ガラス基板の研磨方法、パッケージの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器並びに電波時計
【課題】ガラス基板の接合面の表面精度の向上を図り、キャビティ内の気密を確保することができるガラス基板の研磨方法、パッケージの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器並びに電波時計を提供する。
【解決手段】研磨剤を供給しつつリッド基板用ウエハ５０の接合面５３を研磨する、研磨工程を有するガラス基板の研磨方法であって、研磨工程は、研磨剤に酸化セリウムを主成分とする第１研磨剤を用いてリッド基板用ウエハ５０の接合面５３を研磨する前段ポリッシュ工程と、研磨剤にコロイダルシリカを主成分とする第２研磨剤を用いてリッド基板用ウエハ５０の接合面５３を研磨する後段ポリッシュ工程と、を有することを特徴とする。
【解決手段】研磨剤を供給しつつリッド基板用ウエハ５０の接合面５３を研磨する、研磨工程を有するガラス基板の研磨方法であって、研磨工程は、研磨剤に酸化セリウムを主成分とする第１研磨剤を用いてリッド基板用ウエハ５０の接合面５３を研磨する前段ポリッシュ工程と、研磨剤にコロイダルシリカを主成分とする第２研磨剤を用いてリッド基板用ウエハ５０の接合面５３を研磨する後段ポリッシュ工程と、を有することを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス基板の研磨方法、パッケージの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器並びに電波時計に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や携帯情報端末機器には、時刻源や制御信号等のタイミング源、リファレンス信号源等として水晶等を利用した圧電振動子（パッケージ）が用いられている。この種の圧電振動子は、様々なものが知られているが、その１つとして、表面実装（ＳＭＤ）型の圧電振動子が知られている。この種の圧電振動子としては、例えば互いに接合されたガラス材料からなるベース基板及びリッド基板と、両基板の間に形成されたキャビティと、キャビティ内に気密封止された状態で収納された圧電振動片と、を備えている。
【０００３】
このような２層構造タイプの圧電振動子を製造する場合、リッド基板にキャビティ用の凹部を形成する一方、ベース基板上に圧電振動片をマウントした後、接合材を介して両ウエハを陽極接合する。これにより、キャビティ内に圧電振動片が気密封止された圧電振動子を製造している。
【０００４】
ところで、上述した圧電振動子の製造工程において、ベース基板とリッド基板とを接合する場合、キャビティの気密性を確保するためには、両基板の接合代（接合面の面積）及び接合面の表面精度を確保して、平坦面同士で接合することが重要になる。
そこで、例えば、特許文献１には、両基板を陽極接合するために、その前段で両基板の接合面を研磨して表面精度を向上させる研磨工程を有する構成が記載されている。研磨工程の一例としては、研磨パッドを設けた上下一対の定盤間に、基板を保持するキャリアを挟み、研磨剤を供給しながら定盤とキャリアとを相対的に回転、移動させて基板両面を同時に研磨する方法が知られている。なお、研磨剤には、一般的にガラス面の研磨に使用される酸化セリウム等が好適に用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１３６２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近時では、表面精度の更なる向上が要望されている。しかしながら、上述した研磨方法では、表面精度の向上に限界があり（例えば、表面粗さＲａ＝３ｎｍ程度）、接合面に研磨痕が残存する虞がある。この場合には、その後に形成される接合材との密着性が悪く、キャビティの気密性や信頼性を確保することができない虞がある。すなわち、両基板を接合しようとすると、互いの接合面との間に隙間が生じてキャビティ内の気密を確保することができず、圧電振動子の振動特性が安定しない場合がある。
【０００７】
そこで本発明は、このような事情に考慮してなされたもので、ガラス基板の接合面の表面精度の向上を図り、キャビティ内の気密を確保することができるガラス基板の研磨方法、パッケージの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器並びに電波時計を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のガラス基板の研磨方法は、研磨剤を供給しつつガラス基板の表面を研磨する、研磨工程を有するガラス基板の研磨方法であって、前記研磨工程は、前記研磨剤に酸化セリウムを主成分とする第１研磨剤を用いて前記ガラス基板の前記表面を研磨する前段ポリッシュ工程と、前記研磨剤にコロイダルシリカを主成分とする第２研磨剤を用いて前記ガラス基板の前記表面を研磨する後段ポリッシュ工程と、を有することを特徴としている。
【０００９】
この構成によれば、第１研磨剤を用いた前段ポリッシュ工程の後に、コロイダルシリカを主成分とした第２研磨剤を用いて後段ポリッシュ工程を行うことで、ガラス基板の表面の表面精度の向上を図ることができるとともに、平坦面を大きく確保することができるため、ガラス基板の表面を接合する場合の接合代を大きく確保することができる。その結果、気密性を確保した上で、ガラス基板を確実に接合することができる。
【００１０】
また、前記ガラス基板の前記表面には、凹部が形成され、前記研磨工程では、前記凹部の周囲を取り囲む隔壁の先端面を研磨することを特徴としている。
この構成によれば、ガラス基板の隔壁の先端面を平坦化することで、隔壁の先端面を接合した場合に、隔壁の内側の気密性を確保した上で、ガラス基板を確実に接合することができる。
【００１１】
また、前記後段ポリッシュ工程は、発泡ウレタンからなる研磨パッドを用いて行うことを特徴としている。
この構成によれば、発砲ウレタンからなる研磨パッドを使用することで、研磨パッドがガラス基板の角部の周縁に回り込まず、ガラス基板の表面上のみを摺動するので、ガラス基板の表面を積極的に研磨できる。そのため、ガラス基板の表面の周縁部に面ダレ部分が発生するのを抑制でき、ガラス基板の接合代を大きく確保できる。
【００１２】
また、前記後段ポリッシュ工程では、前記前段ポリッシュ工程に比べて研磨圧力を大きく設定することを特徴としている。
この構成によれば、ガラス基板の表面と研磨パッドとの間に第２研磨剤を確実に介在させて、ガラス基板の表面を効率的に研磨することができる。
【００１３】
また、本発明のパッケージの製造方法は、互いに接合された複数の基板との間に形成されたキャビティ内に、電子部品を封入可能なパッケージの製造方法であって、前記複数の基板のうち、第１基板の表面に前記キャビティ用の凹部を形成する凹部形成工程と、上記本発明のガラス基板の研磨方法を用い、前記凹部の周囲を取り囲む隔壁の先端面を研磨する研磨工程と、前記隔壁の先端面に、前記複数の基板のうち第２基板を陽極接合する工程と、を有することを特徴としている。
この構成によれば、上記本発明のガラス基板の研磨方法を用いて研磨を行うことで、第１基板の接合面の表面精度の向上を図るとともに、平坦面を大きく確保することができるため、第１基板の接合面を接合する場合の接合代を確保することができる。その結果、第１基板と第２基板とを確実に陽極接合し、キャビティ内の気密を確保することができる。
【００１４】
また、本発明に係る圧電振動子は、上記本発明のパッケージの製造方法によって製造されたことを特徴としている。
この構成によれば、上記本発明のパッケージの製造方法によって製造された圧電振動子であるため、振動特性に優れた信頼性の高い圧電振動子を提供することができる。
【００１５】
また、本発明に係る発振器は、上記本発明の圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴としている。
【００１６】
また、本発明に係る電子機器は、上記本発明の圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴としている。
【００１７】
また、本発明に係る電波時計は、上記本発明の圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴としている。
【００１８】
本発明に係る発振器、電子機器及び電波時計においては、上記本発明の圧電振動子を備えているので、振動特性に優れた信頼性の高い製品を提供することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係るガラス基板の研磨方法によれば、ガラス基板の表面の表面精度の向上を図るとともに、平坦面を大きく確保することができるため、ガラス基板の表面を接合する場合の接合代を確保することができる。その結果、気密性を確保した上で、ガラス基板を確実に接合することができる。
