【課題】光透過率制御の可能な表示装置を提供する。
【解決手段】少なくとも一面に光を放出する第１領域、及び第１領域と隣接して外光を透過する第２領域を含む画素を備える透明表示素子；透明表示素子の一面に対応する方向に配されて、外光を線形偏光させて透過する第１偏光板；第１偏光板と透明表示素子の一面との間に配されて、外光の位相を遅延させて透過する第１リターダー；透明表示素子の一面の反対側である他面に対応する方向に配されて、外光を線形偏光させて透過する第２偏光板；第２偏光板と透明表示素子の他面との間に配されて、印加される電源により外光の波長を第１位相ないし第２位相の範囲で遅延させて透過する変換リターダー；を備える光透過率制御の可能な表示装置。 （もっと読む）

【課題】微小変調成分の同期検波を確実に行って、安定した光変調器の動作点制御を行うことができる光位相制御回路を提供する。
【解決手段】ＡＧＣアンプ２６はループ帯域の下限カットオフ周波数が微小変調信号ｂ４の周波数よりも高く設定され、可変利得アンプ３１では利得制御信号ｂ９−１に基づいて、光電気変換後の電気信号ｂ８を目標振幅値ｂ１０となるように増幅し、ピーク検出回路３２では可変利得アンプの出力振幅を検出し、積分器では前記出力振幅と目標振幅値との差分を積分して得られる出力信号ｂ９を利得制御信号として可変利得アンプへ出力し且つ同期検波用の信号ｂ９−１として同期検波器２７へも出力する。同期検波器は同期検波用の信号を同期検波して動作点の制御方向を判断し、制御回路２８は前記制御方向に基づいて動作点制御信号を出力し、加算器２９は微小変調信号を前記動作点制御信号に重畳した動作点制御信号ｂ６を光変調器へ出力する。 （もっと読む）

【課題】印加電界に対して複雑な屈折率特性を有する結晶を用いて、高速な光変調器動作をさせる。
【解決手段】基板と、基板上に形成され、並走する第１光導波路および第２光導波路を有する誘電体膜と、誘電体膜上に形成され、第１光導波路および第２光導波路の間に配置された信号線と、第１光導波路に対する第２光導波路とは反対側の第１領域および第２光導波路に対する第１光導波路とは反対側の第２領域に配置された第１および第２バイアス電極とを有する伝送線路と、第１バイアス電極および第２バイアス電極に互いに異なる第１バイアス電圧および第２バイアス電圧を印加し、信号線に第１バイアス電圧および第２バイアス電圧の間の制御電圧を印加する駆動回路部と、を備える光デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】バイアス電圧に基づいて光信号の位相シフトを行う場合において、バイアス電圧にパイロット信号を付与しなくても、位相シフト量を所期の位相シフト量に調整できるようにする。
【解決手段】Ｉ用位相変調器（１２）は、第１変調信号と第１パイロット信号とが付与されたバイアス電圧Ｖ１に基づいて位相変調し、Ｑ用位相変調器（１４）は、第１パイロット信号と異なる第２パイロット信号と第２変調信号とが付与されたバイアス電圧Ｖ２に基づいて位相変調する。時間平均パワー同期検波部（２２）は、両パイロット信号の電圧の正負が同じとなるタイミングにおける光パワーと、両パイロット信号の電圧の正負が逆となるときの光パワーと、を検出する。バイアス電圧制御部（１８）は、時間平均パワー同期検波部（２２）の検出結果に基づいて、両光パワーの差が小さくなるように、バイアス電圧Ｖ３を制御する。 （もっと読む）

