【課題】無機絶縁膜層等の被研磨面を、研磨傷の発生を抑え、かつ高速で研磨することが可能な研磨剤及び研磨方法を提供すること。
【解決手段】金属酸化物粒子及び媒体を含有する研磨剤であって、前記金属酸化物粒子が、金属塩、高分子化合物、及び高沸点有機溶媒を含有する混合物を加熱することにより生成する金属酸化物を焼成して得られる金属酸化物粒子を含む、研磨剤。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの研磨時に欠陥の原因となる粗大粒子が従来に比べて大幅に低減された、また、これによりウェーハの研磨時において、ウェーハ表面のナノオーダーの欠陥を低減できる研磨スラリーの供給方法及び供給装置、並びに研磨装置を提供することを目的とする。
【解決手段】スラリー原液と純水とを混合した研磨スラリーを研磨装置に供給する供給方法であって、計量された前記スラリー原液に対して前記純水を単位時間当たりに所定量加えるように制御しながら前記スラリー原液と前記純水とを混合する工程と、該混合された研磨スラリーを前記研磨装置に供給する工程とを含むことを特徴とする研磨スラリーの供給方法。 （もっと読む）

【課題】耐熱性・耐水性に優れた研磨パッドを提供する。また、耐熱性・耐水性に優れるため、局所的な平坦化性能が高く、研磨レートが高く、かつ研磨レートの変動が小さい研磨パッドを提供する。
【解決手段】ポリオールとイソシアネートからなるポリウレタンを用いた研磨パッドであって、ポリオールがエチレングリコールユニットと少なくとも１種類の側鎖を有するグリコールユニットを含み、かつ、ポリオール中のエチレングリコールユニットがポリオール全重量の０．１重量％〜１０重量％であるポリウレタンを用いた研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】パーティクル数及びＨａｚｅ値が小さいシリコンウエハを得ることが可能なシリコンウエハ用研磨液組成物を提供できる。
【解決手段】シリカ粒子（成分Ａ）と、水系媒体(成分Ｂ)と、水溶性アルカリ化合物(成分Ｃ)と、Ｒ¹−Ｇｙで表されるアルキルポリグリコシド(成分Ｄ)と、カチオン化ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）（成分Ｅ）とを含み、成分Ｅは、−ＣＨ₂−ＣＨ（ＯＨ）−で表される構成単位（ｅ２）、−ＣＨ₂−ＣＨ（ＯＣＯＲ²）−で表される構成単位（ｅ３）、―Ｘ―で表される構成単位（ｅ４）を含み、構成単位（ｅ４）のモル濃度がカチオン化ＰＶＡの全構成単位中０．００１〜１．５モル％であり、成分Ｄの含有量が０．００１５重量％以下、前記成分Ｄと前記成分Ａの重量％の比（成分Ｄの重量％／成分Ａの重量％）が０．０００１〜０．００８、２５℃におけるｐＨが８〜１２である、シリコンウエハ用研磨液組成物。 （もっと読む）

【解決手段】基板に接触され、多数の空孔を有するナップ層が、エーテル樹脂を含む少なくとも３種類の樹脂を有するベース樹脂にて形成された研磨布を用い、これに研磨スラリーを同伴させて基板表面を研磨する工程を含むことを特徴とする基板の製造方法。
【効果】本発明によれば、基板表面の欠陥数が少なく、かつ高平滑性化された基板を製造することが可能となる。また、研磨布の使用時間を延長することができることから、コストダウン及び生産性の向上につながる。 （もっと読む）

【課題】貴金属の研磨に適した研磨用組成物及びその用途を提供する。
【解決手段】本発明は、導体層と前記導体層と接する導電性物質層を有する研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物であって、常温の研磨用組成物中で電位計の正極側を導電性物質に接続し、且つ負極側を導体に接続した条件において、導電性物質と導体を研磨したときに正極側から負極側へ流れる電流の値が、正の値（ゼロを含む。）を示すことを特徴とする研磨用組成物を提供する。さらには、研磨用組成物は、導体及び導電性物質との間に流れる電流値を正の値（ゼロを含む。）にする添加剤を含有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドやスラリーの冷却、及び研磨パッド表面のドレッシングを効率良く行う。
【解決手段】本実施形態によれば、研磨方法は、回転させた研磨パッド１３に、回転させた基板を押し当て、研磨パッド１３上にスラリーを供給する工程と、研磨パッド１３の表面温度を測定する工程と、前記表面温度が所定温度以上になった場合に、研磨パッド１３に向かって、狭窄部を有するノズル１５から過冷却液滴を含むジェット流を噴出させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】配線金属の表面における傷や腐食が生じにくく、層間絶縁膜及びバリヤ膜上の配線金属残りが生じにくく、しかも、充分な研磨速度を確保でき、ディッシングやエロージョンを防止して高い平坦性が得られる研磨組成物を提供する。
【解決手段】銅又は銅合金を研磨するための研磨組成物であって、（Ａ）酸化剤と、（Ｂ）アミノ酸、炭素数８以下のカルボン酸、無機酸の中から選ばれる少なくとも１種以上の酸と、（Ｃ）アルキル基が炭素数８以上であるスルホン酸と、（Ｄ）アルキル基が炭素数８以上である脂肪酸と、（Ｅ）０．００５〜３質量％のＮ−ビニルイミダゾールとを含有する研磨組成物。 （もっと読む）