また、本発明に係るパッケージの製造方法によれば、上記本発明のガラス基板の研磨方法を用いて研磨を行うことで、第１基板の接合面の表面精度の向上を図るとともに、平坦面を大きく確保することができるため、第１基板の接合面を接合する場合の接合代を確保することができる。その結果、第１基板と第２基板とを確実に陽極接合し、キャビティ内の気密を確保することができる。
また、本発明に係る圧電振動子によれば、上記本発明のパッケージの製造方法によって製造された圧電振動子であるので、振動特性に優れた信頼性の高い圧電振動子を提供することができる。
本発明に係る発振器、電子機器及び電波時計においては、上記本発明の圧電振動子を備えているので、振動特性に優れた信頼性の高い製品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】実施形態における圧電振動子を示す外観斜視図である。
【図２】圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態で圧電振動片を上方から見た図ある。
【図３】図２のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図４】圧電振動子の分解斜視図である。
【図５】図１に示す圧電振動子を製造する流れを示すフローチャートである。
【図６】圧電振動子の製造方法を説明するための工程図であって、ウエハ接合体の分解斜視図である。
【図７】リッド基板用ウエハ作製工程を説明するための工程図であって、リッド基板用ウエハの断面を示す図である。
【図８】３次ポリッシング工程で用いる片面研磨装置を示す概略構成図であって、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図である。
【図９】本発明に係る発振器の一実施形態を示す構成図である。
【図１０】本発明に係る電子機器の一実施形態を示す構成図である。
【図１１】本発明に係る電波時計の一実施形態を示す構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面に基づいて、本発明の実施形態を説明する。
（圧電振動子）
図１は、本実施形態における圧電振動子をリッド基板側から見た外観斜視図である。また図２は圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態で圧電振動片を上方から見た図ある。また、図３は図２に示すＡ−Ａ線に沿った圧電振動子の断面図であり、図４は圧電振動子の分解斜視図である。
図１〜４に示すように、本実施形態の圧電振動子１は、ベース基板２及びリッド基板３が接合材２３を介して陽極接合された箱状のパッケージ１０と、パッケージ１０のキャビティＣ内に収納された圧電振動片（電子部品）５と、を備えた表面実装型の圧電振動子１である。そして、圧電振動片５とベース基板２の第１面２ａ（図３中下面）に設置された外部電極６，７とが、ベース基板２を貫通する一対の貫通電極８，９によって電気的に接続されている。
【００２２】
ベース基板２は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明な絶縁基板で板状に形成されている。ベース基板２には、一対の貫通電極８，９が形成される一対の貫通孔２１，２２が形成されている。貫通孔２１，２２は、ベース基板２の第１面２ａから第２面２ｂ（図３中上面）に向かって漸次径が縮径したテーパ形状をなしている。
【００２３】
リッド基板３は、ベース基板２と同様に、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明の絶縁基板であり、ベース基板２に重ね合わせ可能な大きさの板状に形成されている。そして、リッド基板３の第１面３ｂ（図３中下面）側には、圧電振動片５が収容される矩形状の凹部３ａが形成されている。この凹部３ａは、ベース基板２及びリッド基板３が重ね合わされたときに、圧電振動片５を収容するキャビティＣを形成する。そして、リッド基板３は、凹部３ａをベース基板２側に対向させた状態でベース基板２に対して接合材２３を介して陽極接合されている。すなわち、リッド基板３の第１面３ｂ側は、中央部に形成された凹部３ａと、凹部３ａの周囲に形成され、ベース基板２との接合面となる額縁領域３ｃとを構成している。
【００２４】
圧電振動片５は、水晶、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム等の圧電材料から形成された音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。
この圧電振動片５は、平行に配置された一対の振動腕部２４，２５と、一対の振動腕部２４，２５の基端側を一体的に固定する基部２６とからなる音叉型で、一対の振動腕部２４，２５の外表面上には、振動腕部２４，２５を振動させる図示しない一対の第１の励振電極と第２の励振電極とからなる励振電極と、第１の励振電極及び第２の励振電極と後述する引き回し電極２７，２８とを電気的に接続する一対のマウント電極とを有している（何れも不図示）。
【００２５】
このように構成された圧電振動片５は、図２，３に示すように、金等のバンプＢを利用して、ベース基板２の第２面２ｂに形成された引き回し電極２７，２８上にバンプ接合されている。より具体的には、圧電振動片５の第１の励振電極が、一方のマウント電極及びバンプＢを介して一方の引き回し電極２７上にバンプ接合され、第２の励振電極が他方のマウント電極及びバンプＢを介して他方の引き回し電極２８上にバンプ接合されている。これにより、圧電振動片５は、ベース基板２の第２面２ｂから浮いた状態で支持されるとともに、各マウント電極と引き回し電極２７，２８とがそれぞれ電気的に接続された状態となる。
【００２６】
外部電極６，７は、ベース基板２の第１面２ａにおける長手方向の両側に設置されており、各貫通電極８，９及び各引き回し電極２７，２８を介して圧電振動片５に電気的に接続されている。より具体的には、一方の外部電極６は、一方の貫通電極８及び一方の引き回し電極２７を介して圧電振動片５の一方のマウント電極に電気的に接続されている。また、他方の外部電極７は、他方の貫通電極９及び他方の引き回し電極２８を介して、圧電振動片５の他方のマウント電極に電気的に接続されている。
【００２７】
貫通電極８，９は、焼成によって貫通孔２１，２２に対して一体的に固定された筒体３２、及び芯材部３１によって形成されたものである。各貫通電極８，９は、貫通孔２１，２２を完全に塞いでキャビティＣ内の気密を維持しているとともに、外部電極６，７と引き回し電極２７，２８とを導通させる役割を担っている。具体的に、一方の貫通電極８は、外部電極６と基部２６との間で引き回し電極２７の下方に位置しており、他方の貫通電極９は、外部電極７と振動腕部２５との間で引き回し電極２８の下方に位置している。
【００２８】
筒体３２は、ペースト状のガラスフリットが焼成されたものである。筒体３２は、両端が平坦で、かつベース基板２と略同じ厚みの円筒状に形成されている。そして、筒体３２の中心には、芯材部３１が筒体３２を貫通するように配されている。また、本実施形態では貫通孔２１，２２の形状に合わせて、筒体３２の外形が円錐状（断面テーパ状）となるように形成されている。そして、この筒体３２は、貫通孔２１，２２内に埋め込まれた状態で焼成されており、これら貫通孔２１，２２に対して強固に固着されている。
【００２９】
芯材部３１は、金属材料により円柱状に形成された導電性の芯材であり、筒体３２と同様に両端が平坦で、かつベース基板２の厚みと略同じ厚さとなるように形成されている。
そして、芯材部３１を通して貫通電極８，９の電気導通性が確保されている。
【００３０】
リッド基板３の第１面３ｂ全体には、陽極接合用の接合材２３が形成されている。具体的に、接合材２３は、額縁領域３ｃ及び凹部３ａの内面全体に亘って形成されている。本実施形態の接合材２３はＳｉ膜で形成されているが、接合材２３をＡｌで形成することも可能である。なお接合材２３として、ドーピング等により低抵抗化したＳｉバルク材で形成することも可能である。そして後述するように、この接合材２３とベース基板２とが陽極接合され、キャビティＣが真空封止されている。
【００３１】
このように構成された圧電振動子１を作動させる場合には、ベース基板２に形成された外部電極６，７に対して、所定の駆動電圧を印加する。これにより、圧電振動片５の各励振電極に電流を流すことができ、一対の振動腕部２４，２５を接近・離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。そして、この一対の振動腕部２４，２５の振動を利用して、時刻源、制御信号のタイミング源やリファレンス信号源等として利用することができる。
【００３２】
（圧電振動子の製造方法）
