【課題】ＺｎＯ膜の成膜時にスプラッシュの発生を防止することができる、ＺｎＯ蒸着材を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ蒸着材は、ＺｎＯの多孔質焼結体からなり、その焼結体が０．２以上３．０％未満の気孔率とすることで、内部に存在するガスを著しく減少させることができ、０．１〜３００μｍの範囲の平均気孔径をとすることで、蒸発速度を高くすることが可能となり、製造コストを低減することができる。ＺｎＯ膜は、上記ＺｎＯ蒸着材を用いて形成される。 （もっと読む）

【課題】高温で高い熱電特性を示す新規な熱電変換材料を提供する。
【解決手段】本発明の熱電変換材料は、（Ｃａ_3-xＢｉ_x）（Ｃｏ_4-yＭ_y）Ｏ₉で表される酸化物を有するものである。ここで、ＭはＧａ，Ｆｅ，Ｔｉ及びＮｂのうちの１つ以上の元素であり、ｘは０＜ｘ≦０．３を満たし、ｙはＭがＧａ，Ｆｅ及びＴｉのうち１つ以上の元素である場合には０＜ｙ≦０．１５を満たし、ＭがＮｂである場合には０＜ｙ＜０．１を満たす。 （もっと読む）

【課題】アーキングの発生を回避しながら成膜速度のさらなる向上を図ることができるターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のターゲットは、ＺｎＯ及びＺｎ₂ＳｎＯ₄からなる。錫（Ｓｎ）及び亜鉛（Ｚｎ）の原子数比Ｚｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）が０．８１〜０．９４の範囲にある。ＺｎＯの平均粒径が２［μｍ］以上の範囲にある一方、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄の平均粒径が１４［μｍ］以下の範囲にある。ターゲットの体積抵抗率は１Ｅ−０１［Ωｃｍ］以下であり、気孔率は１．７％以下である。 （もっと読む）

【課題】水等の液体と接触しても崩壊しにくく、且つ十分な断熱性能を示す成形体、上記成形体が外被材に収容された被包体、上記成形体の製造方法並びに上記成型体及び／又は被包体を使用した断熱方法を提供する。
【解決手段】シリカを含み、細孔を有しており、細孔径が０．００３μｍ以上１５０μｍ以下である細孔の積算細孔容積Ｖ_{０．００３}に対する、細孔径が０．０５μｍ以上０．５μｍ以下である細孔の積算細孔容積Ｖの割合Ｒが７０％以上であり、細孔径が０．０５μｍ以上１５０μｍ以下である細孔の積算細孔容積Ｖ_０．０５が０．５ｍＬ／ｇ以上２ｍＬ／ｇ以下であり、３０℃における熱伝導率が０．０５Ｗ／ｍ・Ｋ以下である、成形体。 （もっと読む）

【課題】透明性及びガスバリア性に優れた薄膜の形成に好適なスパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに該ターゲットを用いた薄膜、該薄膜を備える薄膜シート、積層シートを提供する。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲットは、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）とを主成分とする焼結体からなり、焼結体の相対密度が９５％以上であり、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）のモル比が４０：６０〜９５：５であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】加工性と耐薬品性に優れ、原料コストや脱脂、焼成等の製造コストを低減できるアルミナ質焼結体を提供する。
【解決手段】アルミナ結晶１およびマンガンスピネル結晶２からなり、該マンガンスピネル結晶２の含有量が０．２〜５．０体積％であることにより、構造部材として必要な強度を有し、耐薬品性に優れるとともに、粒径の大きい安価なアルミナ原料を用いても低温における焼成が可能で加工性にも優れた、低コストで製造可能なアルミナ質焼結体。 （もっと読む）

【課題】広範囲な温度領域（例えば、−５５〜３５０℃）において比誘電率の変化率（例えば、ΔＣ／Ｃ＝±２２％以内）が小さく、３５０℃付近の高温領域に至るまでの諸特性に優れ、比誘電率が大きく、鉛を含有しないニオブ酸系の誘電体磁器組成物と、その誘電体磁器組成物を用いた電子部品を提供する。
【解決手段】一般式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３で表されるニオブ酸化合物と、ＢａＴｉＯ３表されるチタン酸バリウムとを含有する誘電体磁器組成物中に、ニオブ酸化合物領域とチタン酸バリウム領域とがそれぞれコンポジット構造を形成し、 [（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）_αＢａ_β]（Ｎｂ_αＴｉ_β）Ｏ_１２で表される固溶体の固溶体領域面積をＡ１、全体の領域面積をＡ２としたときに、Ａ１／Ａ２≦０．３５とする。 （もっと読む）

