電子部品
【課題】金属箔の配線導体と層間接続導体とを接合することができる電子部品を提供する。
【解決手段】樹脂層３０，３０ｘ〜３０ｚと、樹脂層３０，３０ｘ〜３０ｚの主面にそれぞれ配置された配線導体１０ｐ〜１０ｒ，１２ｐ〜１２ｒ，１４ｐ〜１４ｒ，１６ｐ〜１６ｒ，１８ｐ〜１８ｒと、樹脂層３０，３０ｘ〜３０ｚを貫通し、両端が配線導体１０ｐ〜１０ｒ，１２ｐ〜１２ｒ，１４ｐ〜１４ｒ，１６ｐ〜１６ｒ，１８ｐ〜１８ｒにそれぞれ接続された層間接続導体１１，１３，１５，１７とを含む。層間接続導体１１，１３，１５，１７は、樹脂層３０，３０ｘ〜３０ｚの内部において両端をそれぞれ含む第１及び第２の端部２２，２２ｘ〜２２ｚ；２０，２０ｘ〜２０ｚが互いに異なる材料を用いて形成され、少なくとも第１の端部２２，２２ｘ，２２ｙ，２２ｚが、金属箔を用いて形成された配線導体に接続されている。
【解決手段】樹脂層３０，３０ｘ〜３０ｚと、樹脂層３０，３０ｘ〜３０ｚの主面にそれぞれ配置された配線導体１０ｐ〜１０ｒ，１２ｐ〜１２ｒ，１４ｐ〜１４ｒ，１６ｐ〜１６ｒ，１８ｐ〜１８ｒと、樹脂層３０，３０ｘ〜３０ｚを貫通し、両端が配線導体１０ｐ〜１０ｒ，１２ｐ〜１２ｒ，１４ｐ〜１４ｒ，１６ｐ〜１６ｒ，１８ｐ〜１８ｒにそれぞれ接続された層間接続導体１１，１３，１５，１７とを含む。層間接続導体１１，１３，１５，１７は、樹脂層３０，３０ｘ〜３０ｚの内部において両端をそれぞれ含む第１及び第２の端部２２，２２ｘ〜２２ｚ；２０，２０ｘ〜２０ｚが互いに異なる材料を用いて形成され、少なくとも第１の端部２２，２２ｘ，２２ｙ，２２ｚが、金属箔を用いて形成された配線導体に接続されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子部品に関し、詳しくは、樹脂層を貫通する層間接続導体を含む電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント基板やセラミック基板上に配置された部品を樹脂で封止した部品内蔵基板や、樹脂層が積層された多層樹脂基板において、樹脂層の一対の主面にそれぞれ配置された配線導体同士を接続するため、樹脂層を貫通する層間接続導体が形成されている。基板の小型化や配線の高密度化の要求に応えるためには、この層間接続導体を微細化する必要がある。
【０００３】
例えば図７は、微細な層間接続導体を作製する方法の説明図である。図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、支持基板１１２上に形成された第１の配線導体１１１上に、ビアポスト１１３を形成する。次いで、図７（ｃ）及び（ｄ）に示すように、非吐出領域１１６を有するスクリーン版１１７とスキージ１１４とを用いて絶縁ペースト１１５をスクリーン印刷することにより、ビアポストの上部が露出するように絶縁層１１８を形成する。次いで、図７（ｅ）に示すように、ビアポストに接するように導電ペーストを塗布して第２の配線導体１１９を形成する。第１の配線導体１１１と第２の配線導体１１９とを接続するビアポスト１１３は、層間接続導体である（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２９５１１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図７の方法では導電ペーストを用いて配線導体とビアポストを形成しているが、絶縁層が樹脂層である場合には金属箔を用いて配線導体を形成することが考えられる。
【０００６】
しかし、図７の方法において配線導体に金属箔を用いると、ビアポストを配線導体に接合することが困難である。すなわち、ビアポストは、第１の配線導体の上にスクリーン印刷した導電ペーストを加熱し、硬化させることにより形成するため、第１の配線導体が金属箔であっても第１の配線導体とは接合できる。しかし、硬化後のビアポストに第２の配線導体の金属箔を重ねても、ビアポストは第２の配線導体の金属箔に接するだけであり、接続性が不安定であるという問題があった。
【０００７】
本発明は、かかる実情に鑑み、金属箔の配線導体と層間接続導体とを接合することができる電子部品を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した第１の態様の電子部品を提供する。
【０００９】
第１の態様の電子部品は、（ａ）互いに対向する一対の主面を有する樹脂層と、（ｂ）前記樹脂層の前記主面にそれぞれ配置された配線導体と、（ｃ）前記樹脂層を前記樹脂層の厚み方向に貫通し、両端が前記配線導体にそれぞれ接続された層間接続導体とを含む。前記層間接続導体は、前記樹脂層の内部において前記両端をそれぞれ含む第１及び第２の端部が互いに異なる材料を用いて形成され、少なくとも前記第１の端部が、金属箔を用いて形成された前記配線導体に接続されている。
【００１０】
上記構成において、層間接続導体は、第１の端部と第２の端部との間に、第１の端部とも第２の端部とも異なる材料からなる部分を含んでもよい。
【００１１】
上記構成によれば、樹脂層を貫通する層間接続導体は、第１及び第２の端部の材料が互いに異なるので、第１の端部と接続される配線導体が金属箔であっても、第１の端部と第２の端部とをそれぞれ配線導体に接合することができる。特に第１の端部を形成する材料として、金属箔との接合性のよいものを選択することにより、より良好な接合を得ることができる。例えば、第２の端部を形成し、第２の端部と配線導体とを接合した後に、第１の端部を形成し、第１の端部と他の配線導体とを接合することができる。
【００１２】
また、本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した第２の態様の電子部品を提供する。
【００１３】
第２の態様の電子部品は、（ａ）主面に電極が形成されたセラミック層と、（ｂ）一方主面に配線導体が配置され、前記セラミック層の前記主面に他方主面が接するように積層された樹脂層と、（ｃ）前記樹脂層を前記樹脂層の厚み方向に貫通し、第１の端部が前記配線導体に接続され、第２の端部が前記電極に接続された層間接続導体とを含む。前記層間接続導体は、前記第１及び第２の端部が互いに異なる材料を用いて形成されている。前記層間接続導体の前記第１の端部が接続される前記配線導体は、金属箔を用いて形成されている。
【００１４】
上記構成によれば、セラミック基板上に樹脂層を備えた電子部品を提供することができる。樹脂層を貫通する層間接続導体は、第１及び第２の端部の材料が互いに異なるので、第１の端部と接続される配線導体が金属箔であっても、第１の端部を配線導体に接合することができる。特に第１の端部を形成する材料として、金属箔との接合性のよいものを選択することにより、より良好な接合を得ることができる。例えば、第２の端部を形成し、第２の端部と配線導体とを接合した後に、第１の端部を形成し、第１の端部と他の配線導体とを接合することができる。
【００１５】
上記各態様の電子部品は、好ましくは、前記層間接続導体の前記第１の端部が、はんだペースト又は低融点金属を含む導電ペーストを用いて形成されている。
【００１６】
この場合、はんだペースト又は低融点金属を含む導電ペーストを用いて形成した層間接続導体の第１の端部に隣接して、配線導体を配置した状態で、はんだペースト又は低融点金属を含む導電ペーストを加熱すると、はんだペースト又は低融点金属を含む導電ペーストが溶融して配線導体に濡れ広がるため、信頼性の高い接合界面が得られる。
【００１７】
上記各態様の電子部品は、好ましくは、少なくも前記第１の端部に接続される前記配線導体が銅箔を用いて形成されている。前記第１の端部が銅を主成分とする材料からなる。
【００１８】
この場合、互いに接続される配線導体と層間接続導体の第１の端部とがともにＣｕを主成分とする材料で形成されるため、両者を強固に接合できる。Ｃｕ箔を用いると、配線導体を容易に、かつ安価に形成できる。
【００１９】
上記各態様の電子部品は、好ましくは、前記層間接続導体が金属のナノ粒子を用いて形成されている。
【００２０】
この場合、層間接続導体を微細加工可能であり、層間接続導体の微細化が可能である。また、層間接続導体と配線導体とを確実に接合できる。
【００２１】
第２の態様の電子部品は、好ましくは、前記セラミック層の前記の主面に配置された前記電極と、前記接続導体の前記第２の端部とが、銀を主成分とする材料からなる。
【００２２】
この場合、セラミック層の主面に形成された電極と層間接続導体の第２の端部とがともにＡｇを主成分とする材料で形成されるため、両者を容易に接合できる。セラミック層の電極は、Ａｇを主成分とする材料で形成すると、焼成時に酸化しにくい。
【００２３】
また、本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した電子部品の製造方法を提供する。
【００２４】
電子部品の製造方法は、（ｉ）第１の配線導体上に、下部ポスト電極を形成する第１の工程と、（ii）前記下部ポスト電極上に上部ポスト電極を形成する第２の工程と、（iii）前記下部ポスト電極と前記上部ポスト電極とを被覆するように樹脂層を形成する第３の工程と、（iｖ）前記樹脂層上に前記上部ポスト電極に接するように、金属箔を用いて第２の配線導体を形成する第４の工程とを備える。
【００２５】
上記方法によれば、上部ポスト電極及び下部ポスト電極は、樹脂層を貫通する層間接続導体を形成する。層間接続導体の両端部を異なる材料で形成できるので、層間接続導体の一方の端部となる上部ポスト電極を形成する材料として、第２の配線導体の金属箔との接合性のよいものを選択することにより、第２の導体配線と層間接続導体の一方の端部との良好な接合を得ることができる。
【００２６】
好ましくは、前記第１の配線導体がセラミック基板上に形成されている。
【００２７】
この場合、セラミック基板上に樹脂層を備えた電子部品を提供することができる。
【００２８】
好ましくは、前記第２の工程において、前記上部ポスト電極は、はんだペースト又は低融点金属を含む導電ペーストを用いて形成する。
【００２９】