次に、上述した圧電振動子の製造方法について、図５に示すフローチャートを参照しながら説明する。以下には、複数のベース基板２が連なるベース基板用ウエハ４０と、複数のリッド基板３が連なるリッド基板用ウエハ５０との間に複数の圧電振動片５を封入してウエハ接合体６０を形成し、ウエハ接合体６０を切断することにより複数の圧電振動子１を同時に製造する方法について説明する。なお、図６は、ウエハ接合体の分解斜視図であり、図６に示す破線Ｍは、後述する個片化工程（Ｓ９０）で切断する切断線を図示したものである。
図５に示すように、本実施形態に係る圧電振動子の製造方法は、主に、圧電振動片作製工程（Ｓ１０）と、ベース基板用ウエハ作製工程（Ｓ２０）と、リッド基板用ウエハ作製工程（Ｓ３０）と、組立工程（Ｓ４０以下）と、を有している。そのうち、圧電振動片作製工程（Ｓ１０）、ベース基板用ウエハ作製工程（Ｓ２０）及びリッド基板用ウエハ作製工程（Ｓ３０）は、並行して実施することが可能である。
【００３３】
（圧電振動片作製工程）
初めに、圧電振動片作製工程を行って図１〜４に示す圧電振動片５を作製する（Ｓ１０）。また、圧電振動片５を作製した後、共振周波数の粗調を行っておく。なお、共振周波数をより高精度に調整する微調に関しては、マウント後に行う。
【００３４】
（ベース基板用ウエハ作製工程）
まず、図５，６に示すように、後にベース基板２となるベース基板用ウエハ４０を、陽極接合を行う直前の状態まで作製するベース基板用ウエハ作製工程を行う（Ｓ２０）。具体的には、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のベース基板用ウエハ４０を形成する（Ｓ２１）。次いで、例えばプレス加工等により、ベース基板用ウエハ４０に一対の貫通電極８，９を配置するための貫通孔２１，２２を複数形成する貫通孔形成工程を行う（Ｓ２２）。具体的には、プレス加工によりベース基板用ウエハ４０の第１面４０ａに凹部を形成した後、ベース基板用ウエハ４０の第２面４０ｂ側から研磨することで、凹部を貫通させ、貫通孔２１，２２を形成することができる。
【００３５】
続いて、貫通孔形成工程（Ｓ２２）で形成された貫通孔２１，２２内に貫通電極８，９を形成する貫通電極形成工程（Ｓ２３）を行う。これにより、貫通孔２１，２２内において、芯材部３１がベース基板用ウエハ４０の両面４０ａ，４０ｂに対して面一な状態で保持される。以上により、貫通電極８，９を形成することができる。
【００３６】
次に、ベース基板用ウエハ４０の第２面４０ｂに導電性材料をパターニングして、引き回し電極２７，２８を形成する引き回し電極形成工程を行う（Ｓ２４）。このようにして、ベース基板用ウエハ作製工程（Ｓ２０）が終了する。
【００３７】
（リッド基板用ウエハ作製工程）
図７は、リッド基板用ウエハの断面図である。
上述したベース基板用ウエハ作製工程（Ｓ２０）と同時或いは前後のタイミングで、後にリッド基板３となるリッド基板用ウエハ５０を、陽極接合を行う直前の状態まで作製するリッド基板用ウエハ作製工程を行う（Ｓ３０）。具体的には、図５〜７（ａ）に示すように、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のリッド基板用ウエハ５０を形成する（Ｓ３１）。
次いで、図７（ｂ）に示すように、リッド基板用ウエハ５０の第１面５１に、プレス加工やエッチング等により、キャビティＣ用の凹部３ａを行列方向に複数形成する凹部形成工程を行う（Ｓ３２）。これにより、リッド基板用ウエハ５０の第１面５１側は、複数の凹部３ａと、凹部３ａの周囲に形成され、先端面がベース基板用ウエハ４０との接合面５３（上述した額縁領域３ｃに相当）になる隔壁５４と、を構成している。
【００３８】
（研磨工程）
次に、リッド基板用ウエハ５０を研磨する研磨工程（Ｓ３３）を行う。研磨工程（Ｓ３３）は、リッド基板用ウエハ５０に対して粗削りを行うラッピング工程（Ｓ３４）と、鏡面仕上げを行うポリッシュ工程（Ｓ３５）と、を有している。
まず、ラッピング工程（Ｓ３３）では、図示しない両面ラッピング装置を用い、リッド基板用ウエハ５０の両面（第１面５１及び第１面５１と反対側の第２面５２）をラッピング（粗削り）する。具体的には、リッド基板用ウエハ５０を鋳鉄等からなるラップによってラップ剤を介して挟持し、これらラップ剤とリッド基板用ウエハ５０とを相対移動させる。これにより、リッド基板用ウエハ５０の両面５１，５２を粗削りすることができる。
【００３９】
続いて、リッド基板用ウエハ５０の少なくとも接合面５３を鏡面仕上げするために、ポリッシュ工程（Ｓ３５）を行う。
ポリッシュ工程（Ｓ３５）は、図示しない両面研磨装置を用いてリッド基板用ウエハ５０の両面５１，５２を研磨する１次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ａ：前段ポリッシュ工程）、及び２次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ｂ：前段ポリッシュ工程）と、後述する片面研磨装置６１を用いてリッド基板用ウエハ５０の第１面５１（接合面５３）を研磨する３次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ｃ：後段ポリッシュ工程）と、を有している。
【００４０】
１次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ａ）では、まず研磨パッドを設けた上下一対の定盤間に、リッド基板用ウエハ５０を保持するキャリアを挟み込む。そして、両面研磨装置を駆動して、研磨パッドとリッド基板用ウエハ５０の両面５１，５２との間に研磨剤（第１研磨剤）を供給しながら、研磨パッド（定盤）とリッド基板用ウエハ５０とを相対的に回転、移動させることで、リッド基板用ウエハ５０の両面５１，５２が鏡面加工される。なお、本実施形態の両面研磨装置では、研磨パッドとリッド基板用ウエハ５０との間から外部へ流出した研磨剤は、回収されて研磨パッドとリッド基板用ウエハ５０との間に再度供給される仕組みとなっている。
【００４１】
この場合、１次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ａ）で用いる研磨剤としては、ガラス面の研磨に一般的に使用される酸化セリウム等の砥粒を水中に分散させたスラリー状のものが好適に用いられている。また、研磨パッドとしては、例えば不織布やスエード状の研磨布であるセリウムパッド等が好適に用いられる。
なお、その他の１次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ａ）における研磨条件は、例えば以下の通りである。
・研磨圧力 ８０ｇ／ｃｍ２程度
・研磨剤の流量 数百ｃｃ／ｍｉｎ
【００４２】
ところで、１次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ａ）では、リッド基板用ウエハ５０の接合面５３の表面精度を向上させるため、上述したセリウムパッド等の比較的軟らかい研磨パッドを使用する必要がある。そのため、図７（ｃ）に示すように、研磨パッドが隔壁５４の周縁まで回り込むことになり、隔壁５４が中心から周縁にかけて漸次厚さが薄くなる。その結果、接合面５３となる隔壁５４の先端面が曲面形状をなすことになる。すなわち、ラッピング工程（Ｓ３４）後における接合面５３の平坦面の面積（接合代Ｄ１）に比べて（図７（ｂ）参照）、１次ポリッシング工程（Ｓ３５Ａ）後における接合面５３の平坦面の面積（接合代Ｄ２）が縮小し、後述する接合工程（Ｓ６０）において、両ウエハ４０，５０を良好に接合することができない虞がある。
【００４３】
そこで、本実施形態では、１次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ａ）を経たリッド基板用ウエハ５０に対して、２次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ｂ）を行う。２次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ｂ）では、リッド基板用ウエハ５０の両側に配置される研磨パッドにそれぞれ異なる材料を使用している。具体的に、リッド基板用ウエハ５０の第１面５１側に配置される研磨パッドに、発砲ウレタンからなる研磨パッドを使用する。発泡ウレタンからなる研磨パッドは、不織布に発泡ウレタン樹脂が含浸されて形成されたものであり、上述したセリウムパッドに比べて硬質な研磨パッドである。
【００４４】
一方、リッド基板用ウエハ５０の第２面５２側に配置される研磨パッドに、不織布ベースの連続発泡構造を持った研磨パッドを採用している。すなわち、第２面５２側に配置される研磨パッドに、発砲ウレタンよりも軟質な研磨パッドを貼着している。これにより、第１面５１（接合面５３）と研磨パッドとの間の抵抗に比べて、第２面５２と研磨パッドとの間の抵抗を減少させることができる。よって、第２面５２の研磨速度に比べて第１面５１（接合面５３）の研磨速度を大きく確保することができるため、接合面５３の面ダレ部分を積極的に研磨することができる。