【課題】基板の研磨中にノズルにより研磨パッドに気体を吹き付けて研磨パッドの表面の温度を制御することによりディッシングやエロージョン等を防止することができるとともに研磨パッド上の研磨液が飛散してノズルやノズル取付部品等に付着する量を減らすことができる研磨装置および方法を提供する。
【解決手段】研磨テーブル１上の研磨パッド２に基板を押圧して基板の被研磨面を研磨する研磨装置において、研磨パッド２に向けて気体を噴射する少なくとも１つの気体噴射ノズル２４を有し、研磨パッド２に気体を吹き付けて研磨パッド２の温度を調整するパッド温度調整機構２２と、研磨パッド２に向けて液体又は気体と液体の混合流体を噴射する少なくとも１つのノズルを有し、研磨パッド２に液体又は混合流体を吹き付けて研磨パッド上の異物を除去するアトマイザ３０とを備え、パッド温度調整機構２２とアトマイザ３０とは一体のユニットとして形成されている。 （もっと読む）

【課題】コンディショニングされる研磨パッドの表面状態や性能を予測できるコンディショナの評価方法を確立し、コンディショナの評価データを蓄積したデータベースと組合せることにより、コンディショナの性能評価と、コンディショニング条件を導き出し、適切なコンディショニングを可能とする。
【解決手段】評価対象のコンディショナ１の砥粒面を、樹脂板２の表面に押圧接触させた状態で１回転させて前記表面に切削痕３を形成し、切削痕３が形成された表面の断面プロファイルを測定し、得られた断面プロファイルに基づいて、当該コンディショナの評価項目として、切削痕の粗さ、切削痕の高さ頻度分布および切削痕の幅の総和の少なくともいずれか一つを求めるようにしている。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドの摩耗に起因する研磨パッドの剛性低下による悪影響を十分に抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】研磨テーブル１上に設けられた研磨パッド２と、前記研磨パッド２に対してウェハ３を接触させた状態で前記ウェハ３を前記研磨パッド２に対して相対的に移動させて前記ウェハ３を研磨する研磨ヘッド４と、前記研磨パッド２の摩耗後の厚さに応じて前記研磨パッド２の温度を制御する温度制御部６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】研磨時に外周部を含むウェハの全面を均一に加圧して該ウェハの特に外周部の変形を抑制し、この変形によるウェハの過剰研磨等の欠陥発生を防止し、リテーナリング一体型のテンプレートとしてウェハの自動搬送の構築を可能とし、該自動搬送等の際の研磨ヘッドへのウェハの真空吸着を安定化させ、さらには径、厚み等のサイズ違いのウェハも容易・確実に研磨可能とする。
【解決手段】底面部にウェハＷを嵌合させる嵌合用凹部が形成されたテンプレートと研磨ヘッド側に取り付けられてテンプレートの周囲を包囲する円環状のリテーナリングとを一体化したリテーナリング一体化テンプレート１０を備え、該リテーナリング一体化テンプレート１０における嵌合用凹部１１にウェハＷを嵌合させ、リテーナリング一体化テンプレート１０を介してウェハＷをプラテン２上の研磨パッド６に押し付けるとともに研磨ヘッドをプラテン２に対し相対回転させてウェハＷを研磨する。 （もっと読む）

【課題】端材のリサイクルが可能な被研磨物保持キャリア材用基材を提供すること。
【解決手段】熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂の少なくとも一方と、繊維状充填剤と、の抄造体で構成される被研磨物保持キャリア材用基材であって、熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂の少なくとも一方と、繊維状充填剤と、を分散媒に添加し混合することによりスラリーを得る混合工程と、前記混合行程により得られたスラリーを抄造し脱分散媒乾燥することにより抄造シートを得る抄造工程と、前記抄造シートを所定の形状に加工することにより素形体を得る加工工程と、前記素形体を加熱加圧する工程を含むことを特徴とする被研磨物保持キャリア材用基材の製造方法により達成される。 （もっと読む）

