【課題】 本発明が解決しようとする課題は、研磨特性に優れる、即ち、高研磨レート、非スクラッチ性、平坦性に優れるＣＭＰ法の研磨パッドを提供することである。
【解決手段】 イソシアネート基末端ウレタンプレポリマー（Ａ）を含有する主剤と、イソシアネート基反応性化合物（Ｂ）を含有する硬化剤とを含む研磨パッド用ウレタン樹脂組成物であって、更にヒュームドシリカ（Ｃ）を含有することを特徴とする研磨パッド用ウレタン樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】従来の硬質（乾式）研磨パッドを用いた場合に生ずるスクラッチの問題を改善し、かつ研磨レートや研磨均一性に優れ、一次研磨だけでなく仕上げ研磨にも対応できる研磨パッド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】略球状の気泡を含むポリウレタンポリウレア樹脂成形体を有する研磨層を備える半導体デバイス研磨用の研磨パッドであって、前記ポリウレタンポリウレア樹脂成形体の独泡率が、６０〜９８％であり、前記ポリウレタンポリウレア樹脂成形体の貯蔵弾性率Ｅ’に対する損失弾性率Ｅ”の割合（損失弾性率／貯蔵弾性率）ｔａｎδが、０．１５〜０．３０であり、前記貯蔵弾性率Ｅ’が、１〜１００ＭＰａであり、且つ
前記ポリウレタンポリウレア樹脂成形体の密度Ｄが、０．４〜０．８ｇ／ｃｍ^３であることを特徴とする、前記半導体デバイス研磨用の研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】相変化合金を有する研磨対象物を研磨する用途で好適に用いることができる研磨用組成物を提供する。特に、高い研磨速度を得ることができる研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、相変化合金を有する研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物であって、アンモニウムイオンを含有することを特徴とする研磨用組成物である。アンモニウムイオン（NH_４^＋）は、有機酸のアンモニウム塩及び無機酸のアンモニウム塩から選ばれる１以上のアンモニウム塩として添加されるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】少量の固形接着剤でウエーハを支持基板に貼り付けできるようにしたウエーハの貼付方法及びその貼付装置を提供する。
【解決手段】固形接着剤を溶融して支持基板１上に滴下する。このとき支持基板の温度は接着剤の溶融温度よりも低く、滴下された接着剤２は略点状になって支持基板上でその形状を保持している。この接着剤の上にウエーハ３の中心部を接触させ、支持基板１を接着剤の軟化温度よりも高くなるよう加熱する。これにより、接着剤２は流動してウエーハ３の中心部から外周縁に向かって流動し、ウエーハ３は支持基板１に仮貼りされる。その後、ウエーハ３と支持基板１を支持基板の裏面側から冷却してプレス冷却することより接着剤２は固化し、ウエーハ３は支持基板１に貼り付けられる。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板をスループット２０枚／時以上の市場要求を満足させる最適加工条件で平坦化加工して、薄肉化した反りのない加工基板を製造する方法および装置を提供する。
【解決手段】３軸の研削砥石ヘッド３４ｈ_ｃ，３４ｈ_ｍ，３４ｈ_ｆを備える研削装置で研削工程を行った後、２基のワーク吸着ヘッド２２，２２を備えるラップ盤とダイヤモンド砥粒を分散させたスラリーを用いてラップ加工を行い、表面粗さ（Ｒａ）が２０ｎｍ以下のサファイア基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】良好なＣＭＰ特性を発揮できる新たな複合形態の研磨材料を提供する。
【解決手段】 以下の組成式（１）で表される第１の相とＺｒＯ₂で表される第２の相とを有する粒子を含むように研磨材料を構成する。第１の相と第２の相とを有する粒子を含むことで、ＣＭＰにおける化学的作用と機械的作用との両立を図ることに成功した。
Ａ（Ｚｒ）Ｏ₃ （１）
（ただし、Ａは、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａから選択される１種又は２種以上を表す。） （もっと読む）