そして、その他の研磨条件については、上述した１次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ａ）の研磨条件と同様の条件でリッド基板用ウエハ５０を研磨することで、第１面５１のうち主に接合面５３が研磨され、接合面５３が接合代Ｄ３の平坦面となる（図７（ｄ）参照）。なお、本実施形態では接合代Ｄ３を、ラッピング工程後の接合代Ｄ１に比べて９０％〜９５％程度に形成することができる。
【００４５】
図８は片面研磨装置の概略図であって、（ａ）は側面図、（ｂ）は下方から見た平面図である。
続いて、図５，８に示すように、片面研磨装置６１を用いてリッド基板用ウエハ５０の接合面５３を研磨する３次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ｃ）を行う。片面研磨装置６１は、平面視円形状の上定盤６２と、上定盤６２と同じ平面視円形状に形成され研磨パッド（不図示）が設けられた下定盤６３と、上定盤６２の下側に複数配置されて、リッド基板用ウエハ５０を吸着固定する平面視円形状のキャリア６４と、リッド基板用ウエハ５０と下定盤６３の研磨パッドとの間に研磨剤（第２研磨剤）Ｗを流入させる研磨剤流入手段６５と、下定盤６３及び各キャリア６４をそれぞれ独立して回転させる図示しない回転手段と、から概略構成されている。なお、本実施形態の片面研磨装置６１は、例えばリッド基板用ウエハ５０が各キャリア６４にそれぞれ３枚ずつ固定できるようになっている。
【００４６】
下定盤６３は、図８中の矢印Ａ１の方向に水平方向に回転する構造であり、その研磨側の面（図８（ａ）中上面）に研磨パッド（不図示）が貼着されている。
キャリア６４は、上定盤６２に水平方向に回転自在に保持されて図８中の矢印Ａ２の方向に自転する構造である。このように下定盤６３が回転するとともに、キャリア６４が回転する構造により、研磨面の片減りを無くし表面を平坦に研磨することができる。なお、本実施形態では、下定盤６３の回転数に対してキャリア６４の回転数が１回転少なくなるように設定している。
【００４７】
研磨剤流入手段６５は、研磨剤Ｗを収容し、攪拌するモータを備える図示しない収容部と、収容部内の研磨剤Ｗを搬送し、上定盤６２に６〜８ヶ所ほど設けられた流入口６５ａから下定盤６３上に流入させる図示しないポンプと、研磨剤ＷのＰＨを測定するＰＨ測定器（不図示）と、を備えている。なお、本実施形態の片面研磨装置６１では、研磨パッドとリッド基板用ウエハ５０との間から外部へ流出した研磨剤Ｗは、回収されて研磨パッドとリッド基板用ウエハ５０との間に再度供給される仕組みとなっている。
【００４８】
３次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ｃ）では、リッド基板用ウエハ５０の第１面５１（接合面５３）が下側となるように、リッド基板用ウエハ５０をキャリア６４に吸着固定させて片面研磨装置６１にセットする。このとき、同一キャリア６４には、上述した２次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ｂ）後の厚みムラが１μｍ以内のリッド基板用ウエハ５０同士をセットする。また、上定盤６２若しくはキャリア６４の下側には、例えばガラスエポキシ樹脂（ＦＲ４）で形成された平板形状のダミー基板６７を設置することが好ましい。ダミー基板６７は、リッド基板用ウエハ５０よりも厚く形成されていることが好ましく、その下端面が接合面５３よりも下方に位置することが好ましい。
【００４９】
そして、下定盤６３のリッド基板用ウエハ５０との対向面に研磨パッド（不図示）を貼着した後、研磨剤Ｗを供給しながら、下定盤６３及びキャリア６４をそれぞれ回転手段により回転させて研磨を行う。このとき、研磨剤Ｗとしてはコロイダルシリカが用いられている。コロイダルシリカは、二酸化珪素（ＳｉＯ2）が水中に分散されたものである。
また、研磨パッドとしては、上述した２次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ｂ）で用いた研磨パッドと同様の材料（発泡ウレタン）を採用している。さらに、３次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ｃ）は、上述した１次、２次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ａ，Ｂ）に比べて、研磨圧力（２１０ｇ／ｃｍ2程度）が大きく、また回転数も多く設定されている。一方で、３次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ｃ）における研磨剤の流量は、１次、２次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ａ，Ｂ）に比べて少なく（例えば、半分程度）設定されている。
【００５０】
上述の条件で研磨を行うと、まず接合面５３よりも先にダミー基板６７が下定盤６３に接触し、ダミー基板６７が研磨され、その後に接合面５３が下定盤６３に接触してダミー基板６７と共に研磨される。
このように、接合面５３よりも先にダミー基板６７が研磨され、その後に接合面５３がダミー基板６７とともに研磨されることにより、下定盤６３からリッド基板用ウエハ５０に対して徐々に圧力を負荷することが可能になり、リッド基板用ウエハ５０の損傷を防止することができる。
【００５１】
次に、図５，６に示すように、リッド基板用ウエハ５０の第１面５１全体（ベース基板用ウエハ４０との接合面５３及び凹部３ａの内面）に接合材２３を形成する接合材形成工程（Ｓ３６）を行う。
このように、接合材２３をリッド基板用ウエハ５０の第１面５１全体に形成することで、接合材２３のパターニングが不要になり、製造コストを低減することができる。なお、接合材２３の形成は、スパッタやＣＶＤ等の成膜方法によって行うことができる。また、接合材形成工程（Ｓ３６）の前に接合面５３を研磨しているので、接合材２３の表面精度が確保され、ベース基板用ウエハ４０との安定した接合を実現することができる。
以上により、リッド基板用ウエハ作製工程（Ｓ３０）が終了する。
【００５２】
（組立工程）
次に、ベース基板用ウエハ作製工程（Ｓ２０）で作製されたベース基板用ウエハ４０の引き回し電極２７，２８上に、圧電振動片作製工程（Ｓ１０）で作製された圧電振動片５を、金等のバンプＢを介してマウントする（Ｓ４０）。
そして、上述した各ウエハ作製工程（Ｓ２０，Ｓ３０）で作製されたベース基板用ウエハ４０及びリッド基板用ウエハ５０を重ね合わせる、重ね合わせ工程を行う（Ｓ５０）。
【００５３】
具体的には、図示しない基準マーク等を指標としながら、ベース基板用ウエハ４０及びリッド基板用ウエハ５０を正しい位置にアライメントする。
これにより、マウントされた圧電振動片５が、リッド基板用ウエハ５０に形成された凹部３ａとベース基板用ウエハ４０とで囲まれるキャビティＣ内に収納された状態となる。
【００５４】
重ね合わせ工程（Ｓ５０）後、重ね合わせた２枚のベース基板用ウエハ４０及びリッド基板用ウエハ５０を図示しない陽極接合装置に入れ、図示しない保持機構によりウエハ４０，５０の外周部分をクランプした状態で、所定の温度雰囲気で所定の電圧を印加して陽極接合する接合工程を行う（Ｓ６０）。すると、接合材２３とベース基板用ウエハ４０との界面に電気化学的な反応が生じ、両者がそれぞれ強固に密着して陽極接合される。
これにより、圧電振動片５をキャビティＣ内に封止することができ、ベース基板用ウエハ４０とリッド基板用ウエハ５０とが接合されたウエハ接合体６０を得ることができる。
【００５５】
そして、本実施形態のようにリッド基板用ウエハ５０及びベース基板用ウエハ４０同士を陽極接合することで、接着剤等でリッド基板用ウエハ５０及びベース基板用ウエハ４０を接合した場合に比べて、経時劣化や衝撃等によるずれ、ウエハ接合体６０の反り等を防ぎ、リッド基板用ウエハ５０及びベース基板用ウエハ４０をより強固に接合することができる。
【００５６】
この後、一対の貫通電極８，９にそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極６，７を形成し（Ｓ７０）、圧電振動子１の周波数を微調整する（Ｓ８０）。
そして、接合されたウエハ接合体６０を切断線Ｍに沿って切断し、個片化する個片化工程（Ｓ９０）を行う。
【００５７】
そして、電気特性検査工程（Ｓ１００）では、圧電振動子１の共振周波数や共振抵抗値、ドライブレベル特性（共振周波数及び共振抵抗値の励振電力依存性）等を測定してチェックする。また、絶縁抵抗特性等も併せてチェックする。
最後に、圧電振動子１の外観検査を行って、寸法や品質等を最終的にチェックする。
以上により、圧電振動子１が完成する。
【００５８】
このように、本実施形態では、１次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ａ）、及び２次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ｂ）による前段ポリッシュ工程に加え、研磨剤Ｗにコロイダルシリカを用いて３次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ｃ）を行う構成とした。
