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Fターム[4G146AD26]の内容

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Fターム[4G146AD26]に分類される特許

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【課題】本発明は、熱音響装置に関し、特にグラフェンを利用した熱音響装置に関するものである。
【解決手段】本発明の熱音響装置は、音波発生器と、発熱器と、を含む。前記発熱器は、前記音波発生器の一つの表面に設置される。前記音波発生器は、グラフェン−カーボンナノチューブ複合構造体からなる。前記グラフェン−カーボンナノチューブ複合構造体は、グラフェン構造体及びカーボンナノチューブ構造体からなり、前記グラフェン構造体が前記カーボンナノチューブ構造体に被覆される。前記カーボンナノチューブ複合構造体における複数のカーボンナノチューブの面積と複数の微孔の面積との比が1:1000〜1:10である。前記発熱器は、前記音波発生器にエネルギーを提供し、前記音波発生器から熱を発生させる。 (もっと読む)


【課題】グラフェン‐カーボンナノチューブ複合構造体を提供する。
【解決手段】本発明のグラフェン‐カーボンナノチューブ複合構造体は、グラフェン構造体及びカーボンナノチューブ構造体からなる。前記カーボンナノチューブ構造体は、複数の微孔を有し、分子間力で長軸方向の端と端が接続された複数のカーボンナノチューブからなる。前記カーボンナノチューブ構造体における複数のカーボンナノチューブの面積と前記複数の微孔の面積との比は1:1000〜1:10である。前記グラフェン構造体は、前記複数の微孔を被覆する。 (もっと読む)


【課題】小径で長尺な筒状の基材であっても、基材の内面を均一厚みのDLC膜で被覆することができる被覆部材の製造方法を提供すること。
【解決手段】プラズマCVD装置1は、直流パルスプラズマCVD法により被覆部材を製造するためのものである。被覆部材の製造時には、円筒状の基材200は、処理室3内で宙吊りにされる。宙吊り状態の基材200は、その軸線Cが水平方向に延びるような姿勢にされている。プラズマ電源8をオンすることにより、隔壁2と基台5との間に直流パルス電圧を印加してプラズマを発生させる。このプラズマの発生により、処理室3内において原料ガスがプラズマ化し、基材200の内周面および外周面にDLC膜が堆積される。 (もっと読む)


【課題】導電性薄膜を有する導電体及びアクチュエータ素子を安価な材料を用い、アクチュエータの高速応答性や伸縮率及び発生力を改善すること。
【解決手段】空気中あるいは真空中で柔軟に作動することができるアクチュエータ素子は、イオン伝導層1の表面に相互に絶縁状態で形成された導電性薄膜層2,2に電位差がかかると、導電性薄膜層2,2内のカーボンナノチューブ相とイオン液体相の界面に電気二重層が形成され、それによる界面応力によって、導電性薄膜層2,2が伸縮する。 (もっと読む)


【課題】 既存の問題点であるアルミニウムと炭素材料の接合に関する問題を解決し、電気アーク又は電気化学的方法を用いて、重さが軽く力学的強度に優れた炭素材料−アルミニウム複合体を製造した。
【解決手段】 本発明は、電気化学的方法を用いてアルミニウム−炭素材料のAl−C共有結合を形成する方法を提供する。上記方法は、陽極と、炭素材料の連結された陰極とで構成され、電解液で満たされた電気化学装置に電位を印加して、陰極に連結された炭素材料の表面をアルミニウムでメッキする段階を含むことができる。更に、本発明は、上記電気化学装置に電位を印加し炭素材料の表面をアルミニウムでメッキして共有結合を形成したアルミニウム−炭素材料複合体を製造する方法、及び上記方法により製造されたアルミニウム−炭素材料複合体を提供する。 (もっと読む)


【課題】極めて電気抵抗の低いホウ素ドープ導電性ダイヤモンドライクカーボン薄膜の製造方法及び金属基板上に薄膜を一体構成した電極材料を提供する。
【解決手段】炭素源として炭化水素を、ホウ素源として有機ホウ素化合物を用い、反応調整ガスとしてアルゴンガスを混在させ、高周波プラズマCVDにより基板上にホウ素ドープダイヤモンドライクカーボンを形成させる。 (もっと読む)


