【課題】ＳＨＦ帯の電波のセンシングを高感度に行うことができる電波受信・光伝送システムを提供する。
【解決手段】電波受信・光伝送システムは、ＳＨＦ帯の電波を受信するアンテナ１１と、アンテナ１１から出力された電気信号の電界強度を増幅するデプレッション型トランジスタ２３から形成された増幅器１３と、トランジスタに一定のバイアス電圧を印可するバイアス回路１４と、トランジスタ２３に駆動用電源を供給する光電変換素子１５と、光電変換素子１５に光電変換用の光を出射する光源１５と、バイアス回路１４にバイアス電源を供給する光電変換素子１７と、光電変換素子１７に光電変換用の光を出射する光源１８とから形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光バースト信号のＧＴを狭くしても光強度を制御可能である光強度制御装置を提供することを目的とする。
【解決手段】光強度制御装置３０１は、入力される複数のフレームからなる入力バースト信号の光強度を電気信号として検出する検出部１０と、前記入力バースト信号の光強度をフレーム毎に調整して出力バースト信号として出力する光出力部２０と、検出部１０で検出した前記入力バースト信号の光強度の電気信号から前記入力バースト信号のフレーム毎の光強度を取得し、前記出力バースト信号のフレーム毎の光強度が所定の値となるようにフレーム毎に調整量を算出して光出力部２０へ調整信号として送信する制御部３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】温度ドリフトが小さく、かつ、電界の印加効率が良い光変調器を提供する。
【解決手段】光変調器は、電気光学効果を有する基板と、前記基板内に形成された光導波路と、前記光導波路の上方に設けられたバッファ層と、前記バッファ層の上方に設けられ、前記光導波路の上部に開口を有する半導電性膜と、前記バッファ層の上方に設けられ、前記半導電性膜と電気的に接触する電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光を変調し得る波長帯域が狭いリング共振器の共振波長を入力光の波長に容易に一致させ、高効率で入力光を変調し得る光半導体素子を提供する。
【解決手段】入力光が入力される第１の導波路と、第１の導波路と光学的に結合するように配されたリング変調器と、第１の導波路と光学的に結合するように配され、リング変調器の周回光路長より小さな周回光路長を有する第１のリング共振器と、第１の導波路と光学的に結合するように配され、リング変調器の周回光路長より大きな周回光路長を有する第２のリング共振器と、リング変調器と第１のリング共振器と第２のリング共振器とに近接して配されたヒータと、第１のリング共振器中の光パワーをモニタする第１の光検出器と、第２のリング共振器中の光パワーをモニタする第２の光検出器と、第１の光検出器及び第２の光検出器により検出された信号に基づいて、リング変調器の共振波長が入力光の波長と一致するようにヒータを制御する制御部とを有する。 （もっと読む）

【課題】接続部の面積のばらつきを抑制することである。
【解決手段】プリント基板１０は、接続用グランドパターン２１と配線用グランドパターン３１とを有する。接続用グランドパターン２１は、第１の配線層に設けられた、半田接続用のパターンである。配線用グランドパターン３１は、第１の配線層において、接続用グランドパターン２１と離間するように設けられている。接続用グランドパターン２１と配線用グランドパターン３１とは、第２の配線層を介して電気的に接続されている。配線用グランドパターン３１をソルダーレジスト等の絶縁層で被覆する際、絶縁層の端部の位置が、配線用グランドパターン３１毎に異なっても、接続用グランドパターン２１の露出面積に対する影響は排除される。 （もっと読む）

