【課題】実装される素子の熱膨張率に合致した低熱膨張率を有する配線基板であって、且つ低温環境下の使用に際してコア層の剥離、クラックの発生を防止することが可能な配線基板を提供する。
【解決手段】本発明に係る配線基板は、コア層と配線層とが積層されて構成される配線基板において、前記配線層は、前記コア層よりも面方向の外形寸法が一回り小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】応力緩和絶縁層のために基板全体の反り、捻れなどを防止できる、信頼性に優れる多層印刷回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る多層印刷回路基板の製造方法は、外層回路を備え、−６０℃〜１５０℃での熱膨張係数が１０〜２０ｐｐｍ／℃のコア基板を提供するステップと、コア基板の両外側に熱膨張係数が−２０〜６ｐｐｍ／℃の応力緩和絶縁層を積層するステップと、絶縁層上に金属層を形成した後にパッドを形成し、前記パッドと前記外層回路とを電気的に接続させるステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】冷熱サイクル試験等の熱衝撃試験により、導体回路層の剥離やクラックが発生しない低熱膨張性、高温、多湿の環境下においても高い絶縁信頼性、及び高い難燃性を有し、さらに高密度、高多層成形の積層板の作製を可能とする絶縁樹脂組成物と、これを用いたプリプレグ、積層板、及び半導体装置を提供するものである。
【解決手段】 プリプレグを形成するために用いる絶縁樹脂組成物であって、前記絶縁樹脂組成物の硬化物の線膨張係数が、２５℃において６ｐｐｍ／℃以上６０ｐｐｍ／℃以下であり、（ａ）金属イオン性不純物の濃度が５００ｐｐｍ以下である金属水酸化物、（ｂ）ノボラック型エポキシ樹脂を含み、かつ、実質的にハロゲン化されていないエポキシ樹脂、（ｃ）紫外線吸収剤、（ｄ）硬化剤を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

相互接続エレメント（１０）のコンタクトを形成する方法を提供する。本方法は、（ａ）導電性エレメント（１６）を、多重配線層を有する相互接続エレメント（１０）に接合する工程と、（ｂ）導電性エレメント（１６）をパタン形成して導電性ピン（２０）を形成する工程と、（ｃ）導電性ピン（２０）を相互接続エレメント（１０）の導電性部位と電気的に相互接続する工程とを含む。露出したピン・インタフェースを有する多重配線層相互接続エレメント（１０）も提供する。本エレメントは、少なくとも１つの誘電体層（２４）で分離された多重配線層を有する相互接続エレメント（１０）であって、前記多重配線層は相互接続エレメント（１０）の第１の表面に露出した複数の導電性部位を含むものであり、相互接続エレメント（１０）の第１の表面から離れる方向に突出する複数の導電性ピン（２０）と、これらの導電性部位を導電性ピン（２０）と電気的に相互接続する金属トレース（２２）とを備える。
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【課題】１０００℃以下の低温で焼成することができ、ＡｇやＣｕとの共焼結が可能であり、誘電率が低く、Ｑ値が高く、高周波用途に適した焼結体を得ることを可能とする絶縁体セラミック組成物の提供。
【解決手段】スピネル（ＭｇＡｌ₂Ｏ₄）を含むセラミック粉末と、酸化ケイ素をＳｉＯ₂換算で３０〜６０モル％および酸化マグネシウムをＭｇＯ換算で２０〜５５モル％含むガラス粉末と、を含有する絶縁体セラミック組成物であって、絶縁体セラミック組成物はさらにセラミック粉末中に、酸化チタン、酸化銅を含有し、ガラス粉末には、酸化ホウ素、ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯおよびＺｎＯからなる群から選択された少なくとも１種の酸化物、酸化アルミニウム、Ｌｉ₂Ｏ，Ｋ₂ＯおよびＮａ₂Ｏからなる群から選択された少なくとも１種のアルカリ金属酸化物が、添加物として添加される場合には一定量以下添加されていることを特徴とする絶縁体セラミック組成物。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子部品が搭載されるプリント配線板等に関し、十分な半田上がりを生じさせる。
【解決手段】プリント配線板１０Ａの表面又は内部に広がり、回路動作時に同電位に保持される複数層の導電パターン１０１，１０２，１０３，１０４と、針金状の接続端子であるリード線２１を有する電子部品２０の該リード線２１が挿入されるスルーホール１１とを有し、スルーホール１１のうちの少なくとも１つの第１のスルーホール１１が、第１のスルーホール11の内壁面に、上記複数層の導体パターン１０１，１０２，１０３，１０４のうちの一部の層の導体パターン１０１のみと直接に接続されてなる導体膜１１１を有する。 （もっと読む）

