【課題】低コスト化または小型化を実現可能なマルチバンド対応の高周波モジュールおよび無線通信システムを提供する。
【解決手段】例えば、高周波電力増幅装置ＨＰＡＩＣ１は、ＧＳＭ用のパワーアンプ回路部ＰＡＢＫ＿ＬＢ（ＰＡＢＫ＿ＨＢ）と、ＧＳＭかＷ−ＣＤＭＡかを選択するモード設定信号Ｍｃｔｌを受けて、アンテナスイッチ制御信号ＳｃｔｌをＶＳＷ１レベルかＶＳＷ２レベルで出力する制御回路を備える。ＶＳＷ２は、発振回路ＯＳＣからのクロック信号を用いてＶＳＷ１を昇圧することで生成される。ＨＰＡＩＣ１は、ＭｃｔｌによってＧＳＭが選択された際には、ＯＳＣを停止させると共にＶＳＷ１レベルのＳｃｔｌをアンテナスイッチ装置ＡＮＴＳＷに出力し、ＭｃｔｌによってＷ−ＣＤＭＡが選択された際には、ＯＳＣを用いてＶＳＷ２レベルのＳｃｔｌをＡＮＴＳＷに出力する。 （もっと読む）

【課題】Ｓ／Ｎ比を向上させたサンプルホールド回路を提供すること。
【解決手段】入力電圧を入力する入力端子と、入力電圧に基づいたサンプリング電圧をホールドする複数の容量と、入力端子と記複数の容量との間に夫々接続された複数の入力スイッチと、複数の容量のホールド電圧を出力する出力端子と、を備え、複数の容量は、複数の入力スイッチによって異なるタイミングで入力電圧をサンプリングし、複数の容量のホールド電圧の平均化処理を行って出力端子に出力する、構成とした。 （もっと読む）

【課題】マルチモードシステムにおいてＳＯＩ基板上に形成された高周波スイッチの挿入損失特性を改善する。
【解決手段】少なくとも１つの第１ポート１０および第２ポート２０、共通ポート３０、第１および第２シリーズスイッチ４０，５０を有する。第１ポート、第２ポートは、各々高周波信号を入力または出力する。共通ポートは、第１ポートまたは第２ポートを介して入出力される高周波信号を送信または受信する。第１シリーズスイッチは、少なくとも１つの第１のＦＥＴを備え、第１のＦＥＴのゲートに接続される第１ゲート抵抗への印加電圧に応じて第１ポートと共通ポートとの間を導通または遮断する。第２シリーズスイッチは、少なくとも１つの第２のＦＥＴを備え、第２のＦＥＴのゲートに接続され、第１ゲート抵抗よりも大きな抵抗値を有する第２ゲート抵抗への印加電圧に応じて第２ポートと共通ポートとの間を導通または遮断する。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、高パワーの高周波信号に対する耐圧を維持しながら小型化が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、絶縁膜の上の半導体層に設けられたＦＥＴを含むスイッチ回路を有する半導体装置であって、前記ＦＥＴのソース領域とドレイン領域との間に、前記ソース領域から前記ドレイン領域に向かう方向に並んで設けられた第１のゲート電極および第２のゲート電極と、前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極との間の中間領域に電気的に接続された制御端子と、を備える。前記ＦＥＴは、前記第１のゲート電極および前記第２のゲート電極に供給されるゲート電圧によりＯＮ／ＯＦＦ制御され、前記ＦＥＴがＯＮ状態にある時、前記制御端子をアース電位とし、前記ＦＥＴがＯＦＦ状態にある時、前記制御端子を正電位または負電位とする。 （もっと読む）