【課題】光変調器に入力される信号のバイアス電圧を高速かつ効率的に制御すること。
【解決手段】光変調装置は、生成回路と、重畳器と、光変調器と、算出回路と、制御器とを備える。生成回路は、所定の周波数を有する電気信号よりも周波数が低く、かつ、振幅の平均値が振幅の中心値と一致しない低周波信号を生成する。重畳器は、生成回路によって生成された低周波信号を電気信号に重畳する。光変調器は、重畳器によって低周波信号が重畳されて得られた電気信号である入力信号を用いて、光源からの光を変調し信号光を出力する。算出回路は、光変調器によって出力される信号光の周波数成分のうち低周波信号と同一の周波数を有する低周波成分の振幅の平均値と、振幅の中心値とを算出する。制御器は、算出回路により算出された低周波成分の振幅の平均値が振幅の中心値に近づくように、光変調器へ入力される入力信号のバイアス電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】制御装置などを必要とせずに、素子自体が動作点シフト抑制機能を有するネスト型光導波路構造の光導波路素子を提供する。
【解決方法】電気光学効果を有する基板上に形成された光導波路は、光波の進行方向において分岐して少なくとも２本のメイン光導波路を構成し、各メイン光導波路は光波の進行方向においてさらに分岐して少なくとも２本のサブ光導波路を構成し、 少なくとも２本のメイン光導波路は、メインマッハツェンダー型光導波路を構成するとともに、少なくとも２本のサブ光導波路は、メインマッハツェンダー型光導波路内に組み込まれるようにしてそれぞれが近接してサブマッハツェンダー型光導波路を構成し、サブ光導波路から構成される少なくとも２つのサブマッハツェンダー型光導波路は、光波の前記進行方向を基準とした場合において、光のクロストークを抑止するように相異なる位置に形成されているようにして光導波路素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】レンズの焦点を任意の位置に調整可能な光学装置を提供する。
【解決手段】光学素子１０と、光学素子１０に接する第１面Ｎ１および第１面Ｎ１に対し傾斜した第２面Ｎ２を有する透光性の第１傾斜部材２１と、第１傾斜部材２１の第２面Ｎ２に接する第３面Ｎ３および第１傾斜部材２１の第１面Ｎ１に略平行な第４面Ｎ４を有する透光性の第２傾斜部材２２と、第２傾斜部材２２の第４面Ｎ４に接し、第１傾斜部材２１の第１および第２面Ｎ１，Ｎ２ならびに第２傾斜部材２２の第３および第４面Ｎ３，Ｎ４を介して光学素子１０に光学的に結合されるレンズ３０と、を備え、第１傾斜部材２１の第２面Ｎ２と第２傾斜部材２２の第３面Ｎ３を接触させた状態で第１傾斜部材２１と第２傾斜部材２２とをスライド移動させることによりレンズ３０と光学素子１０との距離が調整可能である。 （もっと読む）

【課題】ＤＣドリフトが抑制された光導波路素子の製造方法を提供する。さらには、製造プロセスの途中で、ＤＣドリフトを調整することを可能とし、製造の歩留まりを改善する、光導波路素子の製造方法を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板に、光導波路を形成する工程と、バッファ層を形成する工程と、電極を形成する工程とを有する、光導波路素子の製造方法において、該バッファ層を形成した後に、該バッファ層内の特定物質の濃度分布を加熱によって調整するための１段階又は複数段階の界面拡散層熱調整工程（Ｓ１，Ｓ２）を組み込む。 （もっと読む）

【課題】パルス幅が２００フェムト秒以下で、パルス繰り返し周波数が高い短パルス光の発生を可能とする。
【解決手段】短パルス光発生装置は、任意の中心光周波数をもつＣＷ光源１と、ＣＷ光源１からの連続レーザー光を位相変調する位相変調手段２と、位相変調手段２からの光パルスを間引いてピークパワーを高める光ゲート５と、光ゲート５を通過した光パルスを増幅し、光増幅器６内での非線形効果によって光スペクトル帯域を拡大した広帯域光を発生させる光増幅器６と、光増幅器６によって増幅された光パルスを圧縮する分散付与手段７とを備える。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスでゾルゲルガラスからなるクラッド・コア材の作製、屈折率の任意制御、光損失の極小制御が可能なポリマー光変調器の製造方法の提供。
【解決手段】下記式（１）
Ｒ^１_ｎＳｉ（ＯＲ^２）_４−ｎ （１）
で表されるシリコンアルコキシド、その加水分解・縮合物、またはこれらの混合物と、光酸発生剤とを含む硬化性組成物を調製する工程と、
該硬化性組成物を基板上に塗布・硬化し、更にパターン形成を行い、ゾルゲルガラスから形成される下部クラッド層、コア層、側部クラッド層及び上部クラッド層を形成する工程と、
上部クラッド層中に、電気光学ポリマーから形成されるコア層を、該ゾルゲルガラスから形成されるコア層の上部に接触して埋設する工程とを含み、且つ、上部クラッド層と電気光学ポリマーから形成されるコア層との接続部の一部が、導波光の進行方向に対しテーパー構造を有する、ポリマー光変調器の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 光半導体素子及びその製造方法に関し、イオン注入工程を削減して、簡易な製造工程で光半導体素子を製造する。
【解決手段】 各スラブ導波路部とそれに接する隆起領域とに注入イオン分布のピークが、前記スラブ導波路部の厚さよりも深い位置となり且つ前記隆起領域の厚さよりも浅い位置になる条件で各導電型の不純物をイオン注入する。 （もっと読む）

【課題】従来の光送信装置で問題となっていた位相変調光の平均値変動による直交制御最適点の誤検出を防ぐことにより、安定した位相シフト量（動作点）の調整を行うことができる光送信装置を提供する。
【解決手段】分岐部３９とＬＰＦ３２と加算器（減算器）３３とを有する構成の信号補正手段４０を、光送信装置の制御ループ２２に設ける。分岐部３９ではモニタＰＤ３１で得られた電気信号ｂ３を、第１の分岐信号ｂ３−１と、第２の分岐信号ｂ３−２とに分岐する。ＬＰＦ３２では第２の分岐信号ｂ３−２の低周波成分を通過させて、第２の分岐信号ｂ３−２から高周波成分を除去することにより、第２の分岐信号ｂ３−２の平均値ｂ４を得る。加算器３３では、第１の分岐信号ｂ３−１から、ＬＰＦ３２で得られた第２の分岐信号ｂ３−２の平均値ｂ４を差し引くことにより、補正モニタ信号ｂ５を得る。 （もっと読む）

