【課題】電流検出用の抵抗を使用せず、簡易回路で負荷ショートの保護が可能な電子制御装置を得る。
【解決手段】パルス発生源３と第２のスイッチング素子２１との間に接続されたコンデンサ２３を有するトリガ回路と、負荷４と第１のスイッチング素子１１との交点と第２のスイッチング素子２１のベース端子との間にダイオード２５を介して接続されるラッチ回路を有する制御回路を備え、パルス発生源が駆動信号を出力時は、トリガ回路を介し所定時間第２のスイッチング素子２１をオンし、第１のスイッチング素子１１もオンさせ、前記交点の電圧で、ラッチ回路を介し第２のスイッチング素子２１のオン状態を継続させる。駆動信号の停止時は、第１、第２のスイッチング素子は共にオフとし、負荷ショートが発生した時は、パルス発生源３の駆動信号が出力されている場合でも、交点の電圧で、ラッチ回路を介して第２のスイッチング素子２１をオフし、第１のスイッチング素子１１もオフする。 （もっと読む）

【課題】耐高電圧スイッチ回路を通常のＭＯＳトランジスタを用いて構成するとともに、論理回路を停止する時間を大幅に削減して低電力性能を向上させるために、初期化を高速に行うことができるＤＣ−ＤＣコンバータを提供する
【解決手段】チャージポンプ回路１と、その電源のオン・オフを行う第１のスイッチ用ＭＯＳトランジスタ３から構成されるＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、チャージポンプ回路１の電源オフ時に、チャージポンプ回路の出力端子の寄生容量に充電された電荷を直列接続された第２および第３のスイッチ用ＭＯＳトランジスタ４，５を介して放電する構成である。 （もっと読む）

【課題】ゲート電流を抑制し且つ高速動作が可能なスイッチング回路を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層の主面上に、第１の主電極Ｄｓｗと第２の主電極Ｓｓｗの間に配置された制御電極Ｇｓｗを有するスイッチング素子Ｔｓｗと、スイッチング素子Ｔｓｗの第１の主電極Ｄｓｗにアノード端子が接続された第１の整流素子Ｄ１、第１の整流素子Ｄ１のカソード端子に第１の主電極ＤＤ１が接続され、スイッチング素子Ｔｓｗの制御電極Ｇｓｗに第２の主電極ＳＤ１が接続された第１の駆動素子ＴＤ１、スイッチング素子Ｔｓｗの制御電極Ｇｓｗに第１の主電極ＤＤ２が接続され、スイッチング素子の第２の主電極Ｓｓｗに第２の主電極ＳＤ２が接続された第２の駆動素子ＴＤ２、及び、第１の駆動素子ＴＤ１の制御電極ＧＤ１と第２の駆動素子ＴＤ２の制御電極ＧＤ２にそれぞれ入力される制御信号を受信する入力端子ＩＮ＿Ｈ，ＩＮ＿Ｌを有する駆動回路１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、サージ電圧の低減及び発生ノイズの低減を可能とするスイッチング装置、スイッチングモジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかるスイッチング装置は、スイッチング素子１と、エミッタ電極１００と、エミッタ電極１００を外部の主配線に接続するための主配線用エミッタ端子４と、エミッタ電極１００と主配線用エミッタ端子４との間の主電流経路に介在する、複数の制御用エミッタ端子５、制御用エミッタ端子６、制御用エミッタ端子７と、隣接する制御用エミッタ端子間の主電流経路に介挿されたインダクタンス８、インダクタンス９とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】クランプ回路が未使用状態なのか断線状態なのかを判別する。
【解決手段】温度センサ１ｈの出力が入力される温度検出端子１４ａ〜１４ｃを利用し、クランプ回路５ａ〜５ｃや温度検出回路７ａ〜７ｃの一部がパワーモジュール１に接続されないときには温度検出端子１４ａ〜１４ｃの電位に基づいて温度センサ１ｈが接続されていない断線無効状態を検出する。例えば、温度検出端子１４ａ〜１４ｃのうち温度センサ１ｈに接続されない端子に断線検出無効化閾値Ｖｔｈ３以上の電圧を印加することで、温度検出端子１４ａ〜１４ｃが温度センサ１ｈに接続されていないことを検出する。これにより、クランプ回路５ａ〜５ｃに接続されるクランプ端子１１ａ〜１１ｃの電位に基づいて断線検出を行う際に、断線状態なのか断線無効状態なのかを温度検出端子１４ａ〜１４ｃの電位に応じて判定できる。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチング素子の温度変化によるサージ電圧の発生および変動を抑制すると共にスイッチング損失を低下させることができる半導体スイッチング素子駆動装置を提供する。
【解決手段】各切替スイッチ４２ａ、４２ｂが駆動信号に従ってオン／オフすることにより、駆動手段４０が半導体スイッチング素子１０の制御端子１１に駆動電流を供給する。一方、温度検出手段２０によって半導体スイッチング素子１０の素子温度または半導体スイッチング素子１０の動作環境温度を検出する。そして、駆動手段４０は、温度検出手段２０によって検出された素子温度または動作環境温度に従って制御端子１１に印加する駆動電流の大きさを変更する。これにより、半導体スイッチング素子１０の温度変化によるサージ電圧の発生および変動が抑制され、スイッチング損失が低下する。 （もっと読む）

