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【課題】回路規模の増大を抑えながら、データ転送システムにおいて受信されるデータのビット順序の変更にある程度柔軟に対処できるセレクタ回路を提供する。
【解決手段】セレクタ回路3は、入力されたビットをそのままのビット順序で出力するか、又はビット順序を入れかえて出力するチャネルスワップ回路11a〜11eと、各チャネルスワップ回路11a〜11eから出力された各ビットを伝送する内部バス12と、内部バス12上の連続した所定個数のビットをそれぞれ選択して取り出すデータフィールド指定回路14a,14b,14cとを備える。入力データの各ビットは、チャネルスワップ回路11a〜11eのうちのいずれかに入力され、出力データのそれぞれは、データフィールド指定回路14a,14b,14cのうちのいずれかによって取り出された複数のビットを含む。 (もっと読む)


【課題】広範囲の周波数帯にわたって高い精度のインピーダンス整合を得る。
【解決手段】高周波スイッチング素子110は、第1のチャネル端子120および第2のチャネル端子130を有し、高周波信号140を、第1のチャネル端子と第2のチャネル端子の間のチャネル経路150を介して切替可能に経路付ける。高周波スイッチング回路100は、電力検出回路160をさらに備え、第1のチャネル端子から第1の測定信号170を得ると共に、第2のチャネル端子から第2の測定信号180を得て、第1の測定信号と第2の測定信号とを組み合わせて、第1の測定信号および第2の測定信号に基づいて、高周波スイッチング素子のチャネル経路を介して経路付けられた高周波信号の電力値を示す電力信号190を導き出すように構成される。 (もっと読む)


【課題】 切替時間の短縮と消費電流の低減を図ることができる半導体スイッチ回路を提供する。
【解決手段】 外部からの経路切替信号の状態が変化した直後から予め設定された時間だけ、レベルシフト短絡スイッチ回路でレベルシフトしない高電圧でスイッチ回路を駆動し、一定時間経過後はレベルシフト短絡スイッチ回路を開放させることによりレベルシフト回路を経由させ、電圧降下させた電圧でスイッチ回路を駆動させる。 (もっと読む)


【課題】大きなパルス幅を有する大電力の高周波信号が入力された場合であっても、リミタ回路および受信回路の増幅器が破壊されることを抑制することができる送受信モジュールを提供する。
【解決手段】アンテナ11と、リミタ回路16および受信系電力増幅器17を備えた受信回路14と、送信系電力増幅器20を備えた送信回路15とが、送受信切替スイッチ13により接続され、アンテナ11と送受信切替スイッチ13の間に設けられた検波回路12により、送受信切替スイッチ13を制御する制御信号を生成する。送受信切替スイッチ13は、制御信号が入力されない状態ではアンテナ11と受信回路14とを導通させ、制御信号が入力されるとアンテナ11と送信回路15とを導通させる。制御信号は、送受信切替スイッチ13に信号が入力された時から、リミタ回路16の熱時定数よりも短い時間までの間に送受信切替スイッチ13に入力される。 (もっと読む)


【課題】電源電圧が低下したときに信号保持回路での信号保持を確実に解除する。
【解決手段】出力端子toを複数の入力端子のうちの1つtbに接続し、残りの外部入力端子taに外部信号が入力される論理和回路14と、該論理和回路14の出力端子に接続された単一パルスを生成するパルス生成回路15とを備え、前記論理和回路14の前記外部入力端子tbにハイレベルのパルス信号が入力されたときに、当該論理和回路14の出力をハイレベルに保持する信号保持回路13であって、前記論理和回路14の前記出力端子toと前記入力端子tbとの間に、電源電圧低下時に当該論理和回路14によるハイレベル保持状態を解除する電圧を高めるダイオードDを介挿した。 (もっと読む)


【課題】入力信号に対する増幅器の出力信号の利得特性を線形化するために必要な回路の面積を低減できる半導体集積回路装置及び送受信システムを提供する。
【解決手段】半導体集積回路装置は、切り替え可能な複数の第1の利得特性を有し、入力信号に対して前記第1の利得特性を切り替えて中間信号を生成し、第2の利得特性を有する回路に前記中間信号を出力する線形化回路を備え、前記線形化回路は、少なくとも1つの第1の整流素子を有し、前記入力信号を線形化する線形化器と、前記第1の整流素子と逆極性の複数の第2の整流素子と、制御信号に基づき前記複数の第2の整流素子のうち少なくとも1つを選択する第1の切り替え部とを有し、前記線形化器に並列に接続され、前記線形化器による前記入力信号の線形化を抑制する線形化抑制器とを備える。 (もっと読む)


