【課題】電力ロスを低減しつつセンサ回路に供給される電圧の安定化を図ることができるセンサ駆動回路を安価に提供する。
【解決手段】ブリッジ回路Ｂに対して正電圧を供給する方向に導通するトランジスタＱ１が、ブリッジ回路Ｂと図示しない交流電圧源との間に設けられている。ダイオードブリッジ１２が、ブリッジ回路Ｂと図示しない交流電圧源との間に設けられ、ブリッジ回路Ｂに供給される交流電圧を全波整流する。比較回路１３が、ブリッジ回路Ｂに供給された交流電圧と電圧Ｖｔｈとを比較して、ブリッジ回路Ｂに供給される交流電圧の大きさが電圧Ｖｔｈを越えないようにトランジスタＱ１を制御する。 （もっと読む）

【課題】電力ロスを低減しつつセンサ回路に供給される電圧の安定化を図ることができるセンサ駆動回路を安価に提供する。
【解決手段】電圧検出回路１２が、ブリッジ回路Ｂに供給される交流電圧を分圧した電圧を基準電圧Ｖｒｅｆだけシフトアップした電圧を出力する。第１比較回路１３が、電圧検出回路１２により出力された電圧と第１比較電圧Ｖｃ１とを比較して、ブリッジ回路Ｂに供給される正の交流電圧の大きさが電圧Ｖｔｈを越えないように第１トランジスタＱ１を制御する。第２比較回路１４が、電圧検出回路１２により出力された電圧と第２比較電圧Ｖｃ２とを比較して、ブリッジ回路Ｂに供給される負の交流電圧の大きさが電圧Ｖｔｈを越えないように第２トランジスタＱ２を制御する。 （もっと読む）

【課題】入力電圧を昇圧して出力する半導体集積回路における、トランジスタの耐圧が、入力電圧以下に抑えられる昇圧回路を提供する。
【解決手段】コンデンサＣｐは、一方の端子がクロック信号を出力するクロック端子に接続され、他方の端子が整流回路４に接続されている。コンデンサＣｐの他方の端子の最低電圧を第１の電圧にクランプするクランプ回路３を備えている。このクランプ回路３は、第１のＮ型トランジスタＮ１、および第２のＮ型トランジスタＮ２を有している。この第１のＮ型トランジスタＮ１は、ドレインをコンデンサの他方の端子に接続し、ソースを前記第２のＮ型トランジスタＮ２のドレインに接続し、さらに、ゲートを第１の電圧よりも高い第２の電圧Ｖａに接続している。また、第２のＮ型トランジスタＮ２は、ソースを第１の電圧Ｖｐに接続し、ゲートを前記クロック信号の反転信号を出力する反転信号端子に接続している。 （もっと読む）

【課題】チップサイズを増大させることなく相互変調歪を低減可能な高周波スイッチ回路を提供する。
【解決手段】本発明の高周波スイッチ回路は、アンテナ端子ＡＮＴと、各高周波端子ＲＦ１〜ＲＦ６のそれぞれとの間に直列にｎ段（ｎは自然数）接続され、ＳＯＩ構造に形成されたスルーＦＥＴＴ｛ｉ，ｊ｝と、スルーＦＥＴＴ｛ｉ，ｊ｝のそれぞれのゲートに接続された高周波漏洩防止抵抗ＲＴ｛ｉ，ｊ｝と、同じ高周波端子に接続されたＮ段のスルーＦＥＴのゲートに共通に接続された制御信号線Ｃｏｎ１ａ、Ｃｏｎ２ａと、制御信号線Ｃｏｎ１ａ、Ｃｏｎ２ａのそれぞれに高周波漏洩防止抵抗ＲＴ｛ｉ，ｊ｝とは別に直列に挿入された抵抗Ｒ１、Ｒ２と、を備え、抵抗Ｒ１、Ｒ２におけるスルーＦＥＴＴ｛ｉ，ｊ｝側の端子間が容量性結合している。 （もっと読む）

