【課題】 絶縁基体と内部電極層との間のセパレーションを防止できるプローブカード用セラミック配線基板とこれを用いたプローブカードを提供する。
【解決手段】 ムライト粒子を主結晶粒子とする焼結体からなる絶縁基体の内部に、銅を４０〜６０体積％と、タングステンまたはモリブデンの少なくとも一方を４０〜６０体積％とを含有する内部配線層を備えている配線基板であって、前記内部電極層の周囲に存在する前記主結晶粒子として、アルミナが多く含まれているムライト粒子を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】絶縁層の上下面の複数の配線導体を電気的に接続する貫通導体が貫通孔の内側面から剥がれることを抑制することが可能な配線基板を提供する。
【解決手段】セラミック焼結体からなり、厚み方向に貫通する貫通孔３を有する絶縁板１と、貫通孔３内に充填された貫通導体２とを備える配線基板であって、貫通孔３の内側面と貫通導体２の側面との間に、内部に空隙４ａを含んだ焼結体からなる緩衝層４が介在している配線基板である。貫通導体２の熱膨張を、空隙４ａを含んだ緩衝層４の変形によって吸収することができるため、貫通導体２の長さ方向の膨張を抑制して、貫通導体２の絶縁板１からの突出を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】温度サイクルに対する接続信頼性が高い配線基板及び半導体装置、並びに配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１において、複数の配線層が積層されたパッケージ基板２を設け、このパッケージ基板２の最上層の配線層にマトリクス状に複数の搭載パッド５を設け、この搭載パッド５にハンダバンプ７を接続する。また、ハンダバンプ７を介して、パッケージ基板２上に半導体チップ９を搭載する。そして、パッケージ基板２の最上層の配線層を、反応型エラストマーと、エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂用硬化剤と、を含有する、１０乃至３０℃の温度範囲におけるヤング率が１ＧＰａ以下の材料により形成するとともに、反応型エラストマーを、低シアネート基ポリアミドエラストマーで構成する。 （もっと読む）

【課題】熱膨張率の差による製品の反りや捩れを防止する。
【解決手段】基材２の面部２Ａを表裏に貫通する配線用スルーホール５Ａを備え、基材２と異なる熱膨張率の絶縁材料６Ｂを使用した配線用スルーホール部位５と、基材２の面部２Ａに形成した下孔６Ａを備え、当該下孔６Ａに絶縁材料６Ｂを充填して形成する熱膨張調整部位６とを有し、基材２の面部２Ａに区画したセル２０内の縦横方向の熱膨張率の差が最小限となるように、当該セル２０内の配線用スルーホール部位５の配置位置に応じて、当該セル２０内に熱膨張調整部位６を配置した。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップや母基板との接続部分におけるクラックの発生を防止することにより、信頼性を向上させることができる多層配線基板を提供すること。
【解決手段】多層配線基板１０は、樹脂絶縁層２１〜２７及び導体層２８を交互に積層して多層化した積層構造体３０を有する。樹脂絶縁層２１〜２７は、第１の樹脂絶縁層２１，２５，２７と、第１の樹脂絶縁層２１，２５，２７よりも多量の無機材料２９を含有しかつ熱膨張係数が小さい第２の樹脂絶縁層２２〜２４，２６とを含んでいる。そして、積層構造体３０を厚さ方向に切断した切断面において、領域Ａ２に占める第２の樹脂絶縁層２２，２３，２４の厚さの比率が、領域Ａ１に占める第２の樹脂絶縁層２４，２６の厚さの比率よりも大きくなっている。なお積層構造体３０には、第２主面３２側が凸となる反りが生じている。 （もっと読む）

【課題】 寸法安定性に優れる硬化物が得られ、しかも低温溶融性にも優れる絶縁層が得られる熱硬化型樹脂組成物と、絶縁層を得るための層間接着フィルムを提供すること。
【解決手段】 ビフェニル骨格の含有率が２０〜４５質量％で、且つ、対数粘度が０．２〜０．８ｄｌ／ｇであるポリイミド樹脂（Ａ）と、エポキシ樹脂（Ｂ）とを含有することを特徴とする熱硬化性樹脂組成物、前記熱硬化性樹脂組成物を、キャリアフィルム上に塗布・乾燥させて得られることを特徴とするプリント配線板用層間接着フィルム。 （もっと読む）

