【課題】 歪みや出力電力の低下を起こすことなく、低い挿入損失と、高いハンドリングパワー特性を有する半導体スイッチ回路を提供する。
【解決手段】 ２信号の経路切り替え半導体スイッチ回路において、共通入出力端子と接地との間に接地抵抗を設け、ＦＥＴスイッチを構成するＦＥＴのうち、共通入出力端子に接続するＦＥＴのゲートと共通入出力端子をキャパシタで接続し、このＦＥＴ以外はドレイン、ソース間を高抵抗値の抵抗で接続する。切り替え信号印加端子と個別入出力端子との間には、この個別入出力端子に接続するＦＥＴのゲート電極に印加される電圧と逆相の電圧が、高抵抗値の抵抗を介して印加される。 （もっと読む）

【課題】本発明は部品点数を少なくして小型化するとともに、損失の少ない入力回路を提供する。
【解決手段】スイッチ３を用いて汎用ＩＣ９に信号が入力される非絶縁型入力回路において、ダイオード５のアノードに第１の抵抗４が接続され、前記第１の抵抗４の他端が機器電圧２に接続され、前記ダイオード５のアノードと前記第１の抵抗との接続部が前記スイッチ３に接続され、前記スイッチ３の別端が前記機器電圧２の接地側に接続され、前記ダイオード５のカソードが前記機器電圧２から論理回路電圧分低い論理接地点６に第２の抵抗７を介して接続されるとともに、前記ダイオード５のカソードの信号が前記汎用ＩＣ８に接続されたものである。 （もっと読む）

【課題】リピータが介在する通信システムにおいて、リピータと両方の伝送路との間での各データ伝送と、バイパスする必要のあるリピータを伝送路から切り離してのデータ伝送とを行う場合に、通信しない伝送路において高周波信号の高い遮断特性が実現できる信号切替方式を得ること。
【解決手段】リピータ３をバイパスしない場合は、切替手段ＳＷ９ｂ，ＳＷ９ｃが共に導通状態となり、切替手段ＳＷ９ａが高い遮断特性を有して遮断状態となる。また、リピータ３をバイパスしてデータ伝送を行う場合は、切替手段ＳＷ６ａが導通状態となり、切替手段ＳＷ９ｂ，ＳＷ９ｃが共に高い遮断特性を有して遮断状態となる。これによって、漏洩の少ない安定した通信が可能になる。 （もっと読む）

【課題】簡単な回路構成によって高周波信号の遮断性能を向上させることが可能な信号遮断回路を得ること。
【解決手段】通信装置２，３間の通信信号を遮断する場合、開閉スイッチ５は、端子５ａと端子５ｃとの間、端子５ｂと５ｄとの間の接続を解除して開路状態となる。また、開閉スイッチ６は、端子６ａと端子６ｃとの間、端子６ｂと６ｄとの間の接続を解除して開路状態となる。このとき、開閉スイッチ５では、端子５ｃと端子５ｅとの間、端子５ｄと５ｆとの間をそれぞれ接続するので、内部接続線７ａ，７ｂの一端は、開放状態にならず、短絡線８でショートされた状態になる。これによって、内部接続線７ａ，７ｂ間に電位差が発生するのが抑制され、遮断性能が向上する。 （もっと読む）

単一のまたは並列配置された逆極性のFETからなるFETスイッチは、内部電力レールによって駆動されるウェルを備える。内部電力レールは、一方の事例では、他の駆動FETスイッチによって、正電源レベルと信号レベルとのうちの高い方に論理的に結合される。この場合、PMOS FETスイッチのウェルは、ドレイン／ソース−ウェル間ダイオードが順方向バイアスされないようにする。もう一方の事例では、第２の電力レールが、入力信号とアースとのいずれか低い方に論理的に結合される。この場合、NMOS FETのウェルは、ドレイン／ソース−ウェル間ダイオードが順方向バイアスされないようにする。
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【課題】バッテリー充電デバイスでの電力損失を低減させる。
【解決手段】本発明は、パワートランジスタ（５）制御のデバイス（１０）であって、出力制御信号により、前記トランジスタのゲート（５）をモニターするための増幅デバイス（１５）を備え、この増幅デバイスは、全体が第１回路部分を形成する、前記トランジスタのドレインに接続された第１入力と、全体が第２回路部分を形成する、前記トランジスタのソースに接続された第２入力（ＰＯＳ）とを備えている。またこの制御デバイスは、バイアス電流（Ｉ１、Ｉ２）を発生するための手段を備え、前記バイアス電流は、前記第１入力および第２入力に注入され、前記ドレイン−ソース電圧測定におけるオフセットを生じさせると共に、前記トランジスタが開となる前に前記出力制御信号のためのリニア作動モードを保持するようになっており、更に、前記第１回路部分および前記第２回路部分内に、同じ数Ｎの半導体接合部を備えている。本発明は、特にバッテリー充電デバイスに使用できる。 （もっと読む）