この場合、はんだペースト又は低融点金属を含む導電ペーストを用いて形成した上部ポスト電極に隣接して、第２の配線導体の金属箔を配置した状態で、上部ポスト電極のはんだペースト又は低融点金属を含む導電ペーストを加熱すると、上部ポスト電極のはんだペースト又は低融点金属を含む導電ペーストが溶融して第２の配線導体の金属箔に濡れ広がるため、信頼性の高い接合界面が得られる。
【００３０】
好ましくは、前記第２の配線導体が銅箔を用いて形成され、前記上部ポスト電極が銅を主成分とする材料からなる。
【００３１】
この場合、互いに接続される第２の配線導体と上部ポスト電極とがともにＣｕを主成分とする材料で形成されるため、両者を強固に接合できる。Ｃｕ箔を用いると、第２の配線導体を容易に、かつ安価に形成できる。
【００３２】
好ましくは、前記下部ポスト電極及び前記上部ポスト電極は、金属のナノ粒子を用いて形成する。
【００３３】
この場合、層間接続導体を微細加工可能であり、層間接続導体の微細化が可能である。また、層間接続導体と第１及び第２の配線導体とを確実に接合できる。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、金属箔の配線導体と層間接続導体とを接合することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】電子部品の製造工程を示す断面図である。（実施例１）
【図２】電子部品の製造工程を示す断面図である。（実施例１）
【図３】電子部品の製造工程を示す断面図である。（実施例２）
【図４】電子部品の製造工程を示す断面図である。（実施例２）
【図５】電子部品の製造工程を示す断面図である。（実施例３）
【図６】電子部品の製造工程を示す断面図である。（実施例３）
【図７】電子部品の製造工程を示す説明図である。（従来例）
【発明を実施するための形態】
【００３６】
以下、本発明の実施の形態について、図１〜図６を参照しながら説明する。
【００３７】
＜実施例１＞ 実施例１の電子部品１について、図１及び図２を参照しながら説明する。図１及び図２は、電子部品１の製造工程を示す断面図である。
【００３８】
図２（ｉ）に示すように、電子部品１は、複数の樹脂層３０，３０ｘ，３０ｙ，３０ｚが積層され、樹脂層３０，３０ｘ，３０ｙ，３０ｚの主面には配線導体１０ｐ〜１０ｒ，１２ｐ〜１２ｒ，１４ｐ〜１４ｒ，１６ｐ〜１６ｒ，１８ｐ〜１８ｒが形成されている。樹脂層３０，３０ｘ，３０ｙ，３０ｚには、樹脂層３０，３０ｘ，３０ｙ，３０ｚを貫通し、両端が配線導体１０ｐ〜１０ｒ，１２ｐ〜１２ｒ，１４ｐ〜１４ｒ，１６ｐ〜１６ｒ，１８ｐ〜１８ｒに接続された層間接続導体１１，１３，１５，１７が形成されている。各層間接続導体１１，１３，１５，１７は、上部ポスト電極２２，２２ｘ〜２２ｚと下部ポスト電極２０，２０ｘ〜２０ｚとが互いに異なる材料で形成されている。上部ポスト電極２２，２２ｘ〜２２ｚは、層間接続導体１１，１３，１５，１７の両端のうち一方を含む第１の端部である。下部ポスト電極２０，２０ｘ〜２０ｚは、層間接続導体１１，１３，１５，１７の両端のうち他方を含む第２の端部である。
【００３９】
電子部品１の上面１ｐに形成された配線導体１８ｐ〜１８ｒは、半導体素子やチップ部品等の電子部品が実装される実装電極である。電子部品１の下面１ｑに形成された配線導体１０ｐ〜１０ｒは、電子部品１を他の回路基板等に接続するための接続電極である。
【００４０】
電子部品１は、以下の（１）〜（８）の工程により作製することができる。
【００４１】
（１） まず、図１（ａ）に示すように、Ｃｕ箔１０を準備する。
【００４２】
（２） 次いで、図１（ｂ）に示すように、Ｃｕ箔１０の上面１０ａに、層間接続導体１１の下部になる下部ポスト電極２０を形成する。
【００４３】
詳しくは、Ｃｕ箔１０の上面１０ａに、形成すべき層間接続導体１１の約半分の高さまで、インクジェットにより、Ｃｕのナノ粒子（直径が１μｍより小さい粒子、例えば、直径が１〜１００ｎｍ程度の粒子）を含むナノＣｕインクを塗布した後、２３０℃で６０分間加熱する。加熱によりナノＣｕインクを硬化させ、Ｃｕ箔１０の上面１０ａに接合された下部ポスト電極２０を形成する。下部ポスト電極２０とＣｕ箔１０とは、ともにＣｕを主成分とする材料で形成されているため、両者は強固に接合する。
【００４４】
本実施例においては、ナノＣｕインクを用いて下部ポスト電極２０を形成したが、ナノインクに限られるものではなく、通常の導電性ペーストで形成してもよい。また、Ｃｕ箔１０はＣｕの金属箔に限られるものではなく、Ｎｉ箔、アルミ箔、銀箔等の金属箔を用いてもよい。その場合は、その金属箔と主成分を同一にする導電ペーストを用いるのが好ましい。さらには、Ｃｕ箔１０の替わりに、導電ペーストを用いて形成された配線導体を用いてもよい。
【００４５】
（３） 次いで、図１（ｃ）に示すように、下部ポスト電極２０の上面２０ａに、層間接続導体１１の上部になる上部ポスト電極２２を形成する。
【００４６】
詳しくは、形成すべき層間接続導体１１の高さになるように、銅を主成分として含むＳｎ−Ａｇ−Ｃｕからなるはんだペーストを、ディスペンスを用いて下部ポスト電極２０の上面２０ａに塗布した後、２２０℃以上かつ２４０℃以下の温度で１分間加熱し、はんだペーストを硬化させて、下部ポスト電極２０の上面２０ａに接合された上部ポスト電極２２を形成する。
【００４７】
はんだペーストには、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕに限らず、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ等のはんだペーストを用いることができる。また、上部ポスト電極２２は低融点金属を含む導電ペーストであってもよい。低融点金属とは、後述の、上部ポスト電極２２とＣｕ箔１２とを接合する工程において溶融する金属であり、Ｓｎ、Ｓｎ-Ａｇ-Ｃｕ、Ｓｎ-Ｂｉ、Ｚｎ等を主成分とする導電ペーストである。
【００４８】
（４） 次いで、図１（ｄ）に示すように、Ｃｕ箔１０の上面１０ａに、樹脂層３０を形成する。樹脂層３０の上面３０ａから、上部ポスト電極２２が露出するようにする。図１（ｄ）では上部ポスト電極２２が樹脂層３０の上面３０ａから突出しているが、その高さは樹脂層３０の上面３０ａと同じであってもよい。また、上部ポスト電極２２が埋まるように樹脂層３０を形成した後に、樹脂層３０を研削して上部ポスト電極２２を露出させてもよい。
【００４９】
詳しくは、無機フィラー入りのエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂からなる未硬化の樹脂シートを樹脂層３０の上面３０ａに配置した後、真空下において１００℃以上かつ１５０℃以下の温度で１０分間、樹脂シートを熱圧着する。これにより、層間接続導体１１を樹脂シートに貫通させた後、樹脂シートを硬化させ、上面３０ａに上部ポスト電極２２が露出した樹脂層３０を形成する。
【００５０】
（５） 次いで、図１（ｅ）に示すように、樹脂層３０の上面３０ａに、Ｃｕ箔１２を接合する。
【００５１】
詳しくは、樹脂層３０の上面３０ａにＣｕ箔１２を圧着し、２３０℃で３０分間加熱して、上部ポスト電極２２とＣｕ箔１２とを接合する。樹脂層３０の上面３０ａに突出している上部ポスト電極２２は、加熱により再び溶融し、Ｃｕ箔１２に濡れ広がるため、Ｃｕ箔１２と上部ポスト電極２２との間に信頼性の高い接合界面を得ることができる。このとき、再び溶融した上部ポスト電極２２のうち余剰分は、樹脂層３０とＣｕ箔１２との間の隙間に入り込むので、上部ポスト電極２２の高さのばらつきを吸収できる。上部ポスト電極２２とＣｕ箔１２とは、ともにＣｕを主成分とする材料で形成されているため、両者は強固に接合する。
【００５２】
（６） 次いで、図２（ｆ）に示すように、Ｃｕ箔１２を、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、電気回路を構成する所定形状にパターニングして、配線導体１２ｐ〜１２ｒを形成する。
【００５３】
すなわち、Ｃｕ箔１２の上面１２ａにフォトレジストを塗布、露光、現像してマスクパターンを形成し、マスクパターンを介してＣｕ箔１２をエッチングした後、剥離液を用いてマスクパターンを除去する。
【００５４】
（７） 以下、同様に、（２）〜（６）の工程を繰り返し、図２（ｇ）に示すように、樹脂層３０ｘと、ポスト電極１３と、配線導体１４ｐ〜１４ｒとを形成する。さらに、（２）〜（６）の工程を２回繰り返し、図２（ｈ）に示すように、樹脂層３０，３０ｘ〜３０ｚが積層され、積層方向両側にＣｕ箔１０，１８を有する積層体を形成する。ただし、最後の（６）の工程は行なわず、最上層のＣｕ箔１８についてはパターニングしない。
【００５５】
（８） 次いで、図２（ｉ）に示すように、積層体の積層方向両側のＣｕ箔１０，１８を、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いてパターニングして、実装電極になる配線導体１８ｐ〜１８ｒと接続電極になる配線導体１０ｐ〜１０ｒを形成する。
【００５６】
以上の（１）〜（８）の工程により、内部に電気回路が構成された電子部品１が完成する。
【００５７】
電子部品１の配線導体１０ｐ〜１０ｒ，１２ｐ〜１２ｒ，１４ｐ〜１４ｒ，１６ｐ〜１６ｒ，１８ｐ〜１８ｒは、Ｃｕ箔を用いて容易に、かつ安価に形成することができる。
【００５８】
電子部品１の下部ポスト電極２０，２０ｘ〜２０ｚは、ナノＣｕインクを用いて形成することにより微細加工可能であり、微細化が可能である。また、下部ポスト電極２０，２０ｘ〜２０ｚを配線導体１０ｐ〜１０ｒ，１２ｐ〜１２ｒ，１４ｐ〜１４ｒ，１６ｐ〜１６ｒに確実に接合できる。
【００５９】
＜実施例２＞ 実施例２の電子部品１ａについて、図３及び図４を参照しながら説明する。図３及び図４は、電子部品１ａの製造工程を示す断面図である。
【００６０】
実施例２の電子部品１ａは、実施例１の電子部品１と略同様の構成である。以下では、実施例１と同じ構成部分には同じ符号を用い、実施例１との相違点を中心に説明する。
【００６１】