【課題】消費電力を低減したマルチプレクサを提供する。
【解決手段】マルチプレクサ100は、複数の差動信号を受け、制御信号に応じたひとつを選択して出力ポートPoから出力する。複数の差動入力ポートPi〜Piには、複数の差動信号A〜Eそれぞれが入力される。バッファBUF〜BUFは、複数の差動入力ポートPi〜Piごとに設けられ、それぞれが、対応する差動入力ポートと接続される差動入力端子Diと、出力ポートPoと接続される差動出力端子Doを有する。バッファBUFは、差動入力端子Diに入力される差動信号に応じた差動信号を出力するイネーブル状態と、消費電流が実質的にゼロとなり、その差動出力端子がハイインピーダンスとなるディスエーブル状態と、が制御信号に応じて切りかえ可能に構成される。 (もっと読む)


【課題】 回路のダイナミックレンジを圧迫しないと共に、チップサイズの増大を抑制することができるバッファリング回路及び増幅回路を提供する。
【解決手段】 入力端子及び出力端子を有するバッファリング回路でドレインが第1電圧ラインに接続され、ソースが前記出力端子に接続され、ゲートが前記入力端子に接続された第1プルアップドライバと、ソースが前記出力端子に接続され、ゲートが前記入力端子に接続された第2プルアップドライバと、前記第2プルアップドライバのドレインに定電流を供給する定電流回路と、前記出力端子と第2電圧ラインとの間に配置されたプルダウンドライバとを備え、前記プルダウンドライバは、前記定電流回路の定電流から前記第2プルアップドライバに流れる電流を減じた差電流に基づいた電流を流すように構成されている。 (もっと読む)


【課題】アンテナスイッチの高調波歪特性を改善する。
【解決手段】アンテナスイッチのアンテナ端子2にアンテナが接続され、第1信号端子3とアンテナ端子2の間に第1転送スイッチ100が接続され、第2信号端子4とアンテナ端子2の間に第2転送スイッチ101が接続され、第1信号端子3と接地電位の間に第1シャントスイッチ102が接続され、第2信号端子4と接地電位の間に第2シャントスイッチ103が接続される。負電圧生成回路104の入力10は第1信号端子3に供給される送信信号に応答可能とされ、出力端子11に生成される負電圧に応答して第2転送スイッチ101と第1シャントスイッチ102とはオフ状態に制御される。 (もっと読む)


【課題】サージ破壊に対する耐性を強化する。
【解決手段】スイッチ装置(10)は、半導体基板(SUB)に形成された複数の差動スイッチ(SW1,SW2,…)を備える。差動スイッチ(SW1,SW2,…)の各々は、差動トランジスタ(T1,T2)を含む。差動スイッチ(SW1,SW2,…)は、差動トランジスタ(T1)同士が隣接し、且つ、差動トランジスタ(T2)同士が隣接するように、半導体基板(SUB)に配置されている。 (もっと読む)


【課題】信号の経路長が変化する場合、その信号における周波数特性に起因する歪みを補償することができないという問題を解決する信号切替装置を提供する。
【解決手段】信号切替回路2は、入力コネクタ1‐0〜1‐(m−1)と出力コネクタ5‐0〜5‐(n−1)との接続関係を切り替える。また、補償回路3‐0〜3‐(n−1)および制御回路8を含む補償部は、入力コネクタ1‐0〜1‐(m−1)のそれぞれに入力された各信号の周波数特性のそれぞれを、信号切替回路2にて切り替えられた接続関係に応じて補償する。 (もっと読む)


【課題】入力信号のフレームを標本化する場合に、入力信号の性質に応じた不等間隔で標本化を行う技術を提供する。
【解決手段】適応標本化装置1Aは、フレーム記憶手段10と、フレームに対して、標本点数を減らした複数の異なる標本化間隔で標本化して縮小信号とし、この縮小信号群を出力する階層化信号縮小手段20と、この各縮小信号を入力信号と同じ標本化間隔に戻して、フレームとの誤差をブロックごとに定量化し誤差信号として出力する階層化誤差演算手段30と、フレームの各ブロックに対して適用する標本化間隔の割り当て方である標本化パターンを複数記憶する標本化パターンデータベース50と、各誤差信号と、標本化パターンとに基づき、誤差を最適化する標本化パターンを探索する最適化手段70と、この最適化手段が求めた標本化パターンに基づき、入力信号のフレームを標本化し、出力信号として出力する標本選択配置手段80と、を備える。 (もっと読む)