【課題】緻密かつ変形のない、極めて灰分濃度の低い高純度の炭素材料を、経済的に得ることができる炭素材料の製造方法を提供する。
【解決手段】鉄または非鉄金属精錬用の還元用炭素材、構造用炭素材、電気材料用炭素材、または、これらの原料として用いる炭素材料の製造方法であって、溶剤を用いて石炭を改質して、改質炭である無灰炭を製造する無灰炭製造工程S1と、無灰炭製造工程S1で製造された無灰炭を加熱処理して、揮発分(VM)が40質量%以下である改質無灰炭を製造する無灰炭加熱工程S2と、無灰炭加熱工程S2で製造された改質無灰炭を成形原料の主成分として、この改質無灰炭を成形して見掛比重0.9g/cm以上の成形体を製造する成形工程S3と、成形工程S3で製造された成形体を炭素化処理して炭素材料とする炭素化工程S4と、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】炭素系被膜の有する長所を活かしつつ、相手攻撃性を小さくした炭素系被膜を有する被膜付き基材を提供する。
【解決手段】被膜付き基材は、基材と、基材表面を覆う炭素系ナノ材料の積層構造被膜とを備える。炭素系ナノ材料は、カーボンナノチューブ、グラフェン、フラーレン、カーボンブラックおよびケッチェンブラックからなる群から選ばれたものである。 (もっと読む)


【課題】単位質量当たりに導入可能な官能基の量に優れたナノカーボンを提供すること。
【解決手段】触媒支援化学的気相成長法において、マグネシウム、カルシウム及びアルミニウムからなる第1の金属群から選ばれる少なくとも1種以上の金属の酸化物と、ニッケル、鉄及びコバルトからなる第2の金属群から選ばれる少なくとも1種以上の金属の酸化物とを、特定の割合で含有する多孔質複合金属酸化物を触媒として用いる。 (もっと読む)


【課題】切削工具、耐磨工具等の機械的用途、及び半導体材料、電子部品、光学部品等の機能品用途に適したダイヤモンド単結晶及びその製造方法の提供。
【解決手段】結晶全体にわたり、波数1332cm−1(波長7.5μm)のピーク吸収係数が0.05cm−1以上10cm−1以下である化学気相合成法により得られたダイヤモンド単結晶であり、この単結晶は化学気相合成時の気相における元素の組成比率を、水素原子に対する炭素原子濃度が2%以上10%以下かつ、炭素原子に対する窒素原子濃度が0.1%以上6%以下かつ、炭素原子に対する酸素原子濃度が0.1%以上5%以下とすることによって得られる。 (もっと読む)


【課題】結晶欠陥及び触媒金属の含有量が少なく、所望の優れた特性を有するCNT集合体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】化学気相合成法によって、基板表面にCNT垂直配向膜を形成し、そのCNT垂直配向膜からCNT集合体を製造する方法において、基板上にCNT垂直配向膜を形成した後に、酸素プラズマエッチングによって、CNT垂直配向膜の上部を除去する。これにより、結晶欠陥を多く含むCNT部分や、CNT垂直配向膜の上部に付着した触媒金属を、効果的に除去できる。 (もっと読む)


【課題】非晶質炭素被膜が形成された摺動部材において、これまでに比べてより低い摩擦係数を確保することができる摺動部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材の摺動面に、珪素及び窒素を含有した非晶質炭素被膜が形成された摺動部材である。摺動部材の非晶質炭素被膜は、珪素原子の含有量/炭素原子の含有量の原子比が、0.1以上であり、窒素原子の含有量/炭素原子の含有量の原子比(N/C比)が、0.1〜0.25の範囲にある。 (もっと読む)


【課題】簡易な装置を用いて有機系爆薬からダイヤモンドを容易に効率よく合成する方法を提供する。
【解決手段】耐圧性の容器中で、爆薬を爆発させることによりダイヤモンドを製造する方法であって、前記爆薬を氷で覆った状態で爆発させる工程を有することを特徴とするダイヤモンド製造方法。 (もっと読む)