図４（ｈ）に示すように、実施例２の電子部品１ａは、実施例１と同様に、複数の樹脂層３０ｋ，３０ｘ，３０ｙが積層され、樹脂層３０ｋ，３０ｘ，３０ｙの主面には配線導体１２ｐ〜１２ｒ，１４ｐ〜１４ｒ，１６ｐ〜１６ｒが形成されている。樹脂層３０ｋ，３０ｘ，３０ｙは、樹脂層３０ｋ，３０ｘ，３０ｙを貫通し、配線導体１２ｐ〜１２ｒ，１４ｐ〜１４ｒ，１６ｐ〜１６ｒに接続された層間接続導体１１ａ，１３ａ，１５ａが形成されている。各層間接続導体１１ａ，１３ａ，１５ａは、上部ポスト電極２６，２６ｐ，２６ｑと下部ポスト電極２４，２４ｐ，２４ｑとが互いに異なる材料で形成されている。上部ポスト電極２６，２６ｐ，２６ｑは、層間接続導体１１ａ，１３ａ，１５ａの両端のうち一方を含む第１の端部である。下部ポスト電極２４，２４ｐ，２４ｑは、層間接続導体１１ａ，１３ａ，１５ａの両端のうち他方を含む第２の端部である。
【００６２】
電子部品１ａの上面１ｓに形成された配線導体１６ｐ〜１６ｒは、半導体素子やチップ部品等の電子部品を実装するための実装電極、あるいは、電子部品１ａを他の回路基板等に接続するための接続電極である。
【００６３】
電子部品１ａは、実施例１とは異なり、樹脂層３０ｋ，３０ｘ，３０ｙとともに積層されたセラミック基板２と、セラミック基板２と樹脂層３０ｋの間に配置された電子部品８とをさらに含んでいる。樹脂層３０ｋが積層されるセラミック基板２の上面２ａには電極４，６が形成され、電極４に、樹脂層３０ｋを貫通する層間接続導体１１ａの下部電極ポスト２４が接続され、電極６に部品８が実装されている。
【００６４】
なお、図示していないが、電子部品１ａの下面、すなわちセラミック基板２の下面２ｂに、実装電極や接続電極を形成してもよい。
【００６５】
電子部品１ａは、以下の（１）〜（８）の工程により作製することができる。
【００６６】
（１） まず、図３（ａ）に示すように、上面２ａに電極４，６が形成されたセラミック基板２を準備する。電極４，６は、セラミック基板２の焼成時に酸化しにくいＡｇを主成分とする材料で形成されている。
【００６７】
（２） 次いで、図３（ｂ）に示すように、セラミック基板２の電極４の上に、層間接続導体１１ａの下部になる下部ポスト電極２４を形成する。
【００６８】
詳しくは、セラミック基板２の電極４に、形成すべき層間接続導体１１ａの約半分の高さまで、インクジェットにより、Ａｇのナノ粒子を含むナノＡｇインクを塗布した後、２３０℃で３０分間加熱する。加熱によりナノＡｇインクをある程度まで硬化させ、セラミック基板２の電極４に接合された下部ポスト電極２４を形成する。セラミック基板２の電極４と下部ポスト電極２４は、ともにＡｇを主成分とする材料で形成されているため、両者は強固に接合する。
【００６９】
本実施例においては、ナノＡｇインクを用いて下部ポスト電極２４を形成したが、ナノインクに限られるものではなく、通常の導電性ペーストで形成してもよい。また、本実施例においては、電極４，６はＡｇに限られるものではなく、Ｎｉ、アルミ、Ｚｎ等を主成分とする材料で形成してもよい。その場合は、その金属箔と主成分を同一にする導電性ペーストを用いるのが好ましい。
【００７０】
（３） 次いで、図３（ｃ）に示すように、下部ポスト電極２４の上面２４ａに、層間接続導体１１ａの上部になる上部ポスト電極２６を形成する。
【００７１】
詳しくは、形成すべき層間接続導体１１ａの高さになるように、インクジェットにより、Ｃｕのナノ粒子を含むナノＣｕインクを塗布した後、２３０℃で３０分間加熱する。加熱によりナノＣｕインクをある程まで度硬化させ、下部ポスト電極２４の上面２４ａに接合された上部ポスト電極２６を形成する。このとき、ある程度まで硬化していた下部ポスト電極２４は、さらに加熱されて完全に硬化する。
【００７２】
本実施例においては、ナノＣｕインクを用いて上部ポスト電極２６を形成したが、ナノインクに限られるものではなく、通常の導電性ペーストで形成してもよい。
【００７３】
ある程度まで硬化している下部ポスト電極２４の上面２４ａに、上部ポスト電極２６のナノＣｕインクを塗布するため、完全に硬化した下部ポスト電極２４の上面２４ａに上部ポスト電極２６のナノＣｕインクを塗布する場合よりも強固に、上部ポスト電極２６を下部ポスト電極２４に接合できる。
【００７４】
（４） 次いで、図３（ｄ）に示すように、セラミック基板２の他の電極６上に、半導体等の能動素子、コンデンサ、インダクタ、抵抗等の受導素子等の電子部品８を搭載する。
【００７５】
詳しくは、セラミック基板２の電極６上に、ディスペンサを用いてはんだを塗布し、その上に電子部品８を搭載する。
【００７６】
（５） 次いで、図３（ｅ）に示すように、セラミック基板２の上面２ａの上に、樹脂層３０ｋを形成する。樹脂層３０ｋの上面３０ｓから上部ポスト電極２６が露出するようにする。図３（ｅ）では上部ポスト電極２６が樹脂層３０ｋの上面３０ｓから突出しているが、その高さは樹脂層３０ｋの上面３０ｓと同じであってもよい。また、上部ポスト電極２６が埋まるように樹脂層３０ｋを形成した後に、樹脂層３０ｋを研削して上部ポスト電極２６を露出させてもよい。
【００７７】
詳しくは、無機フィラー入りのエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂からなる未硬化の樹脂シートをセラミック基板２の上面２ａに配置した後、真空下において１００℃以上かつ１５０℃以下の温度で１０分間、樹脂シートを熱圧着する。これにより、層間接続導体１１ａを樹脂シートに貫通させた後、樹脂シートを硬化させ、上面３０ｓに上部ポスト電極２６が露出した樹脂層３０ｋを形成する。
【００７８】
（６） 次いで、図３（ｆ）に示すように、樹脂層３０ｋの上面３０ｓに、Ｃｕ箔１２を接合する。
【００７９】
詳しくは、樹脂層３０ｋの上面３０ｓにＣｕ箔１２を圧着し、２３０℃で３０分間加熱して、上部ポスト電極２６とＣｕ箔１２とを接合する。樹脂層３０ｋの上面３０ｓに突出している上部ポスト電極２６は、加熱により硬化し、Ｃｕ箔１２に接合する。このとき、ある程度まで硬化した上部ポスト電極２６が、Ｃｕ箔１２に接した状態で加熱されるため、上部ポスト電極２６をＣｕ箔１２に接合できる。上部ポスト電極２６とＣｕ箔１２とは、ともにＣｕを主成分とする材料で形成されているため、両者は強固に接合する。
【００８０】
このとき同時に、セラミック基板２の電極６上のはんだが加熱され、硬化し、電子部品８が電極６に接合される。
【００８１】
（７） 次いで、図４（ｇ）に示すように、Ｃｕ箔１２を、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、電気回路を構成する所定形状にパターニングして、配線導体１２ｐ〜１２ｒを形成する。
【００８２】
すなわち、Ｃｕ箔１２の上面１２ａにフォトレジストを塗布、露光、現像してマスクパターンを形成し、マスクパターンを介してＣｕ箔１２をエッチングした後、剥離液を用いてマスクパターンを除去する。
【００８３】
（８） 以下、同様に、（２）〜（６）の工程を繰り返し、図４（ｈ）に示すように、樹脂層３０ｘ，３０ｙと、ポスト電極１３ａ，１５ａと、配線導体１４ｐ〜１４ｒ，１６ｐ〜１６ｒを形成する。
【００８４】
ただし、層間接続導体１３ａ，１５ａの下部ポスト電極２４ｐ，２４ｑは、ナノＣｕインクを用いて形成する。これにより、下部ポスト電極２４ｐ，２４ｑを、Ｃｕ箔で形成された配線導体１２ｐ〜１２ｒ，１４ｐ〜１４ｒに強固に接合できる。
【００８５】
以上の（１）〜（８）の工程により、内部に電子部品８を含む電気回路が構成された電子部品１ａが完成する。
【００８６】
電子部品１ａの配線導体１２ｐ〜１２ｒ，１４ｐ〜１４ｒ，１６ｐ〜１６ｒは、Ｃｕ箔を用いて容易に、かつ安価に形成することができる。
【００８７】
電子部品１ａの下部ポスト電極２４はナノＡｇインクを用いて形成し、下部ポスト電極２４ｐ，２４ｑと上部ポスト電極２６，２６ｐ，２６ｑはナノＣｕインクを用いて形成しているので、層間接続導体１１ａ，１３ａ，１５ａは微細加工可能であり、微細化が可能である。また、層間接続導体１１ａ，１３ａ，１５ａをＣｕ箔の配線導体１２ｐ〜１２ｒ，１４ｐ〜１４ｒ，１６ｐ〜１６ｒに確実に接合できる。
【００８８】
＜実施例２の変形例＞ 実施例２の変形例では、上部ポスト電極２６を、銅を主成分として含むＳｎ−Ａｇ−Ｃｕからなるはんだペーストを用いて形成する点が、実施例２とは異なる。その他の構成については実施例２と同じである。
【００８９】
例えば、銅を主成分として含むＳｎ−Ａｇ−Ｃｕからなるはんだペーストを、ディスペンスを用いて下部ポスト電極２４の上面２４ａに塗布した後、２２０℃以上かつ２４０℃以下の温度で１分間加熱し、はんだペーストを硬化させて、下部ポスト電極２４の上面２４ａに接合された上部ポスト電極２６を形成する。はんだペーストには、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕに限らず、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ等のはんだペーストを用いることができる。また、上部ポスト電極２６は低融点金属を含む導電ペーストであってもよい。低融点金属とは、後述の、上部ポスト電極２６とＣｕ箔１２とを接合する工程において溶融する金属であり、Ｓｎ、Ｓｎ-Ａｇ-Ｃｕ、Ｓｎ-Ｂｉ、Ｚｎ等を主成分とする導電ペーストである。
【００９０】
＜実施例３＞ 実施例３の電子部品１ｂについて、図５及び図６を参照しながら説明する。図５及び図６は、電子部品１ｂの製造工程を示す断面図である。
【００９１】
図６に示すように、実施例３の電子部品１ｂは、電子部品１ｂは、実施例２とは異なり、複数のセラミック層２ｐ，２ｑが積層されたセラミック多層基板２ｋの両側に、樹脂層３２，３２ｐ〜３２ｔが積層されている。
【００９２】
電子部品１ｂは、実施例１、２と同様に、（ａ）積層された複数の樹脂層３０ｋ，３０ｕ〜３０ｙと、（ｂ）樹脂層３０ｋ，３０ｕ〜３０ｙの主面に形成された配線導体１２ｐ〜１２ｕ，１４ｐ〜１４ｕ，１６ｐ〜１６ｕと、（ｃ）樹脂層３０ｋ，３０ｕ〜３０ｙを貫通し、配線導体１２ｐ〜１２ｕ，１４ｐ〜１４ｕ，１６ｐ〜１６ｕに接続された層間接続導体１１ａ，１１ｂ，１３ａ，１３ｂ，１５ａ，１５ｂとを備える。各層間接続導体１１ａ，１１ｂ，１３ａ，１３ｂ，１５ａ，１５ｂは、それぞれ、セラミック多層基板２ｋ側の一方の端部になる上部ポスト電極２６，２６ｐ〜２６ｔと、他方の端部になる下部ポスト電極２４，２４ｐ〜２４ｔとが互いに異なる材料で形成されている。上部ポスト電極２６，２６ｐ〜２６ｔは、層間接続導体１１ａ，１１ｂ，１３ａ，１３ｂ，１５ａ，１５ｂの両端のうち一方を含む第１の端部である。下部ポスト電極２４，２４ｐ〜２４ｔは、層間接続導体１１ａ，１１ｂ，１３ａ，１３ｂ，１５ａ，１５ｂの両端のうち他方を含む第２の端部である。