この構成によれば、前段ポリッシュ工程の後、コロイダルシリカによる最終研磨を行うことで、リッド基板用ウエハ５０の接合面５３の表面精度の向上を図ることができるとともに、接合面５３の平坦面を大きく確保することができるため、接合面５３の接合代を大きく確保することができる。その結果、接合面５３と接合材２３との密着性を向上させ、両ウエハ４０，５０を強固に接合することができる。
したがって、キャビティＣ内の気密性を確保できるため、振動特性に優れた信頼性の高い圧電振動子１を提供することができる。なお、本実施形態の３次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ｃ）を行うことで、接合面５３の表面粗さはＲａ＝０．３ｎｍ程度となり、従来に比べて１／１０程度に低減することができた。本実施形態において、表面粗さとは例えばＪＩＳ Ｂ ０６０１に規格化されている算術平均粗さＲａの数値である。
【００５９】
また、３次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ｃ）において、発泡ウレタンからなる研磨パッドを使用することで、研磨パッドが隔壁５４の角部の周縁に回り込まず、接合面５３上のみを摺動するので、接合面５３を積極的に研磨できる。そのため、リッド基板用ウエハ５０の接合面５３の周縁部に面ダレ部分が発生するのを抑制でき、リッド基板用ウエハ５０の接合代を大きく確保できる。
また、３次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ｃ）における研磨圧力を１，２次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ａ，Ｓ３５Ｂ）に比べて大きく設定することで、リッド基板用ウエハ５０の接合面５３と研磨パッドとの間に研磨剤Ｗを確実に介在させて、接合面５３を効率的に研磨することができる。
【００６０】
次に、本発明に係る発振器の一実施形態について、図９を参照しながら説明する。
本実施形態の発振器１００は、図９に示すように、圧電振動子１を、集積回路１０１に電気的に接続された発振子として構成したものである。この発振器１００は、コンデンサ等の電子部品１０２が実装された基板１０３を備えている。基板１０３には、発振器用の上述した集積回路１０１が実装されており、この集積回路１０１の近傍に、圧電振動子１が実装されている。これら電子部品１０２、集積回路１０１及び圧電振動子１は、図示しない配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。なお、各構成部品は、図示しない樹脂によりモールドされている。
【００６１】
このように構成された発振器１００において、圧電振動子１に電圧を印加すると、この圧電振動子１内の圧電振動片５が振動する。この振動は、圧電振動片５が有する圧電特性により電気信号に変換されて、集積回路１０１に電気信号として入力される。入力された電気信号は、集積回路１０１によって各種処理がなされ、周波数信号として出力される。
これにより、圧電振動子１が発振子として機能する。
また、集積回路１０１の構成を、例えば、ＲＴＣ（リアルタイムクロック）モジュール等を要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器等の他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダー等を提供したりする機能を付加することができる。
【００６２】
本実施形態の発振器１００は、上記のように信頼性に優れた圧電振動子１を備えているので、発振器１００自体の信頼性も確保することができ、長期にわたって安定した高精度な周波数信号を得ることができる。
【００６３】
（電子機器）
次に、本発明に係る電子機器の一実施形態について、図１０を参照して説明する。なお電子機器として、上述した圧電振動子１を有する携帯情報機器１１０を例にして説明する。始めに本実施形態の携帯情報機器１１０は、例えば、携帯電話に代表されるものであり、従来技術における腕時計を発展、改良したものである。外観は腕時計に類似し、文字盤に相当する部分に液晶ディスプレイを配し、この画面上に現在の時刻等を表示させることができるものである。また、通信機として利用する場合には、手首から外し、バンドの内側部分に内蔵されたスピーカ及びマイクロフォンによって、従来技術の携帯電話と同様の通信を行うことが可能である。しかしながら、従来の携帯電話と比較して、格段に小型化及び軽量化されている。
【００６４】
次に、本実施形態の携帯情報機器１１０の構成について説明する。この携帯情報機器１１０は、図１０に示すように、圧電振動子１と、電力を供給するための電源部１１１とを備えている。電源部１１１は、例えば、リチウム二次電池からなっている。この電源部１１１には、各種制御を行う制御部１１２と、時刻等のカウントを行う計時部１１３と、外部との通信を行う通信部１１４と、各種情報を表示する表示部１１５と、それぞれの機能部の電圧を検出する電圧検出部１１６とが並列に接続されている。そして、電源部１１１によって、各機能部に電力が供給されるようになっている。
【００６５】
制御部１１２は、各機能部を制御して音声データの送信及び受信、現在時刻の計測や表示等、システム全体の動作制御を行う。また、制御部１１２は、予めプログラムが書き込まれたＲＯＭと、このＲＯＭに書き込まれたプログラムを読み出して実行するＣＰＵと、このＣＰＵのワークエリアとして使用されるＲＡＭ等とを備えている。
【００６６】
計時部１１３は、発振回路、レジスタ回路、カウンタ回路及びインターフェース回路等を内蔵する集積回路と、圧電振動子１とを備えている。圧電振動子１に電圧を印加すると圧電振動片５が振動し、この振動が水晶の有する圧電特性により電気信号に変換されて、発振回路に電気信号として入力される。発振回路の出力は二値化され、レジスタ回路とカウンタ回路とにより計数される。そして、インターフェース回路を介して、制御部１１２と信号の送受信が行われ、表示部１１５に、現在時刻や現在日付或いはカレンダー情報等が表示される。
【００６７】
通信部１１４は、従来の携帯電話と同様の機能を有し、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９、増幅部１２０、音声入出力部１２１、電話番号入力部１２２、着信音発生部１２３及び呼制御メモリ部１２４を備えている。
無線部１１７は、音声データ等の各種データを、アンテナ１２５を介して基地局と送受信のやりとりを行う。音声処理部１１８は、無線部１１７又は増幅部１２０から入力された音声信号を符号化及び複号化する。増幅部１２０は、音声処理部１１８又は音声入出力部１２１から入力された信号を、所定のレベルまで増幅する。音声入出力部１２１は、スピーカやマイクロフォン等からなり、着信音や受話音声を拡声したり、音声を集音したりする。
【００６８】
また、着信音発生部１２３は、基地局からの呼び出しに応じて着信音を生成する。切替部１１９は、着信時に限って、音声処理部１１８に接続されている増幅部１２０を着信音発生部１２３に切り替えることによって、着信音発生部１２３において生成された着信音が増幅部１２０を介して音声入出力部１２１に出力される。
なお、呼制御メモリ部１２４は、通信の発着呼制御に係るプログラムを格納する。また、電話番号入力部１２２は、例えば、０から９の番号キー及びその他のキーを備えており、これら番号キー等を押下することにより、通話先の電話番号等が入力される。
【００６９】
電圧検出部１１６は、電源部１１１によって制御部１１２等の各機能部に対して加えられている電圧が、所定の値を下回った場合に、その電圧降下を検出して制御部１１２に通知する。このときの所定の電圧値は、通信部１１４を安定して動作させるために必要な最低限の電圧として予め設定されている値であり、例えば、３Ｖ程度となる。電圧検出部１１６から電圧降下の通知を受けた制御部１１２は、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９及び着信音発生部１２３の動作を禁止する。特に、消費電力の大きな無線部１１７の動作停止は、必須となる。更に、表示部１１５に、通信部１１４が電池残量の不足により使用不能になった旨が表示される。
【００７０】
すなわち、電圧検出部１１６と制御部１１２とによって、通信部１１４の動作を禁止し、その旨を表示部１１５に表示することができる。この表示は、文字メッセージであっても良いが、より直感的な表示として、表示部１１５の表示面の上部に表示された電話アイコンに、×（バツ）印を付けるようにしても良い。
なお、通信部１１４の機能に係る部分の電源を、選択的に遮断することができる電源遮断部１２６を備えることで、通信部１１４の機能をより確実に停止することができる。
