【課題】高光反射率及び低光透過率といった優れた光特性を有する硬化物を与える白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び該組成物の硬化物をリフレクターとして用いた光半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）ヒドロキシ基を含有するポリスチレン換算の重量平均分子量が５００〜２００００のレジン状オルガノポリシロキサン、（Ｂ）直鎖状構造のジオルガノポリシロキサン残基を有し、ヒドロキシ基を含有するオルガノポリシロキサン、（Ｃ）白色顔料、（Ｄ）（Ｃ）成分以外の無機充填剤、（Ｅ）蛍光増白剤、及び（Ｆ）硬化触媒、を含む白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物；光半導体素子と上記組成物の硬化物を含むリフレクターとを備える光半導体装置。 （もっと読む）

【課題】光出力の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１０では、半導体積層体１５は、第１導電型の第１半導体層１２と、半導体発光層１３と、第２導電型の第２半導体層１４がこの順に積層されている。半導体積層体１５は、第２半導体層１４および半導体発光層１３を貫通して第１半導体層１２に到る複数の柱状のトレンチ１６を有している。複数の柱状のトレンチ１６は、周期的に配列されている。半導体発光層１３から放射される光に対して透光性を有する絶縁膜２０が、トレンチ１６内に埋め込まれている。第１電極１８は、第１半導体層１２に電気的に接続されている。第２電極１９は、第２半導体層１４の上面を覆っている。 （もっと読む）

【課題】 発光色にムラが無く、均一に調色された発光色が得られるＬＥＤ発光装置を提供する。
【解決手段】 バンプ電極１６ａ、１６ｂを介してＬＥＤ素子１１を基板１３上に実装し、実装したＬＥＤ素子１１の発光面１１ａ上に、発光面１１ａの面積より小さい面積の蛍光体板１２を発光面１１ａより飛び出さないように貼付け、ＬＥＤ素子１１の側面並びに蛍光体板１２の側面に反射性の白色樹脂１４を被覆してＬＥＤ発光装置１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】 発光効率の向上を図ると共に色ムラを抑制する。
【解決手段】 出光面２ａから光を出射する半導体発光素子２と、半導体発光素子から出射された光が入射され半導体発光素子の出光面に対向して位置された入射面４と、入射面から入射された光を外部へ出射する出射面５と、入射面と出射面の間に位置する外周面６とを有する波長変換層３とを備え、波長変換層の外周部の少なくとも一部が外周面側に凸の突状部３ａとして設けられ、突状部の外周面が入射面に連続する第１の傾斜部６ａと出射面に連続する第２の傾斜部６ｂとを有し、波長変換層の外周面に入射面から入射された光を反射する光反射層が設けられ、光反射層に第１の傾斜部に接する第１の反射面７ａと第２の傾斜部に接する第２の反射面７ｂとが形成された。 （もっと読む）

【課題】発光素子からの光の有効利用を図り、より広範囲の配光を得るようにした車両用灯具を提供する。
【解決手段】 少なくとも発光素子とリフレクタとを備え、車両に取り付けた場合に、前記発光素子はその光照射領域が車両下方に向くように配置され、前記リフレクタは前記発光素子に対して車両下方へ配置された車両用灯具であって、従来の第１反射面、第２反射面に、第３反射面、および第４反射面を具備させている。ここで、前記第３反射面は、前記第２反射面の車両前方側の端辺の上段に取り付けられ前記第２反射面に対して第１反射面側に屈曲された平板状をなし、前記第１反射面側の面が反射面となっている。前記第４反射面は、前記第２反射面の車両前方側の端辺の下段に取り付けられ前記第３反射面の下端辺から車両下方側へ前記第１反射面側の面が凹となる湾曲状をなし、前記第１反射面側の面が反射面となっている。 （もっと読む）