【００９３】
電子部品１ｂは、以下の（１）〜（７）のように、実施例２と略同様の工程で作製できる。
【００９４】
（１） まず、図５（ａ）に示すように、上面２ｓに電極４，６が形成されたセラミック多層基板２ｋを準備し、電極６に、半導体等の能動素子、コンデンサ、インダクタ、抵抗等の受導素子等の電子部品８を搭載する。
【００９５】
詳しくは、セラミック多層基板２ｋの電極６に、スクリーン印刷により、あるいはディスペンサを用いてはんだを塗布し、その上に電子部品８を搭載する。
【００９６】
（２） 次いで、図５（ｂ）に示すように、セラミック多層基板２ｋの電極４の上に、層間接続導体１１ａの下部になる下部ポスト電極２４を形成する。
【００９７】
詳しくは、セラミック多層基板２ｋの上面２ｓに、形成すべき層間接続導体１１ａの約半分の高さまで、インクジェットによりＡｇのナノ粒子を含むナノＡｇインクを塗布した後、２３０℃で３０分間加熱する。加熱によりナノＡｇインクをある程度まで硬化させ、セラミック多層基板２ｋの電極４に良好に接続された下部ポスト電極２４を形成する。
【００９８】
このとき同時に、セラミック多層基板２ｋの電極６上のはんだが加熱され、硬化し、電子部品８が電極６に接合される。
【００９９】
（３） 次いで、図５（ｃ）に示すように、下部ポスト電極２４の上面２４ａに、層間接続導体１１ａの上部になる上部ポスト電極２６を形成する。
【０１００】
詳しくは、形成すべき層間接続導体１１ａの高さになるように、インクジェットによりＣｕのナノ粒子を含むナノＣｕインクを塗布した後、２３０℃で３０分間加熱する。加熱によりナノＣｕインクをある程度まで硬化させ、下部ポスト電極２４の上面２４ａに接合された上部ポスト電極２６を形成する。このときの加熱により、下部ポスト電極２４は完全に硬化する。
【０１０１】
ある程度まで硬化している下部ポスト電極２４の上面２４ａに上部ポスト電極２６のナノＣｕインクを塗布するため、完全に硬化した下部ポスト電極２４の上面２４ａに上部ポスト電極２６のナノＣｕインクを塗布する場合よりも強固に、上部ポスト電極２６を下部ポスト電極２４に接合できる。
【０１０２】
（４） 次いで、図５（ｄ）に示すように、セラミック多層基板２ｋの上面２ｓの上に、樹脂層３０ｋを形成する。樹脂層３０ｋの上面３０ｓには、上部ポスト電極２６が露出するようにする。
【０１０３】
詳しくは、無機フィラー入りのエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂からなる未硬化の樹脂シートをセラミック多層基板２ｋの上面２ｓに配置した後、真空下において１００℃以上かつ１５０℃以下の温度で１０分間、樹脂シートを熱圧着する。これにより、層間接続導体１１ａを樹脂シートに貫通させた後、樹脂シートを硬化させることにより、上面３０ｓに上部ポスト電極２６が露出した樹脂層３０ｋを形成する。
【０１０４】
（５） 次いで、図５（ｅ）に示すように、樹脂層３０ｋの上面３０ｓに、Ｃｕ箔１２を接合する。
【０１０５】
詳しくは、樹脂層３０ｋの上面３０ｓにＣｕ箔１２を圧着し、２３０℃で３０分間加熱して、上部ポスト電極２６とＣｕ箔１２とを接合する。このとき、ある程度まで硬化した上部ポスト電極２６が、Ｃｕ箔１２に接した状態で加熱されるため、上部ポスト電極２６をＣｕ箔１２に接合できる。上部ポスト電極２６とＣｕ箔１２とは、ともにＣｕを主成分とする材料で形成されているため、両者は強固に接合する。
【０１０６】
（６） 次いで、図６（ｆ）に示すように、Ｃｕ箔１２を、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、電気回路を構成する所定形状にパターニングして、配線導体１２ｐ〜１２ｒを形成する。
【０１０７】
すなわち、Ｃｕ箔１２の上面１２ａにフォトレジストを塗布、露光、現像してマスクパターンを形成し、マスクパターンを介してＣｕ箔１２をエッチングした後、剥離液を用いてマスクパターンを除去する。
【０１０８】
（７） 以下、同様に、（２）〜（６）の工程を繰り返し、図６（ｇ）に示すように、セラミック多層基板２ｋの上面２ｓ側に、樹脂層３０ｘ，３０ｙと、層間接続導体１３ａ，１５ａと、配線導体１４ｐ〜１４ｒ，１６ｐ〜１６ｒを形成する。また、（１）〜（６）の工程を同様に繰り返し、セラミック多層基板２ｋの下面２ｔ側に、樹脂層３０ｕ〜３０ｗと、層間接続導体１１ｂ，１３ｂ，１５ｂと、配線導体１２ｓ〜１２ｕ、１４ｓ〜１４ｕ，１６ｓ〜１６ｕを形成する。
【０１０９】
以上の（１）〜（７）の工程により、内部に電子部品８を含む電気回路が構成された電子部品１ｂが完成する。
【０１１０】
電子部品１ｂの層間接続導体１１ａ，１１ｂ，１３ａ，１３ｂ，１５ａ，１５ｂは、ナノＡｇインク又はナノＣｕインクを用いて微細加工可能であり、微細化が可能である。また、層間接続導体１１ａ，１１ｂ，１３ａ，１３ｂ，１５ａ，１５ｂと配線導体１０ｐ〜１０ｒ，１２ｐ〜１２ｒ，１４ｐ〜１４ｒ，１６ｐ〜１６ｒとを確実に接合できる。
【０１１１】
なお、電子部品１ｂは、実施例１と同様に作製することも可能である。この場合には、例えば上部ポスト電極２６，２６ｐ〜２６ｔを、はんだペーストを用いて形成する。
【０１１２】
＜まとめ＞ 以上に説明したように、層間接続導体の端部の一方と他方を互いに異なる材料で形成することにより、層間接続導体の端部を、金属箔で形成した配線導体に接合することができる。
【０１１３】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変更を加えて実施することが可能である。
【０１１４】
例えば、層間接続導体は、第１の端部と第２の端部との間に、第１の端部とも第２の端部とも異なる材料からなる部分を含んでもよい。
【符号の説明】
【０１１５】
１，１ａ，１ｂ 電子部品
２ セラミック基板
２ｋ セラミック多層基板
４ 電極
１０ Ｃｕ箔
１０ｐ〜１０ｒ 配線導体
１１，１１ａ，１１ｂ 層間接続導体
１２ Ｃｕ箔
１２ｐ〜１２ｕ 配線導体
１３，１３ａ，１３ｂ 層間接続導体
１４ｐ〜１４ｕ 配線導体
１５，１５ａ，１５ｂ 層間接続導体
１６ｐ〜１６ｕ 配線導体
１７ 層間接続導体
１８ Ｃｕ箔
１８ｐ〜１８ｒ 配線導体
２０，２０ｘ〜２０ｚ 下部ポスト電極（第２の端部）
２２，２２ｘ〜２２ｚ 上部ポスト電極（第１の端部）
２４，２４ｐ〜２４ｔ 下部ポスト電極（第２の端部）
２６，２６ｐ〜２６ｔ 上部ポスト電極（第１の端部）
３０，３０ｋ，３０ｕ〜３０ｚ 樹脂層
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子部品に関し、詳しくは、樹脂層を貫通する層間接続導体を含む電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント基板やセラミック基板上に配置された部品を樹脂で封止した部品内蔵基板や、樹脂層が積層された多層樹脂基板において、樹脂層の一対の主面にそれぞれ配置された配線導体同士を接続するため、樹脂層を貫通する層間接続導体が形成されている。基板の小型化や配線の高密度化の要求に応えるためには、この層間接続導体を微細化する必要がある。
【０００３】
例えば図７は、微細な層間接続導体を作製する方法の説明図である。図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、支持基板１１２上に形成された第１の配線導体１１１上に、ビアポスト１１３を形成する。次いで、図７（ｃ）及び（ｄ）に示すように、非吐出領域１１６を有するスクリーン版１１７とスキージ１１４とを用いて絶縁ペースト１１５をスクリーン印刷することにより、ビアポストの上部が露出するように絶縁層１１８を形成する。次いで、図７（ｅ）に示すように、ビアポストに接するように導電ペーストを塗布して第２の配線導体１１９を形成する。第１の配線導体１１１と第２の配線導体１１９とを接続するビアポスト１１３は、層間接続導体である（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２９５１１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図７の方法では導電ペーストを用いて配線導体とビアポストを形成しているが、絶縁層が樹脂層である場合には金属箔を用いて配線導体を形成することが考えられる。
【０００６】
しかし、図７の方法において配線導体に金属箔を用いると、ビアポストを配線導体に接合することが困難である。すなわち、ビアポストは、第１の配線導体の上にスクリーン印刷した導電ペーストを加熱し、硬化させることにより形成するため、第１の配線導体が金属箔であっても第１の配線導体とは接合できる。しかし、硬化後のビアポストに第２の配線導体の金属箔を重ねても、ビアポストは第２の配線導体の金属箔に接するだけであり、接続性が不安定であるという問題があった。
【０００７】
本発明は、かかる実情に鑑み、金属箔の配線導体と層間接続導体とを接合することができる電子部品を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した第１の態様の電子部品を提供する。
【０００９】
第１の態様の電子部品は、（ａ）互いに対向する一対の主面を有する樹脂層と、（ｂ）前記樹脂層の前記主面にそれぞれ配置された配線導体と、（ｃ）前記樹脂層を前記樹脂層の厚み方向に貫通し、両端が前記配線導体にそれぞれ接続された層間接続導体とを含む。前記層間接続導体は、前記樹脂層の内部において前記両端をそれぞれ含む第１及び第２の端部が互いに異なる材料を用いて形成され、少なくとも前記第１の端部が、金属箔を用いて形成された前記配線導体に接続されている。
【００１０】
上記構成において、層間接続導体は、第１の端部と第２の端部との間に、第１の端部とも第２の端部とも異なる材料からなる部分を含んでもよい。
【００１１】