【課題】電力ロスがなく出力電圧として入力電圧に等しい電圧を安定して出力することができる電圧選択回路を提供する。
【解決手段】第１のインバータＩＮＶ１及び第３のインバータＩＮＶ３に制御信号が入力され、第１のインバータＩＮＶ１の出力が第２のインバータＩＮＶ２及び第４のＭＯＳＦＥＴ（Ｍ１２）のゲートに、第２のインバータＩＮＶ２の出力が第１のＭＯＳＦＥＴ（Ｍ９）のゲートに、第３のインバータＩＮＶ３の出力が第４のインバータＩＮＶ４及び第３のＭＯＳＦＥＴ（Ｍ１１）のゲートに、第４のインバータＩＮＶ４の出力が第２のＭＯＳＦＥＴ（Ｍ１０）のゲートに夫々入力されるように接続し、第２のＭＯＳＦＥＴ（Ｍ１０）のソースに制御信号によって選択される第１の入力電圧Ｖ１が、第４のＭＯＳＦＥＴ（Ｍ１２）のソースに制御信号ＩＮによって選択される第２の入力電圧Ｖ２が入力されるように電圧選択回路を構成する。 （もっと読む）

【課題】入力信号の減衰量が少なく、スイッチング動作に伴う容量成分の充放電による影響を低減することが可能な半導体スイッチ回路を提供する。
【解決手段】この半導体スイッチ回路では、スイッチング動作を行うスイッチング制御回路８へのバイアス印加を間欠的にすることで、スイッチング動作に伴う結合コンデンサ５，６の充放電による影響を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】周波数特性を改善して高い周波数においても良好な挿入損失を得られる高周波スイッチ回路を提供する。
【解決手段】共通端子５００は、容量４００を介してＦＥＴ１０１及び１０２のドレインにそれぞれ接続される。ＦＥＴ１１１〜１１４は、直列に接続され、ＦＥＴ１０１のソースと端子５０１との間に容量４０１を介して挿入される。同様にして、ＦＥＴ１２１〜１２４、ＦＥＴ１３１〜１３３、ＦＥＴ１４１〜１４３、ＦＥＴ１５１〜１５３及びＦＥＴ１６１〜１６３も、ＦＥＴ１０１又は１０２のソースと端子５０２〜５０６との間に挿入される。この構成によれば、送信時及び受信時共に伝送経路にぶら下がる浮遊容量値を減らすことができるため、優れた高周波特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】アイソレーション特性に優れ、さらにＥＳＤ耐圧にも優れた高周波スイッチ装置およびそれを半導体基板上に形成させた半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波スイッチ装置を複数のＦＥＴからなるトランスファ回路部ＴＦ１１、ＴＦ１２とシャント回路部ＳＨ１１、ＳＨ１２とから構成し、シャント回路部ＳＨ１１、ＳＨ１２の端部に電波吸収材素子ＲＡ１１、ＲＡ１２を設ける構成を有している。シャント回路部ＳＨ１１、ＳＨ１２と電波吸収材素子ＲＡ１１、ＲＡ１２の接続点にはその点の電位を固定するための外部電圧端子Ｖｓｔ１１が接続される。これによりアイソレーション特性に優れ、静電サージなどの大電圧の信号が流れ込んだ場合にも破壊されず、高周波スイッチ装置として機能する小型高周波スイッチ装置を可能にする。 （もっと読む）

【課題】スイッチ回路装置は、線形性を維持しつつ、ハンドリングパワーの高出力化が求められている。
【解決手段】半導体スイッチ回路装置は、第１スイッチ素子群と第２スイッチ素子群と容量素子とバイアス電圧生成回路と切替制御端子とを具備する。第１スイッチ素子群は第１ノードと第２ノードとの間に接続され、第１ノードは第１入出力端子に接続される。第２スイッチ素子群は第３ノードと第４との間に接続され、第３ノードは第２入出力端子に接続される。容量素子は、第２ノードと第４ノードとの間に接続され、第１スイッチ素子群と第２スイッチ素子群との間のバイアスを遮断する。バイアス電圧生成回路は、第１スイッチ素子群に印加される第１制御電圧と第２スイッチ素子群に印加される第２制御電圧とを生成する。切替制御端子は、第１ノード・第２ノード間、及び、第３ノード・第４ノード間の導通遮断を制御する開閉電圧が印加される。この開閉電圧は、バイアス電圧生成回路に供給される電源電圧の最大電圧と最小電圧である。 （もっと読む）