【００７１】
本実施形態の携帯情報機器１１０は、上記のように信頼性に優れた圧電振動子１を備えているので、携帯情報機器１１０自体の信頼性も確保することができ、長期にわたって安定した高精度な時計情報を表示することができる。
【００７２】
（電波時計）
次に、本発明に係る電波時計の一実施形態について、図１１を参照して説明する。
本実施形態の電波時計１３０は、図１１に示すように、フィルタ部１３１に電気的に接続された圧電振動子１を備えたものであり、時計情報を含む標準の電波を受信して、正確な時刻に自動修正して表示する機能を備えた時計である。
日本国内には、福島県（４０ｋＨｚ）と佐賀県（６０ｋＨｚ）とに、標準の電波を送信する送信所（送信局）があり、それぞれ標準電波を送信している。４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚのような長波は、地表を伝播する性質と、電離層と地表とを反射しながら伝播する性質とを併せもつため、伝播範囲が広く、上述した２つの送信所で日本国内を全て網羅している。
【００７３】
以下、電波時計１３０の機能的構成について詳細に説明する。
アンテナ１３２は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの長波の標準電波を受信する。長波の標準電波は、タイムコードと呼ばれる時刻情報を、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの搬送波にＡＭ変調をかけたものである。受信された長波の標準電波は、アンプ１３３によって増幅され、複数の圧電振動子１を有するフィルタ部１３１によって濾波、同調される。
本実施形態における圧電振動子１は、上述した搬送周波数と同一の４０ｋＨｚ及び６０ｋＨｚの共振周波数を有する水晶振動子部１３８、１３９をそれぞれ備えている。
【００７４】
さらに、濾波された所定周波数の信号は、検波、整流回路１３４により検波復調される。続いて、波形整形回路１３５を介してタイムコードが取り出され、ＣＰＵ１３６でカウントされる。ＣＰＵ１３６では、現在の年、積算日、曜日、時刻等の情報を読み取る。読み取られた情報は、ＲＴＣ１３７に反映され、正確な時刻情報が表示される。
搬送波は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚであるから、水晶振動子部１３８、１３９は、上述した音叉型の構造を持つ振動子が好適である。
【００７５】
なお、上述の説明は、日本国内の例で示したが、長波の標準電波の周波数は、海外では異なっている。例えば、ドイツでは７７．５ＫＨｚの標準電波が用いられている。従って、海外でも対応可能な電波時計１３０を携帯機器に組み込む場合には、さらに日本の場合とは異なる周波数の圧電振動子１を必要とする。
【００７６】
本実施形態の電波時計１３０は、上記のように信頼性に優れた圧電振動子１を備えているので、電波時計１３０自体の信頼性も確保することができ、長期にわたって安定して高精度に時刻をカウントすることができる。
【００７７】
以上、本発明の技術範囲は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上述した実施形態では、本発明に係るパッケージの製造方法を使用しつつ、パッケージの内部に圧電振動片を封入して圧電振動子を製造したが、パッケージの内部に圧電振動片以外の電子部品を封入して、圧電振動子以外のデバイスを製造することも可能である。
また、上述した実施形態では、音叉型の圧電振動片を用いた圧電振動子を例に挙げて本発明のパッケージの製造方法を説明したが、これに限らず、例えばＡＴカット型の圧電振動片（厚み滑り振動片）を用いた圧電振動子等に、本発明を適用しても構わない。
【００７８】
さらに、上述した実施形態においては、リッド基板用ウエハ５０に接合材２３を形成する構成について説明したが、ベース基板用ウエハ４０におけるリッド基板用ウエハ５０の接合面５３に対向する領域に接合材２３を形成しても構わない。この場合にも、陽極接合時において、リッド基板用ウエハ５０とベース基板用ウエハ４０に形成された接合材２３との密着性を向上させることができる。
また、上述した３次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ｃ）に片面研磨装置６１を用いる構成について説明したが、両面研磨装置を用いても構わない。
【符号の説明】
【００７９】
１…圧電振動子 ３ａ…凹部 ５…圧電振動片（電子部品） １０…パッケージ ４０…ベース基板用ウエハ（第２基板） ５０…リッド基板用ウエハ（第１基板、ガラス基板） ５１…第１面 ５３…接合面（先端面） ５４…隔壁 １００…発振器 １０１…集積回路 １１０…携帯情報機器（電子機器） １１３…計時部 １３０…電波時計 １３１…フィルタ部 Ｃ…キャビティ Ｗ…研磨剤（第２研磨剤）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス基板の研磨方法、パッケージの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器並びに電波時計に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や携帯情報端末機器には、時刻源や制御信号等のタイミング源、リファレンス信号源等として水晶等を利用した圧電振動子（パッケージ）が用いられている。この種の圧電振動子は、様々なものが知られているが、その１つとして、表面実装（ＳＭＤ）型の圧電振動子が知られている。この種の圧電振動子としては、例えば互いに接合されたガラス材料からなるベース基板及びリッド基板と、両基板の間に形成されたキャビティと、キャビティ内に気密封止された状態で収納された圧電振動片と、を備えている。
【０００３】
このような２層構造タイプの圧電振動子を製造する場合、リッド基板にキャビティ用の凹部を形成する一方、ベース基板上に圧電振動片をマウントした後、接合材を介して両ウエハを陽極接合する。これにより、キャビティ内に圧電振動片が気密封止された圧電振動子を製造している。
【０００４】
ところで、上述した圧電振動子の製造工程において、ベース基板とリッド基板とを接合する場合、キャビティの気密性を確保するためには、両基板の接合代（接合面の面積）及び接合面の表面精度を確保して、平坦面同士で接合することが重要になる。
そこで、例えば、特許文献１には、両基板を陽極接合するために、その前段で両基板の接合面を研磨して表面精度を向上させる研磨工程を有する構成が記載されている。研磨工程の一例としては、研磨パッドを設けた上下一対の定盤間に、基板を保持するキャリアを挟み、研磨剤を供給しながら定盤とキャリアとを相対的に回転、移動させて基板両面を同時に研磨する方法が知られている。なお、研磨剤には、一般的にガラス面の研磨に使用される酸化セリウム等が好適に用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１３６２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近時では、表面精度の更なる向上が要望されている。しかしながら、上述した研磨方法では、表面精度の向上に限界があり（例えば、表面粗さＲａ＝３ｎｍ程度）、接合面に研磨痕が残存する虞がある。この場合には、その後に形成される接合材との密着性が悪く、キャビティの気密性や信頼性を確保することができない虞がある。すなわち、両基板を接合しようとすると、互いの接合面との間に隙間が生じてキャビティ内の気密を確保することができず、圧電振動子の振動特性が安定しない場合がある。
【０００７】
そこで本発明は、このような事情に考慮してなされたもので、ガラス基板の接合面の表面精度の向上を図り、キャビティ内の気密を確保することができるガラス基板の研磨方法、パッケージの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器並びに電波時計を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のガラス基板の研磨方法は、研磨剤を供給しつつガラス基板の表面を研磨する、研磨工程を有するガラス基板の研磨方法であって、前記研磨工程は、前記研磨剤に酸化セリウムを主成分とする第１研磨剤を用いて前記ガラス基板の前記表面を研磨する前段ポリッシュ工程と、前記研磨剤にコロイダルシリカを主成分とする第２研磨剤を用いて前記ガラス基板の前記表面を研磨する後段ポリッシュ工程と、を有することを特徴としている。
【０００９】
この構成によれば、第１研磨剤を用いた前段ポリッシュ工程の後に、コロイダルシリカを主成分とした第２研磨剤を用いて後段ポリッシュ工程を行うことで、ガラス基板の表面の表面精度の向上を図ることができるとともに、平坦面を大きく確保することができるため、ガラス基板の表面を接合する場合の接合代を大きく確保することができる。その結果、気密性を確保した上で、ガラス基板を確実に接合することができる。