【課題】 初期状態及び経時後（例えばＰＣＴ後）において表面導体の接着強度を十分に確保し、信頼性の高い多層セラミック基板を提供する。
【解決手段】 複数のセラミックス基板層２１〜２４が積層された積層体２の少なくとも一方の表面に表面導体５を有する多層セラミックス基板１である。セラミックス基板層２１，２４中のセラミックス成分と表面導体５中のガラス成分とが反応することにより形成された反応相がセラミックス基板層２１，２４と表面導体５の界面に析出している。例えばセラミックス基板層中のアルミナフィラーと表面導体中のＺｎが反応して、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４が反応相として形成される。 （もっと読む）

【課題】基板表面に半導体素子などをフリップチップ実装する場合においても優れた実装性と実装信頼性を具備するとともに、接続信頼性に優れた電気素子内蔵配線基板を得る。
【解決手段】有機材料により形成された複数の絶縁層１ａ、１ｂと、絶縁層の表面に形成される配線導体８、９と、配線導体と電気的に接続され、絶縁層を厚み方向に貫通するビアホール導体１０、１１、１７とを有する絶縁基板１と、複数の誘電体層と内部電極とを積層してなる積層体の上面に、内部電極に電気的に接続された外部電極を有するセラミックコンデンサ３とを備え、絶縁基板の絶縁層に設けたキャビティ内に、セラミックコンデンサをその上面が、絶縁層の主面と略同一面上に位置するように配置させるとともに、セラミックコンデンサの外部電極を該外部電極上に位置するビアホール導体と接続させたことを特徴とする電気素子内蔵配線基板。 （もっと読む）

【課題】電子部品実装後にはんだ接合部の断線が発生しにくい多層配線板及びはんだ接合部の断線が発生しにくい半導体装置パッケージを提供する。
【解決手段】本発明の多層配線板１は、銅を含有して形成された導体層３が２層もしくはそれ以上、絶縁基板２と交互に積層されて、上面に電子部品が実装される多層配線板であって、少なくとも１つの導体層３の一部に、該導体層３の他の部分よりも剛性が低い柔軟部７が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】現在の製造手順に適応可能であり、本明細書に定義される該新しい絶縁層を活用し、そのさらに簡略化された使用によって確立され、それによってコストが削減された製品を生じさせる、回路基板を提供すること。
【解決手段】
ハロゲンフリー樹脂及びその中で分散されているファイバから構成される第１の絶縁層と、ファイバは含まないが、その中に無機粒子とともにハロゲンフリー樹脂も含む第２の絶縁層とを備える複合層を含むこと。 （もっと読む）

【課題】誘電率、誘電正接、熱膨張率をいずれも小さくすることができると共に、絶縁信頼性を高く得ることができる低誘電樹脂組成物を提供する。
【解決手段】シェル及び中空部からなる中空粒子と熱硬化性樹脂とを含有する低誘電樹脂組成物に関する。中空粒子として、シェル全体の９８質量％以上がシリカで形成されており、平均空隙率が３０〜８０体積％であり、かつ平均粒径が０．１〜２０μｍであるものを用いる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の実装領域において、リフロー時の表面絶縁樹脂層の反りを防止し得るプリント配線板を提供する。
【解決手段】コア基板１１の両面に導体配線層１２，１４ａ，１４ｂと層間絶縁樹脂層１３とが交互に積層されるとともに、最表面の導体配線層上が表面絶縁樹脂層１６により覆われてなる多層プリント配線板１であって、半導体装置の実装領域１０内で、当該半導体装置の外部電極と接合される導体ランド１４ａを除いた当該半導体装置直下の領域において、上記層間絶縁樹脂層１３上に形成された表面絶縁樹脂層１６を方形状に除去して、中央に除去部１７を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】仮基板の上に剥離できる状態でビルドアップ配線層を形成する配線基板の製造方法において、何ら不具合が発生することなく、信頼性よく低コストで製造できる方法を提供する。
【解決手段】プリプレグ１０ａ上の配線形成領域Ａに下地層１２ａが配置され、下地層１２ａより大きな金属箔１２ｂが配線形成領域Ａの外周部Ｂに接するように、下地層１２ａを介して金属箔１２ｂをプリプレグ１０ａ上に配置し、加熱・加圧によってプリプレグ１０ａを硬化させることにより、仮基板１０を得ると同時に、仮基板１０に金属箔１２ｂを接着する。その後に、金属箔１２ａの上にビルドアップ配線層を形成し、その構造体の下地層１２ａの周縁部分を切断することにより、前記仮基板１０から金属箔１２ｂを分離して、金属箔１２ｂの上にビルドアップ配線層が形成された配線部材３０を得る。 （もっと読む）