【課題】 低消費電力で信頼性の高いブートストラップ回路を提供する。
【解決手段】 電源ＶＤＲＶの立上がりに、制御部７０はプリチャージ信号Ｓ７０に予備充電用のパルスを形成し、その後にＰＷＭ信号発生回路７１がＮＭＯＳ４１をオンオフさせるパルス列を発生する。ブートストラップ回路５０は、予備充電用パルスに基づきＮＭＯＳ５２を介してＰＭＯＳ５８を充電し、その後、ＰＭＯＳ５８の充電電圧と電源ＶＤＲＶの電圧を加算した電圧をＰＭＯＳ５６を介してＮＭＯＳ６０のゲートに与え、ＮＭＯＳ６０をオンさせてキャパシタ６１を充電する。ＮＭＯＳ４１をオンさせるタイミングで、キャパシタ６１の充電電圧をＮＭＯＳ４１のゲート・ソース間に与え、ＮＭＯＳ４１をオンさせる。 （もっと読む）

【課題】 化合物半導体による高周波スイッチ回路において、高周波スイッチ回路を有する高周波装置の低歪み化を図る。
【解決手段】 スイッチ回路１１を構成する電界効果トランジスタＦＥＴが形成される化合物半導体基板１が絶縁部２を介して配置され、基板１１に所要の正電位の電圧を印加することによって、歪みの低減を図ることができた。 （もっと読む）

【課題】 スイッチからの電力漏洩を抑制し、オン抵抗を向上させることの可能な半導体装置およびその制御方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は、送信部と接続される入力端子Ｔｘ１、Ｔｘ２と、共通接続部と接続される端子Ａｔ１、Ａｔ２との間に複数のＦＥＴが直列に接続され、各ＦＥＴのゲートが送信用駆動回路に接続される送信用スイッチ１０、２０を有する。また、受信部と接続される出力端子Ｒｘ１、Ｒｘ２と、共通接続部と接続される端子Ａｒ１、Ａｒ２との間に複数のＦＥＴが直列に接続され、各ＦＥＴのゲートが受信用駆動回路に接続される受信用スイッチ３０、４０を有する。さらに所定の電源に基づいて正または負の昇圧電圧を生成する昇圧回路８０とを有している。そして、送信用スイッチが導通状態の場合に、受信用スイッチを非導通状態とする電位として、受信用スイッチのＦＥＴに昇圧電圧を印加する半導体装置とその制御方法である。 （もっと読む）

【課題】周波数帯域を広帯域化し、かつ、通過損失および漏洩が少ない高周波スイッチ回路、無線機器および信号切り替え器を提供する。
【解決手段】複数の入出力端子１００，２００，…，Ｎ００のひとつを選択的に別の端子１０００に接続する構成として、複数の前記入出力端子それぞれと端子１０００との間に、伝送線路１０１，２０１，…，Ｎ０１を、また、複数の前記入出力端子それぞれとアースとの間に、スイッチング用の可変容量素子と、該可変容量素子のオフ時にあらかじめ指定した所要周波数で該可変容量素子と直列共振する誘導性リアクタンスとを有する直列共振回路網１０２，２０２，…，Ｎ０２、および、前記所要周波数で前記誘導性リアクタンスと並列共振する容量性リアクタンスを有する並列共振回路網１０３，２０３，…，Ｎ０３、をそれぞれ接続し、前記容量性リアクタンスの容量値と前記可変容量素子のオフ時の容量値を同じ値とする。 （もっと読む）

