増加しても、それに起因する昇圧された端子電圧の低下が回避できるものとなっている。 （もっと読む）

【課題】低損失でシンプルな方法で実現することのできるコントローラ回路を備えるシステムを提供する。
【解決手段】昇圧コントローラ１と、出力側で昇圧コントローラ１の下流に接続された共振コンバータ２と、変圧器３と、入力側で変圧器３の２次巻線Ｎ２に接続されている整流器４と、共振コンバータ２と変圧器３の１次巻線Ｎ１とに接続されており、共振キャパシタンスＣと、第１及び第２の共振インダクタンスＬ１、Ｌ２とを持つＣＬＬ共振回路５と、を持つコントローラ回路備え、スイッチング損失を低減するために、ＣＬＬ共振回路５は、“Ｔ”回路として具体化される。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、ＭＯＳＦＥＴのスイッチングロスをより低減して効率よく、かつ高速でスイッチングすることができるとともに、ハーフブリッジ型のスイッチング回路においてもＭＯＳＦＥＴの貫通電流による破損を確実に防止することができるスイッチング電源装置を提供する。
【解決手段】ハーフブリッジ型のスイッチング回路Ｓ１、Ｓ２において、パルス電圧により駆動するハイサイド側およびローサイド側のＭＯＳＦＥＴ６、１４で直流電源３をスイッチングする際に、一方のＭＯＳＦＥＴのＯＦＦ遅れによるハイサイド側およびローサイド側の同時ＯＮ状態を回避する。 （もっと読む）

【課題】挿入損失を増大させることなくマルチゲートのゲート間の電位安定化が可能なスイッチング素子並びにそれを用いたアンテナスイッチ回路及び高周波モジュールを提供すること。
【解決手段】電界効果型トランジスタを成すように、半導体基板上に形成された２個のオーミック電極３９，４０と、上記２個のオーミック電極の間に配置された少なくとも２個のゲート電極４１，４２と、隣り合うゲート電極の間に挟まれて配置された導電領域４５とが備えられる。導電領域は、一端に、上記隣り合うゲート電極に挟まれている導電領域よりも幅が広い幅広部分を有し、隣り合うゲート電極の間の距離が幅広部分の幅よりも狭い。更に、幅広部分を介して２個のオーミック電極の間に直列に抵抗４４，４６が接続されている。 （もっと読む）

【課題】広帯域に亘って低損失な特性を実現することができる高周波スイッチを得ることを目的とする。
【解決手段】一端が入出力端子１ａと接続されている高周波線路２ａと、一端が高周波線路２ａの他端と接続されているＦＥＴ３ａと、一端がＦＥＴ３ａの他端と接続され、他端がグランド４ａと接続されているＦＥＴ３ｂと、一端がＦＥＴ３ａの他端と接続され、他端が入出力端子１ｂと接続されている高周波線路２ｂと、一端が高周波線路２ａの他端と接続され、他端が入出力端子１ｃと接続されている高周波線路２ｃと、一端が高周波線路２ｃの他端と接続され、他端がグランド４ｂと接続されているＦＥＴ３ｃとを備える。 （もっと読む）

【課題】高周波スイッチ回路を介して伝達される高周波信号の２次高調波歪を低減するとともに、静電気放電破壊耐性を確保する。
【解決手段】高周波スイッチ回路は、受信用の受信側トランスファ回路（１１）と、送信用の送信側トランスファ回路（１２）と、受信端子（１）への高周波信号の漏洩を防止する受信側シャント回路（１３ａ）と、送信端子（２）への高周波信号の漏洩を防止する送信側シャント回路（１４ａ）とを備える。受信側トランスファ回路を構成するＳＯＩ構造のＭＯＳＦＥＴ（１０１−１０４）として、蓄積型で動作するトランジスタを用いる。また、アンテナ端子（３）に対して、送信側シャント回路と同一のトランジスタ構成を有するＥＳＤ保護回路（１５）を接続する。 （もっと読む）

【課題】 制御信号を駆動電圧を発生させるレベルシフタを提供することを目的とする。
【解決手段】 該レベルシフタは、一端が前記制御信号及び参考電圧とカップリングし、他端が前記駆動電圧及び補助電圧とカップリングする貯蔵用キャパシターと、前記制御信号及び前記参考電圧の一つを選択し前記貯蔵用キャパシターの一端に提供し、前記駆動信号及び前記補助電圧の一つを選択し前記貯蔵用キャパシターの他端に提供する選択スイッチ組と、を備えて成る。前記選択スイッチ組が前記参考電圧及び前記補助電圧を選択し前記貯蔵用キャパシターに提供することにより、前記貯蔵用キャパシターが前記制御信号及び前記駆動電圧とカップリングする際に、前記貯蔵用キャパシターは前記制御信号の電圧レベルが上昇するようにすることを特徴とする。本発明は表示画面駆動回路と映像表示系統も提供する。 （もっと読む）

【課題】アナログスイッチの歪みを低減する。
【解決手段】入力端子Ｐ１にはアナログ信号ＩＮが入力される。出力端子Ｐ２からは、アナログ信号ＯＵＴが出力される。第１トランジスタＭ１はＮチャンネルのＭＯＳＦＥＴであって、入力端子Ｐ１と出力端子Ｐ２の間に設けられる。第１抵抗Ｒ１は、第１トランジスタＭ１のゲートと第１固定電圧端子（電源端子）Ｐ３の間に設けられ、第１トランジスタＭ１のゲートをハイインピーダンス状態とする。 （もっと読む）