【課題】端子間の直流オン抵抗を高精度で測定可能な半導体スイッチ及びその測定方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１のスイッチ素子と、第２のスイッチ素子と、制御回路と、を備えた半導体スイッチが提供される。第１のスイッチ素子は、第１の端子及び第２の端子を含む複数の高周波端子のそれぞれと共通端子との間に接続される。第２のスイッチ素子は、前記第１の端子と接地用端子との間に接続される。前記制御回路は、前記第１のスイッチ素子及び前記第２のスイッチ素子をそれぞれオンまたはオフさせる制御信号を出力し、端子切替信号に応じて、前記共通端子を前記複数の高周波端子のいずれか１つに接続する通常動作モードと、前記共通端子を前記第１の端子と前記第２の端子と接地用端子とに接続するテストモードと、を実行することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】受信時だけではなく送信時にも消費電力が低減される高周波スイッチ回路を提供する。
【解決手段】本発明の高周波スイッチ回路は、パルス生成手段１２０と、クロック選択手段１３０と、降圧手段１４０と、スイッチング手段１５０と、を有する。パルス生成手段１２０は、所定のアクティブ期間を有するクロック選択用パルス信号を生成する。クロック選択手段１３０は、クロック選択用パルス信号がアクティブのとき基準クロック信号を選択する一方で、クロック選択用パルス信号がアクティブではないとき基準クロック信号よりも周波数が低い低速クロック信号を選択する。降圧手段１４０は、クロック選択手段１３０で選択されたクロック信号の周波数に応じた速度で負電荷をキャパシタに蓄積して所定の負電圧を生成する。スイッチング手段１５０は、所定の負電圧が印加されてオフ状態を維持する少なくとも１つのスイッチ素子を備える。 （もっと読む）

【課題】高周波スイッチの歪特性の劣化を抑止することができる高周波スイッチを提供する。
【解決手段】アンテナ１１０へ送信信号が出力される共通ポートＣＸと、送信信号が入力される送信ポートＴＸ１、ＴＸ２と、複数の送信ポートと共通ポートとの間にそれぞれ接続され、各送信ポートから共通ポートへの送信信号を導通または遮断する複数のスイッチ部１００Ａ、１００Ｂと、を有し、スイッチ部はシリコン基板に形成された一以上のＭＯＳＦＥＴＴ_ＳＷを有し、ＭＯＳＦＥＴのうち共通ポートに接続されたもののボディ端子と共通ポートに接続された端子との間にキャパシタが接続される。 （もっと読む）

【課題】送信端子および受信端子に求められる特性を考慮して設計されたＦＥＴを有する高周波半導体スイッチを提供する。
【解決手段】高周波半導体スイッチ１０は、複数の電界効果型トランジスタ５０を有する。複数の電界効果型トランジスタ５０は、それぞれ、基板１００に間隔を置いて形成されたソース領域１３０およびドレイン領域１４０と、当該間隔上であって基板１００上に形成されたゲート１６０と、基板１００上に形成されソース領域に接続されるソースコンタクト１７２と、基板１００上に形成されドレイン領域１４０に接続されるドレインコンタクト１８２とを含む。受信端子側に接続される受信端子側トランジスタ５０ａのソースコンタクト１７２およびドレインコンタクト１８２間の距離Ｌｒは、送信端子側に接続される送信端子側トランジスタ５０ｃのソースコンタクト１７２およびドレインコンタクト１８２間の距離Ｌｔよりも長い。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、高周波スイッチ回路の高周波特性の良否を簡便に判定することができる半導体装置およびその検査方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、複数の高周波端子と、共通高周波端子と、の間の信号経路を、前記高周波端子と前記共通高周波端子との間に直列に設けられた複数のＦＥＴにより切り替える高周波スイッチ回路を有する半導体装置であって、前記共通高周波端子に接続された複数のＦＥＴを含む半導体スイッチと、前記半導体スイッチを介して前記共通高周波端子に接続された発振回路と、前記発振回路の出力を入力とする検波回路と、前記検波回路の出力端子と、を備える。 （もっと読む）

【課題】外乱ノイズが侵入した場合でも、通信線の信号レベルの変動をより確実に防止できる通信ドライバ回路を提供する。
【解決手段】通信ドライバ部１１は、信号バス１７にノイズが印加されると、信号レベル変化阻止回路１４が、出力段がオープンコレクタタイプで構成される反転増幅回路１３の出力信号がローレベル側に変化することを阻止するように動作する。 （もっと読む）

