【課題】低温で焼結することが可能な六方晶系窒化ホウ素焼結体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】粒子の表面のみならず内部にも酸素が含まれている六方晶系窒化ホウ素粉末を圧力成形してプレ成形体とし（プレ成形工程）、プレ成形体を非酸化性ガス雰囲気中又は真空中において６００℃以上１１００℃未満で焼結する（焼結工程）。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性を向上でき、またそのばらつきを効果的に抑制することができる窒化珪素質焼結体を提供する。
【解決手段】 単結晶試料についてラマン分光分析を行ったときの１２００ｃｍ^−１での散乱強度を基準散乱強度レベルＸ0として、その基準散乱強度Ｘ0からの増分散乱強度にて表した、５００〜５３０ｃｍ^−１に出現する最強の散乱ピークの高さをＹkとし、また、焼結体のラマン分光分析を行ったときのスペクトルプロファイルの、１２００ｃｍ^−１における基準散乱強度Ｘ0からの増分散乱強度Ｙ1として、Ｙ1のＹkに対する比Ｙ1／Ｙkを０．４以上とする。これにより、窒化珪素質焼結体の耐摩耗性を向上させることができ、また、そのばらつきも抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く放熱性が優れた半導体装置用放熱板を提供する。
【解決手段】Ｙ元素を０．１４〜１．５質量％含有し、窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９の比（ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０６であり、且つＹ_２Ｏ_３（２２２面）のＸ線回折強度ＩＹ_２Ｏ_３の窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対する比（ＩＹ_２Ｏ_３／ＩＡｌＮ）が０．００８〜０．０６であり、熱伝導率が２４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２００ＭＰａ以上である窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする半導体装置用放熱板である。 （もっと読む）

【課題】 機械的特性および耐熱衝撃性に優れ、信頼性が高く長期間にわたって使用することのできる窒化珪素質焼結体からなる溶湯金属用部材を提供する
【解決手段】 窒化珪素を主成分とする柱状結晶１と、金属元素の酸化物を主成分とする粒界相２とを有する窒化珪素質焼結体からなり、窒化珪素質焼結体の表面に開気孔３を有し、開気孔３の内部に、窒化珪素焼結体の内部に存在する第１の柱状結晶１ａよりも径の太い第２の柱状結晶１ｂが互いに交錯するように複数存在している溶湯金属用部材である。溶湯金属による開気孔３の内面の粒界相２の浸食が抑制されることで、窒化珪素質焼結体自体の機械的特性および耐熱衝撃性を向上することができる。また、溶湯金属が粒界相２と反応して強固に付着することも少なくなるため、長期間にわたって使用することができる。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く放熱性が優れた半導体装置用基板を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９の比（ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０６であり、且つＹ_２Ｏ_３（２２２面）のＸ線回折強度ＩＹ_２Ｏ_３の窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対する比（ＩＹ_２Ｏ_３／ＩＡｌＮ）が０．００８〜０．０６であり、熱伝導率が２４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２００ＭＰａ以上である窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする半導体装置用基板である。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板において、ＩＩＩ族窒化物半導体層との間で剥離や亀裂が発生することを抑制することができる下地基板に関する技術を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板の下地基板として用いられるセラミックス複合材料であって、酸化物系セラミックスおよび非酸化物系セラミックスから構成され、２０〜９００℃における平均線熱膨張係数が（５．９±０．２）×１０^−６／℃であるセラミックス複合材料。前記セラミックス複合材料を用いたＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板に用いられる下地基板の製造方法であって、酸化物系セラミックス粉末と非酸化物系セラミックス粉末とを所定の比率で混合する原料混合工程と、原料混合工程において得られた混合粉末を所定形状の成形体に成形する成形工程と、成形体を不活性雰囲気中で焼成してセラミックス複合材料の焼結体を作製する焼成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性や機械的強度の他に、焼成するセラミック電子部品と反応しない特性を備えた上で、更に、エネルギー効率や窯効率に優れたセッターを提供すること。
【解決手段】基材と、その上層に表面コート層を有し、該基材が、ＳｉＣを７０〜９９質量％、Ｓｉを１〜３０質量％含有する。 （もっと読む）