上記構成によれば、樹脂層を貫通する層間接続導体は、第１及び第２の端部の材料が互いに異なるので、第１の端部と接続される配線導体が金属箔であっても、第１の端部と第２の端部とをそれぞれ配線導体に接合することができる。特に第１の端部を形成する材料として、金属箔との接合性のよいものを選択することにより、より良好な接合を得ることができる。例えば、第２の端部を形成し、第２の端部と配線導体とを接合した後に、第１の端部を形成し、第１の端部と他の配線導体とを接合することができる。
【００１２】
また、本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した第２の態様の電子部品を提供する。
【００１３】
第２の態様の電子部品は、（ａ）主面に電極が形成されたセラミック層と、（ｂ）一方主面に配線導体が配置され、前記セラミック層の前記主面に他方主面が接するように積層された樹脂層と、（ｃ）前記樹脂層を前記樹脂層の厚み方向に貫通し、第１の端部が前記配線導体に接続され、第２の端部が前記電極に接続された層間接続導体とを含む。前記層間接続導体は、前記第１及び第２の端部が互いに異なる材料を用いて形成されている。前記層間接続導体の前記第１の端部が接続される前記配線導体は、金属箔を用いて形成されている。
【００１４】
上記構成によれば、セラミック基板上に樹脂層を備えた電子部品を提供することができる。樹脂層を貫通する層間接続導体は、第１及び第２の端部の材料が互いに異なるので、第１の端部と接続される配線導体が金属箔であっても、第１の端部を配線導体に接合することができる。特に第１の端部を形成する材料として、金属箔との接合性のよいものを選択することにより、より良好な接合を得ることができる。例えば、第２の端部を形成し、第２の端部と配線導体とを接合した後に、第１の端部を形成し、第１の端部と他の配線導体とを接合することができる。
【００１５】
上記各態様の電子部品は、好ましくは、前記層間接続導体の前記第１の端部が、はんだペースト又は低融点金属を含む導電ペーストを用いて形成されている。
【００１６】
この場合、はんだペースト又は低融点金属を含む導電ペーストを用いて形成した層間接続導体の第１の端部に隣接して、配線導体を配置した状態で、はんだペースト又は低融点金属を含む導電ペーストを加熱すると、はんだペースト又は低融点金属を含む導電ペーストが溶融して配線導体に濡れ広がるため、信頼性の高い接合界面が得られる。
【００１７】
上記各態様の電子部品は、好ましくは、少なくも前記第１の端部に接続される前記配線導体が銅箔を用いて形成されている。前記第１の端部が銅を主成分とする材料からなる。
【００１８】
この場合、互いに接続される配線導体と層間接続導体の第１の端部とがともにＣｕを主成分とする材料で形成されるため、両者を強固に接合できる。Ｃｕ箔を用いると、配線導体を容易に、かつ安価に形成できる。
【００１９】
上記各態様の電子部品は、好ましくは、前記層間接続導体が金属のナノ粒子を用いて形成されている。
【００２０】
この場合、層間接続導体を微細加工可能であり、層間接続導体の微細化が可能である。また、層間接続導体と配線導体とを確実に接合できる。
【００２１】
第２の態様の電子部品は、好ましくは、前記セラミック層の前記の主面に配置された前記電極と、前記接続導体の前記第２の端部とが、銀を主成分とする材料からなる。
【００２２】
この場合、セラミック層の主面に形成された電極と層間接続導体の第２の端部とがともにＡｇを主成分とする材料で形成されるため、両者を容易に接合できる。セラミック層の電極は、Ａｇを主成分とする材料で形成すると、焼成時に酸化しにくい。
【００２３】
また、本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した電子部品の製造方法を提供する。
【００２４】
電子部品の製造方法は、（ｉ）第１の配線導体上に、下部ポスト電極を形成する第１の工程と、（ii）前記下部ポスト電極上に上部ポスト電極を形成する第２の工程と、（iii）前記下部ポスト電極と前記上部ポスト電極とを被覆するように樹脂層を形成する第３の工程と、（iｖ）前記樹脂層上に前記上部ポスト電極に接するように、金属箔を用いて第２の配線導体を形成する第４の工程とを備える。
【００２５】
上記方法によれば、上部ポスト電極及び下部ポスト電極は、樹脂層を貫通する層間接続導体を形成する。層間接続導体の両端部を異なる材料で形成できるので、層間接続導体の一方の端部となる上部ポスト電極を形成する材料として、第２の配線導体の金属箔との接合性のよいものを選択することにより、第２の導体配線と層間接続導体の一方の端部との良好な接合を得ることができる。
【００２６】
好ましくは、前記第１の配線導体がセラミック基板上に形成されている。
【００２７】
この場合、セラミック基板上に樹脂層を備えた電子部品を提供することができる。
【００２８】
好ましくは、前記第２の工程において、前記上部ポスト電極は、はんだペースト又は低融点金属を含む導電ペーストを用いて形成する。
【００２９】
この場合、はんだペースト又は低融点金属を含む導電ペーストを用いて形成した上部ポスト電極に隣接して、第２の配線導体の金属箔を配置した状態で、上部ポスト電極のはんだペースト又は低融点金属を含む導電ペーストを加熱すると、上部ポスト電極のはんだペースト又は低融点金属を含む導電ペーストが溶融して第２の配線導体の金属箔に濡れ広がるため、信頼性の高い接合界面が得られる。
【００３０】
好ましくは、前記第２の配線導体が銅箔を用いて形成され、前記上部ポスト電極が銅を主成分とする材料からなる。
【００３１】
この場合、互いに接続される第２の配線導体と上部ポスト電極とがともにＣｕを主成分とする材料で形成されるため、両者を強固に接合できる。Ｃｕ箔を用いると、第２の配線導体を容易に、かつ安価に形成できる。
【００３２】
好ましくは、前記下部ポスト電極及び前記上部ポスト電極は、金属のナノ粒子を用いて形成する。
【００３３】
この場合、層間接続導体を微細加工可能であり、層間接続導体の微細化が可能である。また、層間接続導体と第１及び第２の配線導体とを確実に接合できる。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、金属箔の配線導体と層間接続導体とを接合することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】電子部品の製造工程を示す断面図である。（実施例１）
【図２】電子部品の製造工程を示す断面図である。（実施例１）
【図３】電子部品の製造工程を示す断面図である。（実施例２）
【図４】電子部品の製造工程を示す断面図である。（実施例２）
【図５】電子部品の製造工程を示す断面図である。（実施例３）
【図６】電子部品の製造工程を示す断面図である。（実施例３）
【図７】電子部品の製造工程を示す説明図である。（従来例）
【発明を実施するための形態】
【００３６】
以下、本発明の実施の形態について、図１〜図６を参照しながら説明する。
【００３７】
＜実施例１＞ 実施例１の電子部品１について、図１及び図２を参照しながら説明する。図１及び図２は、電子部品１の製造工程を示す断面図である。
【００３８】
図２（ｉ）に示すように、電子部品１は、複数の樹脂層３０，３０ｘ，３０ｙ，３０ｚが積層され、樹脂層３０，３０ｘ，３０ｙ，３０ｚの主面には配線導体１０ｐ〜１０ｒ，１２ｐ〜１２ｒ，１４ｐ〜１４ｒ，１６ｐ〜１６ｒ，１８ｐ〜１８ｒが形成されている。樹脂層３０，３０ｘ，３０ｙ，３０ｚには、樹脂層３０，３０ｘ，３０ｙ，３０ｚを貫通し、両端が配線導体１０ｐ〜１０ｒ，１２ｐ〜１２ｒ，１４ｐ〜１４ｒ，１６ｐ〜１６ｒ，１８ｐ〜１８ｒに接続された層間接続導体１１，１３，１５，１７が形成されている。各層間接続導体１１，１３，１５，１７は、上部ポスト電極２２，２２ｘ〜２２ｚと下部ポスト電極２０，２０ｘ〜２０ｚとが互いに異なる材料で形成されている。上部ポスト電極２２，２２ｘ〜２２ｚは、層間接続導体１１，１３，１５，１７の両端のうち一方を含む第１の端部である。下部ポスト電極２０，２０ｘ〜２０ｚは、層間接続導体１１，１３，１５，１７の両端のうち他方を含む第２の端部である。
【００３９】
電子部品１の上面１ｐに形成された配線導体１８ｐ〜１８ｒは、半導体素子やチップ部品等の電子部品が実装される実装電極である。電子部品１の下面１ｑに形成された配線導体１０ｐ〜１０ｒは、電子部品１を他の回路基板等に接続するための接続電極である。
【００４０】
電子部品１は、以下の（１）〜（８）の工程により作製することができる。
【００４１】
（１） まず、図１（ａ）に示すように、Ｃｕ箔１０を準備する。
【００４２】
（２） 次いで、図１（ｂ）に示すように、Ｃｕ箔１０の上面１０ａに、層間接続導体１１の下部になる下部ポスト電極２０を形成する。
【００４３】
詳しくは、Ｃｕ箔１０の上面１０ａに、形成すべき層間接続導体１１の約半分の高さまで、インクジェットにより、Ｃｕのナノ粒子（直径が１μｍより小さい粒子、例えば、直径が１〜１００ｎｍ程度の粒子）を含むナノＣｕインクを塗布した後、２３０℃で６０分間加熱する。加熱によりナノＣｕインクを硬化させ、Ｃｕ箔１０の上面１０ａに接合された下部ポスト電極２０を形成する。下部ポスト電極２０とＣｕ箔１０とは、ともにＣｕを主成分とする材料で形成されているため、両者は強固に接合する。
【００４４】
本実施例においては、ナノＣｕインクを用いて下部ポスト電極２０を形成したが、ナノインクに限られるものではなく、通常の導電性ペーストで形成してもよい。また、Ｃｕ箔１０はＣｕの金属箔に限られるものではなく、Ｎｉ箔、アルミ箔、銀箔等の金属箔を用いてもよい。その場合は、その金属箔と主成分を同一にする導電ペーストを用いるのが好ましい。さらには、Ｃｕ箔１０の替わりに、導電ペーストを用いて形成された配線導体を用いてもよい。
【００４５】
（３） 次いで、図１（ｃ）に示すように、下部ポスト電極２０の上面２０ａに、層間接続導体１１の上部になる上部ポスト電極２２を形成する。
【００４６】
詳しくは、形成すべき層間接続導体１１の高さになるように、銅を主成分として含むＳｎ−Ａｇ−Ｃｕからなるはんだペーストを、ディスペンスを用いて下部ポスト電極２０の上面２０ａに塗布した後、２２０℃以上かつ２４０℃以下の温度で１分間加熱し、はんだペーストを硬化させて、下部ポスト電極２０の上面２０ａに接合された上部ポスト電極２２を形成する。