【課題】スイッチポート切替時間が短く、かつ低消費電力、低面積を同時に満たす高周波スイッチモジュールを提供する。
【解決手段】デコーダ３は、前記スイッチポートを切替える制御信号ＣＮＴに応答し、スイッチ７を制御するためのスイッチ制御信号ＳＷＣＮＴを生成して、スイッチ切替タイミング検出器は、スイッチ制御信号ＳＷＣＮＴに応答し、スイッチ切替え検出信号ｔ＿ｓｗを生成し、周波数制御信号生成器は、スイッチ切替え検出信号ｔ＿ｓｗに応答し、周波数制御信号ＩＣＯＮＴ、ＣＣＯＮＴを生成し、負電圧発生回路は、周波数制御信号ＩＣＯＮＴ、ＣＣＯＮＴに応答し、前記負電圧発生回路内で生成したクロック信号の周波数を２つ以上のそれぞれ異なる周波数に切替つつ、負電圧出力信号ＮＶＧ＿ＯＵＴを生成し、スイッチ７は、スイッチ制御信号ＳＷＣＮＴと前記負電圧出力信号ＮＶＧ＿ＯＵＴに応答し、複数の高周波信号ポート間の経路を切替える。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低減させることを目的とする。
【解決手段】デジタル入力回路の分圧回路１１において、システム４からの入力信号が伝搬する信号ラインＬ１から分岐される分岐ラインＬ２にスイッチング素子２３を設け、このスイッチング素子２３をマイクロコントローラ３の動作タイミングに応じてオンオフ制御する。これにより、スイッチング素子２３がオフとされている期間において、分圧回路１１に流れる電流を遮断でき、消費電力を低減させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 特殊なスイッチを用いず、手動による動作停止およびコントロール回路からの制御による動作停止が可能であり、無駄な電力消費が少ない電源回路を提供する。
【解決手段】 リレースイッチＳＷ２がＯＦＦの状態でスイッチＳＷ１が押圧されると、交流電圧が給電線１０１および１０３間に与えられ、負荷４００に対する直流電圧が立ち上がる。すると、コントロール回路２１０は、リレースイッチＳＷ２をＯＮさせる。このとき、充電回路１１０および１２０では、電解コンデンサＣ１およびＣ２の充電が行われるが、電解コンデンサＣ２の充電電流が小さいため、ＬＥＤ１０４は発光しない。リレースイッチＳＷ２がＯＮの状態で、スイッチＳＷ１が押圧された場合、放電回路１３０が開くため、電解コンデンサＣ２が急速充電される。この場合、ＬＥＤ１０４が発光し、コントロール回路２１０は、リレースイッチＳＷ２をＯＦＦにする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、第１状態と第２状態との二つの状態のうち、第１状態に初期化し、初期化した第１状態に対応する電位の信号を生成することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、“０”（第１状態）と“１”（第２状態）との二つの状態のうち、“０”に初期化し、初期化した“０”に対応する電位の信号Ａを生成することが可能な半導体装置１０である。半導体装置１０は、並列に複数接続され、“０”と“１”との二つの状態を保持することが可能なフリップフロップ回路２と、複数のフリップフロップ回路２と接続し、複数のフリップフロップ回路２のうち、少なくとも一つのフリップフロップ回路２で保持する状態が“０”の場合、“０”に対応する電位の信号を生成し、出力するＡＮＤ回路３とを備える。 （もっと読む）