【課題】主成分として有害物質鉛元素を含まずに、強誘電性を示しかつ外部磁場によって分極の大きさを制御可能な新規なマンガン酸化物、およびそのメモリへの利用を提供する。
【解決手段】マンガン酸化物は、ペロブスカイト構造を有する、式（１）Ｓｒ_１−ｘＢａ_ｘＭｎＯ_３（１≧ｘ＞０．４）・・・（１）で表されるマンガン酸化物である。単位格子１の対称中心には磁性イオンであるＭｎイオン３が存在する。単位格子１の対称中心をＭｎサイトとする。単位格子１が有する８個の頂点には、ＳｒイオンおよびＢａイオンのうちいずれか一方が存在している。単位格子１が有する頂点をＳｒサイト２とする。単位格子１が有する６面の面心には、Ｏイオン４が存在する。 （もっと読む）

【課題】高純度にもかかわらず、加工効率が高く、加工中のカケやチッピングが少ないアルミナ質セラミックスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】アルミナ純度が９９．５重量％以上のアルミナ質セラミックスであって、長軸長さが１０μｍ以上で、アスペクト比が２以上のアルミナの異方性結晶粒子１０を６０％以上含む。アルミナ粒子の粒径は、大きくなるほど粒界の抵抗が少なくなるため、アルミナ粒子の長軸の長さが１０μｍ以上であることにより、加工効率が高くなる。また、アルミナ粒子のアスペクト比が２以上であるため、ある一定の向きＧに砥石が当たった際に破壊しやすい傾向が顕著に現れる。その結果、高純度にもかかわらず、加工効率が高く、加工中のカケやチッピングが少ないアルミナ質セラミックスが得られる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも抵抗値の低いＩｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ系酸化物導電膜を形成することができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】インジウム元素（Ｉｎ）、亜鉛元素（Ｚｎ）及び下記のＡ群から選択される少なくとも１つの元素（Ａ）を含有し、Ｉｎ、Ｚｎ及びＡの金属元素の組成（原子比）がＩｎ_ｘＺｎ_（1-ｘ）Ａ_ｙで表わされる酸化物からなり、ｘ及びｙが下記式（１）及び（２）を満たすスパッタリングターゲット。
Ａ群：Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｇａ、Ｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、ランタノイド
０．６８≦ ｘ ≦０．９５ （１）
０．０００１≦ ｙ ≦０．００４５ （２） （もっと読む）

【課題】スパッタリング用ターゲットとして好ましく使用され得る導電性酸化物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶質Ｉｎ₂Ｏ₃と、結晶質Ｇａ₂ＺｎＯ₄とを含む導電性酸化物であって、導電性酸化物において、Ｚｎの原子濃度比を１とした場合に、Ｉｎの原子濃度比が０．４以上１．８以下であり、かつ、Ｇａの原子濃度比が０．４以上１．８以下の導電性酸化物とし、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ酸化物のスパッタリング用のターゲットとして用いること。 （もっと読む）

【課題】圧縮時に崩壊や変形が生じにくく、崩壊することなく切断等の形状加工が可能であり、且つ断熱性を有する成形体、被包体、成形体の製造方法及び切削体の製造方法を提供する。
【解決手段】シリカとゲルマニウムとを含有し、ゲルマニウムの含有率が１０質量ｐｐｍ以上１０００質量ｐｐｍ以下であり、圧縮率０〜５％における最大荷重が０．７ＭＰａ以上であり、３０℃における熱伝導率が０．０５Ｗ／ｍ・Ｋ以下である、成形体。 （もっと読む）

【課題】新規な非シリコン系半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）が０．００１〜０．１２であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が８０原子％以上であり、Ｉｎ_２Ｏ_３のビックスバイト構造を有する酸化物薄膜を用いることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】圧粉焼結体の製造工程における変形を抑制し、材料歩留まりの向上や製造工程の簡略を可能とする、圧粉焼結体の作製方法及び圧粉成形体を提供する。
【解決手段】粉体材を加圧して成形した圧粉成形体を、焼結して圧粉焼結体を作製する方法であって、前記圧粉成形体が、プレス成形処理後、さらに１００ＭＰａより低い圧力で等方圧プレス処理を行ったものである圧粉焼結体の作製方法、粉体材を加圧して成形され、焼結によって圧粉焼結体を成す、圧粉成形体であって、焼結前の密度が１．４６ｇ／ｃｍ^３より大きく且つ１．６７ｇ／ｃｍ^３より小さい圧粉成形体、並びに、粉体材を加圧して成形され、焼結によって圧粉焼結体を成す、圧粉成形体であって、焼結前において、理論密度に対する密度の割合（密度／理論密度×１００％）が４８．５％より大きく且つ５５．７％より小さい圧粉成形体。 （もっと読む）