【課題】マルチバンド又はマルチモードに適した高周波回路、高周波電力増幅装置、及び半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る高周波回路は、高周波信号を増幅する高周波回路であって、高周波信号を増幅して増幅信号を出力する増幅回路と、増幅回路の出力と接続された負荷回路と、複数の伝送線路と、増幅信号の所定パラメータに応じて、複数の伝送線路の中から負荷回路の出力と接続する伝送線路を選択する選択回路と、選択回路で選択された伝送線路毎に、増幅回路から増幅回路の出力側をみたときの負荷インピーダンスを所定の負荷インピーダンスに変換する変換回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ノーマリオン型の半導体素子を用いて、より安全なノーマリオフ的な動作となる簡単な構成の半導体スイッチング装置を提供する。
【解決手段】市販のゲートドライバ１１を用いて、ノーマリオン型のＪＦＥＴ１０を駆動する。このとき、ＮチャネルのＪＦＥＴ１０のソースＳをゲートドライバ１１の高圧側の電源ノード１２に接続し、ゲートＧをゲートドライバ１１の出力ノード１５に接続する。入力された制御信号ＶｓｉｇがＬレベルの場合、出力ノード１５の電位Ｖｇは低圧側の電源ノード１３の電位Ｖｎに等しくなる。したがって、Ｌレベルの制御信号Ｖｓｉｇ入力に対して、ゲート・ソース間に負の閾値電圧以下の電圧が印加されてＪＦＥＴ１０がターンオフするというノーマリオフ的な動作が実現している。 （もっと読む）

【課題】負荷電流が大なる場合でも損失電力を小とし、システム全体を小型化し、その上電力効率も上げ得る負荷駆動回路を提供する。
【解決手段】信号源（４）と、信号源（４）よりの入力信号と負荷電流検出部（Ｒ３）よりの検出信号とを受けて差演算を行い、その出力をＯＰアンプ（１）の非反転入力端子に入力する演算回路（８）と、前記入力信号を受け、その極性に応じて、正又は負のコントロール信号を出力する可変／固定電圧選択回路（５）と、この可変／固定電圧選択回路からの正のコントロール信号を受けて所定の正電源電圧をＮＰＮ型トランジスタ（Ｑ１）に供給する第１の電源供給部（６）と、可変／固定電圧選択回路からの負のコントロール信号を受けて所定の負電源電圧をＰＮＰ型トランジスタ（Ｑ２）に供給する第２の電源供給部（７）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高周波信号の歪が少ない高周波信号用スイッチ回路を提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板上に形成された高周波信号用スイッチ回路において、１つのアンテナ端子ＡＮＴと複数の高周波端子との間にそれぞれスルースイッチ部を設ける。スルースイッチ部Ｍ４Ｔにおいては、アンテナ端子ＡＮＴと高周波端子ＲＦ４との間にｎ個（ｎは２以上の整数）の電界効果型トランジスタＭ１〜Ｍｎを直列に接続する。トランジスタＭ１〜Ｍｎは、共通の制御信号Ｃｏｎｔ４に基づいてオン状態とオフ状態とを切替える。また、スルースイッチ部Ｍ４Ｔには電界効果型トランジスタＭｘを設け、トランジスタＭｎに対して並列に接続する。トランジスタＭｘのゲートには常時電源電位Ｖｄｄを印加し、常時オン状態とする。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板上に形成され、オン／オフ特性が高く、高周波信号の歪が少ない高周波信号用スイッチ回路を提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板上に形成された高周波信号用スイッチ回路１において、高周波入出力端子ＡＮＴを高周波端子ＴＸに接続するか高周波端子ＲＸに接続するかを切替えるスイッチ部１１と、負電位Ｖｓｓを生成する負電位発生回路と、スイッチ部１１を制御する制御部１３とを設ける。制御部１３には、正電位Ｖｄｄと負電位Ｖｓｓが供給され、スルートランジスタＴ１のゲート及びシャントトランジスタＴ３のゲートの一方に正電位Ｖｄｄを出力し他方に負電位Ｖｓｓを出力する差動回路１６と、スルートランジスタＴ１及びシャントトランジスタＴ３のバックゲートに対して、接地電位ＧＮＤ又は負電位Ｖｓｓを出力するＣＭＯＳインバータＩＮＶ１３及びＩＮＶ１４を設ける。 （もっと読む）