【課題】
発光素子保護材としての硬度、耐久性を有すると同時に高い光取り出し効率をもたらす封止層を具備する発光装置を提供すること。
【解決手段】
発光素子（１）と封止層（２）を具備する発光装置であって、封止層（２）が、透光性樹脂（２Ａ）、平均１次粒子径が100nm以下の金属酸化物粒子（２Ｂ）及び平均粒子径が200nm以上、3μm以下の粒子（２Ｃ）を含有する封止用樹脂組成物から形成される封止層（２）を具備する発光装置。 （もっと読む）

【課題】蛍光体キャップを備えたＬＥＤダイを回路基板上に実装したＬＥＤ装置は製造しやすいが、回路基板を小さくしていっても斜め下方向の配光が充分に改善しない。そこで回路基板と蛍光体キャップを備えていても小型化に際し斜め下方向の配光を改善しながら同時に光束を増加できるＬＥＤ装置を提供する。
【解決手段】このＬＥＤ装置１０は、回路基板１４にＬＥＤダイ２０をフリップチップ実装し、回路基板１４ごとＬＥＤダイ２０を蛍光体キャップ１１で覆ったものである。このとき回路基板１４の平面形状とＬＥＤダイ２０の平面形状は略等しい。 （もっと読む）

【課題】温度特性が良好であるとともに、発光スペクトル半値幅の広い黄色光を発光できる量子効率の高い蛍光体を提供することである。
【解決手段】実施形態の蛍光体は、２５０〜５００ｎｍの波長範囲内に発光ピークを有する光で励起した際に、５００〜６００ｎｍの波長範囲内に発光ピークを示す。下記一般式（１）で表わされることを特徴とする。
（Ｍ_1-xＣｅ_x）_2yＡｌ_zＳｉ_10-ｚＯ_uＮ_ｗ （１）
（ここで、ＭはＳｒであり、Ｓｒの一部はＢａ，Ｃａ，およびＭｇから選ばれる少なくとも一種で置換されていてもよい。ｘ，ｙ，ｚ，ｕおよびｗは、それぞれ以下を満たす。
０＜ｘ≦１、 ０．８≦ｙ≦１．１、 ２≦ｚ≦３．５、 ｕ≦１
１．８≦ｚ−ｕ、 １３≦ｕ＋ｗ≦１５） （もっと読む）

【課題】発光層内を伝搬して半導体膜の端面に至る光を効率的に外部に取り出すことができる半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体発光装置１は、III族窒化物半導体からなる発光層を含む半導体膜２０と、半導体膜の光取り出し面とは反対側の面に設けられた反射電極４０と、反射電極に接合層を介して接合された支持基板６０と、を含む。半導体膜２０は、光取り出し面に対して斜め方向に傾斜したテーパー状端面２０ａを有する。光取り出し面は、半導体膜の結晶構造に由来する形状の複数の突起からなる凹凸構造を有し、光取り出し面のエッジ部周辺の第１領域１０１における複数の突起の平均サイズが、第２領域１０２における複数の突起の平均サイズよりも小である。 （もっと読む）

【課題】
高抵抗領域と低抵抗領域が隣接して形成されると、境界部に電流集中が生じる。
【解決手段】
窒化物半導体発光素子は、基板と、基板上に配置され、ｐ型層、活性層、ｎ型層を含む窒化物半導体積層と、ｐ型層と基板との間に形成されたｐ側電極と、ｎ型層上の限定された領域に形成されたｎ側電極と、ｎ側電極に対向する領域を含んで、ｐ型層内、またはｐ型層表面に形成され、実質的に電流を流さない高抵抗領域と、高抵抗領域外側のｐ型層に形成され、ｐ側電極との間に電流を流す低抵抗領域と、高抵抗領域と低抵抗領域の間に形成され、制限された電流を流すグレーデッド領域と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 ホールの供給を促して、発光効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子１０では、第１導電型の第１不純物濃度を有する井戸層と第１不純物濃度より高い第１導電型の第２不純物濃度を有する障壁層とが交互に積層された多重量子井戸構造の発光層１３が、第１半導体層１２上に部分的に設けられている。バンドギャップが略一様で単一の組成を有する第２導電型の第２半導体層１５、１６が発光層１３上に設けられている。第１電極２１、２２は、第１半導体層１３上に設けられている。第２電極２３、２４が、第２半導体層１６上に設けられている。発光層１３に平行な方向における第１電極２２と第２電極２４の間の第１の距離Ｌ１が、発光層１３に垂直な方向における第１電極２１、２２と第２電極２３、２４の間の第２の距離Ｌ２より大きい。 （もっと読む）