【課題】高い耐熱衝撃性を有する窒化珪素質焼結体およびその製造方法、並びに金属溶湯用部材、熱間加工用部材、掘削用部材を提供する。
【解決手段】組成式Ｓｉ_6-ZＡｌ_ZＯ_ZＮ_8-Zで表され、固溶量ｚ値が０．４〜０．７であるβ−サイアロンを主相とし、粒界相およびＦｅ珪化物粒子を有する窒化珪素質焼結体であり、前記粒界相は、Ｙ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏを含有し、かつＡｌ、Ｓｉ、Ｙの構成比率がＡｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ｙ₂Ｏ₃換算でＡｌ₂Ｏ₃１４〜４２質量％、ＳｉＯ₂８〜１９質量％、残部がＹ₂Ｏ₃であり、該粒界相を焼結体１００体積％に対して１５体積％以下の範囲で含有し、前記Ｆｅ珪化物粒子をＦｅ換算で焼結体１００質量％に対して０．１〜１．５質量％含有する。この窒化珪素質焼結体は、高い耐熱衝撃性を有するため、金属溶湯用部材、熱間加工用部材、掘削用部材などの用途に好適に適用される。 （もっと読む）

【課題】希土類多ホウ化物において、高温（９００Ｋ以上）で優れたｎ型の熱電的性質を有する新しい機能を示す多ホウ化物を使用したｎ型熱電変換素子を提供することを目的としている。
【解決手段】一般式ＲＥＢ_２２＋ＸＣ_４＋ＹＮ_１＋Ｚ（−６＜Ｘ＜６、−３＜Ｙ＜３、−１＜Ｚ＜１、ＲＥは、Ｓｃ、Ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｌｕからなる群から選ばれる少なくとも１種の希土類元素）で表される、三斜晶系または菱面体系に属する炭素、窒素をドープしてなる希土類多ホウ化物を提供することによって解決する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、本発明は、プラズマガス耐性、高熱伝導を有し、優れた光学特性を有する窒化アルミニウム焼結体を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明に係る窒化アルミニウム焼結体の製造方法は、窒化アルミニウム粉末とアルカリ土類系酸化物の焼結助剤とを特定の配合比で含む混合物からなる成形体を、還元雰囲気下の特定条件での焼成、特定条件でのアニールすることに特徴があり、この製造方法により、陽電子消滅法における欠陥分析において、窒化アルミニウム結晶中で、１８０ｐｓ(ピコ秒)内に消滅する陽電子の割合が９０％以上であることを特徴とし、好ましくは２００Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有する窒化アルミニウム焼結体が得られる。 （もっと読む）

【課題】快削性を有すると共にシリコンに近い熱膨張係数を有し、高い強度を備えたセラミックス部材、このセラミックス部材を用いて形成されるプローブホルダ及びセラミックス部材の製造方法を提供すること。
【解決手段】エンスタタイト及び窒化ホウ素を構成成分として含み、窒化ホウ素が一方向に配向している焼結体であるセラミックス部材、セラミックス部材を用いて形成されるプローブホルダ及びセラミックス部材の製造方法。セラミックス部材は、配向度指数が０．８以上である。 （もっと読む）

【課題】切削工具の材料として用いた場合に、優れた耐摩耗性および耐欠損性を有する切削工具を得ることのできる焼結体およびその製造方法ならびにその焼結体を用いた切削工具を提供する。
【解決手段】立方晶型サイアロンと、β型サイアロンと、第１化合物および第２化合物の少なくともいずれかとを含む焼結体であって、第１化合物は、鉄、コバルト、ニッケル、周期律表の第４ａ族元素、第５ａ族元素、および第６ａ族元素よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素であり、第２化合物は、第４ａ族元素、第５ａ族元素、および第６ａ族元素よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素と、炭素、窒素および硼素よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素とからなる少なくとも１種の化合物である。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素焼結体を、液相を形成せずに、低温で焼結する。
【解決手段】炭化ケイ素粉末に、炭素源として炭素または炭化することが可能な物質を炭素換算量で１ｗｔ％から１０ｗｔ％、及びホウ素源としてホウ素またはホウ素化合物をホウ素換算量で０．１ｗｔ％−５ｗｔ％混合した混合物を準備し、この混合物に対して１８００℃以上でマイクロ波焼結を行う。これにより、このような低温焼結にも変わらず、例えば図に示すような、緻密でかつ異常粒成長が抑制された炭化ケイ素粉末の焼結体を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】平均熱膨張係数（２３〜１５０℃）が２〜６ｐｐｍ／Ｋの範囲に任意に調節可能で、ヤング率が高くかつ機械的強度が大きく、焼結性に優れる窒化珪素・メリライト複合焼結体を用いた基板を提供する。
【解決手段】ヒーター基板３００は、板状の基板３１０と、ヒートパターン３２０とを備える。基板３１０は、窒化珪素結晶相と、メリライト結晶相（Ｍｅ２Ｓｉ３Ｏ３Ｎ４、Ｍｅはメリライトを形成する金属元素）と、粒界相とを有する窒化珪素・メリライト複合焼結体を材料として作成されている。窒化珪素・メリライト複合焼結体の切断面におけるメリライト結晶相の占める割合は２０面積％以上である。 （もっと読む）