【課題】一般的な金属配線材料を含む基板の研磨に適した研磨用組成物を提供する。
【解決手段】 本発明の研磨用組成物は、（ａ）砥粒、（ｂ）錯化剤、（ｃ）金属防食剤を含む研磨用組成物であって、（ａ）砥粒が複数の突起を表面に有し、砥粒のうち砥粒の体積平均粒子径よりも粒子径の大きな粒子が表面に有している突起の高さをそれぞれ同じ突起の基部における幅で除することにより得られる値の平均が０．２４５以上である。さらには、砥粒のうち砥粒の体積平均粒子径よりも粒子径の大きな粒子が表面に有している突起の平均高さは２．５ｎｍ以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 連続通気型ポリウレタンシートに熱硬化性ポリウレタン発泡体を塗付して加熱発泡させることにより、これらを、接着剤を用いて貼着するという煩わしい工程を経ることなく、軽くて扱い易い低密度、低硬度のポリウレタンフォームからなるバッキング材を迅速、安価に提供可能にする。
【解決手段】 長孔が２．０μｍ以下の微細な開孔を有し、厚みが５μｍ以上１００μｍ以下であり、密度が８４０ｋｇ／ｍ^３以上１２１０ｋｇ／ｍ^３以下の連続通気型発泡ポリウレタンシートであって、その一面側に熱硬化性ポリウレタン発泡体が熱溶着されて一体に形成されており、研磨対象物を保持するための定盤には前記熱硬化性ポリウレタン発泡体の他面側を固着させ、連続通気型発泡ポリウレタンシートの他面側を研摩対象物に当接させることを特徴とする （もっと読む）

【課題】本発明は、生産性を損なうことなく、基板の表面粗さ（中心線平均粗さ）、スクラッチ数、及びパーティクル数の低減が可能な研磨液組成物、及びこれを用いた基板の製造方法、並びに、基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨液組成物は、平均粒子径が４５ｎｍ以下のコロイダルシリカ粒子（Ａ成分）と、シクロデキストリン骨格を有する化合物（Ｂ成分）５０〜２０００ｐｐｍと、重量平均分子量Ｍｗが５００００以下の、アニオン性基を有する水溶性高分子（Ｃ成分）１２０〜１０００ｐｐｍと、水（Ｄ成分）とを含み、２５℃におけるｐＨが１．８以下である。 （もっと読む）

【課題】基板を研磨するためのケミカルメカニカルポリッシング組成物濃縮物の複数の希釈液を用いる、窒化ケイ素上に堆積したポリシリコンのオーバーバーデンを有する基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法
【解決手段】基板を研磨するために使用される濃縮物の第１の希釈液は、第１のポリシリコン除去速度及び第１のポリシリコン対窒化ケイ素除去速度選択比を示すように調整され；基板を研磨するために使用される濃縮物の第２の希釈液は、第２のポリシリコン除去速度及び第２のポリシリコン対窒化ケイ素除去速度選択比を示すように調整される方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】研磨砥粒回収装置のスクリューやボウルへのダメージが均一であり、かつ、制御精度良く、回収率が高い研磨砥粒回収装置を提供すること。
【解決手段】研磨砥粒を含むスラリから前記研磨砥粒を含む濃縮液を分離する研磨砥粒回収装置であって、当該研磨砥粒回収装置は、前記スラリを保持するボウルと、前記濃縮液をボウルからかき出すためのスクリューコンベアと、前記ボウル及び前記スクリューコンベアを回転駆動するための駆動手段と、前記駆動手段を制御する制御手段と、を有し、前記制御手段は、前記ボウル又は前記スクリューコンベアを回転駆動するための、前記駆動手段の駆動電流値に基づいて、前記ボウルの回転速度と前記スクリューコンベアの回転速度との差を制御するものである、研磨砥粒回収装置。 （もっと読む）

【課題】装置が大型化せず、作業性を向上させるとともに装置の重心を安定させることが可能であるダイシング装置、ダイシング装置ユニット、及びダイシング方法を提供すること。
【解決手段】Ｘ移動軸４と、Ｘ移動軸４と垂直に交差するＹ移動軸５とが平面視方形に形成されたダイシング装置１の方形匡体２の対角線上に配置され、且つ、ダイシング装置１の略中央部にワーク切断加工部９が配設されているとともに、Ｘ移動軸４が配置された一端側にワーク交換部１３が設けられ、Ｘ移動軸４のワーク切断加工部９を挟んでワーク交換部１３と反対側には、ワークＷの切断時にブレード２１の回転に伴って飛散する廃液又はミストを排出する排出口１１及び排気口１２を有する排出機構８が設けられる。 （もっと読む）

【課題】従来の硬質（乾式）研磨パッドを用いた場合に生ずるスクラッチの問題を改善し、かつ研磨レートや研磨均一性に優れ、一次研磨だけでなく仕上げ研磨にも対応できる研磨パッド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】略球状の気泡を含むポリウレタンポリウレア樹脂成形体を有する研磨層を備える半導体デバイス研磨用の研磨パッドであって、前記ポリウレタンポリウレア樹脂成形体の独泡率が、６０〜９８％であり、前記ポリウレタンポリウレア樹脂成形体の貯蔵弾性率Ｅ’に対する損失弾性率Ｅ”の割合（損失弾性率／貯蔵弾性率）ｔａｎδが、０．１５〜０．３０であり、前記貯蔵弾性率Ｅ’が、１〜１００ＭＰａであり、且つ
前記ポリウレタンポリウレア樹脂成形体の密度Ｄが、０．４〜０．８ｇ／ｃｍ^３であることを特徴とする、前記半導体デバイス研磨用の研磨パッド。 （もっと読む）