【課題】基板を研削又は研磨するための定盤に短時間で砥粒をチャージする。
【解決手段】本発明による砥粒チャージ方法は、基板２０を研削又は研磨するための定盤１２の主面１２ａに砥粒Ｄをブラストすることによって、定盤１２の主面１２ａに砥粒Ｄをチャージすることを特徴とする。本発明によれば、ブラスト処理によって砥粒Ｄのチャージを行っていることから、チャージ作業を短時間で完了することが可能となる。しかも、消費する砥粒の量も従来に比べて削減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】低い押圧力での研磨加工時にも優れたクッション性を発揮すると共に、被研磨物や研磨材を平坦に保持することができる研磨用クッション材を提供する。
【解決手段】発泡シート11の一方の面に粘着剤層12aが積層一体化されてなる研磨用クッション材であって、
上記発泡シート11は、厚みが０．３〜３．０ｍｍであり、密度が４００〜６００ｋｇ／ｍ³であり、引張強さが１．０〜３．０ＭＰａであり、伸びが１３０〜１６０％であり、ショアＡ硬度が２５〜４０であり、又は２５％圧縮応力が０．３０〜０．６０ＭＰａである条件のうち少なくとも一つを満たすことを特徴とする研磨用クッション材。 （もっと読む）

【課題】酸化珪素砥粒を含む研磨剤により酸化珪素膜の平坦化を行う場合に、酸化珪素膜と研磨停止膜としての窒化珪素膜との研磨選択比を確保する。
【解決手段】実施形態に係わるＣＭＰ方法は、酸化珪素砥粒を含む研磨剤を用い、かつ、研磨停止膜として窒化珪素膜を用いて、被研磨膜としての酸化珪素膜の平坦化を行う場合において、研磨剤に、50000以上、5000000以下の重量平均分子量を持つ第１の水溶性高分子と、1000以上、10000以下の重量平均分子量を持つ第２の水溶性高分子とを含ませた状態で、酸化珪素膜の研磨を行う。 （もっと読む）

【課題】基板を保持するトップリングの外周部に設けられ基板の外周縁を保持するリテーナリングの研磨面に対する追従性を高め、所望のリテーナリング面圧を研磨面に与えることができる研磨装置を提供する。
【解決手段】研磨面を有した研磨テーブル１００と、圧力流体が供給される圧力室を有し、圧力室に圧力流体を供給することで流体圧により基板を研磨面１０１ａに押圧するトップリング本体２と、トップリング本体２の外周部に設けられるとともにトップリング本体２とは独立して上下動可能に設けられ、研磨面１０１ａを押圧するリテーナリング３とを備え、リテーナリング３を研磨面１０１ａの動きに追従させるためにリテーナリング３を傾動可能に支持する支持機構を基板の中心部の上方に位置させるようにした。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素などの硬度の高い難削材に対しても極めて高い研摩速度を実現できる研摩材を提供する。
【解決手段】本発明は、二酸化マンガンを砥粒とする研摩材において、二酸化マンガンは、λ型結晶構造を有するλ型二酸化マンガンとγ型結晶構造を有するγ型二酸化マンガンとを含み、λ型二酸化マンガンとγ型二酸化マンガンとのそれぞれのＸ線回折によるメインピークの強度比（γ／λ）が０．１〜２０の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、光透過領域の貼り付けが容易であり、しかもパッドの変形が生じることがない積層研磨パッドの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の積層研磨パッドの製造方法は、研磨領域の開口部Ａ内に光透過領域を仮固定して研磨層を作製する工程、加熱溶融させたホットメルト接着剤を含む接着部材を前記研磨層と支持層との間に設ける工程、及び前記ホットメルト接着剤を硬化させて前記研磨層と支持層とを貼り合せる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】相変化合金を有する研磨対象物を研磨する用途で好適に用いることができる研磨用組成物を提供する。特に、高い研磨速度を得ることができる研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、相変化合金を有する研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物であって、砥粒及び窒素含有化合物を含有し、その砥粒が複数の突起を表面に有する砥粒を含むことを特徴とする研磨用組成物である。砥粒のうち砥粒の体積平均粒子径よりも粒子径の大きな粒子が表面に有している突起の高さをそれぞれ同じ突起の基部における幅で除することにより得られる値の平均は、０．２４５以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ケミカルメカニカル研磨にて重要な役割を果たすコンディショニングの性能を高める研磨パッド材質を提供し研磨中の欠陥率を低減する。
【解決手段】アクリレートポリウレタン研磨層を含むケミカルメカニカル研磨パッドで、研磨層が６５〜５００MPaの引張り弾性率、５０〜２５０％の破断点伸び、２５〜２００MPaの貯蔵弾性率Ｇ′、２５〜７５のショアーＤ硬さ及び１〜１０μm/minの湿式切削速度を示すものであるケミカルメカニカル研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ガラス板の破損発生率を低減できるガラス板研磨装置の監視方法及び監視システムを提供する。
【解決手段】実施の形態の監視システムは、吸着シート２２に対するガラス板Ｇの異常吸着形態を常時監視し、異常と判定した場合には、そのガラス板Ｇの研磨を実施せず、研磨部１８を停止したり、アラーム５８から警告音を発生させたりして、オペレータに異常を知らしめる。実施の形態の監視システムは、グリセリン塗布部１２、板吸着部１４、研磨部１８を有する通常設備のガラス板研磨装置１０において、板吸着部１４と研磨部１８との間に、撮像部１６を有する判定部２０を備える。撮像部１６は、板吸着部１４から研磨部１８に移動する吸着シート２２をライト３８によって照明し、その反射光をカメラ４０によって撮像する。そして、判定部２０は、カメラ４０で撮像された画像に基づき、吸着シート２２にガラス板Ｇが正常に吸着されたか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】１３族及び１５族からなる化合物半導体基板を、表面平坦性が高く、表面粗さが小さく、表面の微小スクラッチや微小ピット、加工変質層が生じないような高品質な研磨表面を得つつ、かつ速い研磨速度を達成することができる研磨方法を提案する。
【解決手段】周期表における１３族及び１５族から構成される化合物半導体基板の表面を研磨する方法であって、酸化マグネシウムを主成分とする砥粒を酸化剤及び無機酸に含有させた研磨材スラリーを用いて、前記化合物半導体基板の表面をメカノケミカル研磨することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】研磨中における研磨テープのテンション（張力）をほぼ一定として安定した研磨性能を実現することができ、かつ研磨速度を上げることができる研磨装置を提供する。
【解決手段】本発明の研磨装置は、研磨テープ４１を研磨対象物に接触させる研磨ヘッド４２と、研磨ヘッド４２を所定の点を中心として揺動運動させる揺動機構とを備える。揺動機構は、研磨ヘッド４２が固定される揺動アーム６０と、支持アーム６２と、揺動アーム６０を回転自在に支持アーム６２に連結する連結軸６７と、揺動アーム６０を連結軸６７を中心として揺動運動させる駆動機構Ｍ１とを有する。研磨ヘッド４２の揺動運動の中心点は、連結軸６７の中心線上にある。 （もっと読む）