【課題】層間剥離の進展を抑制できる部品内蔵配線基板を提供する。
【解決手段】複数の樹脂層を積層し一体化してなる絶縁基材と、絶縁基材に埋設された電子部品と、絶縁基材に配置された金属部材としての、導体パターン、絶縁層を貫通する層間接続体、及び外部接続用の電極と、を備え、導体パターン及び層間接続体により、電子部品の電極と外部接続用の電極とを電気的に接続する配線部が構成され、電子部品がフリップチップ実装されて電子部品の一面に形成された電極が、該電極に対向配置された導体パターンに電気的且つ機械的に接続された部品内蔵配線基板であって、絶縁基材には、樹脂層の積層方向において、少なくとも電子部品に並設された第１樹脂層全て及び電子部品のフリップチップ実装面側において第１樹脂層に隣接する第２樹脂層を一体的に貫通しつつ、積層方向に垂直な平面において電子部品を取り囲むように、貫通部材が配置されている。 （もっと読む）

【課題】放熱特性を維持しながら、発熱素子より発生した熱から熱脆弱素子を保護することのできる放熱基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】コア金属層１１１及びコア金属層１１１に形成されるコア絶縁層１１２を含み、第１領域と第２領域とに区分されたコア層１１０、コア層１１０の第１領域に形成される回路層１２０、及びコア層１１０の第２領域に形成され、ビルドアップ絶縁層１３１及びビルドアップ回路層１３２を含むビルドアップ層１３０を含むことを特徴として、回路層１２０に発熱素子１５０を実装してビルドアップ層１３０に熱脆弱素子１５１を実装して、発熱素子１５０から発生する熱によって、熱脆弱素子１５１が損傷されることを防止する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、電子部品との接続信頼性を向上させる要求に応える配線基板およびその実装構造体を提供するものである。
【解決手段】
本発明の一形態にかかる配線基板３は、基体１１と、該基体１１の上面側のみに積層された複数の絶縁層１４と、基体１１の下面に部分的に形成された第１接続パッド７ａと、基体１１と該基体１１に隣接する絶縁層１４との間に部分的に形成された第１導電層１０ａと、隣接した絶縁層１４同士の間に部分的に形成された第２導電層１０ｂと、最上層に位置する絶縁層１４の上面に部分的に形成された第２接続パッド７ｂと、を備え、基体１１および絶縁層１４の平面方向の熱膨張率は、第１接続パッド７ａ、第１導電層１０ａ、第２導電層１０ｂおよび第２接続パッド７ｂの平面方向の熱膨張率よりも小さく、絶縁層１４の平面方向の熱膨張率は、基体１１の平面方向の熱膨張率よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】従来のフィルムを用いた多層基板では、厚み方向の熱膨張が大きく、特に１５０℃以下で行われる長期信頼性が低く、薄型化や多層化すればするほど、信頼性が影響を受ける場合があった。
【解決手段】耐熱フィルム１の１２５℃以上１５０℃以下の温度域におけるｚ方向の熱膨張係数よりも、接着層のｚ方向の熱膨張係数を小さくすることで、薄型化や多層化した場合でも、鉛フリーリフロー耐性を確保したまま１５０℃以下で行われる長期信頼性の耐性を確保した全層ＩＶＨ構造樹脂多層配線基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】導体との充分な密着性を有し、高耐熱性、難燃性、低誘電率、低誘電正接、低吸水率の層間絶縁樹脂層を形成できる熱硬化性樹脂組成物、熱硬化性接着フィルム及びそれらを用いて層間絶縁樹脂層が形成された多層プリント基板を提供する。
【解決手段】内層回路基板に対して塗膜形成工程もしくはフィルムラミネート工程による樹脂絶縁層形成、穴明け工程、及び導体層形成工程を少なくとも経て多層プリント配線板を製造する方法における上記樹脂絶縁層形成に用いる熱硬化性樹脂組成物は、（Ａ）カルボキシル基又は酸無水物基を有し、かつ、数平均分子量３００〜６，０００の線状炭化水素構造を有するポリイミド樹脂、（Ｂ）エポキシ樹脂、（Ｃ）沸点が１００℃以上の有機溶剤、及び球状シリカを必須成分として含有する。熱硬化性接着フィルムは、支持体ベースフィルム上に、上記熱硬化性樹脂組成物からなる膜を半硬化状態に形成することによって作製される。 （もっと読む）