【課題】アナログスイッチの歪みを低減する。
【解決手段】入力端子Ｐ１にはアナログ信号ＩＮが入力される。出力端子Ｐ２からアナログ信号ＯＵＴが出力される。第１トランジスタＭ１はＮチャンネルのＭＯＳＦＥＴであって、入力端子Ｐ１と出力端子Ｐ２の間に設けられる。第１ダイオードＤ１は、第１トランジスタＭ１のゲートと第１固定電圧端子Ｐ３の間に、カソードがゲート側となる向きで配置し、ゲートをハイインピーダンス状態とする。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのオン状態において基板バイアス効果による電流駆動能力の低下を抑制し、低挿入損失、低信号歪を備えた高周波スイッチスイッチ装置を提供する。
【解決手段】スイッチトランジスタ１０６のソース・ドレインはそれぞれＤＣカット用の容量１１０，１１１を介して高周波信号の入出力端子１０１，１０２に接続され、スイッチトランジスタ１０６のゲートには抵抗１０７を介して第２のＤＣ端子１０４が接続、固定電位が印加され、ソース・ドレインは抵抗１０８, １０９を介して第1のＤＣ端子１０３が接続、スイッチトランジスタの制御電位が印加される。また、スイッチトランジスタの基板には、第３のＤＣ端子１０５が接続され、固定電位が印加される。 （もっと読む）

【課題】スイッチング損失の低減を図り、かつスイッチングの安定化および高速化を図ることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０１は、制御電極を有し、制御電極に供給される電圧に基づいてオン状態およびオフ状態を切り替える半導体素子１２と、制御電極にパルス状の電圧を供給する駆動回路４と、制御電極と駆動回路４との間に接続されるインダクタ８と、制御電極と駆動回路４との間にインダクタ８と直列に接続される抵抗６とを備える。 （もっと読む）

不連続ＭＩＴ特性を有するＭＩＴ素子を利用した三端子スイッチにおいて、既存のゲート絶縁膜が不要であり、不連続ＭＩＴジャンプを容易に制御できる三端子ＭＩＴスイッチ及びそのスイッチを利用したスイッチングシステム、及びそのスイッチのＭＩＴ制御方法を提供する。該三端子ＭＩＴスイッチは、転移電圧で不連続金属−絶縁体転移（ＭＩＴ）を起こす二端子ＭＩＴ素子と、ＭＩＴ素子の両端に連結されたインレット，アウトレット電極と、インレット電極に連結されるが、インレット電極の外部端子と分離された外部端子を有するコントロール電極とを含み、コントロール電極に印加される電圧または電流によって、ＭＩＴ素子のＭＩＴが制御される。また、該スイッチングシステムは、三端子ＭＩＴスイッチと、インレット電極に連結される電源素子と、コントロール電極に連結されるコントロール電源素子とを含む。
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【課題】スイッチ回路のポート数が増加しても挿入損失を増加させず、且つ歪みによる高調波の影響を低減することのできるスイッチ回路を提供する。
【解決手段】１個の共通出力ポートと、一端が第１ノードで共通接続されたＭ（Ｍは２以上の整数）個の第１スイッチと、一端が共通出力ポートに共通接続されたＮ（Ｎ≧１の整数）個の第２スイッチと、一端が共通出力ポートに接続され、他端が第１ノードに接続された第３スイッチと、第１スイッチの他端にそれぞれ接続されたＭ個の第１入出力ポートと、第２スイッチの他端にそれぞれ接続されたＮ個の第２入出力ポートとを備え、第１入出力ポート及び第２入出力ポート中の選択されたいずれか１つのポートのみを共通出力ポートに接続させるように駆動され、第１入出力ポートのいずれかが選択された時には、第３スイッチを閉塞することを特徴とするスイッチ回路とした。 （もっと読む）

【課題】所要電流の異なる複数の負荷の駆動に対しても、スイッチング速度の劣化やスイッチング損失の増大を伴わず、最適に対応することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】スイッチング電源を構成するスイッチング素子が、許容電流の異なる複数個のパワー素子Ｐ１〜Ｐ３に分割されてなり、パワー素子Ｐ１〜Ｐ３の第１電流端子が、共通する電源端子Ｄに接続され、パワー素子Ｐ１〜Ｐ３の第２電流端子が、共通する出力端子Ｔに接続され、パワー素子Ｐ１〜Ｐ３の各ゲート端子が、トランジスタからなるスイッチＳ１〜Ｓ３を介して、共通するゲート信号端子Ｇに接続されてなり、パワー素子Ｐ１〜Ｐ３とスイッチＳ１〜Ｓ３とで構成される出力回路部Ｋ１が、一つの第１半導体チップ１０に形成されてなり、パワー素子Ｐ１〜Ｐ３が、スイッチＳ１〜Ｓ３により切り替えられて用いられる半導体装置１００とする。 （もっと読む）

【課題】 装置に依存することなく良好なノイズ特性と損失特性を実現することができるスイッチング回路を提供すること。
【解決手段】 フィードバック回路部４１を備える規範電圧波形追従駆動部４によりスイッチング素子を駆動して負荷を作動させるスイッチング回路１において、フィードバック回路部４１を備える規範電圧波形追従駆動部４へ入力する信号波形を、予めノイズ特性と損失特性を設定した波形にして出力する規範電圧波形生成部３を備えた。 （もっと読む）