【課題】電流分布を均一させるためｎ側電極が電極面の中央部に配置しても、回路基板の電極パターンを簡単化できる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＬＥＤダイ２０の電極面において、ｐ側電極２７はｎ側電極２６に対して一方の辺部にあり、他方の辺部にはフローティング電極２５がある。このためｎ側電極２６と接続する回路基板３８の内部接続電極３２は回路基板３８の他方側にだけあれば良く、同様にｐ側電極２７と接続する内部接続電極３５は回路基板３８の一方側だけにあれば良い。このときｐ側電極２７はｐ型半導体層２３全体と低抵抗接続しているので電流分布が不均一にならない。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ基板を電流経路として有効利用した発光ダイオード素子を用いて、高信頼性化および発光効率の向上を図った発光装置を提供する。
【解決手段】この発光装置は、下記（Ａ）の発光ダイオード素子と、該発光ダイオード素子に印加される電流が最大電流Ｉ_ｍａｘを超えないように制御する制御回路と、を備え、（ａ）Ｉ_ｍａｘ／Ａ_Ａ≧２２０〔Ａ／ｃｍ^２〕；かつ（ｂ）下記（Ａ）の発光ダイオード素子のＩ−Ｖ曲線が、２０（ｍＡ）〜Ｉ_ｍａｘ（ｍＡ）の範囲内に、該曲線の傾きの変化率が減少から増加に転じる点を有さない、ことを特徴とする。（Ａ）活性層を含む複数のＧａＮ系半導体層を有する積層構造がＧａＮ系半導体基板の主面上に設けられ、ｎ側電極が該ＧａＮ系半導体基板の表面または該ＧａＮ系半導体基板上に積層されたコンタクト層の表面の一部に形成され、該ｎ側電極の面積Ａ_Ｅが該活性層の面積Ａ_Ａの２０％以下である、発光ダイオード素子。 （もっと読む）

【課題】発光面積を大きくでき、十分満足のいく光束を得ることができ、エネルギー効率を高めることができる発光モジュール、およびこの発光モジュールを備えた照明器具を提供することを課題とする。
【解決手段】実施形態に係る発光モジュールは、同じ発光特性を有する複数個の半導体発光素子を密集させて基板に実装し、これら密集した複数個の半導体発光素子をドーム状の封止部材でまとめて封止することで構成される。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤチップの温度上昇を抑制できて光出力の高出力化を図れ、且つ、複数のＬＥＤチップを直列接続して用いるＬＥＤユニットの低コスト化を図れるリードフレーム、配線板、ＬＥＤユニットを提供する。
【解決手段】リードフレーム３０は、１ピッチの外枠部３１の内側に支持片３２を介して支持されたパターン３３が、ＬＥＤチップを搭載するダイパッド３４と、ダイパッド３４からダイパッド３４を取り囲むように延設されたヒートシンク３５と、一方の電極１１がヒートシンク３５に電気的に接続されるＬＥＤチップの他方の電極と電気的に接続されるリード３６とを具備する単位ユニット３３ａを複数備え、互いに隣り合う単位ユニット３３ａの一方の単位ユニット３３ａのリード３６と他方の単位ユニット３３ａのヒートシンク３５とが連結され電気的に直列接続され、支持片３２の切断部３２ｂを、ダイパッド３４の裏面を含む仮想平面ＶＰから浮かせてある。 （もっと読む）