【課題】多層銅張積層板の反りを抑制することが可能であり、寸法収縮を均一に収縮させ寸法精度のばらつきを抑制し、更に多層銅張積層板の変形（歪み）を抑制することが可能である多層銅張積層板の製造方法を提供する。
【解決手段】予め回路形成された内層回路板と、外層板又は銅箔と、プリプレグとからなる多層銅張積層板の製造方法において、予め回路形成された内層回路板と、外層板又は銅箔とをプリプレグを介して重ねて積層体とする工程、前記積層体と、金属板とを、プレス段内の許容範囲の高さまで交互に積載する工程、前記積層体をプレスにて加熱加圧して多層化接着し多層銅張積層板とする工程、加熱加圧直後プレス段内から前記多層銅張積層板と金属板とが交互に積載された形態で抜取りし放置冷却する工程を有する多層銅張積層板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】表面電極層等の剥がれが抑制されるプリント配線板、電子部品を実装したプリント回路装置、プリント回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】プリント配線板５１の基材１では、主表面に表面電極層２が形成され、所定の位置にスルーホール５が形成されている。スルーホール５の側壁には、スルーホール電極６が形成されている。基材１の内部には、内部電極層３が形成されている。内部電極層３は、スルーホール５の直径と同じ寸法を半径とする円の面積よりも大きい面積を有する。また、内部電極層３の厚さは、表面電極層２の厚さよりも厚くされている。 （もっと読む）

【課題】複数の貫通導体が平面視で重なる場合でも、貫通導体等における機械的な破壊を抑制することが可能な多層配線基板を提供する。
【解決手段】樹脂絶縁層１と薄膜配線層２とが交互に積層され、上下の薄膜配線層２が貫通導体３によって互いに電気的に接続されてなる薄膜多層部４を有し、貫通導体３は、上下に連続する複数の樹脂絶縁層１にわたって平面視で互いに重なる位置に形成されたものを含んでおり、平面視で重なる複数の貫通導体３（３ａ，３ｂ）のうちの一部が錫を主成分とする金属材料からなり、他が銅を主成分とする金属材料からなる多層配線基板５である。弾性率が低い錫を主成分とする金属材料からなる貫通導体３ａによって複数の貫通導体３が平面視で重なることによる応力を緩和し、貫通導体３の内部等におけるクラック等の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】配線基板における樹脂材との密着性を確保するとともに、樹脂材でのクラックの発生を確実に防止することができる配線基板内蔵用コンデンサを提供すること。
【解決手段】セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ本体１０４における側面１０６ａ〜１０６ｃには、セラミック誘電体層１０５を構成するセラミックが露出するとともに、コンデンサ本体１０４の厚さ方向に延びる凹部１０７が複数形成されている。コンデンサ本体１０４の側面１０６ａ〜１０６ｃにおける凹部未形成部１０９と凹部１０７との境界部分が丸みを帯びた形状を呈している。 （もっと読む）