【課題】端子切替時の応答特性を改善した半導体スイッチを提供する。
【解決手段】電源回路部は、正の電源電位よりも高い第１の電位と、負の第２の電位と、を生成する。駆動回路部は、前記電源回路部に接続され、端子切替信号に応じて前記第１の電位をハイレベルとし前記第２の電位をローレベルとする制御信号を出力する。スイッチ部は、制御信号を入力して端子間の接続を切り替える。前記駆動回路部は、第１と、第２のレベルシフタと、第１の回路と、を有する。前記第２のレベルシフタは、前記第１のレベルシフタの出力電位に応じて互いに排他的にオンする第２のハイサイドスイッチと第２のローサイドスイッチとを有し、前記制御信号を出力する。前記第１の回路は、前記端子切替信号に応じて、前記制御信号の電位の変化よりも前に前記第２のローサイドスイッチに前記電源電位を供給し、または前記ハイサイドスイッチに前記接地電位を供給する。 （もっと読む）

【課題】挿入損失およびチップサイズの増大を生じることなく、歪特性に優れた高周波スイッチおよび高周波モジュールを提供する。
【解決手段】高周波スイッチであって、高周波信号を入出力するための複数の入出力端子１０１〜１０３と、２つの入力端子１０１、１０３間に設けられた基本スイッチ部１０４、１０５と、基本スイッチ部１０４、１０５の導通および遮断を制御するための制御電圧が入力される制御端子１０６、１０７とを備え、基本スイッチ部１０４、１０５は、メアンダ形状のゲート電極を有するメアンダ型のＦＥＴ１１０〜１１３及びＦＥＴ１２０〜１２３が多段に接続されて形成され、ＦＥＴ１１０〜１１３、及び１２０〜１２３のうち、入出力端子１０３からの電気的距離が最も短いＦＥＴ１１３、及び１２０のフィンガー長は、他のＦＥＴ１１０〜１１２、及び１２１〜１２３のフィンガー長よりも短い。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能な故障または異常検出機能を有するパルス増幅装置を提供すること。
【解決手段】本実施形態に係る故障または異常検出機能を有するパルス増幅装置は、入力されるパルスを増幅して出力するパルス増幅器１１と、パルス増幅器１１の入力端子に接続され、パルス増幅器１１に入力されるパルスに同期したパルス増幅器１１を動作させる制御信号を形成して、この制御信号を入力端子に入力するパルス増幅器制御回路１２と、パルス増幅器制御回路１２に接続され、制御信号を連続波に変換する平均化回路１７と、平均化回路１７に接続され、平均化回路１７から出力された連続波の電圧Ｖｇａｖｅとしきい値電圧Ｖｓとを比較する比較回路１８と、比較回路１８に接続され、比較回路１８から出力される差分電圧（Ｖｇａｖｅ−Ｖｓ）に基づいて、パルス増幅器１１の故障、あるいはパルス増幅器制御回路１２の異常を検出する警報装置２３と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】制御電圧以外の電源を用いることなく低消費電力かつ低コストで高性能に切り替え動作を行うことができる高周波用スイッチ回路を提供する。
【解決手段】第１および第２ＭＯＳＦＥＴ回路１１，２１のゲート端子と第１および第２制御端子ＣＴ１，ＣＴ２との間に一端が接続され、他端がグランドＧＮＤに接続されることにより、第１および第２制御端子ＣＴ１，ＣＴ２からグランドＧＮＤへ向かう方向が順方向となるような少なくとも１つの整流素子Ｄ１１，Ｄ１２，Ｄ２１，Ｄ２２を含む第１および第２整流回路１２，２２と、第１および第２整流回路１２，２２の整流素子の少なくとも１つの順方向電流入力端子側と第１および第２ＭＯＳＦＥＴ回路１１，２１の何れかの主端子側とが接続された接続部３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】負バイアス発生回路を用いずにマージン電圧を改善することができる手段をスイッチ回路に提供する。
【解決手段】Ｎ型ＭＯＳＦＥＴを用いて構成されるスイッチＭ１を、信号をアンテナに同通するスイッチに、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴを用いて構成されるスイッチＭ２を、信号を接地するシャント用にそれぞれ用いる。各スイッチを構成するＭＯＳＦＥＴのゲート端子に共通の制御信号を入力する。この制御信号の反転信号をスイッチＭ２の接地端に接続することで、各ＭＯＳＦＥＴのゲート端子の電位を接地電圧に設定できる。 （もっと読む）