【課題】電流拡がり及び発光効率が極大化された発光素子を提供すること。
【解決手段】第１のドーパントがドーピングされた第１の半導体層、第２のドーパントがドーピングされた第２の半導体層、及び前記第１及び第２の半導体層間に介在する第１の活性層を有する第１の領域と、前記第１の領域上に配置され、前記第１のドーパントがドーピングされ、露出領域を含む第３の半導体層、前記露出領域を除いた前記第３の半導体層上に配置され、前記第２のドーパントがドーピングされた第４の半導体層及び前記第３及び第４の半導体層間に介在する第２の活性層を有する第２の領域とを備え、前記第４の半導体層から前記第１の半導体層まで互いに離隔した第１及び第２のトレンチが形成された発光構造物と、所定の位置に配置された第１から第３の電極とを含んで発光素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】光吸収の低減された発光ダイオード、製造方法、ランプ、照明装置を提供する。
【解決手段】基板１上に設けられた発光層２４を含む化合物半導体層１０と、基板１と化合物半導体層１０との間に設けられたオーミックコンタクト電極７と、化合物半導体層１０の基板１の反対側に設けられたオーミック電極１１と、オーミック電極１１の表面を覆うように設けられた枝部１２ｂと枝部１２ｂに連結されたパッド部１２ａとを含む表面電極１２と、発光層２４のうちパッド部１２ａと平面視で重なる領域に配置されたパッド下発光層２４ａと、パッド部１２ａと平面視で重なる領域を除く領域に配置された発光層２４との間に設けられ、パッド下発光層２４ａに供給される電流を妨げる電流遮断部１３とを備える発光ダイオード１００とする。 （もっと読む）

【課題】キャリア密度に疎密を設けて全体として発光効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１０では、半導体発光層１５は第１導電型の第１半導体層１２と第２導電型の第２半導体層１４の間に設けられている。網目状の第１電極１６は、半導体発光層１５と反対側の第１半導体層１２上に設けられている。ドット状の第２電極１８ａは、半導体発光層１５と反対側の第２半導体層１４上に、第２半導体層１４の表面に対して平行な平面視で第１電極１６の網目の中心と重なるように設けられている。 （もっと読む）

【課題】硬さが互いに異なる複数種類の蛍光体が用いられた場合であっても所望の色および輝度の光を発する発光装置および半導体発光システムを提供する。
【解決手段】発光装置１は、ＬＥＤ部３と、蛍光体部２とを有する。蛍光体部２は、ＬＥＤ部３が発した光を受光する位置に並設された緑色蛍光体部２ｇと赤色蛍光体部２ｒとを備える。緑色蛍光体部２ｇは、緑色光を発する緑色蛍光体を含む。赤色蛍光体部２ｒは、緑色光の波長よりも長い波長の光の成分を含む赤色光を発する赤色蛍光体部２ｒを含む。緑色蛍光体のモース硬度の値ＭＨ１と、赤色蛍光体のモース硬度の値ＭＨ２とは互いに異なり、ＭＨ１＞ＭＨ２である場合にＭＨ１／ＭＨ２≧２であり、ＭＨ１＜ＭＨ２である場合にＭＨ２／ＭＨ１≧２である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、金属製のリフレクターとリードフレームを用いる場合においても、リフレクターとリードフレームのリード部（電極部）との間の絶縁性を確保しつつ、反射率が高く、放熱性に優れた光半導体装置用反射部材付リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム基板、光半導体装置、および、光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法、並びに、光半導体装置の製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 金属リードフレームのリード部（電極部）を段差構造とし、この段差に絶縁性樹脂を充填することで金属リフレクターとの絶縁性を確保し、一方、金属リードフレームのダイパッド部（素子載置部）と金属リフレクターとを、圧着により固着することで、上記課題を解決する。 （もっと読む）