【課題】 電力変換装置の各アームを構成する半導体素子に対して設けられるフリーホイーリングダイオードのサージ電圧を抑制し、半導体素子のターンオン損失を低減する。
【解決手段】従来のゲート駆動装置に対し、抵抗Ｒ，コンデンサＣからなる遅延回路、抵抗Rg（on）１およびトランジスタTR10を接続することにより、フリーホイーリングダイオード逆回復時の低電流域では、半導体素子IGBTを抵抗Rg（on）により、また高電流域では抵抗Rg（on）と抵抗Rg（on）１との並列抵抗により、それぞれターンオンさせることで掲記課題の解決を図る。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗を低減することのできる安定したスレッショールド電圧の双方向スイッチ、及び半導体装置を提供すること
【解決手段】本発明にかかる双方向スイッチは、Ｐ半導体基板１上に形成され、第１及び第２ＭＯＳスイッチＭ１、Ｍ２のドレインとなるＮウェル領域２と、Ｎウェル領域２に設けられた第１トレンチ３内にゲート絶縁膜６を介して形成された第１ゲート電極７１ａと、Ｎウェル領域２に第１トレンチ３と離間して設けられた第２トレンチ３内にゲート絶縁膜６を介して形成された第２ゲート電極７２ａと、第１トレンチ３の側壁においてＮウェル領域２の表面にＰオフセット領域５を介して形成された第１Ｎ＋ソース領域９と、第２トレンチ３の側壁においてＮウェル領域２の表面にＰオフセット領域５を介して形成された第２Ｎ＋ソース領域１０と、を備え、第１トレンチ３と第２トレンチ３との間の領域には、Ｎウェル領域２が形成されているものである。 （もっと読む）

【課題】アンテナスイッチの各トランジスタに流れる高周波電流の変化量を低く抑え、高調波歪みを大幅に低減する。
【解決手段】ＳＰ６Ｔスイッチのシャント部３１（，３２）は、ＦＥＴなどからなるトランジスタ５３〜５６、抵抗５７〜６６、およびＤＣカット容量となる静電容量素子６７〜６９から構成されており、抵抗６１〜６５の抵抗比は、たとえば、１：２：２：２：１となるように設定されている。このように、抵抗比を１：２：２：２：１として抵抗分割することによって、オフ時の基本スイッチを構成する多段に接続されたトランジスタ５３〜５６にかかるゲート−ソース間電圧、ゲート−ドレイン間電圧、ドレイン・ソース間電圧を均等化でき、特定のトランジスタのゲート−ソース間容量、およびゲート−ドレイン間容量に流れる高周波電流変化が大きくなることを防ぎ、歪を低く抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】従来の出力駆動回路では、出力電圧が不安定になることがあった。
【解決手段】本発明は、出力段電源電圧をドレインに印加されソースが第１のノードと接続されるハイサイドトランジスタと、接地電圧をソースに印加されドレインが第１のノードと接続されるロウサイドトランジスタを備えるトーテムポール型の出力部と、第１のノードに一端を接続され、ハイサイドトランジスタのオフ時の充電電荷を、オン時にゲートに供給する容量素子を備えるブートストラップ部を有する出力駆動回路であって、駆動回路電源電圧とハイサイドトランジスタのゲート間に接続され、ハイサイドトランジスタをオンする場合に導通状態となる第１のトランジスタと、容量素子の他端とハイサイドトランジスタのゲート間に接続され、ハイサイドトランジスタをオンする場合に導通状態となる第２のトランジスタを有する出力駆動回路である。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタを、別途電源を用いることなく確実にオンさせることが可能な負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】負荷Ｌを駆動する電界効果トランジスタ13のゲート端子13Gにトランジスタ23を接続する。信号源16からのＬレベル信号出力状態で直流電源Ｅにより充電回路15のコンデンサ25を充電する。信号源16からのＨレベル信号出力状態で、コンデンサ25に充電した電圧をＨレベル信号電圧に重畳した電圧によりトランジスタ23を動作させることによって、この電圧を電界効果トランジスタ13のゲート端子13Gに供給する。電界効果トランジスタ13を、別途電源を用いることなく確実にオンさせることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】多チャンネルの高周波信号切り替えを小規模の回路構成にて容易に実現できる多チャンネル高周波信号切替装置を提供する。
【解決手段】多チャンネルの高周波信号を扱う切替回路を、四辺形のマトリクス配線領域１１を囲繞するように８組の高周波信号切替スイッチ１２Ａ〜１２Ｈを設け、各チャンネルに共通のマトリクス配線領域に集成して、多チャンネル集成型の高周波信号切替回路を構成した。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、チップサイズを増すことなく、選択された信号通過経路に応じて歪み特性の改善、スイッチ素子の挿入損失の低減を図る。
【解決手段】第１の高周波入出力端子１０１と接地電位との間に、第１のＤＣ信号切替用スイッチ素子２２と第１のバイアス抵抗器２４とが直列接続されて設けられる一方、第１の高周波入出力端子１０１と制御回路２１との間に、第２のＤＣ信号切替用スイッチ素子２３と第２のバイアス抵抗器２５が直列接続されて設けられ、第１及び第２のＤＣ信号切替用スイッチ素子２２，２３は、その導通・非導通が第１乃至第３のスイッチ素子１１〜１３の動作に連動して制御回路２１により制御されて、第１乃至第３のスイッチ素子１１〜１３のバイアス電圧が必要に応じて変化可能となっている。 （もっと読む）