【課題】両面研磨装置を用いたガラス基板の磁気薄膜層形成予定面のみに研磨を行なった場合であっても、磁気薄膜層形成予定面に微小な凹凸の発生を抑制することが可能な、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１キャリア２０５ａに保持されるガラス基板１Ｇの磁気薄膜層形成予定面１４とは反対側の面１５と補助プレート２０６の表面との間の水平方向に生じる摩擦力をＦ１、前記予定面１４と第１研磨部材２０３との間の水平方向に生じる摩擦力をＦ２とし、第２キャリア２０５ｂに保持されるガラス基板１Ｇの磁気薄膜層形成予定面１４とは反対側の面１５と補助プレート２０６の表面との間の水平方向に生じる摩擦力をＦ３、この予定面１４と第２研磨部材２０４との間の水平方向に生じる摩擦力をＦ４とした場合、Ｆ１／Ｆ２およびＦ３／Ｆ４の値が、０．８以上１．７５以下となる条件の下で、磁気薄膜層形成予定面１４の研磨を行なう。 （もっと読む）

【課題】従来の極細繊維からなる研磨布ではなし得なかった、表面粗さが低く、動摩擦係数が小さい高性能の研磨布を提供する。
【解決手段】平均単繊維直径０．０５〜５．０μｍの極細繊維を含む繊維構造体であって、その繊維構造体の表面粗さが１〜２０μｍであり、動摩擦係数が０．１〜１．０であることを特徴とする研磨布であり、その繊維構造体の少なくとも一部に、１０〜３０００ｐｐｍの珪素化合物が存在し、その繊維構造体の少なくとも片側の表面に、極細繊維からなる立毛を有するものである。 （もっと読む）

【課題】欠陥を発生させることなく、下層のＣＭＰストッパー膜を実質的に研磨せずに、実用的な速度でシリコン酸化膜を研磨できるＣＭＰ用スラリーを提供することである。
【解決手段】実施形態のＣＭＰ用スラリーは、総量の０．５質量％以上３質量％以下で配合されたコロイダルシリカと、総量の０．１質量％以上１質量％以下で配合された重量平均分子量５００以上１０，０００以下のポリカルボン酸とを含有し、ｐＨが２．５以上４．５以下である。コロイダルシリカ全体の５０質量％以上９０質量％以下の粒子は、３ｎｍ以上１０ｎｍ以下の一次粒子径を有する。 （もっと読む）