【００４７】
はんだペーストには、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕに限らず、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ等のはんだペーストを用いることができる。また、上部ポスト電極２２は低融点金属を含む導電ペーストであってもよい。低融点金属とは、後述の、上部ポスト電極２２とＣｕ箔１２とを接合する工程において溶融する金属であり、Ｓｎ、Ｓｎ-Ａｇ-Ｃｕ、Ｓｎ-Ｂｉ、Ｚｎ等を主成分とする導電ペーストである。
【００４８】
（４） 次いで、図１（ｄ）に示すように、Ｃｕ箔１０の上面１０ａに、樹脂層３０を形成する。樹脂層３０の上面３０ａから、上部ポスト電極２２が露出するようにする。図１（ｄ）では上部ポスト電極２２が樹脂層３０の上面３０ａから突出しているが、その高さは樹脂層３０の上面３０ａと同じであってもよい。また、上部ポスト電極２２が埋まるように樹脂層３０を形成した後に、樹脂層３０を研削して上部ポスト電極２２を露出させてもよい。
【００４９】
詳しくは、無機フィラー入りのエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂からなる未硬化の樹脂シートを樹脂層３０の上面３０ａに配置した後、真空下において１００℃以上かつ１５０℃以下の温度で１０分間、樹脂シートを熱圧着する。これにより、層間接続導体１１を樹脂シートに貫通させた後、樹脂シートを硬化させ、上面３０ａに上部ポスト電極２２が露出した樹脂層３０を形成する。
【００５０】
（５） 次いで、図１（ｅ）に示すように、樹脂層３０の上面３０ａに、Ｃｕ箔１２を接合する。
【００５１】
詳しくは、樹脂層３０の上面３０ａにＣｕ箔１２を圧着し、２３０℃で３０分間加熱して、上部ポスト電極２２とＣｕ箔１２とを接合する。樹脂層３０の上面３０ａに突出している上部ポスト電極２２は、加熱により再び溶融し、Ｃｕ箔１２に濡れ広がるため、Ｃｕ箔１２と上部ポスト電極２２との間に信頼性の高い接合界面を得ることができる。このとき、再び溶融した上部ポスト電極２２のうち余剰分は、樹脂層３０とＣｕ箔１２との間の隙間に入り込むので、上部ポスト電極２２の高さのばらつきを吸収できる。上部ポスト電極２２とＣｕ箔１２とは、ともにＣｕを主成分とする材料で形成されているため、両者は強固に接合する。
【００５２】
（６） 次いで、図２（ｆ）に示すように、Ｃｕ箔１２を、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、電気回路を構成する所定形状にパターニングして、配線導体１２ｐ〜１２ｒを形成する。
【００５３】
すなわち、Ｃｕ箔１２の上面１２ａにフォトレジストを塗布、露光、現像してマスクパターンを形成し、マスクパターンを介してＣｕ箔１２をエッチングした後、剥離液を用いてマスクパターンを除去する。
【００５４】
（７） 以下、同様に、（２）〜（６）の工程を繰り返し、図２（ｇ）に示すように、樹脂層３０ｘと、ポスト電極１３と、配線導体１４ｐ〜１４ｒとを形成する。さらに、（２）〜（６）の工程を２回繰り返し、図２（ｈ）に示すように、樹脂層３０，３０ｘ〜３０ｚが積層され、積層方向両側にＣｕ箔１０，１８を有する積層体を形成する。ただし、最後の（６）の工程は行なわず、最上層のＣｕ箔１８についてはパターニングしない。
【００５５】
（８） 次いで、図２（ｉ）に示すように、積層体の積層方向両側のＣｕ箔１０，１８を、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いてパターニングして、実装電極になる配線導体１８ｐ〜１８ｒと接続電極になる配線導体１０ｐ〜１０ｒを形成する。
【００５６】
以上の（１）〜（８）の工程により、内部に電気回路が構成された電子部品１が完成する。
【００５７】
電子部品１の配線導体１０ｐ〜１０ｒ，１２ｐ〜１２ｒ，１４ｐ〜１４ｒ，１６ｐ〜１６ｒ，１８ｐ〜１８ｒは、Ｃｕ箔を用いて容易に、かつ安価に形成することができる。
【００５８】
電子部品１の下部ポスト電極２０，２０ｘ〜２０ｚは、ナノＣｕインクを用いて形成することにより微細加工可能であり、微細化が可能である。また、下部ポスト電極２０，２０ｘ〜２０ｚを配線導体１０ｐ〜１０ｒ，１２ｐ〜１２ｒ，１４ｐ〜１４ｒ，１６ｐ〜１６ｒに確実に接合できる。
【００５９】
＜実施例２＞ 実施例２の電子部品１ａについて、図３及び図４を参照しながら説明する。図３及び図４は、電子部品１ａの製造工程を示す断面図である。
【００６０】
実施例２の電子部品１ａは、実施例１の電子部品１と略同様の構成である。以下では、実施例１と同じ構成部分には同じ符号を用い、実施例１との相違点を中心に説明する。
【００６１】
図４（ｈ）に示すように、実施例２の電子部品１ａは、実施例１と同様に、複数の樹脂層３０ｋ，３０ｘ，３０ｙが積層され、樹脂層３０ｋ，３０ｘ，３０ｙの主面には配線導体１２ｐ〜１２ｒ，１４ｐ〜１４ｒ，１６ｐ〜１６ｒが形成されている。樹脂層３０ｋ，３０ｘ，３０ｙは、樹脂層３０ｋ，３０ｘ，３０ｙを貫通し、配線導体１２ｐ〜１２ｒ，１４ｐ〜１４ｒ，１６ｐ〜１６ｒに接続された層間接続導体１１ａ，１３ａ，１５ａが形成されている。各層間接続導体１１ａ，１３ａ，１５ａは、上部ポスト電極２６，２６ｐ，２６ｑと下部ポスト電極２４，２４ｐ，２４ｑとが互いに異なる材料で形成されている。上部ポスト電極２６，２６ｐ，２６ｑは、層間接続導体１１ａ，１３ａ，１５ａの両端のうち一方を含む第１の端部である。下部ポスト電極２４，２４ｐ，２４ｑは、層間接続導体１１ａ，１３ａ，１５ａの両端のうち他方を含む第２の端部である。
【００６２】
電子部品１ａの上面１ｓに形成された配線導体１６ｐ〜１６ｒは、半導体素子やチップ部品等の電子部品を実装するための実装電極、あるいは、電子部品１ａを他の回路基板等に接続するための接続電極である。
【００６３】
電子部品１ａは、実施例１とは異なり、樹脂層３０ｋ，３０ｘ，３０ｙとともに積層されたセラミック基板２と、セラミック基板２と樹脂層３０ｋの間に配置された電子部品８とをさらに含んでいる。樹脂層３０ｋが積層されるセラミック基板２の上面２ａには電極４，６が形成され、電極４に、樹脂層３０ｋを貫通する層間接続導体１１ａの下部電極ポスト２４が接続され、電極６に部品８が実装されている。
【００６４】
なお、図示していないが、電子部品１ａの下面、すなわちセラミック基板２の下面２ｂに、実装電極や接続電極を形成してもよい。
【００６５】
電子部品１ａは、以下の（１）〜（８）の工程により作製することができる。
【００６６】
（１） まず、図３（ａ）に示すように、上面２ａに電極４，６が形成されたセラミック基板２を準備する。電極４，６は、セラミック基板２の焼成時に酸化しにくいＡｇを主成分とする材料で形成されている。
【００６７】
（２） 次いで、図３（ｂ）に示すように、セラミック基板２の電極４の上に、層間接続導体１１ａの下部になる下部ポスト電極２４を形成する。
【００６８】
詳しくは、セラミック基板２の電極４に、形成すべき層間接続導体１１ａの約半分の高さまで、インクジェットにより、Ａｇのナノ粒子を含むナノＡｇインクを塗布した後、２３０℃で３０分間加熱する。加熱によりナノＡｇインクをある程度まで硬化させ、セラミック基板２の電極４に接合された下部ポスト電極２４を形成する。セラミック基板２の電極４と下部ポスト電極２４は、ともにＡｇを主成分とする材料で形成されているため、両者は強固に接合する。
【００６９】
本実施例においては、ナノＡｇインクを用いて下部ポスト電極２４を形成したが、ナノインクに限られるものではなく、通常の導電性ペーストで形成してもよい。また、本実施例においては、電極４，６はＡｇに限られるものではなく、Ｎｉ、アルミ、Ｚｎ等を主成分とする材料で形成してもよい。その場合は、その金属箔と主成分を同一にする導電性ペーストを用いるのが好ましい。
【００７０】
（３） 次いで、図３（ｃ）に示すように、下部ポスト電極２４の上面２４ａに、層間接続導体１１ａの上部になる上部ポスト電極２６を形成する。
【００７１】
詳しくは、形成すべき層間接続導体１１ａの高さになるように、インクジェットにより、Ｃｕのナノ粒子を含むナノＣｕインクを塗布した後、２３０℃で３０分間加熱する。加熱によりナノＣｕインクをある程まで度硬化させ、下部ポスト電極２４の上面２４ａに接合された上部ポスト電極２６を形成する。このとき、ある程度まで硬化していた下部ポスト電極２４は、さらに加熱されて完全に硬化する。
【００７２】
本実施例においては、ナノＣｕインクを用いて上部ポスト電極２６を形成したが、ナノインクに限られるものではなく、通常の導電性ペーストで形成してもよい。
【００７３】
ある程度まで硬化している下部ポスト電極２４の上面２４ａに、上部ポスト電極２６のナノＣｕインクを塗布するため、完全に硬化した下部ポスト電極２４の上面２４ａに上部ポスト電極２６のナノＣｕインクを塗布する場合よりも強固に、上部ポスト電極２６を下部ポスト電極２４に接合できる。
【００７４】
（４） 次いで、図３（ｄ）に示すように、セラミック基板２の他の電極６上に、半導体等の能動素子、コンデンサ、インダクタ、抵抗等の受導素子等の電子部品８を搭載する。
【００７５】
詳しくは、セラミック基板２の電極６上に、ディスペンサを用いてはんだを塗布し、その上に電子部品８を搭載する。
【００７６】
（５） 次いで、図３（ｅ）に示すように、セラミック基板２の上面２ａの上に、樹脂層３０ｋを形成する。樹脂層３０ｋの上面３０ｓから上部ポスト電極２６が露出するようにする。図３（ｅ）では上部ポスト電極２６が樹脂層３０ｋの上面３０ｓから突出しているが、その高さは樹脂層３０ｋの上面３０ｓと同じであってもよい。また、上部ポスト電極２６が埋まるように樹脂層３０ｋを形成した後に、樹脂層３０ｋを研削して上部ポスト電極２６を露出させてもよい。
【００７７】
詳しくは、無機フィラー入りのエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂からなる未硬化の樹脂シートをセラミック基板２の上面２ａに配置した後、真空下において１００℃以上かつ１５０℃以下の温度で１０分間、樹脂シートを熱圧着する。これにより、層間接続導体１１ａを樹脂シートに貫通させた後、樹脂シートを硬化させ、上面３０ｓに上部ポスト電極２６が露出した樹脂層３０ｋを形成する。
