【課題】スイッチに関し、より具体的には、２つ以上の入力の間でスイッチを切り換える際にポップ音等の好ましくない効果を低減できる方法及び装置を提供する。
【解決手段】スイッチ１３０は、第１の入力１１０で第１の信号を受取り、そのスイッチ１３０の状態により、出力１２０において出力信号を供給することができるように構成される。スイッチ状態変化は、現在のスイッチ状態とは異なる、要求されたスイッチ状態の指示１１５が受取られ、その第１の信号がしきい値に達するまで、遅らせることが可能である。 （もっと読む）

【課題】スイッチング応答性を維持しながら、雑音が低減された出力特性をもつ半導体スイッチ回路を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態の半導体スイッチ回路は、スイッチ部１、デコーダ部３、ドライバ部２、ＤＣ−ＤＣコンバータ５、第１のフィルタ回路９ｎ、第１のフィルタバイパス回路１０、及び第１のバイパス制御回路１１ａを備える。ＤＣ−ＤＣコンバータ５は、第１のフィルタ回路９ｎを介して第１の電位をドライバ部２に出力する。第１のフィルタバイパス回路１０が、第１のフィルタ回路９ｎと並列に電気的に接続される。スイッチ部１の入出力端子Ｐと複数の高周波信号端子Ｔ１〜Ｔｎのうちのいずれかの高周波信号端子との間の導通状態及び非導通状態が切り替えられたときに、第１のフィルタバイパス回路１０が導通状態になるように、第１のバイパス制御回路１１ａが、第１のフィルタバイパス回路１０に第１のモード信号Ｖ_{ｍｏｄｅ１}を供給する。 （もっと読む）

【課題】イネーブル信号をＨＩＧＨにしてから急速にスイッチングトランジスタをオンし、かつ突入電流を防止することが可能なスイッチングトランジスタの制御回路を提供すること。
【解決手段】イネーブル信号によりトランジスタＭ２はオフする。トランジスタＭ８はオフし、ノードＣ_Tの電位はグラウンドと等電位になり、反転器の出力ＡＣＴはＨＩＧＨとなり、トランジスタＭ９はオンする。イネーブル信号の反転信号によりトランジスタＭ５はオフし、トランジスタＭ３、Ｍ４、Ｍ６のゲート電位はＭ４とＩ_BIASで決まる電位Ｖ_BIASと等電位となってトランジスタＭ３、Ｍ４、Ｍ６はオンとなり、並列接続されたトランジスタＭ３、Ｍ６の能力に応じたＩ_GD（大）が流れる。トランジスタＭ１、Ｍ７は、電流Ｉ_GD（大）によって急速にゲート容量へ電荷が蓄えられて急速にオンになり、電流Ｉ_OUT、Ｉ_DETが流れる。 （もっと読む）

【課題】従来技術によるスイッチ回路装置では、ドライバ回路がアンテナ端子とポートとの間に振幅の大きい高周波信号を入力した際に、ドライバ回路内部でリーク電流が発生し、スイッチ回路装置の消費電力が増大する、という問題がある。
【解決手段】ドライバ回路の出力部に、リーク電流抑制回路部を設ける。本発明のスイッチ回路装置によれば、リーク電流抑制回路部が高周波信号の侵入を抑制するので、ドライバ回路は出力状態を保持することが出来て、リーク電流の問題が解決される。 （もっと読む）

【課題】時分割統合された信号系列に対して、時分割で兼用する場合であっても、各系統間で信号の混ざりを回避するダイレクトサンプリング回路を提供する。
【解決手段】スイッチトキャパシタフィルタ１６０の前段に系統毎にヒストリキャパシタ１５３，１５５を接続し、スイッチトキャパシタフィルタ１６０の後段に系統毎にバッファキャパシタ１７３，１７５を接続し、スイッチトキャパシタフィルタ１６０のローテーションキャパシタと接続するヒストリキャパシタ及びバッファキャパシタを入力している時分割系統毎に切り替える。 （もっと読む）

