【課題】
光変調器の出力光とモニタ光との位相差が補償可能であり、かつ簡単な構成で小型化可能な構成を有する光変調器を提供すること。
【解決手段】
基板１と、該基板１に形成されたマッハツェンダー型光導波路を含む光導波路２と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極とを有する光変調器において、該マッハツェンダー型光導波路を構成する出力導波路２０を跨ぐように受光素子３を配置し、該受光素子は、該マッハツェンダー型光導波路の合波部から放出される２つの放射光（放射光用導波路２１，２２を伝搬する放射光）を共に受光するよう構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＤＣドリフトを安定化し、製造工程も複雑化せず、製品の特性も精度良くコントロール可能な光導波路素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成された光導波路２と、該光導波路の上に形成されたＳｉＯ_２を主原料とするバッファ層５と、該バッファ層上に形成され、該光導波路を伝搬する光波を変調する変調電極３，４とを有する光導波路素子において、該バッファ層の該基板側には、Ｌｉの含有量が１×１０^２１（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）以上となる領域６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】スタブ等のインピーダンス整合回路を使用することなく、小型化が可能で、大きな変調度を得ることができる光周波数コム信号発生器を提供する。
【解決手段】強誘電体基板１上にマッハツェンダー型光導波路２が形成され、分岐導波路を伝搬する光波を変調する変調電極３１，３２を各分岐導波路に対応して設け、マッハツェンダー型光導波路から出力される光波が、所定の周波数差を有する複数の光周波数成分を同時に生成している光波となる光周波数コム信号発生器において、各変調電極は、電極長の異なる共振電極３１，３２を備え、１種類の変調信号を各変調電極に印加する給電線路は、１つの給電線路４０を２つに分岐し、分岐点４１から各共振電極への接続点４４，４５までの距離が等しく、さらに、接続点は、各共振電極に形成される定在波Ｗ１，Ｗ２の位相が同相であり、かつ給電線路と共振電極とは接続点４４，４５においてインピーダンス整合している。 （もっと読む）

【課題】
電気光学効果を有し、厚みが１０μｍ以下の薄板を用いる光導波路素子に対し、当該素子の端面で反射するスラブ伝搬光を除去し、動作特性の劣化を抑制した光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有し、厚みが１０μｍ以下の薄板と、該薄板には光導波路が形成されており、該薄板に接着層を介して接着された補強基板とを有する光導波路素子において、該光導波路素子の側面の一部に、反射防止膜が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信号電極を含む変調電極の回路配置を簡素化すると共に、駆動電圧の低減化を実現可能なネスト型変調器を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する材料からなる基板２０と、基板上に形成された光導波路と、光導波路を導波する光波を変調する変調電極とを含み、光導波路が主マッハツェンダ型導波路１と２つの分岐導波路に設けられた副マッハツェンダ型導波路２，３を有し、変調電極は副マッハツェンダ型導波路の副分岐導波路に対し設けられているネスト型変調器において、各副マッハツェンダ型導波路の同じ側の副分岐導波路の一部に分極反転領域４６，４７を形成し、変調電極が、信号電極と接地電極とから形成され、各副マッハツェンダ型導波路に対し、単一の導入信号電極４０，４３から分岐する信号電極４１，４４を２つの副分岐導波路に作用するよう配置すると共に、分岐した信号電極を合流して導出する。 （もっと読む）

【課題】外部要因の変動によらず、光出力波形を維持することである。
【解決手段】光送信機は、ＥＡ変調器と、フォトカレント検出回路と、変調器駆動回路と、ＣＰＵとを有する。ＥＡ変調器は、入力された信号を光信号に変換して出力する。フォトカレント検出回路は、ＥＡ変調器における光吸収電流（フォトカレント）を検出する。変調器駆動回路は、ＥＡ変調器を制御する。ＣＰＵは、フォトカレント検出回路により検出された上記光吸収電流に基づき、変調器駆動回路に印加する電圧を算出する。 （もっと読む）