【課題】バッファ層中へのＬｉイオン等のキャリアの拡散を抑制し、長期間に渡り駆動電圧が安定した光導波路素子を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１と、基板１に形成された光導波路２と、基板１の上に形成されたバッファ層５と、バッファ層５上に形成され、光導波路２を伝搬する光波を変調する変調電極３，４とを有する光導波路素子において、光導波路２とバッファ層５との間に、基板１に含まれる金属イオンがバッファ層５内に拡散し偏在することを抑制するための偏在抑制層６を設ける。 （もっと読む）

【課題】リッジ導波路のメサ幅を高精度に制御する。
【解決手段】半導体基板上に設けられたコア層と、コア層の上方に突出するリッジ型の導波路を備え、導波路は、コア層の上方に設けられたメサ状の第１クラッド層と、第１クラッド層上に設けられた第１エッチングストップ層と、第１エッチングストップ層上に設けられ、第１クラッド層と同一の組成を有する第２クラッド層とを有し、第１エッチングストップ層は、第１クラッド層及び第２クラッド層を化学エッチングするエッチャントでエッチングされない半導体光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】低消費電力を実現する外部変調型レーザ素子の駆動回路を提供すること。
【解決手段】この駆動回路１は、バイアス電流Ｉ_ｂｉａｓが供給されて直流光を出射するＤＦＢレーザ素子３と、直流光を変調する光吸収型のＥＡ部５とを駆動する回路であって、バイアス電圧印加用の２つの電源端子ＶＣＣ，ＶＳＳ間においてＤＦＢレーザ素子３を挟んで直列に接続されたバイアス電流源１１及びスイッチング素子１３を備えており、スイッチング素子１３は、ＥＡ部５に並列に接続された抵抗素子１９及びＭＯＳＦＥＴ２１が直列に接続された回路部と、ＭＯＳＦＥＴ２５を含む回路部とが並列に接続されて構成されており、ＭＯＳＦＥＴ２１，２５は、相補的な差動信号によって駆動される。 （もっと読む）

【課題】
進行波型光変調器の製造工程において、電極の屈折率を簡便且つ正確に測定することが可能であり、検査に必要な検査用電極もより小さな電極パターンとすることが可能な検査用電極付きウエハ及びその電極の屈折率測定方法を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有するウエハ１に、複数の光導波路２と、該光導波路に沿って信号電極及び接地電極が配置されてなる、該電極間に電気信号を進行させて該光導波路を伝搬する光を制御するための複数の進行波型制御電極と、該ウエハの一部に形成された検査用電極（３，３１）とを有する検査用電極付きウエハにおいて、該検査用電極は、該信号電極と同一延伸方向に延びる共振型電極（３，３１）を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】周波数特性の劣化を防ぐことができる光デバイスを得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１上に、光分波器２、マッハツェンダ光変調器３，４、及び光合波器５が設けられている。光分波器２は入力光を第１及び第２の入力光に分波する。マッハツェンダ光変調器３，４は、第１及び第２の入力光をそれぞれ変調する。光合波器５は、マッハツェンダ光変調器３，４により変調された光を合波する。マッハツェンダ光変調器３の位相変調電極８ａ，８ｂとマッハツェンダ光変調器４の位相変調電極１４ａ，１４ｂは、マッハツェンダ光変調器３，４の光導波路６ａ，６ｂ，１２ａ，１２ｂの延在方向に対して垂直な方向から見て互いに重ならない。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光通信システム用の放射電力等化器に関する。
【解決手段】本発明は、光通信システム用の放射電力等化器を提供し、該等化器は、（ａ）１つ又はそれ以上の放射成分に分割する光デマルチプレクサ（３００）、（ｂ）前記１つ又はそれ以上の放射成分を選択的に伝送又は減衰する液晶セル・アレー（３１０）、（ｃ）光マルチプレクサ（３３０）、（ｄ）１つ又はそれ以上の対応する成分放射電力を示す信号を生成するＰＩＮダイオード検出器アレー（１２０）と結合した発信器エルビウムドープ・ファイバ増幅器（７０）、及び、（ｅ）制御モジュール（１３０）を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光変調装置の安定な特性を得ること。
【解決手段】光変調器１０と、一端が前記光変調器に電気的に接続されたボンディングワイヤ３０と、前記ボンディングワイヤの他端と電気的に接続され、絶縁層上に設けられてなるインダクタ成分を有する第１金属層５６と、前記第１金属層と電気的に直列に接続された接地パターンを備えた第２金属層５２と、を具備する光変調装置。 （もっと読む）