【課題】２つのクロック信号を切り替えて出力する切替回路において、出力信号のデューティ比を、入力されるクロック信号のデューティ比に保つこと。
【解決手段】切替回路１００は、制御信号ＣＯＮＴに応じて、入力信号ＩＮ１，ＩＮ２を切り替えて出力信号ＯＵＴとして出力する。具体的には、制御信号ＣＯＮＴが「Ｌレベル」のときには、クロックドインバーターＸ２が動作し、信号ＩＮ１が信号ＯＵＴとして出力され、制御信号ＣＯＮＴが「Ｈレベル」のときには、クロックドインバーターＸ４が動作し、信号ＩＮ２が信号ＯＵＴとして出力される。 （もっと読む）

【課題】通過損失が少なく出力特性が良いＳＯＩ基板上の高周波スイッチ回路を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態の高周波スイッチ回路は、シリコン基板２０上に形成された酸化膜２１上に、第１の端子１と、入出力端子２と、第１の電極４ｂが前記第１の端子１に電気的に接続され、第２の電極４ｃが前記入出力端子２に接続されたＦＥＴ４とを備える。第１の層間絶縁膜２２が前記ＦＥＴを周囲から離間分離し前記酸化膜２１に達する溝に埋め込まれて配置され、前記酸化膜２１と接続され、前記ＦＥＴ４を周囲から絶縁する。導電体層１０が、前記溝内の前記第１の層間絶縁膜２２上に形成され、接地端子ＧＮＤに接続される。第２の層間絶縁膜２３が、前記導電体層１０上及び前記ＦＥＴ４上に形成される。直流電圧を供給する配線層７が、前記溝内の第１の層間絶縁膜２２上且つ前記導電体層１０上に前記第２の層間絶縁膜２３を介して形成されている。 （もっと読む）

【課題】コストの増大を抑え、ひずみ特性の良好な高周波スイッチ回路およびその設計方法を提供する。
【解決手段】共通端子と個別端子との間に高周波スイッチ部を備え、高周波スイッチ部は、スタック段数ｎ段の直列スイッチ素子群と、スタック段数ｎ＋１段以上の直列スイッチ素子群で構成されている。スタック段数の異なる直列スイッチ素子群は、レイアウト面積と高調波特性に関連するコスト係数のトレードオフ関係を微調整し、最適なひずみ特性を実現しつつ、チップ面積の増加を抑制する。 （もっと読む）

【課題】一つの切替信号によってスイッチ動作を制御可能とする。
【解決手段】デプレッション型電界効果トランジスタ２０１とエンハンスメント型電界効果トランジスタ３０１が直列接続されて設けられ、デプレッション型電界効果トランジスタ２０１のゲートが第１のゲート抵抗器を介して接地される一方、エンハンスメント型電界効果トランジスタ３０１のゲートには、第２のゲート抵抗器を介して外部から切替信号が印加可能とされ、前記切替信号の電圧レベルを変化させることで、デプレッション型電界効果トランジスタ２０１とエンハンスメント型電界効果トランジスタ３０１の導通、非導通を相補的に切替可能にし、第１乃至第３の高周波入出力端子１０１〜１０３における高周波信号の入出力を制御可能としてなるものである。 （もっと読む）

【課題】出力信号経路に過電流が流れた場合でも信号出力回路の破壊または劣化を防ぎ、信号出力回路を保護することが可能な信号発生器の保護回路を実現する。
【解決手段】クロック信号またはデジタル信号である信号出力回路からの出力信号をリレーを介して出力する信号発生器の保護回路において、電源と信号出力回路の電源端子の間に接続された電流検出用抵抗と、電流検出用抵抗の両端電圧を増幅して出力する増幅器と、増幅器からの電圧が予め定められた閾値を超えた場合に検出信号を出力する電圧検出判定回路と、電圧検出判定回路からの検出信号に応じてリレーを切断し、出力信号の経路を断つリレー制御回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】細かな時間調整を行うことで、ＣＰＵセービングの復帰時間を短縮する無線通信端末装置及びそのセービング復帰制御方式を提供する。
【解決手段】ＣＰＵ１０は外部デバイス３０ａにセービング要求を通知し（Ｓ１００）、外部デバイス３０ａは、割り込み出力待ち設定レジスタ３１に割り込み出力待ち時間を設定する（Ｓ２００）。ＣＰＵ１０は、クロック安定時間設定レジスタ１１にクロック安定時間を設定し（Ｓ３００）、ＣＰＵセービングに移行する。外部デバイス３０ａが起動要求信号を入力し（Ｓ４００）、外部クロック水晶発振子４０に「オン」信号を出力し（Ｓ５００）、外部クロック水晶発振子４０は外部クロックをＣＰＵ１０に出力する（Ｓ６００）。外部デバイス３０ａは、割り込み出力待ち時間の経過後にＣＰＵ１０に割り込み通知を出力する（Ｓ７００）。ＣＰＵ１０は、クロック安定時間が経過した後に動作を再開する。 （もっと読む）