【課題】耐チッピング性、耐摩耗性にすぐれた立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】ｃＢＮ粒子の表面が、１００〜７００ｎｍの平均膜厚のＴｉとＡｌの複合窒化物で均一に切れ間なく被覆された硬質相形成用原料粉末を、結合相形成用原料粉末と混合し焼結することにより形成されるｃＢＮ粒子を硬質相としＴｉＮを主たる結合相とする立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料からなる切削工具であって、ｃＢＮ粒子からなる硬質相と上記結合相との界面には、ＴｉＢ_２とＡｌＮの混合組織からなる中間密着層が均一に切れ間なく形成され、好ましくは、ｃＢＮ粒子表面に被覆されたＴｉとＡｌの複合窒化物は傾斜組成構造を備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、より長い工具寿命を達成する複合焼結体を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の複合焼結体は、立方晶窒化硼素と結合材とを含む複合焼結体であって、該立方晶窒化硼素は、該複合焼結体中に２０体積％以上８０体積％以下含まれ、該結合材は、Ｔｉ化合物と補助結合材成分とを含み、該補助結合材成分は、Ａｌ化合物およびＳｉ化合物のいずれか一方または両方により構成され、かつ、該複合焼結体の少なくとも一断面において、該立方晶窒化硼素の粒子の外郭線の合計に対する、該補助結合材成分の粒子の外郭線の合計の比が１．４以上２．８以下となることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】より高強度の窒化ケイ素焼結体を実現する。
【解決手段】本発明の窒化ケイ素焼結体は、ジルコニアを３〜１０重量％含む、ジルコニア粒子が分散した窒化ケイ素焼結体であり、上記ジルコニア粒子の粒子径は５μｍ未満であり、粒子径が０．５μｍ以上５μｍ未満のジルコニア粒子の数が０．００５個／μｍ^２以上である。 （もっと読む）

【課題】高充填率であっても加工コストを抑えられるＳｉＣ／Ｓｉ複合材料の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ粉末及び有機バインダーを含む混合物を準備する行程と、前記混合物を成形してプリフォームとする成形工程と、前記プリフォームを所定雰囲気で脱脂する脱脂工程と、脱脂した後の前記プリフォームに加工を施す加工工程と、Ｓｉを浸透させる浸透工程と、を含むＳｉＣ／Ｓｉ複合材料の製造方法。前記有機バインダーの添加量は、前記ＳｉＣ粉末をタップした際にできる空隙の容積の２５〜１００体積％に調整する。 （もっと読む）

【課題】クレータ摩耗の発生を低減し、耐チッピング性の向上を図った立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料を工具基体とする立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具、表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】 立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料からなる工具基体を超硬合金母材にろう付け接合した立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具、あるいは、さらに、工具基体と超硬合金母材の表面に硬質膜を蒸着形成した表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具において、立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料の構成成分である立方晶窒化ほう素粒子の表面を、該粒子の平均直径の１／２以下の平均被覆厚さの酸化アルミニウムによって均一に切れ間なく被覆しておくことにより、クレータ摩耗発生の低減、耐チッピング性の向上を図り、また、蒸着時の高温によるろう付け部からの刃先の脱落防止を図る。 （もっと読む）

【課題】立方晶窒化ホウ素焼結体の製造において、焼結助剤を使用せず、５ＧＰａ，１４００℃以上で焼結することにより、均質性、緻密性の高い高硬度立方晶窒化ホウ素焼結体を得る製造方法を提供すること。
【解決手段】メタリン酸ナトリウム水溶液中に立方晶窒化ホウ素原料粉末を分散させ、立方晶窒化ホウ素原料粉末中の二次粒子を解膠した後、この分散液を乾燥して水分を除去した後成形体を作製し、次いで、該成形体を真空中で加熱して残留するメタリン酸ナトリウム除去し、その後、該成形体を超臨界流体源、例えば、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル及びポリエチレンの１種または２種以上、とともに、５ＧＰａ以上かつ１４００℃以上の高圧高温条件下で焼結することによって、均質性、緻密性の高い高硬度立方晶窒化ホウ素焼結体を得る。 （もっと読む）