【課題】 バイアス電圧を低減することを目的とする。
【解決手段】 本発明にかかるマッハツェンダ型変調器は、入力された光を分岐する光分岐導波路と、ＰＮ接合構造またはＰＩＮ接合構造を有し、前記光分岐導波路から入力される光を伝播させる第１のアーム光導波路と、量子井戸構造を有し、前記光分岐導波路から入力される光を伝播させる第２のアーム光導波路と、前記第１のアーム光導波路を伝播する光の位相を調整する第１の位相電極と、前記第２のアーム光導波路を伝播する光の位相を調整する第２の位相電極と、を備え、 前記第１の位相電極に順方向電圧を印加し、前記第２の位相電極に０Ｖまたは逆方向電圧を印加することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低い半波長電圧で、かつ、高い周波数で入力光を変調する光変調器を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成され、並走する第１光導波路および第２光導波路を有する誘電体膜と、誘電体膜上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成され、第１光導波路および第２光導波路の間に配置された信号線と、第１光導波路に対する第２光導波路とは反対側の第１領域に配置された第１グランド線と、第２光導波路に対する第１光導波路とは反対側の第２領域に配置された第２グランド線とを有するコプレーナ線路と、第１領域および第２領域において誘電体膜と接してまたは絶縁膜の内部に設けられ、第１光導波路および第２光導波路に対するバイアス電圧を印加する補助電極と、を備える光デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】 光波長多重信号の偏光面を波長成分ごとに調整することができ，しかも各成分に時間的なずれが生じない，波長選択偏波制御器を提供する。
【解決手段】 この波長選択偏波制御器は，光波長多重信号が入射するテレセントリック光学系１１と，テレセントリック光学系から出力された光の偏波面を調整する偏波制御器１２と，偏波制御器からの出力を光路へと出力するための出力光学系１３と，を有する。テレセントリック光学系１１は，光波長多重信号が入射する第１の回折格子１５と，回折格子１５を経た光波長多重信号を集光する第１の集光レンズ１６と，を有する偏波制御器１２は，複数の位相変調器２１，２２，２３を有する。 （もっと読む）

【課題】
安全な光通信において利用する揺らぎは、白色性及び安定性が高く、大きさの調整が可能で、揺らぎが重畳された光の伝送特性が良好である必要があり、これを実現するのが課題である。
【解決手段】
（１）揺らぎ生成用の光源と伝送用の光源を分離し、伝送特性を向上させる。
（２）伝送用の光源に揺らぎを重畳する際にアンプで揺らぎの大きさを調整する。
（３）揺らぎの拡大過程用の光ファイバは高分散のものを利用し、ソリトン次数を維持して伝播させる。これによりラマン効果と環境変動の影響が抑制され、白色性が高く、大きさの安定した揺らぎが得られる。 （もっと読む）

【課題】 高調波成分を抽出することができる光周波数ダブラおよびマルチキャリア発生器を提供する。
【解決手段】 光周波数ダブラは、 光信号を２つに分岐する分岐部と、分岐部に接続された２本の半導体光導波路と、２本の半導体光導波路のそれぞれに対して同振幅で逆位相の変調信号を入力するための変調用電極と、２本の半導体光導波路から入力された光信号の偶数次高調波成分あるいは奇数次高調波成分の何れかを同相で合成して出力する合波部と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】環境温度の変化に伴う電気光学結晶の複屈折変化が存在する場合においても偏光状態を補償し、一定の感度を得ること。
【解決手段】印加される電界又は磁界により屈折率を変化させ、それによって通過する偏光を変調する電界検出用電気光学結晶９と同じ特性を有する複屈折補償用電気光学結晶８を、結晶軸が電界検出用電気光学結晶９の結晶軸に対して直交するように光の伝搬軸上に配置する。具体的には、遅（進）相軸が電界検出用電気光学結晶９の進（遅）相軸に対して平行になるように配置する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、マスクレス加工装置に関する。
【解決手段】本発明のマスクレス加工装置は、基板に照射される光を提供する照明光学系と、多数の光変換素子で構成され、前記照明光学系から照射された光を加工パターンに応じて選択的に反射または透過するように当該光変換素子を調節して光量を変換する空間光変調器と、前記多数の光変換素子が前記基板の一つのピクセルに対応して集光するように配列され、前記空間光変調器により変換された光が入射されると、当該ピクセルに前記多数の当該光変換素子によって提供された高エネルギーの光を投射する投射光学系と、前記加工パターンの入力を受け、入力された加工パターンに応じて、前記光源から照射された光を前記多数の光変換素子によって選択的に変換されるように前記空間光変調器を制御する制御部と、を含み、デジタルマスクを用いることにより、マスク使用によるコストが低減し、加工しようとする対象のスケール変形に対する能動的な対応が容易であるだけでなく、前記装置の活用度及び利用度が拡大される。 （もっと読む）