【課題】温度変化に伴うアナログスイッチ回路のオン抵抗値の変動を抑制する。
【解決手段】アナログスイッチ回路は、スイッチ部（１１）と、第１の制御回路（１２）と、第２の制御回路（１３）とを備えている。スイッチ部（１１）は、直列に接続された第１および第２のＰ型トランジスタ（１１１）、（１１２）ならびに直列に接続された第１および第２のＮ型トランジスタ（１１３）、（１１４）が、並列に接続され、接続された両端にそれぞれ第１の第２の端子（１１５、１１６）を有する。第１の制御回路（１２）は、温度の増加に伴って出力電圧が減少し、当該出力電圧を第２のＰ型トランジスタ（１１２）のゲートに供給する。第２の制御回路（１３）は、温度の増加に伴って出力電圧が増加し、当該出力電圧を第２のＮ型トランジスタ（１１４）のゲートに供給する。 （もっと読む）

【課題】 高耐圧で低オン抵抗の半導体装置を提供する。
【解決手段】 ｐ型基板に、ｐ型ウェル領域３、ｎ型ドリフト領域４、複数のｎ⁺型ソース領域５およびｎ⁺型ドレイン領域６が形成された半導体装置１を、ｎ⁺型ドレイン領域６と各ｎ⁺型ソース領域５との間に形成されるチャネルがｎ⁺型ドレイン領域６の周囲に略楕円状に配置されるような構造とする。チャネル領域１ａには複数のチャネルが並んで形成されるようにし、耐圧領域１ｂにはチャネルが形成されないようにして耐圧を確保する。これにより、より多くのチャネルを効率的に配置することができるようになり、適当な耐圧を確保しつつ、チャネル幅を広げずに低オン抵抗化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】ローサイド側のスイッチング素子の状態の如何に関わらず、所定の電圧をハイサイド駆動回路の電源として供給する駆動回路。
【解決手段】直流電源Ｖｉｎのハイサイド側に配置されたスイッチング素子ＱＨを制御信号によりオン／オフさせるハイサイド駆動回路７０と、直流電源のローサイド側に配置されると共にスイッチング素子ＱＨに直列に接続されたスイッチング素子ＱＬを制御信号によりスイッチング素子ＱＨと交互にオン／オフさせるローサイド駆動回路６０とを有し、補助電源Ｖｃｃ１の両端にスイッチ素子Ｑｎ１とコンデンサＣ１とスイッチ素子Ｑｎ２とが直列に接続され、Ｃ１の両端にスイッチ素子Ｑｐ１とＣ２とスイッチ素子Ｑｐ２とが直列に接続され、制御回路１０はＱｎ１，Ｑｎ２とＱｐ１，Ｑｐ２とを交互にオン／オフさせると共に、Ｑｎ１，Ｑｎ２をオンさせた後にＱｐ１，Ｑｐ２をオンさせ、Ｃ２はハイサイド駆動回路の電源を供給する。 （もっと読む）

【課題】 高周波スイッチ回路において、挿入損失の劣化及び高周波歪の劣化を共に抑制しながら入力電力を大きくする。
【解決手段】 高周波スイッチ回路１００は、高周波信号を入力又は出力するための入出力用端子１５１と、直列に接続された複数の電界効果トランジスタ１３１〜１３４によって構成され、入出力用端子１５１と接地１７１との間における電気的接続のオン・オフ状態を制御する基本スイッチ部１３０とを備え、複数の電界効果トランジスタ１３１〜１３４のうち電気的接続の順序において最も入出力用端子１５１側であるもの（１３１）は、複数の電界効果トランジスタ１３１〜１３４の残りのもの（１３２〜１３４）よりも大きいしきい値電圧を有している。 （もっと読む）

【課題】入力電圧が低い場合でも、安定して所定値以上の電圧を出力することのできるハイサイド駆動回路用チャージポンプ回路及びドライバ駆動電圧回路を提供する。
【解決手段】ハイサイドチャージポンプ１００は、トランジスタ（Ｍ１、Ｍ２）、コンデンサ（Ｃ１、Ｃ２）、ダイオード（Ｄ１〜Ｄ３）を備える。コンデンサＣ１の高圧側は、ダイオードＤ１を介して負荷駆動用電源電圧ＶＭに接続される。コンデンサＣ１の低圧側は、トランジスタＭ１を介して負荷駆動用電源電圧ＶＭ、又は、トランジスタＭ１に同期して駆動されるトランジスタＭ２を介して接地される。コンデンサＣ１の高圧側は、ダイオードＤ３を介して、ローサイドチャージポンプ６０の出力電圧としてのローサイド側駆動電圧ＶＬが供給される。このコンデンサＣ１の高圧側は、ダイオードＤ２を介して、ハイサイドプリドライバ回路に接続されるハイサイド側駆動電圧ＶＨを出力する端子となっている。 （もっと読む）