【課題】本発明は、粒径ナノメーター単位のUDDが、経時での分散状態に変化がなく、高速攪拌された状況などの外的ショックがあっても粒子の凝集が起こりにくい分散体を提供することを目的とするものである。
【解決手段】ダイヤモンド構造を有する微粒子と、ビスフェノールスルホン酸ポリマーと媒体とを含む分散体。媒体が、有機溶媒または水である請求項1記載の分散体。ダイヤモンド構造を有する微粒子が、レーザー光回折・散乱を測定原理とした粒度分布計で測定したときの、メジアン径が、4〜100nmであるである分散体。
ビスフェノールスルホン酸ポリマーが、一般式(1)で表される構造単位と、一般式(2)で表される構造単位とを有するポリマーである分散体。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイス用基板として有用な大面積でかつ歪が少ない高品質単結晶ダイヤモンドを安定して得ることを目的とする。
【解決手段】1主面から2つの互いに直交する直線偏光の合成とみなされる直線偏光を照射して、対面の主面から出射した2つの互いに直交する直線偏光の位相差が、試料全体にわたり、試料厚さ100μmあたり最大50nm以下であることを特徴とする気相合成法により成長された単結晶ダイヤモンドである。 (もっと読む)


【課題】ナノファイバーの糸、リボン、およびシートに関するものであって;前記糸、リボン、およびシートを製造する方法;そして前記糸、リボン、およびシートの応用を提供すること。
【解決手段】幾つかの実施形態において、ナノチューブの糸、リボンおよびシートはカーボンナノチューブを含む。詳細には、本発明のその様なカーボンナノチューブは以下の様な独特な特性および特性の組み合わせを提供する。例えば、極度の靭性、ノットにおける破損に対する耐性、高レベルの電気および熱伝導性、可逆的に出現する高いエネルギー吸収性、破損歪みが同様な靭性を有するその他のファイバーにおける数%と比較して13%まであること、クリープに対する耐性が非常に高いこと、空気中で450℃にて1時間加熱した場合でさえも強度を保持すること、および空気中で照射された時でさえも非常に高い放射線耐性およびUV耐性などである。 (もっと読む)


【課題】低コストで調製でき、ナノカーボンを高濃度に孤立分散させることができるナノカーボン水分散体及びその製造方法を提供することを目的とする。また、当該ナノカーボン水分散体から水を除去して得られる、電気伝導性の高いナノカーボン含有構造体を提供することを目的とする。
【解決手段】9,9−ビス(置換アリール)フルオレン骨格を有する水溶性化合物、ナノカーボン及び水性溶媒を含有することを特徴とするナノカーボン水分散体。 (もっと読む)


【課題】狭小な分布の直径を有するカーボン単層ナノチューブの制御可能な合成のための方法及びプロセスを提供する。
【解決手段】超伝導量子干渉デバイス(SQUID)磁力計が、担体物質に分散された金属触媒の粒径を求めるために用いられ、この方法により求められた、担体物質に分散された状態での平均直径が2nm未満である金属触媒と炭素前駆体ガスとを接触させることにより、狭い直径分布を有する単壁カーボンナノチューブが得られる。 (もっと読む)


【課題】 端構造を原子スケールで形成・制御可能なグラフェンの加工方法を提供する。
【解決手段】本発明のグラフェンの製造方法では、グラフェン層に酸素原子を吸着させ、グラフェンの吸着・拡散異方性を利用して、酸素原子を炭素結合間に列状に配列させ、拡散させることによりエーテル結合を形成させ、エーテル結合を開裂させて、端部を形成する。 (もっと読む)


【課題】保護膜の膜厚を薄くしつつ、耐久性および耐食性を向上させると同時に潤滑膜に対する保護膜表面の結合力を増加させる。さらに、該保護膜を備えた良好な電磁変換特性を有する磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】磁気記録媒体のための保護膜であって、該保護膜がフッ素と窒素とを含んでいることを特徴とする保護膜である。磁気記録媒体のための保護膜を製造する方法であって、基体と該基体上に形成される金属膜層とを含む積層体の上に該保護膜を形成する工程と、フッ素含有ガスおよび窒素含有ガス中で該保護膜をプラズマ処理する工程とを含むことを特徴とする方法である。 (もっと読む)


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