【００７８】
（６） 次いで、図３（ｆ）に示すように、樹脂層３０ｋの上面３０ｓに、Ｃｕ箔１２を接合する。
【００７９】
詳しくは、樹脂層３０ｋの上面３０ｓにＣｕ箔１２を圧着し、２３０℃で３０分間加熱して、上部ポスト電極２６とＣｕ箔１２とを接合する。樹脂層３０ｋの上面３０ｓに突出している上部ポスト電極２６は、加熱により硬化し、Ｃｕ箔１２に接合する。このとき、ある程度まで硬化した上部ポスト電極２６が、Ｃｕ箔１２に接した状態で加熱されるため、上部ポスト電極２６をＣｕ箔１２に接合できる。上部ポスト電極２６とＣｕ箔１２とは、ともにＣｕを主成分とする材料で形成されているため、両者は強固に接合する。
【００８０】
このとき同時に、セラミック基板２の電極６上のはんだが加熱され、硬化し、電子部品８が電極６に接合される。
【００８１】
（７） 次いで、図４（ｇ）に示すように、Ｃｕ箔１２を、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、電気回路を構成する所定形状にパターニングして、配線導体１２ｐ〜１２ｒを形成する。
【００８２】
すなわち、Ｃｕ箔１２の上面１２ａにフォトレジストを塗布、露光、現像してマスクパターンを形成し、マスクパターンを介してＣｕ箔１２をエッチングした後、剥離液を用いてマスクパターンを除去する。
【００８３】
（８） 以下、同様に、（２）〜（６）の工程を繰り返し、図４（ｈ）に示すように、樹脂層３０ｘ，３０ｙと、ポスト電極１３ａ，１５ａと、配線導体１４ｐ〜１４ｒ，１６ｐ〜１６ｒを形成する。
【００８４】
ただし、層間接続導体１３ａ，１５ａの下部ポスト電極２４ｐ，２４ｑは、ナノＣｕインクを用いて形成する。これにより、下部ポスト電極２４ｐ，２４ｑを、Ｃｕ箔で形成された配線導体１２ｐ〜１２ｒ，１４ｐ〜１４ｒに強固に接合できる。
【００８５】
以上の（１）〜（８）の工程により、内部に電子部品８を含む電気回路が構成された電子部品１ａが完成する。
【００８６】
電子部品１ａの配線導体１２ｐ〜１２ｒ，１４ｐ〜１４ｒ，１６ｐ〜１６ｒは、Ｃｕ箔を用いて容易に、かつ安価に形成することができる。
【００８７】
電子部品１ａの下部ポスト電極２４はナノＡｇインクを用いて形成し、下部ポスト電極２４ｐ，２４ｑと上部ポスト電極２６，２６ｐ，２６ｑはナノＣｕインクを用いて形成しているので、層間接続導体１１ａ，１３ａ，１５ａは微細加工可能であり、微細化が可能である。また、層間接続導体１１ａ，１３ａ，１５ａをＣｕ箔の配線導体１２ｐ〜１２ｒ，１４ｐ〜１４ｒ，１６ｐ〜１６ｒに確実に接合できる。
【００８８】
＜実施例２の変形例＞ 実施例２の変形例では、上部ポスト電極２６を、銅を主成分として含むＳｎ−Ａｇ−Ｃｕからなるはんだペーストを用いて形成する点が、実施例２とは異なる。その他の構成については実施例２と同じである。
【００８９】
例えば、銅を主成分として含むＳｎ−Ａｇ−Ｃｕからなるはんだペーストを、ディスペンスを用いて下部ポスト電極２４の上面２４ａに塗布した後、２２０℃以上かつ２４０℃以下の温度で１分間加熱し、はんだペーストを硬化させて、下部ポスト電極２４の上面２４ａに接合された上部ポスト電極２６を形成する。はんだペーストには、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕに限らず、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ等のはんだペーストを用いることができる。また、上部ポスト電極２６は低融点金属を含む導電ペーストであってもよい。低融点金属とは、後述の、上部ポスト電極２６とＣｕ箔１２とを接合する工程において溶融する金属であり、Ｓｎ、Ｓｎ-Ａｇ-Ｃｕ、Ｓｎ-Ｂｉ、Ｚｎ等を主成分とする導電ペーストである。
【００９０】
＜実施例３＞ 実施例３の電子部品１ｂについて、図５及び図６を参照しながら説明する。図５及び図６は、電子部品１ｂの製造工程を示す断面図である。
【００９１】
図６に示すように、実施例３の電子部品１ｂは、電子部品１ｂは、実施例２とは異なり、複数のセラミック層２ｐ，２ｑが積層されたセラミック多層基板２ｋの両側に、樹脂層３２，３２ｐ〜３２ｔが積層されている。
【００９２】
電子部品１ｂは、実施例１、２と同様に、（ａ）積層された複数の樹脂層３０ｋ，３０ｕ〜３０ｙと、（ｂ）樹脂層３０ｋ，３０ｕ〜３０ｙの主面に形成された配線導体１２ｐ〜１２ｕ，１４ｐ〜１４ｕ，１６ｐ〜１６ｕと、（ｃ）樹脂層３０ｋ，３０ｕ〜３０ｙを貫通し、配線導体１２ｐ〜１２ｕ，１４ｐ〜１４ｕ，１６ｐ〜１６ｕに接続された層間接続導体１１ａ，１１ｂ，１３ａ，１３ｂ，１５ａ，１５ｂとを備える。各層間接続導体１１ａ，１１ｂ，１３ａ，１３ｂ，１５ａ，１５ｂは、それぞれ、セラミック多層基板２ｋ側の一方の端部になる上部ポスト電極２６，２６ｐ〜２６ｔと、他方の端部になる下部ポスト電極２４，２４ｐ〜２４ｔとが互いに異なる材料で形成されている。上部ポスト電極２６，２６ｐ〜２６ｔは、層間接続導体１１ａ，１１ｂ，１３ａ，１３ｂ，１５ａ，１５ｂの両端のうち一方を含む第１の端部である。下部ポスト電極２４，２４ｐ〜２４ｔは、層間接続導体１１ａ，１１ｂ，１３ａ，１３ｂ，１５ａ，１５ｂの両端のうち他方を含む第２の端部である。
【００９３】
電子部品１ｂは、以下の（１）〜（７）のように、実施例２と略同様の工程で作製できる。
【００９４】
（１） まず、図５（ａ）に示すように、上面２ｓに電極４，６が形成されたセラミック多層基板２ｋを準備し、電極６に、半導体等の能動素子、コンデンサ、インダクタ、抵抗等の受導素子等の電子部品８を搭載する。
【００９５】
詳しくは、セラミック多層基板２ｋの電極６に、スクリーン印刷により、あるいはディスペンサを用いてはんだを塗布し、その上に電子部品８を搭載する。
【００９６】
（２） 次いで、図５（ｂ）に示すように、セラミック多層基板２ｋの電極４の上に、層間接続導体１１ａの下部になる下部ポスト電極２４を形成する。
【００９７】
詳しくは、セラミック多層基板２ｋの上面２ｓに、形成すべき層間接続導体１１ａの約半分の高さまで、インクジェットによりＡｇのナノ粒子を含むナノＡｇインクを塗布した後、２３０℃で３０分間加熱する。加熱によりナノＡｇインクをある程度まで硬化させ、セラミック多層基板２ｋの電極４に良好に接続された下部ポスト電極２４を形成する。
【００９８】
このとき同時に、セラミック多層基板２ｋの電極６上のはんだが加熱され、硬化し、電子部品８が電極６に接合される。
【００９９】
（３） 次いで、図５（ｃ）に示すように、下部ポスト電極２４の上面２４ａに、層間接続導体１１ａの上部になる上部ポスト電極２６を形成する。
【０１００】
詳しくは、形成すべき層間接続導体１１ａの高さになるように、インクジェットによりＣｕのナノ粒子を含むナノＣｕインクを塗布した後、２３０℃で３０分間加熱する。加熱によりナノＣｕインクをある程度まで硬化させ、下部ポスト電極２４の上面２４ａに接合された上部ポスト電極２６を形成する。このときの加熱により、下部ポスト電極２４は完全に硬化する。
【０１０１】
ある程度まで硬化している下部ポスト電極２４の上面２４ａに上部ポスト電極２６のナノＣｕインクを塗布するため、完全に硬化した下部ポスト電極２４の上面２４ａに上部ポスト電極２６のナノＣｕインクを塗布する場合よりも強固に、上部ポスト電極２６を下部ポスト電極２４に接合できる。
【０１０２】
（４） 次いで、図５（ｄ）に示すように、セラミック多層基板２ｋの上面２ｓの上に、樹脂層３０ｋを形成する。樹脂層３０ｋの上面３０ｓには、上部ポスト電極２６が露出するようにする。
【０１０３】
詳しくは、無機フィラー入りのエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂からなる未硬化の樹脂シートをセラミック多層基板２ｋの上面２ｓに配置した後、真空下において１００℃以上かつ１５０℃以下の温度で１０分間、樹脂シートを熱圧着する。これにより、層間接続導体１１ａを樹脂シートに貫通させた後、樹脂シートを硬化させることにより、上面３０ｓに上部ポスト電極２６が露出した樹脂層３０ｋを形成する。
【０１０４】
（５） 次いで、図５（ｅ）に示すように、樹脂層３０ｋの上面３０ｓに、Ｃｕ箔１２を接合する。
【０１０５】
詳しくは、樹脂層３０ｋの上面３０ｓにＣｕ箔１２を圧着し、２３０℃で３０分間加熱して、上部ポスト電極２６とＣｕ箔１２とを接合する。このとき、ある程度まで硬化した上部ポスト電極２６が、Ｃｕ箔１２に接した状態で加熱されるため、上部ポスト電極２６をＣｕ箔１２に接合できる。上部ポスト電極２６とＣｕ箔１２とは、ともにＣｕを主成分とする材料で形成されているため、両者は強固に接合する。
【０１０６】
（６） 次いで、図６（ｆ）に示すように、Ｃｕ箔１２を、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、電気回路を構成する所定形状にパターニングして、配線導体１２ｐ〜１２ｒを形成する。
【０１０７】
すなわち、Ｃｕ箔１２の上面１２ａにフォトレジストを塗布、露光、現像してマスクパターンを形成し、マスクパターンを介してＣｕ箔１２をエッチングした後、剥離液を用いてマスクパターンを除去する。
【０１０８】
（７） 以下、同様に、（２）〜（６）の工程を繰り返し、図６（ｇ）に示すように、セラミック多層基板２ｋの上面２ｓ側に、樹脂層３０ｘ，３０ｙと、層間接続導体１３ａ，１５ａと、配線導体１４ｐ〜１４ｒ，１６ｐ〜１６ｒを形成する。また、（１）〜（６）の工程を同様に繰り返し、セラミック多層基板２ｋの下面２ｔ側に、樹脂層３０ｕ〜３０ｗと、層間接続導体１１ｂ，１３ｂ，１５ｂと、配線導体１２ｓ〜１２ｕ、１４ｓ〜１４ｕ，１６ｓ〜１６ｕを形成する。
【０１０９】
以上の（１）〜（７）の工程により、内部に電子部品８を含む電気回路が構成された電子部品１ｂが完成する。
【０１１０】