【課題】低周波帯域において線形性劣化のない半導体スイッチ回路を提供する。
【解決手段】入出力端子間に直列にソースおよびドレインを接続した１又は２以上の電界効果トランジスタと、電界効果トランジスタのゲートに接続した抵抗を備えた半導体スイッチ回路において、電界効果トランジスタのゲート−ドレイン間およびゲート−ソース間に、キャパシタをそれぞれ接続可能とした。
【効果】ＦＥＴのゲート−ドレイン間およびゲート−ソース間すべてにキャパシタを接続したことにより、従来より低い周波数帯域においてゲート電極に接続する抵抗よりＦＥＴのインピーダンスが十分低くなるため、線形性を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】解除電圧のばらつきを低減した活線挿抜制御回路を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、出力回路と、電圧発生回路と、検出回路と、補正回路とを備えた活線挿抜制御回路が提供される。前記出力回路は、活線挿抜基板に設けられた半導体装置の出力信号を電源電圧が解除電圧以下のときディスエーブルに切替え、前記電源電圧が前記解除電圧よりも高いときイネーブルに切替えることのできるイネーブル信号を生成する。前記電圧発生回路は、前記電源電圧が供給されるＭＯＳＦＥＴを含み、前記電源電圧に応じて変化し前記解除電圧を検出する基準となる第１の電圧を発生する。前記検出回路は、前記第１の電圧を検出する。前記補正回路は、前記検出回路の出力に応じて前記第１の電圧を一定値に補正する。 （もっと読む）

【課題】ミリメートル波周波数において有効な切替え可能減衰器を提供する。
【解決手段】入力減衰器２２は、直列結合されているＲＦ＿ＩＮ＋端子、第１のノード、伝送線路ＴＬ３、直流遮断キャパシタＣｂｌ３、第２のノード、第３のノード、及び出力端子を有する第１の入力回路２１５を有する。第１のノードは、直列結合されているキャパシタＣｍ３及び第１のシリコンゲルマニウムヘテロ接合バイポーラトランジスタＱ９を介して選択的に接地へ結合される。第２のノードは、キャパシタＣｍ１を介して接地へ結合されている。第３のノードは、直列結合されている直流遮断キャパシタＣｂｌ１、抵抗Ｒａｔｔ１及び第２のシリコンゲルマニウムヘテロ接合バイポーラトランジスタＱ７を介して選択的に接地へ結合される。入力減衰器２２は、更に、第１の入力回路２１５と並列に、第１の入力回路２１５と同じ構造を有する第２の入力回路２１６を有する。 （もっと読む）

【課題】出力波形のリップルを低減可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】例えば、高周波スイッチ回路ＲＦＳＷと、そのオン・オフを制御するスイッチ制御回路ＳＷＣＴＬを備え、ＳＷＣＴＬは、２個のダウンコンバータ回路ＶＧＥＮ１，ＶＧＥＮ２と、レベルシフト回路ＬＳ［１］〜ＬＳ［４］を備える。各ＬＳ［ｎ］は、レベルシフト段ＬＳＳＧ［ｎ］とその後段に接続された出力段ＯＴＳＧ［ｎ］を持ち、ＲＦＳＷは、ＯＴＳＧ［ｎ］からの制御信号ＯＵＴ［ｎ］によって制御される。ＬＳＳＧ［ｎ］は、ＶＧＥＮ１からの負の電源電圧（−ＶＳＳ１）を用いて動作し、ＯＴＳＧ［ｎ］は、ＶＧＥＮ２からの負の電源電圧（−ＶＳＳ２）を用いて動作する。−ＶＳＳ１では、ＬＳＳＧ［ｎ］のレベルシフト動作に伴いリップルが生じ得るが、−ＶＳＳ２ではＯＴＳＧ［ｎ］の動作がスイッチング動作であるためリップルが生じ難い。 （もっと読む）