【課題】スイッチがオフ状態（非導通状態）である場合の消費電力を低減する。
【解決手段】スイッチ制御回路は、制御端子に印加される電圧に基づいて、第１の電源線ＶＤＤから供給される電力を出力状態と非出力状態との間で切り替えるＰ−ＦＥＴ１１と、第１の電源線ＶＤＤと制御端子との間に接続される抵抗Ｒ１と、制御端子と第２の電源線との間に、第１のコンデンサーＣ１と第２のコンデンサーＣ２が直列に接続されているコンデンサー分圧回路１３と、第１のコンデンサーＣ１と並列に接続され、自素子の両端間の電位差が、予め定められた閾値以上である場合に導通状態になり、電位差が閾値未満である場合に非導通状態になる制御素子（ＺＤ）と、第２のコンデンサーＣ２と並列に接続され、自スイッチの両端間を導通状態と非導通状態との間で切り替えるスイッチＳＷと、を備える。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子のオンオフによる誘導性負荷の電流応答性を良好なものとしながら駆動回路内の発熱をより抑制する。
【解決手段】誘導性負荷１０を駆動する駆動回路２０に、誘導性負荷１０と並列接続され且つ互いに直列接続された第１の抵抗４２および第２の抵抗４４と、第２の抵抗４４に並列接続されたコンデンサ４６と、誘導性負荷１０と並列接続されゲートが抵抗４２と第２の抵抗４４（コンデンサ４６）との接続点に接続されドレインがグランドに接地されたＮチャネル型のＦＥＴ３２と、ＦＥＴ３２のソースと電源ライン２４との間に介在しドレインからソースの方向を順方向とする第１のダイオード３４とを設ける。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑えることの可能なインバータ回路、およびこのインバータ回路を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】入力端子ＩＮ１から印加される電圧に応じてオンオフするトランジスタＴ３を介して、入力電圧Ｖｉｎ２がトランジスタＴ２のゲートに入力される。そのため、入力電圧Ｖｉｎ１，Ｖｉｎ２がともにハイとなったときだけ、トランジスタＴ１，Ｔ２の双方のゲートにオン電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】 超音波診断装置等に適用され、送信信号または反射信号の電位変動に対しスイッチの誤動作や素子の破壊を起こすことなく、生体からの反射信号を広帯域、低雑音で受信回路に伝送するT/Rスイッチ回路を実現する。
【解決手段】 ２つのMOSトランジスタのソースを共通に直列接続した共有ソース端子と、双方向スイッチ回路のゲート端子を共通に接続した共有ゲート端子と、２つのMOSトランジスタのドレインが入出力端子に接続されて構成される双方向スイッチ回路と、共有ゲート端子と共有ソース端子に接続され共有ソース端子の電位変動に対して共有ゲート端子の電位を同相で追従させ、スイッチのオンまたはオフ信号を共有ゲート端子に送るフローティングゲート電圧制御回路と、によりスイッチ回路を構成する。 （もっと読む）

【課題】自身の回路動作によって所望の遷移速度のパルス信号を生成可能なパルス生成回路、その生成方法、パルス生成回路を用いる走査回路、当該走査回路を用いる表示装置、及び、当該表示装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】２つの電源の間に直列に接続され、入力パルスの論理に応じて相補的にオン／オフ動作を行う２つのスイッチ素子を有し、パルス消滅時に所望の遷移速度のパルス信号を生成するパルス生成回路において、２つの電源のうち、入力パルスと同じ極性側の一方の電源を固定の電源電圧とし、他方の電源を複数の電源電圧間で切り換え可能とする。 （もっと読む）