【課題】超高密度記録、センシング、生物医学、画像化技術などの広い分野に応用して好適な、貴金属に起因する表面プラズモンを用いた高い磁気光学性能を有する磁気光学材料を提供する。
【解決手段】上記課題は、チタニアナノシートなどの極薄い磁性体を貴金属表面上に配置することにより達成される。 （もっと読む）

【課題】バイアスドリフトと駆動信号の振幅の両方を同時に制御し、安定的に半導体ＭＺ変調器を動作させる駆動制御装置を提供する。
【解決手段】連続光を出射する光源からの光を受け、駆動電圧に対する光出力特性が周期的に変化する半導体光変調器の駆動制御装置であって、半導体光変調器から出力された出力光に応じて変化する電気信号を検波するピーク検波部と、発振回路と、発振回路の出力とピーク検波部のピーク検波出力信号とに基づいて同期検波する同期検波回路と、同期検波回路の出力に応じて半導体光変調器の位相バイアスを制御するバイアス制御部と、データ信号を増幅する増幅器と、同期検波回路の出力に応じて増幅器から出力された増幅されたデータ信号の振幅を制御する振幅制御部と、増幅器の出力に対して基準電圧を供給する電源回路と、増幅器の出力と基準電圧とを受けて駆動電圧を発生する加算器とを備える。 （もっと読む）

【課題】位相変調時に符号の値によらず出力される光強度を一定とすることができる光変調器を得ること。
【解決手段】変調導波路３，４と、分波器２と、変調導波路３，４の出力光の位相を変化させる位相調整導波路５，６と、位相調整導波路５の出力光と位相調整導波路６の出力光を合波する合波器７と、変調導波路３，４の入力電圧と出力光の振幅の関係に基づいて、変調導波路３の出力光が所定の位相値となる場合の変調導波路３の出力光の振幅と変調導波路４からの出力光の振幅との加算結果と変調導波路４の出力光が所定の位相値となる場合の変調導波路３の出力光の振幅と変調導波路４の出力光の振幅との加算結果とが等しくなるよう変調導波路３，４の印加電圧を制御する利得制御部１３および変調バイアス制御部１４と、位相誤差を打ち消すよう位相調整導波路５，６を制御する位相調整バイアス制御部１５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光ファイバ通信で必要なチャンネル間隔（２５ＧＨｚ間隔，５０ＧＨｚ間隔等）の光周波数コムを発生させ、且つ、変調器を１種類にして変調信号の位相調整を不要とすることなどが可能な半導体光変調器及び光周波数コム発生光源を提供する。
【解決手段】例えば、半導体光変調器１００は、入力光１０１を変調してサイドバンドを発生する半導体位相変調器１０２と、この半導体位相変調器１０２によって発生したサイドバンドの強度を等化する半導体光増幅器１０３とを、同一の半導体基板上にモノリシック集積した構造とする。また、光周波数コム発生光源は、入力光を変調してサイドバンドを発生する半導体位相変調器と、この半導体位相変調器によって発生したサイドバンドの強度を等化する半導体光増幅器と、前記入力光を前記半導体位相変調器へ出力する波長可変半導体レーザとを、同一の半導体基板上にモノリシック集積した構造とする。 （もっと読む）