【課題】アンテナスイッチのコスト削減を図る観点から、特に、アンテナスイッチをシリコン基板上に形成された電界効果トランジスタから構成する場合であっても、アンテナスイッチで発生する高調波歪みをできるだけ低減できる技術を提供する。
【解決手段】ＲＸスルートランジスタ群ＴＨ（ＲＸ）は、互いに直列に接続されたＭＩＳＦＥＴＱ１〜Ｑ５において、それぞれのＭＩＳＦＥＴのボディ領域と、隣接するＭＩＳＦＥＴのソース領域あるいはドレイン領域とを、それぞれ、ダイオード（整流素子）を介して接続する。そして、特に、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴの場合、ＭＩＳＦＥＴのボディ領域から隣接するＭＩＳＦＥＴのソース領域あるいはドレイン領域へ向う向きが順方向となるようにダイオードを接続する。 （もっと読む）

【課題】スイッチに接続される回路を保護することができるスイッチ及びスイッチの制御方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のスイッチ５０は、ソースが共通端子１８と接続され、ドレインが第１端子２０と接続され、ゲートに印加される電圧によってオンオフ制御されるＦＥＴ１と、ソースが共通端子１８と接続され、ドレインが第２端子２２と接続され、ゲートに印加される電圧によってオンオフ制御されるＦＥＴ２と、を備え、ＦＥＴ１をオフするためにＦＥＴ１のゲートに印加される電圧の絶対値は、ＦＥＴ２をオフするためにＦＥＴ２のゲートに印加される電圧の絶対値に比べて小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高い省電力モードを実現可能な高周波モジュールを提供する。
【解決手段】例えば、送信ノードＴＸをアンテナＡＮＴに接続するスイッチ用トランジスタＴＳＷ２と、ＴＸを接地電源電圧ＧＮＤに短絡するスイッチ用トランジスタＴＳＷ１と、ＴＳＷ１，ＴＳＷ２のオン・オフを正の電源電圧ＶＳＷと負の電源電圧（−ＶＳＳ）で制御するレベルシフト回路ＬＳを備える。ＬＳは、ＴＳＷ２をオン、ＴＳＷ１をオフに制御する送信動作モードＴＸＭＤの状態でスリープ命令を受けた際に、一旦、ＴＳＷ２をオフ、ＴＳＷ１をオンに制御するアイソレーション動作モードＩＳＯＭＤに移行し、一定の期間（Ｔｗａｉｔ）が経過したのち、ＶＳＷ，−ＶＳＳが非活性状態となるスリープモードＳＬＰＭＤに遷移する。 （もっと読む）

【課題】小型化と高いアイソレーションを実現可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】装置本体２は、半導体素子搭載部３と、第１の導電体４及び第２の導電体５を有する。第１の導電体４及び第２の導電体５は、半導体素子搭載部３の周囲に互いに近接して設けられている。半導体素子は、半導体素子搭載部に配設される。半導体素子は、第１のスルースイッチＦＥＴ１と、第１のシャントスイッチＦＥＴ１と、第２のスルースイッチＦＥＴ２と、第２のシャントスイッチＦＥＴ２と、を有する。第１のスルースイッチＦＥＴ１は、共通端子ＡＮＴと第１の高周波端子ＲＦ１との間に接続される。第１のシャントスイッチＦＥＴ１は、第１の高周波端子ＲＦ１に接続される。第２のスルースイッチＦＥＴ２は、共通端子ＡＮＴと第２の高周波端子ＲＦ２との間に接続される。第２のシャントスイッチＦＥＴ２は、一端が第２の高周波端子ＲＦ２に接続される。 （もっと読む）

【課題】スイッチに関し、より具体的には、２つ以上の入力の間でスイッチを切り換える際にポップ音等の好ましくない効果を低減できる方法及び装置を提供する。
【解決手段】スイッチ１３０は、第１の入力１１０で第１の信号を受取り、そのスイッチ１３０の状態により、出力１２０において出力信号を供給することができるように構成される。スイッチ状態変化は、現在のスイッチ状態とは異なる、要求されたスイッチ状態の指示１１５が受取られ、その第１の信号がしきい値に達するまで、遅らせることが可能である。 （もっと読む）