【００１０】
また、前記ガラス基板の前記表面には、凹部が形成され、前記研磨工程では、前記凹部の周囲を取り囲む隔壁の先端面を研磨することを特徴としている。
この構成によれば、ガラス基板の隔壁の先端面を平坦化することで、隔壁の先端面を接合した場合に、隔壁の内側の気密性を確保した上で、ガラス基板を確実に接合することができる。
【００１１】
また、前記後段ポリッシュ工程は、発泡ウレタンからなる研磨パッドを用いて行うことを特徴としている。
この構成によれば、発砲ウレタンからなる研磨パッドを使用することで、研磨パッドがガラス基板の角部の周縁に回り込まず、ガラス基板の表面上のみを摺動するので、ガラス基板の表面を積極的に研磨できる。そのため、ガラス基板の表面の周縁部に面ダレ部分が発生するのを抑制でき、ガラス基板の接合代を大きく確保できる。
【００１２】
また、前記後段ポリッシュ工程では、前記前段ポリッシュ工程に比べて研磨圧力を大きく設定することを特徴としている。
この構成によれば、ガラス基板の表面と研磨パッドとの間に第２研磨剤を確実に介在させて、ガラス基板の表面を効率的に研磨することができる。
【００１３】
また、本発明のパッケージの製造方法は、互いに接合された複数の基板との間に形成されたキャビティ内に、電子部品を封入可能なパッケージの製造方法であって、前記複数の基板のうち、第１基板の表面に前記キャビティ用の凹部を形成する凹部形成工程と、上記本発明のガラス基板の研磨方法を用い、前記凹部の周囲を取り囲む隔壁の先端面を研磨する研磨工程と、前記隔壁の先端面に、前記複数の基板のうち第２基板を陽極接合する工程と、を有することを特徴としている。
この構成によれば、上記本発明のガラス基板の研磨方法を用いて研磨を行うことで、第１基板の接合面の表面精度の向上を図るとともに、平坦面を大きく確保することができるため、第１基板の接合面を接合する場合の接合代を確保することができる。その結果、第１基板と第２基板とを確実に陽極接合し、キャビティ内の気密を確保することができる。
【００１４】
また、本発明に係る圧電振動子は、上記本発明のパッケージの製造方法によって製造されたことを特徴としている。
この構成によれば、上記本発明のパッケージの製造方法によって製造された圧電振動子であるため、振動特性に優れた信頼性の高い圧電振動子を提供することができる。
【００１５】
また、本発明に係る発振器は、上記本発明の圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴としている。
【００１６】
また、本発明に係る電子機器は、上記本発明の圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴としている。
【００１７】
また、本発明に係る電波時計は、上記本発明の圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴としている。
【００１８】
本発明に係る発振器、電子機器及び電波時計においては、上記本発明の圧電振動子を備えているので、振動特性に優れた信頼性の高い製品を提供することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係るガラス基板の研磨方法によれば、ガラス基板の表面の表面精度の向上を図るとともに、平坦面を大きく確保することができるため、ガラス基板の表面を接合する場合の接合代を確保することができる。その結果、気密性を確保した上で、ガラス基板を確実に接合することができる。
また、本発明に係るパッケージの製造方法によれば、上記本発明のガラス基板の研磨方法を用いて研磨を行うことで、第１基板の接合面の表面精度の向上を図るとともに、平坦面を大きく確保することができるため、第１基板の接合面を接合する場合の接合代を確保することができる。その結果、第１基板と第２基板とを確実に陽極接合し、キャビティ内の気密を確保することができる。
また、本発明に係る圧電振動子によれば、上記本発明のパッケージの製造方法によって製造された圧電振動子であるので、振動特性に優れた信頼性の高い圧電振動子を提供することができる。
本発明に係る発振器、電子機器及び電波時計においては、上記本発明の圧電振動子を備えているので、振動特性に優れた信頼性の高い製品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】実施形態における圧電振動子を示す外観斜視図である。
【図２】圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態で圧電振動片を上方から見た図ある。
【図３】図２のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図４】圧電振動子の分解斜視図である。
【図５】図１に示す圧電振動子を製造する流れを示すフローチャートである。
【図６】圧電振動子の製造方法を説明するための工程図であって、ウエハ接合体の分解斜視図である。
【図７】リッド基板用ウエハ作製工程を説明するための工程図であって、リッド基板用ウエハの断面を示す図である。
【図８】３次ポリッシング工程で用いる片面研磨装置を示す概略構成図であって、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図である。
【図９】本発明に係る発振器の一実施形態を示す構成図である。
【図１０】本発明に係る電子機器の一実施形態を示す構成図である。
【図１１】本発明に係る電波時計の一実施形態を示す構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面に基づいて、本発明の実施形態を説明する。
（圧電振動子）
図１は、本実施形態における圧電振動子をリッド基板側から見た外観斜視図である。また図２は圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態で圧電振動片を上方から見た図ある。また、図３は図２に示すＡ−Ａ線に沿った圧電振動子の断面図であり、図４は圧電振動子の分解斜視図である。
図１〜４に示すように、本実施形態の圧電振動子１は、ベース基板２及びリッド基板３が接合材２３を介して陽極接合された箱状のパッケージ１０と、パッケージ１０のキャビティＣ内に収納された圧電振動片（電子部品）５と、を備えた表面実装型の圧電振動子１である。そして、圧電振動片５とベース基板２の第１面２ａ（図３中下面）に設置された外部電極６，７とが、ベース基板２を貫通する一対の貫通電極８，９によって電気的に接続されている。
【００２２】
ベース基板２は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明な絶縁基板で板状に形成されている。ベース基板２には、一対の貫通電極８，９が形成される一対の貫通孔２１，２２が形成されている。貫通孔２１，２２は、ベース基板２の第１面２ａから第２面２ｂ（図３中上面）に向かって漸次径が縮径したテーパ形状をなしている。
【００２３】
リッド基板３は、ベース基板２と同様に、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明の絶縁基板であり、ベース基板２に重ね合わせ可能な大きさの板状に形成されている。そして、リッド基板３の第１面３ｂ（図３中下面）側には、圧電振動片５が収容される矩形状の凹部３ａが形成されている。この凹部３ａは、ベース基板２及びリッド基板３が重ね合わされたときに、圧電振動片５を収容するキャビティＣを形成する。そして、リッド基板３は、凹部３ａをベース基板２側に対向させた状態でベース基板２に対して接合材２３を介して陽極接合されている。すなわち、リッド基板３の第１面３ｂ側は、中央部に形成された凹部３ａと、凹部３ａの周囲に形成され、ベース基板２との接合面となる額縁領域３ｃとを構成している。
【００２４】
圧電振動片５は、水晶、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム等の圧電材料から形成された音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。
この圧電振動片５は、平行に配置された一対の振動腕部２４，２５と、一対の振動腕部２４，２５の基端側を一体的に固定する基部２６とからなる音叉型で、一対の振動腕部２４，２５の外表面上には、振動腕部２４，２５を振動させる図示しない一対の第１の励振電極と第２の励振電極とからなる励振電極と、第１の励振電極及び第２の励振電極と後述する引き回し電極２７，２８とを電気的に接続する一対のマウント電極とを有している（何れも不図示）。
【００２５】
このように構成された圧電振動片５は、図２，３に示すように、金等のバンプＢを利用して、ベース基板２の第２面２ｂに形成された引き回し電極２７，２８上にバンプ接合されている。より具体的には、圧電振動片５の第１の励振電極が、一方のマウント電極及びバンプＢを介して一方の引き回し電極２７上にバンプ接合され、第２の励振電極が他方のマウント電極及びバンプＢを介して他方の引き回し電極２８上にバンプ接合されている。これにより、圧電振動片５は、ベース基板２の第２面２ｂから浮いた状態で支持されるとともに、各マウント電極と引き回し電極２７，２８とがそれぞれ電気的に接続された状態となる。