【課題】導電性ペースト内の導体粉末の二次粒子の直径に影響を受けることなく高精細な印刷が可能であり、かつ焼成時の基板反りを小さく抑えたセラミック多層回路基板を得ることのできる導電性ペーストおよびセラミック多層回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のセラミック多層回路基板の製造方法は、導電性ペーストを焼成して配線を形成する工程を含むセラミック多層回路基板の製造方法であって、配線を形成する工程に用いられる導電性ペーストは導体と分散剤とを含み、導体の含有量は、導電性ペースト全重量に対して６０重量％以上９０重量％以下であり、導体に対する分散剤の含有量が０．１重量％以上３．０重量％以下であって、上記導体は、電性ペーストにおいて二次凝集体を形成していることを特徴とする。 （もっと読む）

集積回路（ＩＣ）デバイス用の基板の実施形態が開示される。基板は、ともに接合された２つ以上の別々のガラス層を有するコアを含む。隣接し合うガラス層の間に、これらの層をともに結合する別個の接合層が配設され得る。基板はまた、多層ガラスコアの両面に、あるいは場合により該コアの片面のみに、ビルドアップ構造を含み得る。基板の両面に導電端子が形成され得る。基板の一方の面の端子にＩＣダイが結合され得る。反対側の面の端子は、例えば回路基板などの次階層の部品と結合され得る。１つ以上の導電体が多層ガラスコアを貫いて延在し、これら導電体のうちの１つ以上が、コア上に配置されたビルドアップ構造と電気的に結合され得る。その他の実施形態も開示される。
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【課題】 絶縁樹脂層とセラミック配線基板との間に熱応力が発生したとしても、配線が破断してしまう可能性がより低減された高信頼性の配線基板を提供すること。
【解決手段】 セラミック配線基板１の上面に複数の絶縁樹脂層２と複数の配線層３とが交互に積層され、絶縁樹脂層２の上下に位置する配線層３・３間がビア導体４で接続され、最下層の絶縁樹脂層２に形成された複数のビア導体４と、セラミック配線基板１の内部から上面に引き出された複数の内部配線５の端部とが電気的に接続されており、セラミック配線基板１の上面に、ビア導体４と内部配線５の端部との接続部を離間して取り囲むように、絶縁樹脂層２の絶縁樹脂よりもヤング率の大きい材料から成る凸部９が形成されている配線基板である。接続部の周囲の絶縁樹脂は凸部９によって固定されて変形し難いので、接続部で破断してしまう可能性が低減された高信頼性の配線基板となる。 （もっと読む）

【課題】 広い温度域で回路基板の熱膨張率及び反りを制御し、回路基板と半導体素子との接続部などの信頼性を向上させ得る回路基板技術を提供する。
【解決手段】 回路基板６０は、導電性コア基板１０と、コア基板１０の第１の面上に形成された第１の配線層６１−６３と、コア基板１０の第２の面上に形成された第２の配線層６４−６６とを有する。導電性コア基板１０は第１のコア層２１及び第２のコア層２２を有する。第１のコア層２１は、所与の温度以上の温度域において熱膨張率が増大する材料からなり、第２のコア層２２は、前記所与の温度以上の温度域において第１のコア層２１の熱膨張率より低い熱膨張率を有する。例えば、第１のコア層２１はインバー等の低熱膨張率合金を有し、第２のコア層２２は炭素繊維強化プラスチック等の低熱膨張率プラスチックを有する。 （もっと読む）

【課題】少スペースの放熱機構を有する配線基板および半導体装置ならびにこれらに使用される配線基板本体を提供すること。
【解決手段】
下面に外部電気回路基板の配線導体が接続される複数の外部接続パッド５を有するとともに上面に半導体素子３がフリップチップ接続により搭載される搭載部を有する配線基板本体１と、配線基板本体１の下面に被着されており、外部接続パッド５に接続された膜状の放熱材２とを具備する配線基板およびこの配線基板上に半導体素子３を搭載するとともに半導体素子３と放熱材２とを接続する熱接続手段を具備する半導体装置である。また、下面に外部接続パッド５の中央部を露出させるソルダーレジスト層７を有するとともにソルダーレジスト層７に外部接続パッド５の外周部を部分的に露出させる熱伝導用の開口部７ｃが設けられているこ配線基板本体１である。 （もっと読む）