【課題】各スイッチング素子のオフ速度を十分に速めることができ、これにより各スイッチング素子の発熱量および電力損失の低減が図れる電源装置およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】トランジスタＱ１のオンからオフへの切換に際し、第１駆動回路１０のトランジスタ１１の上流側端子が正電位となってトランジスタ１２の下流側端子が零電位未満となる動作用電圧を第１駆動回路１０に印加しておく。トランジスタＱ２のオンからオフへの切換に際し、第２駆動回路２０のトランジスタ２２の上流側端子が正電位となってトランジスタ２２の下流側端子が零電位未満となる動作用電圧を第２駆動回路２０に印加しておく。 （もっと読む）

【課題】受信側のスイッチがオフとなっても受信アンプへの入力不整合は生じず、受信アンプの動作が不安定になることを回避できるようにする。
【解決手段】送信側に接続された第１λ／４信号伝送路１８ａと、受信側に接続された第２λ／４信号伝送路１８ｂ及び第３λ／４信号伝送路１８ｃと、第１λ／４信号伝送路１８ａに対して並列に接続された第１スイッチ回路２２ａと、第２λ／４信号伝送路１８ｂに対して並列に接続された第２スイッチ回路２２ｂと、第３λ／４信号伝送路１８ｃに対して並列に接続された第３スイッチ回路２２ｃとを有する。受信側の第３スイッチ回路２２ｃは、第３ＰＩＮダイオード２８ｃに対して、受信側終端形成用抵抗ＲｒとコンデンサＣｒの直列回路が並列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】導通時の損失が低減され、２端子のダイオードとの置き換えが容易で、連続して駆動電圧を生成してＭＯＳＦＥＴのオン動作が継続できる整流装置を得る。
【解決手段】各整流回路には、ソース・ドレイン間に寄生ダイオードが内蔵され、ドレイン電極を前記陰極端子に接続しソース電極を前記陽極端子に接続したnチャネル型ＭＯＳＦＥＴと、前記陽極端子と前記陰極端子間が導通時に前記ＭＯＳＦＥＴのソース・ドレイン間の電圧を所定の電圧に昇圧する昇圧回路と、前記昇圧回路の出力を電源として供給する電源供給回路と、前記昇圧回路の出力を前記電源供給回路を介して電源とし、前記陽極端子と前記陰極端子間の電圧に応じて前記ＭＯＳＦＥＴのゲート電極に駆動信号を出力する駆動制御回路とを備え、前記第１整流回路の前記電源供給回路の出力側と前記第２整流回路の前記電源供給回路の出力側とを接続した。 （もっと読む）

【課題】低消費電力化および動作の高速化が可能なドライバ回路およびレベル変換回路を提供するを目的とする。
【解決手段】入力信号の電圧レベルの変化に対応させて出力信号の電圧レベルを変化させるドライバ回路において、トランジスタＱ５がオンして出力信号の電圧レベルが変化すると、それを駆動する入力段回路１００の出力ノードＮ１が昇圧される正帰還動作が行われる。それによりトランジスタＱ５のゲート・ソース間電圧が大きくなり、そのオン抵抗が小さくなる。また入力段回路１００におけるブートストラップ作用により、上記正帰還動作における出力ノードＮ１の電圧レベルの変化も高速化される。 （もっと読む）