電子部品１ｂの層間接続導体１１ａ，１１ｂ，１３ａ，１３ｂ，１５ａ，１５ｂは、ナノＡｇインク又はナノＣｕインクを用いて微細加工可能であり、微細化が可能である。また、層間接続導体１１ａ，１１ｂ，１３ａ，１３ｂ，１５ａ，１５ｂと配線導体１０ｐ〜１０ｒ，１２ｐ〜１２ｒ，１４ｐ〜１４ｒ，１６ｐ〜１６ｒとを確実に接合できる。
【０１１１】
なお、電子部品１ｂは、実施例１と同様に作製することも可能である。この場合には、例えば上部ポスト電極２６，２６ｐ〜２６ｔを、はんだペーストを用いて形成する。
【０１１２】
＜まとめ＞ 以上に説明したように、層間接続導体の端部の一方と他方を互いに異なる材料で形成することにより、層間接続導体の端部を、金属箔で形成した配線導体に接合することができる。
【０１１３】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変更を加えて実施することが可能である。
【０１１４】
例えば、層間接続導体は、第１の端部と第２の端部との間に、第１の端部とも第２の端部とも異なる材料からなる部分を含んでもよい。
【符号の説明】
【０１１５】
１，１ａ，１ｂ 電子部品
２ セラミック基板
２ｋ セラミック多層基板
４ 電極
１０ Ｃｕ箔
１０ｐ〜１０ｒ 配線導体
１１，１１ａ，１１ｂ 層間接続導体
１２ Ｃｕ箔
１２ｐ〜１２ｕ 配線導体
１３，１３ａ，１３ｂ 層間接続導体
１４ｐ〜１４ｕ 配線導体
１５，１５ａ，１５ｂ 層間接続導体
１６ｐ〜１６ｕ 配線導体
１７ 層間接続導体
１８ Ｃｕ箔
１８ｐ〜１８ｒ 配線導体
２０，２０ｘ〜２０ｚ 下部ポスト電極（第２の端部）
２２，２２ｘ〜２２ｚ 上部ポスト電極（第１の端部）
２４，２４ｐ〜２４ｔ 下部ポスト電極（第２の端部）
２６，２６ｐ〜２６ｔ 上部ポスト電極（第１の端部）
３０，３０ｋ，３０ｕ〜３０ｚ 樹脂層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する一対の主面を有する樹脂層と、
前記樹脂層の前記主面にそれぞれ配置された配線導体と、
前記樹脂層を前記樹脂層の厚み方向に貫通し、両端が前記配線導体にそれぞれ接続された層間接続導体と、
を含み、
前記層間接続導体は、前記樹脂層の内部において前記両端をそれぞれ含む第１及び第２の端部が互いに異なる材料を用いて形成され、少なくとも前記第１の端部が、金属箔を用いて形成された前記配線導体に接続されていることを特徴とする、電子部品。
【請求項２】
主面に電極が形成されたセラミック層と、
一方主面に配線導体が配置され、前記セラミック層の前記主面に他方主面が接するように積層された樹脂層と、
前記樹脂層を前記樹脂層の厚み方向に貫通し、第１の端部が前記配線導体に接続され、第２の端部が前記電極に接続された層間接続導体と、
を含み、
前記層間接続導体は、前記第１及び第２の端部が互いに異なる材料を用いて形成され、
前記層間接続導体の前記第１の端部が接続される前記配線導体は、金属箔を用いて形成されていることを特徴とする、電子部品。
【請求項３】
前記層間接続導体の前記第１の端部が、はんだペースト又は低融点金属を含む導電ペーストを用いて形成されたことを特徴とする、請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項４】
少なくも前記第１の端部に接続される前記配線導体が銅箔を用いて形成され、
前記第１の端部が銅を主成分とする材料からなることを特徴とする、請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項５】
前記層間接続導体が金属のナノ粒子を用いて形成されたことを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一つに記載の電子部品。
【請求項６】
前記セラミック層の前記主面に形成された前記電極と、前記層間接続導体の前記第２の端部とが、銀を主成分とする材料からなることを特徴とする、請求項２に記載の電子部品。
【請求項７】
第１の配線導体上に、下部ポスト電極を形成する第１の工程と、
前記下部ポスト電極上に上部ポスト電極を形成する第２の工程と、
前記下部ポスト電極と前記上部ポスト電極とを被覆するように樹脂層を形成する第３の工程と、
前記樹脂層上に前記上部ポスト電極に接するように、金属箔を用いて第２の配線導体を形成する第４の工程と、
を備える電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記第１の配線導体がセラミック基板上に形成されていることを特徴とする、請求項７に記載の電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記第２の工程において、前記上部ポスト電極は、はんだペースト又は低融点金属を含む導電ペーストを用いて形成することを特徴とする、請求項７又は８に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１０】
前記第２の配線導体が銅箔を用いて形成され、前記上部ポスト電極が銅を主成分とする材料からなることを特徴とする、請求項７又は８に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１１】
前記下部ポスト電極及び前記上部ポスト電極は、金属のナノ粒子を用いて形成することを特徴とする、請求項７乃至１０のいずれか一つに記載の電子部品の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の配線導体と前記下部ポスト電極とが、銀を主成分とする材料からなることを特徴とする、請求項８に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１】
互いに対向する一対の主面を有する樹脂層と、
前記樹脂層の前記主面にそれぞれ配置された配線導体と、
前記樹脂層を前記樹脂層の厚み方向に貫通し、両端が前記配線導体にそれぞれ接続された層間接続導体と、
を含み、
前記層間接続導体は、前記樹脂層の内部において前記両端をそれぞれ含む第１及び第２の端部が互いに異なる材料を用いて形成され、少なくとも前記第１の端部が、金属箔を用いて形成された前記配線導体に接続されていることを特徴とする、電子部品。
【請求項２】
主面に電極が形成されたセラミック層と、
一方主面に配線導体が配置され、前記セラミック層の前記主面に他方主面が接するように積層された樹脂層と、
前記樹脂層を前記樹脂層の厚み方向に貫通し、第１の端部が前記配線導体に接続され、第２の端部が前記電極に接続された層間接続導体と、
を含み、
前記層間接続導体は、前記第１及び第２の端部が互いに異なる材料を用いて形成され、
前記層間接続導体の前記第１の端部が接続される前記配線導体は、金属箔を用いて形成されていることを特徴とする、電子部品。
【請求項３】
前記層間接続導体の前記第１の端部が、はんだペースト又は低融点金属を含む導電ペーストを用いて形成されたことを特徴とする、請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項４】
少なくも前記第１の端部に接続される前記配線導体が銅箔を用いて形成され、
前記第１の端部が銅を主成分とする材料からなることを特徴とする、請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項５】
前記層間接続導体が金属のナノ粒子を用いて形成されたことを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一つに記載の電子部品。
【請求項６】
前記セラミック層の前記主面に形成された前記電極と、前記層間接続導体の前記第２の端部とが、銀を主成分とする材料からなることを特徴とする、請求項２に記載の電子部品。
【請求項７】
第１の配線導体上に、下部ポスト電極を形成する第１の工程と、
前記下部ポスト電極上に上部ポスト電極を形成する第２の工程と、
前記下部ポスト電極と前記上部ポスト電極とを被覆するように樹脂層を形成する第３の工程と、
前記樹脂層上に前記上部ポスト電極に接するように、金属箔を用いて第２の配線導体を形成する第４の工程と、
を備える電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記第１の配線導体がセラミック基板上に形成されていることを特徴とする、請求項７に記載の電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記第２の工程において、前記上部ポスト電極は、はんだペースト又は低融点金属を含む導電ペーストを用いて形成することを特徴とする、請求項７又は８に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１０】
前記第２の配線導体が銅箔を用いて形成され、前記上部ポスト電極が銅を主成分とする材料からなることを特徴とする、請求項７又は８に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１１】
前記下部ポスト電極及び前記上部ポスト電極は、金属のナノ粒子を用いて形成することを特徴とする、請求項７乃至１０のいずれか一つに記載の電子部品の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の配線導体と前記下部ポスト電極とが、銀を主成分とする材料からなることを特徴とする、請求項８に記載の電子部品の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１２−１９０８８７（Ｐ２０１２−１９０８８７Ａ）
【公開日】平成２４年１０月４日（２０１２．１０．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−５１２９４（Ｐ２０１１−５１２９４）
【出願日】平成２３年３月９日（２０１１．３．９）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月４日（２０１２．１０．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月９日（２０１１．３．９）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]