【課題】貫通電流を防止するレベルシフト回路
【解決手段】従来のレベルシフト回路にPMOSトランジスタMP3およびMP4ならびにレベルシフト回路の出力信号をフィードバックするスイッチ制御回路を追加することで、従来回路の問題点であった貫通電流の流れる時間を減らし、消費電力を低減させ、かつ実装面積の増加を抑えながら高速動作させる。 (もっと読む)


【課題】オフ歪みを低減した半導体スイッチを提供する。
【解決手段】負の第1の電位を生成する電圧生成回路と、外部から入力される端子切替信号に応じて前記第1の電位を変化させる電圧制御回路と、電源電圧または電源電圧よりも高い正の第2の電位と前記第1の電位とが供給され、前記端子切替信号を入力し前記端子切替信号に基づいて前記第1の電位及び前記第2の電位の少なくとも一方を出力する駆動回路と、SOI基板に設けられ、前記駆動回路の出力により端子間の接続を切り替えるスイッチ部と、を備えたことを特徴とする半導体スイッチが提供される。 (もっと読む)


【課題】出力遅延を短縮できる出力バッファ回路を提供する。
【解決手段】信号PenがLレベルからHレベルに切り替わり信号NenがHレベルからLレベルに切り替わった直後において、定電流源Is1が追従しきれずまた切り替わっていない場合には、ノードPは未だHレベルのままであるので、ノードOUTはLレベルのままである。この状態で、切り替え前にHレベルのノードNに接続されていたノードAは、切り替えによりHレベルのノードPへ接続される。これと同時に、インバータinv3の出力部がHレベルからLレベルに切り替わっているので、キャパシタC2を介して、ノードAもHレベルからLレベルに切り替えられる。このとき、ノードPの電位はノードAと等しくなるまで引き下げられ、Lレベルへ遷移する。 (もっと読む)


【課題】ノイズなどの不要成分の影響を極力抑制して信頼性良く断線検出できるようにする。
【解決手段】電源Vc−グランド間には、負荷M、MOSトランジスタM1、抵抗R1が直列接続されている。第1電圧検出回路3は抵抗R1の端子電圧を検出する。制御回路2は、第1電圧検出回路3により検出された抵抗R1の検出電圧について閾値電圧ref1と比較した検出結果に基づいて断線を検出する。 (もっと読む)


【課題】プリエンファシスまたはディエンファシスのためのドライバの追加がなくても、プリエンファシスまたはディエンファシス動作を行えるデータ出力回路を提供すること。
【解決手段】インピーダンスコードによって各々オン・オフされ、出力ノードにデータを出力する複数の駆動手段311、312を備え、前記インピーダンスコードが、前記駆動手段をターンオンさせる値を有する第1のグループと前記駆動手段をオフさせる値を有する第2のグループとに分けられ、プリエンファシス期間の間には、前記第2のグループによる制御を受ける駆動手段の全部または一部がターンオンされる。 (もっと読む)


アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する装置が開示され、第1の電圧源と、第1の電圧源に応答してチャージを発生するように適応されたキャパシティブエレメントと、アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生するためにチャージを供給するように適応された第1のスイッチングエレメントとを備える。本装置は、アクティブデバイスの1以上の特性に基づいてキャパシティブエレメントをコントロールするように適応されコントローラを備えるかもしれない。コントローラは、リファレンス電圧に基づいて、すなわちアクティブデバイスの1以上の特性に基づいて前記キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールかもしれない。
(もっと読む)


【課題】トランジスタのドレインとバックゲート間およびソースとバックゲート間に生じる電流の漏洩を抑圧し、高周波信号の透過損失の増大を抑制できる高周波半導体スイッチを得る。
【解決手段】高周波半導体スイッチは、接地部を有するSi等の真性半導体基板と、この真性半導体基板に形成され、バックゲート端子を有するMOSトランジスタと、真性半導体基板の接地部およびMOSトランジスタのバックゲート端子間に設けられたインダクタとを備える。 (もっと読む)


【課題】差動入力信号の振幅中心電圧が高い場合でも、差動出力信号の振幅変動やジッタを抑制することができるドライバ回路を提供することである。
【解決手段】本発明にかかるドライバ回路は、トランジスタM1と、トランジスタM1のソースと電源端子との間に接続された負荷素子R1と、トランジスタM1とカレントミラー回路を構成するトランジスタM2と、入力された差動入力信号に応じた差動出力信号を出力すると共に、トランジスタM2によりソースにバイアス電流が供給される一対のトランジスタを備える差動対と、トランジスタM2のソースと電源端子との間に接続された負荷素子R2と、非反転入力端子がトランジスタM1のソースと接続され、反転入力端子がトランジスタM2のソースと接続され、出力が差動対を構成する一対のトランジスタのバックゲートに接続されたオペアンプAMP1と、を有する。 (もっと読む)


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