【課題】２次高調波歪みの発生を抑制することができる高周波スイッチ回路を提供することである。
【解決手段】本発明にかかる高周波スイッチ回路は、共通端子と第１の端子との間に配置された第１のスイッチ（Ｔ１１〜Ｔ１４）と、共通端子と第２の端子との間に配置された第２のスイッチ（Ｔ２１〜Ｔ２４）と、を少なくとも備える。第１のスイッチが備える電界効果トランジスタには、第１のスイッチがオフ状態の時に生成される寄生容量を相殺する補償容量（Ｃｄｂ１１〜Ｃｄｂ１４）がドレインとボディとの間、またはソースとボディとの間に形成されている。また、第２のスイッチが備える電界効果トランジスタには、第２のスイッチがオフ状態の時に生成される寄生容量を相殺する補償容量（Ｃｄｂ２１〜Ｃｄｂ２４）が、ドレインとボディとの間、またはソースとボディとの間に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 入出力信号が変化する際の過渡期間に出力バッファを構成するトランジスタへのバイアス電流を一時的に増強することで、バッファ回路全体の定常的なバイアス電流を抑制しつつ、高スルーレートが得られるバッファ回路を提供する。
【解決手段】 ドライバ回路200は信号レベル発生回路100により発生した信号SGOを出力バッファ回路110を駆動する回路150(プリバッファ回路)を介し、出力バッファ回路110により伝送線路120を駆動することで測定対象回路DUT140に伝える。プリバッファ回路150とこれを模擬したレプリカバッファ回路160とを互いに並列に備え、信号SGOが変化する際の入出力新信号の過渡期間において、レプリカバッファ回路160の出力電流に基づいて出力バッファ回路110の出力段トランジスタQN12、QP22の入力バイアス電流を一時的に増強する。 （もっと読む）

【課題】チップやパッケージのサイズやコストの増加を抑えるとともに、安定動作が実現できる半導体スイッチ集積回路を提供する。
【解決手段】制御電圧印加端子と、オン状態のＦＥＴとオフ状態のＦＥＴの接続点との間に、抵抗素子を接続する。さらにオフ状態のＦＥＴのソース端子とドレイン端子との間に抵抗素子を接続する。その結果、制御電圧以外に外部からＧＮＤ電位を含めたＤＣ電圧を加えなくとも、半導体スイッチ集積回路を構成するＦＥＴのドレイン端子、ソース端子に安定に電圧を供給することができ、オフ状態のＦＥＴのソース端子およびドレイン端子の電位を所定の電位に設定することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体スイッチを小型化することを目的とする。
【解決手段】主線路と、該主線路から分岐点を介して２つ以上に分岐された複数の分岐線路と、該複数の分岐線路のそれぞれと接地端との間にシャント接続され、該複数の分岐線路のそれぞれと該接地端とを制御電圧により電気的に接続または切断するスイッチング素子と、該主線路の端部に接続された主端子と、該複数の分岐線路の端部に接続された分岐端子とを備える。そして、該主線路を該分岐点からみたインピーダンスと該複数の分岐線路のうちＲＦ信号が伝送されない分岐線路を該分岐点からみたインピーダンスとを合成したインピーダンスは、該複数の分岐線路のうち該ＲＦ信号が伝送される分岐線路を該分岐点からみたインピーダンスと複素共役整合していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】広範囲の周波数帯にわたって高い精度のインピーダンス整合を得る。
【解決手段】高周波スイッチング素子１１０は、第１のチャネル端子１２０および第２のチャネル端子１３０を有し、高周波信号１４０を、第１のチャネル端子と第２のチャネル端子の間のチャネル経路１５０を介して切替可能に経路付ける。高周波スイッチング回路１００は、電力検出回路１６０をさらに備え、第１のチャネル端子から第１の測定信号１７０を得ると共に、第２のチャネル端子から第２の測定信号１８０を得て、第１の測定信号と第２の測定信号とを組み合わせて、第１の測定信号および第２の測定信号に基づいて、高周波スイッチング素子のチャネル経路を介して経路付けられた高周波信号の電力値を示す電力信号１９０を導き出すように構成される。 （もっと読む）