【課題】
電気光学効果を有し、厚みが１０μｍ以下の薄板を利用し、補強基板に接着した場合でも、薄板や補強版の破損を抑制し、さらには微小なクラックによる光損失などの性能劣化も抑制した、光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有し、厚みが１０μｍ以下の薄板１と、該薄板には光導波路２が形成されており、該薄板に接着層５を介して接着された補強基板６とを有する光導波路素子において、該補強基板６の該薄板側の表面には、凹凸構造が形成され、該補強基板は、該凹凸構造が形成された後であり、かつ該薄板に接着する前に、キュリー温度以下の高温で熱処理されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チャネル識別のための送信側での変調や合成のための構成や受信側での復調や分離のための構成を無くして、より確実なチャネル多重通信を行なうこと。
【解決手段】光送信器が、波長を変更可能な連続光を発光する第１光源と、割り当てられた送信チャネルに特有の第１変更周波数で、第１光源が発光する光の波長を変更する第１波長変更部と、を備え、光送信器からの光信号を受信する光受信器が、受信した光信号に基づいて、第１光源が発光した光の波長を基準とした波長の変更から第２変更周波数を検出する周波数検出部と、検出した第２変更周波数が、割り当てられた送信チャネルに特有の前記第１変更周波数に合致する場合、所望の受信チャネルから光信号を受信したと確認するチャネル識別部と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大きな高周波電気信号が入力されても熱破壊されることのない高い信頼性を有する光変調器モジュールを提供する。
【解決手段】基板と、光を導波するための光導波路と、基板の一方の面側に形成され、光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための中心導体及び接地導体からなる電極とからなる光変調器と、光変調器の電極に接続され、当該電極を通過した高周波電気信号を終端する電気的終端と、光変調器と電気的終端とを内部に配置する筐体と、を有する光変調器モジュールにおいて、電気的終端は、高周波電気信号が入力される電気的終端用中心導体と、電気的終端用中心導体と並んで形成された電気的終端用接地導体と、電気的終端用中心導体と電気的終端用接地導体とを接続し、入力される高周波電気信号を吸収してジュール熱に変換する抵抗膜とを備え、抵抗膜の幅は電気的終端用接地導体に向かって少なくとも一部が徐々に狭まって形成されている。 （もっと読む）

【課題】光信号の歪の発生を低減しつつ、機器の小型化及び低コスト化を実現すること。
【解決手段】この光送信器１は、発光素子３からの出力光を、データ変調信号を基にＢＰＳＫ変調させるＭＺ型光変調器５と、ＭＺ型光変調器５に対してデータ変調信号を印加する増幅器７と、ＭＺ型光変調器５に印加されるデータ変調信号に直流バイアス電圧を重畳するオートバイアスコントロール回路１１と、増幅器７によって印加される変調信号のクロスポイント変動を検出し、クロスポイント変動を基に直流バイアス電圧を制御するクロスポイント変動検出回路１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】回路構成の簡素化およびサイズ削減を実現する。
【解決手段】基板上に形成されて、入力光信号をＮ個（Ｎは２以上の整数）の光信号に分岐して出力する光スプリッタと、光スプリッタから出力された光信号ごとに基板上に形成されて、光の波長により位相変化量が異なる位相変調特性に基づいて、当該光信号の位相を調整して出力するＮ個の光位相変調器とを備える。 （もっと読む）

【課題】
データ伝送における伝送帯域を拡大するという課題を解決するための技術を提供する。
【解決手段】
本発明の光回路は、光信号を分岐する光分岐部と、光分岐部で分岐された光信号の少なくとも１つに第１の遅延及び位相変化を与える第１の光遅延部と、光分岐部で分岐された光信号と第１の光遅延部を通過した光信号とを結合させる第１の光結合部と、を備え、位相変化は、第１の光結合部において結合される少なくとも２つの分岐された光信号の間にφ＋２ｎπ（π／２＜φ＜３π／２、ｎは０以上の整数）の位相差を与える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、任意の波長プロファイルを有する偏波モード分散を発生させる。
【解決手段】本発明は、入力光信号の有する直交偏波の相互間の遅延差を、入力光信号の有する波長に依存するように、入力光信号に付与する（遅延差Ｔ_１（λ））第１遅延差付与装置１Ａと、第１遅延差付与装置１Ａからの出力光信号の有する偏波面を回転させる（回転角Ψ）偏波面回転装置２と、偏波面回転装置２からの出力光信号の有する直交偏波の相互間の遅延差を、偏波面回転装置２からの出力光信号の有する波長に依存するように、偏波面回転装置２からの出力光信号に付与する（遅延差Ｔ_２（λ））第２遅延差付与装置１Ｂと、を備えることを特徴とする偏波モード分散発生装置である。 （もっと読む）

【課題】入力された光信号の光入力パワーを効率よく利用して、ミリ波・テラヘルツ波の電磁波を発生させることを可能とする。
【解決手段】１つの基板上に、３ｄＢカプラ１３、位相シフタ１６、フォトダイオード１７，１８、および高周波線路１９を形成し、３ｄＢカプラ１３により、周波数の異なる２つの入力光信号Ｓ１１，Ｓ１２を合波して得られた光ビート信号Ｓ１４，Ｓ１５の位相が同相となるよう、光ビート信号Ｓ１４，Ｓ１５のうちの一方、例えば光ビート信号Ｓ１４の位相を位相シフタ１６により調整し、得られた光ビート信号Ｓ１６と光ビート信号Ｓ１４とをそれぞれ、フォトダイオード１７，１８でＯＥ変換し、得られた電気信号Ｓ１７，Ｓ１８を高周波線路１９で電力合成して出力する。 （もっと読む）