【課題】出力光信号の非線形性が抑制された光変調回路を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る光変調回路は、入力光信号を分岐する光分岐回路４０１と、光分岐回路に並列に接続された第１の光変調部４１０及び第２の光変調部４２０と、各光変調部で変調を受けた光信号を結合する光結合回路４０２とを備える。第１の光変調部４１０と第２の光変調部４２０の応答周期比を１：１／３とし、かつ、光分岐回路４０１による第１の光変調部４１０と第２の光変調部４２０への分岐の電界強度比を１：１／３²＝９：１とする。そして、光結合回路４０２による結合の電界強度比を１：１／３²＝９：１とする。当該応答周期比および電界強度比は三角波のフーリエ展開による。二次成分のほか、高次のフーリエ成分を一次の成分に加えていくことによって、駆動電圧に対する応答曲線の非線形性を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】光導波損失を低下させることが可能な半導体光変調器の製造方法等を提供する。
【解決手段】半導体光変調器の製造方法は、ｐ型半導体基板３上に、ｐ型半導体層５を形成する工程と、ｐ型半導体層５を表面５Ｓからエッチングしてｐ型半導体基板３の主面３Ｓに沿った第１の方向に沿って延びる孔部５Ｈを形成することにより、一対のストライプ構造５Ｐを形成する工程と、孔部５Ｈに埋め込み層１５を形成する工程と、埋め込み層１５上にコア層１７を形成する工程と、コア層１７上に、ｎ型半導体材料からなる上部クラッド層２３を形成する工程と、ｎ電極３７及びｐ電極３９を形成する工程と、を備える。埋め込み層１５は、ノンドープの半導体材料、ｐ型半導体層５よりもｐ型不純物濃度の低いｐ型半導体材料、又は、ｎ型不純物濃度が１×１０^１７ｃｍ^−３以下のｎ型半導体材料からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光を変調する光素子において、メサが欠けやすく、かつ、電極パッドの寄生容量が大きくなる。
【解決手段】光素子であって、リッジ状の光導波路部と、前記光導波路部に並んで配置された、メサプロテクタ部と、前記メサプロテクタ部の上部を覆うとともに、該メサプロテクタ部の両側に配置された樹脂部と、前記光導波路部上に配置された電極と、前記メサプロテクタ部に対して、前記光導波路部と反対側に位置する樹脂部上に配置された電極パッドと、前記樹脂部上に配置されるとともに、前記電極と前記電極パッドを電気的に接続する接続部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】既存品の光ファイバと接続する際に、コネクタや光ファイバの端面との接合処理が不要な光変調器を提供する。
【解決手段】光変調器１は、挿入路４が内部に形成された基板部２と、基板部２に取り付けられて変調電圧Ｖｉが印加される電極対３ａ，３ｂとを備え、挿入路４には、変調電圧Ｖｉが印加されない際に光ファイバ中を伝播する光が漏れ出さない曲率で当該光ファイバを湾曲させる湾曲部５が形成され、電極対３ａ，３ｂは、挿入路４の湾曲部５の近傍に取り付けられ、変調電圧Ｖｉが印加される際に当該電極対３ａ，３ｂ間に形成される電界が湾曲部５に位置し得る光ファイバに及ぶように構成されている。既存品の光ファイバと接続する際には、電気光学効果を有する材料によってコア１１が形成されている光ファイバ１０を挿入路４に挿入する。 （もっと読む）

【課題】親マッハツェンダ光導波路に印加するＤＣバイアス電圧について改善されたネスト型の光変調器を提供する。
【解決手段】子マッハツェンダ光導波路を成す２本の光導波路の上方にバイアスを印加するための中心導体の役割を成す２つの電極を各々有し、該２つの電極に同相のバイアス電圧を印加することにより、親マッハツェンダ光導波路としてのバイアスを設定するネスト型の光変調器であって、子マッハツェンダ光導波路を成す２本の光導波路と当該２本の光導波路の上方に形成された前記２つの電極の位置が光の導波方向と交わる方向にずれた状態であっても当該２本の光導波路において発生する屈折率変化が互いに等しくなるように、接地導体の役割をなす３つの電極を、光の導波方向と交わる方向における前記２つの電極の各電極の両側にして当該２つの電極の間は共通で設けた。 （もっと読む）