【課題】スイッチングトランジスタを適切にオフ動作する。
【解決手段】スイッチング回路装置は，高電位端子に接続されたドレインと低電位電源に接続されたソースとゲートとを有し，高電位端子と低電位電源との間に接続されたスイッチングトランジスタと，入力制御信号に応答して，スイッチングトランジスタのゲートにスイッチングトランジスタの閾値電圧より高い高電位と前記低電位電源の電位とを有する駆動パルスを出力する駆動回路とを有し，駆動回路は，スイッチングトランジスタのゲートとソースとの間に設けられた第１の駆動トランジスタを含む第１のインバータを有し，駆動パルスにより前記スイッチングトランジスタがオンからオフに変化するときに，第１の駆動トランジスタが導通してスイッチングトランジスタのゲートとソース間を短絡する。 （もっと読む）

【課題】電圧伝達経路における電圧降下が小さい過電圧保護回路を提供する。
【解決手段】入力電圧と第１の電圧とを入力して、昇圧した第２の電圧を、電圧伝達経路１１０の遮断または導通を制御するスイッチ回路ＳＷのＭＯＳトランジスタＰＳＷのゲートに供給する昇圧回路ＣＰと、ＭＯＳトランジスタＰＳＷのゲートに蓄積された電荷を放電する放電回路ＤＣＧとを備える。 （もっと読む）

【課題】低電圧試験のためのリセット回路及び方法を提供する。
【解決手段】低電圧試験回路１２５と、システム１００および２００と、集積回路パッケージ１０４および２０４における回路１２７の低電圧試験を実行する方法が、電源電圧の一部分である電圧を生成する電圧分割ラダー３２０、一部分を基準電圧と比較する比較器３１０、電圧分割ラダーのトポロジーを制御し、それによって一部分の値を変更するスイッチ３５０を含む、選択可能閾値リセット回路１２５を含み、スイッチは製品試験装置１０２および２０２からの信号によって制御され、信号は、選択可能閾値リセット回路のリセット閾値を標準リセット閾値未満に低減されるようにして、標準リセット閾値未満の電源電圧で回路を試験することを可能にする。 （もっと読む）

【課題】スイッチ用のトランジスタに発生する寄生ダイオードを介して内部に流入するＥＳＤによる負電流から内部回路を保護する。
【解決手段】第４ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ（Ｍｎ４）は、ソース端子とバーグゲート端子間が接続されている。スイッチ素子は、第４ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ（Ｍｎ４）のソース端子とグラウンド電位との間に接続され、第４ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ（Ｍｎ４）のオフ時に第４ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ（Ｍｎ４）のソース端子をグラウンド電位にする。保護回路４０は、第４ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ（Ｍｎ４）のソース端子と上記スイッチ素子の入力端子の接続点と、グラウンド電位との間に設けられ、静電気放電による第４ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ（Ｍｎ４）のドレイン端子から流入する負電流をグラウンド電位に流す。 （もっと読む）

【課題】短絡保護のためのクランプ電圧の設定に基づいて、損失を抑制することが可能な負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】ＩＧＢＴ１の温度、出力電流、ミラー電流もしくはゲート閾値電圧Ｖｔｈを検出し、これらのいずれかに基づいてミラー電圧Ｖｍｉｒｒｏｒのバラツキに応じたクランプ電圧を演算する。これにより、クランプ電圧をその状況下でのミラー電圧Ｖｍｉｒｒｏｒに対応する値に低く抑えることが可能となり、クランプ電圧をミラー電圧Ｖｍｉｒｒｏｒのバラツキの最大値、つまりすべての環境変化等を含めた最大値を考慮して設計する場合と比較して、クランプ電圧を小さく抑えられる。したがって、クランプ時にＩＧＢＴ１を損失が大きくなることを抑制しつつ、短絡耐量を向上することが可能となる。 （もっと読む）