【課題】圧電性能が良好な（１−ｘ）ＮａＮｂＯ_３−ｘＢａＴｉＯ_３の配向性圧電セラミックスを提供する。また本発明は、前記（１−ｘ）ＮａＮｂＯ_３−ｘＢａＴｉＯ_３の配向性圧電セラミックスを用いた圧電素子、ならびに前記圧電素子を用いた液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表わされる金属酸化物を主成分として含み、鉛とカリウムの含有量は各々１０００ｐｐｍ以下であることを特徴とする配向性圧電セラミックス一般式（１） （１−ｘ）ＮａＮｂＯ_３−ｘＢａＴｉＯ_３（式中、 ０ ＜ ｘ ＜ ０．３）。 （もっと読む）

【課題】焼結後の冷却時における割れの発生を抑制することができる酸化物スパッタリングターゲット及びその製造方法並びにこれに用いる緩衝粉を提供すること。
【解決手段】焼結後の冷却時に膨張する金属酸化物粉を含む圧粉体を形成する工程と、該圧粉体を型内に配置し該型内の前記圧粉体の外周に緩衝粉を充填した状態で熱間加工して酸化物スパッタリングターゲットとなる酸化物焼結体４を作製する工程とを有し、緩衝粉３を、熱間加工時の加熱により焼結すると共に焼結後の冷却時に酸化物焼結体４の膨張により緩衝粉３による焼結体が割れる粉末とする。 （もっと読む）

【課題】焼成によって正極活物質を製造する間に原料から拡散するリチウム成分に対する耐食性が高い窯道具を提供すること。
【解決手段】本発明のリチウム二次電池の正極活物質製造用の窯道具は、βスポジュメンを含むセラミック素材からなる。窯道具におけるＬｉ₂Ｏの含有割合は１〜１２質量％であり、Ａｌ₂Ｏ₃の含有割合は１５〜４０質量％であり、ＳｉＯ₂の含有割合は５５〜７５質量％であることが好適である。窯道具におけるＮａ₂Ｏの含有割合が１質量％以下であり、Ｋ₂Ｏの含有割合が２質量％以下であり、かつ両者の総和が３質量％以下であることも好適である。 （もっと読む）

【課題】 歪みが小さい多結晶シリコン焼結体を、複数枚同時に製造することを可能とする多結晶シリコン焼結体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 シリコン粉末および成形助剤の混合粉を成形してなる複数の板状成形体を積層配置すること、前記積層配置した成形体の最上部に荷重をかけること、および前記積層配置し、荷重をかけられた成形体を、非酸化性雰囲気下もしくは還元性雰囲気下で焼成処理することを具備することを特徴とする多結晶シリコン焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法を用いて酸化物半導体膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し、酸化物半導体膜を安定かつ再現性よく得ることができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ、及びＡｌの割合が下記式（１）及び（２）の原子比となるように原料化合物を混合後、成形体とする工程、及び、前記成形体を、８００℃から焼結温度までの温度範囲を０．１℃／分〜２℃／分の昇温速度で昇温した後、１４５０℃〜１６５０℃に１０〜５０時間保持することにより焼結する工程を含むことを特徴とする焼結体の製造方法。
Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ａｌ）＝０．０１〜０．０８ （１）
Ａｌ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ａｌ）＝０．０００１〜０．０３ （２） （もっと読む）

【課題】 熱処理される原料粉末を汚染することが抑えられ、かつ耐熱衝撃性に優れたリチウムイオン電池用正極活物質用熱処理容器を提供すること。
【解決手段】 本発明のリチウムイオン電池用正極活物質用熱処理容器は、リチウムイオン電池用正極活物質の原料粉末を熱処理するときに原料粉末が配されるリチウムイオン電池用正極活物質用熱処理容器において、全体を１００ｍａｓｓ％としたときに、６０〜９５ｍａｓｓ％でアルミナと、１０〜２０ｍａｓｓ％でシリカと、を含有するとともに、ＭｇＯ，ＺｒＯ_２，Ｌｉ化合物を含まず、かつ熱膨張率が０．５８４〜０．６５９％であることを特徴とする。 （もっと読む）