【課題】光システム内で分散補償を実現する方法およびシステムを提供する。
【解決手段】調整可能チャープ・ファイバ・ブラッグ格子が接続された少なくとも１つの経路が光システム内に結合され、そのような各格子がそれぞれの調整可能な量の分散を与える。そのような各格子に対するそれぞれの経路中に少なくとも１つのそれぞれのＤＧＤ要素が接続される。所与の経路中のこのようなそれぞれのＤＧＤ要素すべてからなる組が、格子の少なくとも１つの調整値に対して、格子によって導入される微分群遅延とほぼ等しい絶対値を有するバイアス微分群遅延ＤＧＤ_{（ｂｉａｓ）}を導入する。 （もっと読む）

【課題】高スループットで高品質のレーザ加工をすることができて装置の小型化が可能であるレーザ加工装置等を提供する。
【解決手段】レーザ加工装置１は、レーザ光源１０、位相変調型の空間光変調器２０、駆動部２１、制御部２２、結像光学系３０を備える。結像光学系３０はテレセントリック光学系を含む。駆動部２１に含まれる記憶部２１Ａは、複数の基本加工パターンそれぞれに対応する複数の基本ホログラムを記憶するとともに、フレネルレンズパターンに相当する集光用ホログラムを記憶する。制御部２２は、記憶部２１Ａにより記憶された複数の基本ホログラムのうちから選択した２以上の基本ホログラムを並列配置し、その並列配置した各基本ホログラムに集光用ホログラムを重畳して全体ホログラムを構成し、その構成した全体ホログラムを空間光変調器２０に呈示させる。 （もっと読む）

【課題】ハイメサ光導波路においてハイメサの機械的強度が弱くなりプロセス中に折れやすくなる。
【解決手段】光デバイスであって、基板と、前記基板側から順に配置された第１の下側クラッド層部と、コア層部と、第１の上側クラッド層部と、を含むメサ、を備える第１の光導波路と、前記基板上に積層されるとともに、前記第１の光導波路を形成する際のエッチングを停止させる第１のエッチストップ層と、を有し、前記第１の光導波路は、前記第１のエッチストップ層上に積層されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＱＰＳＫ光送信装置を用いてＢＰＳＫ光を安定して生成し、単一装置で複数の伝送方式に対応することで、装置生産コスト削減を図る。
【解決手段】第１の位相変調部１２ａと第２の位相変調部１２ｂに入力されるデータ信号の出力形態を、２並列か直列かに切り替えられる機能を持つフレーマ１６を備える。フレーマ１６は複数のデータフォーマットから任意のフォーマットのデータ信号を選択して出力する機能を有する。また、受光素子１４と第１の制御回路１５ａの間に反転回路１９を設ける。第１の制御回路１５ａに入力される電気信号は当該回路１５ａの前に反転回路１９に入力されることになる。これにより、第１の位相変調部１２ａに入力されるデータ信号を遮断し、反転回路１９を反転設定として第１の位相変調部１２ａの透過率を最小点に固定させ、残る一方のデータ信号によって生成された光出力信号の振幅調整を行う。 （もっと読む）

【課題】材料コストおよび組み立てコストの削減が可能なシリコンおよびゲルマニウムを用いた半導体光変調器で、高速かつ低消費電力で光変調ができるようにする。
【解決手段】第１半導体層１０２は、第１導電型のシリコンから構成され、第２半導体層１０６は、第２導電型のシリコンから構成されている。また、第１障壁層１０３は、第１組成のシリコンゲルマニウムから構成されている。また、量子構造層１０４は、第１組成よりゲルマニウムの組成比が大きい第２組成のシリコンゲルマニウムから構成されて少なくとも層方向の厚さが量子効果が発現される範囲とされた量子構造を備えている。また、第２障壁層１０５は、第２組成よりゲルマニウムの組成比が小さい第３組成のシリコンゲルマニウムから構成されている。 （もっと読む）

【課題】温度調節手段を用いることなく比較的長波長帯でも長距離伝送が可能な半導体レーザモジュールを提供すること。
【解決手段】半導体レーザ部と、該半導体レーザ部の出力側に配置される電界吸収型変調部と、が形成されるレーザ素子と、該レーザ素子を内部に収容する筒状の筐体と、を含む半導体光モジュールであって、前記電界吸収型変調部は、光導波路層を含むとともに上下に電極が配置されるメサ構造と、該光導波路の両側部に隣接して配置される半絶縁半導体からなる埋め込み層と、を含み、前記埋め込み層は、鉄が不純物として添加されたインジウム燐により構成され、リン酸トリブチルを燐の原料とした埋め込み成長法により形成されたり、不純物としてルテニウムが添加されたりする。或いは、前記メサ構造の最上層は、炭素が不純物として添加された半導体により構成され、上側の前記電極に接触する。 （もっと読む）