【課題】大電流を要する場合に対応でき、耐電圧性に優れているとともに、金属回路基板化することにより、コストを低減させるばかりでなく、実装スペースを半減し、かつ、実装を容易にできる高電流用金属回路基板を提供することにある。
【解決手段】合成樹脂製コア部材１の切欠き部２に金属回路３を嵌入し、合成樹脂製コア部材１及び金属回路３を合成樹脂４で被覆し、合成樹脂４の上面及び又は下面に金属回路５を形成し、所望の位置にめっきスルーホール６を穿設するが、前記金属回路３を単数層もしくは複数層に形成することができるし、前記金属回路５を設けないこともできる。 （もっと読む）

【課題】 低熱膨張率化を図ることができる高性能の配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 単繊維４ａは、基板の厚み方向に対して垂直な方向の幅が、単繊維４ａが交差していない非交差領域よりも単繊維４ａが交差する交差領域７の方で広く設定される。 （もっと読む）

【課題】 無機充填材の分散性に優れる硬化性樹脂組成物、ならびに該組成物を成形してなる成形物、該成形物を硬化してなる機械的な強度が高く耐冷熱衝撃性に優れた硬化物、該硬化物からなる電気絶縁層を有する積層体および多層プリント配線板を提供する。
【解決手段】 カルボキシル基または酸無水物基を有する重合体（Ａ）、ハロゲン含有多価エポキシ化合物、シリカ粒子、およびアンチモン化合物粒子を含有する硬化性樹脂組成物であって、前記シリカ粒子およびアンチモン化合物粒子がシランカップリング剤で表面処理されてなるものである硬化性樹脂組成物、ならびに該組成物を成形してなる成形物を用いる。該成形物を硬化して硬化物を得、該硬化物からなる電気絶縁層を形成して積層体および多層プリント配線板を得る。 （もっと読む）

【課題】電子回路基板に用いられる銅張積層板や電子部品に用いられる封止材・成形材・注型材・接着剤・電気絶縁塗料用材料に適した、耐熱性、難燃性に優れ、且つハロゲン系難燃剤を使用していない難燃性樹脂組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】
【化１】


（Ｒ₁：-CH₂-、-C(CH₃)₂-、-C(CF₃)₂-、-CH(CH₃)-、-O-、-S-、又は直接結合Ｒ₂，Ｒ₃：-H、-CH₃、-C₂H₅、又は-CF₃で示されるシアネート化合物及び／又はそれを原料としたプレポリマー（ａ）、多官能エポキシ樹脂（ｂ）、グアニジン化合物（ｃ）を含有し、（ｂ）成分の含有割合が４〜５０重量％重量％であることを特徴とする難燃性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 絶縁層の厚み寸法が小さくても、マイグレーションによる絶縁不良を防ぐことができる配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁層２と配線層３とが交互に積層されて、配線基板１が構成される。絶縁層２は、ガラスセラミック焼結体から成る。絶縁層２は、ガラス粉末およびセラミック粉末を含有する成形体を焼成し、焼成中に前記ガラス粉末から少なくとも１種の結晶相を析出させることによって、得られる。絶縁層２は、内部に存在するボイドの最大径が、２μｍ以上４μｍ以下であり、断面におけるボイド面積占有率が、１．０％以上２．５％以下である。 （もっと読む）

【課題】セラミック多層基板等の焼結体を製造するのに際して、焼結体の反りを抑制し、焼成収縮率のバラツキを低減し、寸法精度の高い焼結体を提供する。
【解決手段】被焼成体５を焼成して焼結体を製造する。バインダーを含有しており、かつ被焼成体５が焼結する温度で焼結しないセラミック組成物体２Ａ、２Ｂを、被焼成体５の表面の一部を被覆するように配置し、セラミック組成物体２Ａ、２Ｂ上に、被焼成体５の焼結温度で安定な材質からなる板状体６Ａ、６Ｂを設置する。次いで、被焼成体５を焼成する。 （もっと読む）

【課題】少なくとも１種の半導体ＩＣチップなどの能動部品が内蔵された部品内蔵多層基板において、異種材料の積層による歪みや部品の回路との剥がれを防止する。
【解決手段】基板絶縁材上に形成された回路を有する回路基板が多層積層された積層体の内部に、半導体ＩＣチップ９、１０などの能動部品の少なくとも１種の部品が内蔵された部品内蔵多層基板で、部品が接続される回路が形成された基板絶縁材４、６が、１００℃から３５０℃における線膨張係数の平均値（ＣＴＥ）が−５（ｐｐｍ／℃）〜＋２０（ｐｐｍ／℃）の範囲にある芳香族ジアミン類と芳香族テトラカルボン酸類との反応によって得られるポリイミドフィルム、特に、ベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン類と芳香族テトラカルボン酸類との反応によって得られるポリイミドフィルムであることを特徴とする部品内蔵多層基板。 （もっと読む）