【００２６】
外部電極６，７は、ベース基板２の第１面２ａにおける長手方向の両側に設置されており、各貫通電極８，９及び各引き回し電極２７，２８を介して圧電振動片５に電気的に接続されている。より具体的には、一方の外部電極６は、一方の貫通電極８及び一方の引き回し電極２７を介して圧電振動片５の一方のマウント電極に電気的に接続されている。また、他方の外部電極７は、他方の貫通電極９及び他方の引き回し電極２８を介して、圧電振動片５の他方のマウント電極に電気的に接続されている。
【００２７】
貫通電極８，９は、焼成によって貫通孔２１，２２に対して一体的に固定された筒体３２、及び芯材部３１によって形成されたものである。各貫通電極８，９は、貫通孔２１，２２を完全に塞いでキャビティＣ内の気密を維持しているとともに、外部電極６，７と引き回し電極２７，２８とを導通させる役割を担っている。具体的に、一方の貫通電極８は、外部電極６と基部２６との間で引き回し電極２７の下方に位置しており、他方の貫通電極９は、外部電極７と振動腕部２５との間で引き回し電極２８の下方に位置している。
【００２８】
筒体３２は、ペースト状のガラスフリットが焼成されたものである。筒体３２は、両端が平坦で、かつベース基板２と略同じ厚みの円筒状に形成されている。そして、筒体３２の中心には、芯材部３１が筒体３２を貫通するように配されている。また、本実施形態では貫通孔２１，２２の形状に合わせて、筒体３２の外形が円錐状（断面テーパ状）となるように形成されている。そして、この筒体３２は、貫通孔２１，２２内に埋め込まれた状態で焼成されており、これら貫通孔２１，２２に対して強固に固着されている。
【００２９】
芯材部３１は、金属材料により円柱状に形成された導電性の芯材であり、筒体３２と同様に両端が平坦で、かつベース基板２の厚みと略同じ厚さとなるように形成されている。
そして、芯材部３１を通して貫通電極８，９の電気導通性が確保されている。
【００３０】
リッド基板３の第１面３ｂ全体には、陽極接合用の接合材２３が形成されている。具体的に、接合材２３は、額縁領域３ｃ及び凹部３ａの内面全体に亘って形成されている。本実施形態の接合材２３はＳｉ膜で形成されているが、接合材２３をＡｌで形成することも可能である。なお接合材２３として、ドーピング等により低抵抗化したＳｉバルク材で形成することも可能である。そして後述するように、この接合材２３とベース基板２とが陽極接合され、キャビティＣが真空封止されている。
【００３１】
このように構成された圧電振動子１を作動させる場合には、ベース基板２に形成された外部電極６，７に対して、所定の駆動電圧を印加する。これにより、圧電振動片５の各励振電極に電流を流すことができ、一対の振動腕部２４，２５を接近・離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。そして、この一対の振動腕部２４，２５の振動を利用して、時刻源、制御信号のタイミング源やリファレンス信号源等として利用することができる。
【００３２】
（圧電振動子の製造方法）
次に、上述した圧電振動子の製造方法について、図５に示すフローチャートを参照しながら説明する。以下には、複数のベース基板２が連なるベース基板用ウエハ４０と、複数のリッド基板３が連なるリッド基板用ウエハ５０との間に複数の圧電振動片５を封入してウエハ接合体６０を形成し、ウエハ接合体６０を切断することにより複数の圧電振動子１を同時に製造する方法について説明する。なお、図６は、ウエハ接合体の分解斜視図であり、図６に示す破線Ｍは、後述する個片化工程（Ｓ９０）で切断する切断線を図示したものである。
図５に示すように、本実施形態に係る圧電振動子の製造方法は、主に、圧電振動片作製工程（Ｓ１０）と、ベース基板用ウエハ作製工程（Ｓ２０）と、リッド基板用ウエハ作製工程（Ｓ３０）と、組立工程（Ｓ４０以下）と、を有している。そのうち、圧電振動片作製工程（Ｓ１０）、ベース基板用ウエハ作製工程（Ｓ２０）及びリッド基板用ウエハ作製工程（Ｓ３０）は、並行して実施することが可能である。
【００３３】
（圧電振動片作製工程）
初めに、圧電振動片作製工程を行って図１〜４に示す圧電振動片５を作製する（Ｓ１０）。また、圧電振動片５を作製した後、共振周波数の粗調を行っておく。なお、共振周波数をより高精度に調整する微調に関しては、マウント後に行う。
【００３４】
（ベース基板用ウエハ作製工程）
まず、図５，６に示すように、後にベース基板２となるベース基板用ウエハ４０を、陽極接合を行う直前の状態まで作製するベース基板用ウエハ作製工程を行う（Ｓ２０）。具体的には、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のベース基板用ウエハ４０を形成する（Ｓ２１）。次いで、例えばプレス加工等により、ベース基板用ウエハ４０に一対の貫通電極８，９を配置するための貫通孔２１，２２を複数形成する貫通孔形成工程を行う（Ｓ２２）。具体的には、プレス加工によりベース基板用ウエハ４０の第１面４０ａに凹部を形成した後、ベース基板用ウエハ４０の第２面４０ｂ側から研磨することで、凹部を貫通させ、貫通孔２１，２２を形成することができる。
【００３５】
続いて、貫通孔形成工程（Ｓ２２）で形成された貫通孔２１，２２内に貫通電極８，９を形成する貫通電極形成工程（Ｓ２３）を行う。これにより、貫通孔２１，２２内において、芯材部３１がベース基板用ウエハ４０の両面４０ａ，４０ｂに対して面一な状態で保持される。以上により、貫通電極８，９を形成することができる。
【００３６】
次に、ベース基板用ウエハ４０の第２面４０ｂに導電性材料をパターニングして、引き回し電極２７，２８を形成する引き回し電極形成工程を行う（Ｓ２４）。このようにして、ベース基板用ウエハ作製工程（Ｓ２０）が終了する。
【００３７】
（リッド基板用ウエハ作製工程）
図７は、リッド基板用ウエハの断面図である。
上述したベース基板用ウエハ作製工程（Ｓ２０）と同時或いは前後のタイミングで、後にリッド基板３となるリッド基板用ウエハ５０を、陽極接合を行う直前の状態まで作製するリッド基板用ウエハ作製工程を行う（Ｓ３０）。具体的には、図５〜７（ａ）に示すように、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のリッド基板用ウエハ５０を形成する（Ｓ３１）。
次いで、図７（ｂ）に示すように、リッド基板用ウエハ５０の第１面５１に、プレス加工やエッチング等により、キャビティＣ用の凹部３ａを行列方向に複数形成する凹部形成工程を行う（Ｓ３２）。これにより、リッド基板用ウエハ５０の第１面５１側は、複数の凹部３ａと、凹部３ａの周囲に形成され、先端面がベース基板用ウエハ４０との接合面５３（上述した額縁領域３ｃに相当）になる隔壁５４と、を構成している。
【００３８】
（研磨工程）
次に、リッド基板用ウエハ５０を研磨する研磨工程（Ｓ３３）を行う。研磨工程（Ｓ３３）は、リッド基板用ウエハ５０に対して粗削りを行うラッピング工程（Ｓ３４）と、鏡面仕上げを行うポリッシュ工程（Ｓ３５）と、を有している。
まず、ラッピング工程（Ｓ３３）では、図示しない両面ラッピング装置を用い、リッド基板用ウエハ５０の両面（第１面５１及び第１面５１と反対側の第２面５２）をラッピング（粗削り）する。具体的には、リッド基板用ウエハ５０を鋳鉄等からなるラップによってラップ剤を介して挟持し、これらラップ剤とリッド基板用ウエハ５０とを相対移動させる。これにより、リッド基板用ウエハ５０の両面５１，５２を粗削りすることができる。
【００３９】
続いて、リッド基板用ウエハ５０の少なくとも接合面５３を鏡面仕上げするために、ポリッシュ工程（Ｓ３５）を行う。
ポリッシュ工程（Ｓ３５）は、図示しない両面研磨装置を用いてリッド基板用ウエハ５０の両面５１，５２を研磨する１次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ａ：前段ポリッシュ工程）、及び２次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ｂ：前段ポリッシュ工程）と、後述する片面研磨装置６１を用いてリッド基板用ウエハ５０の第１面５１（接合面５３）を研磨する３次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ｃ：後段ポリッシュ工程）と、を有している。
【００４０】
１次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ａ）では、まず研磨パッドを設けた上下一対の定盤間に、リッド基板用ウエハ５０を保持するキャリアを挟み込む。そして、両面研磨装置を駆動して、研磨パッドとリッド基板用ウエハ５０の両面５１，５２との間に研磨剤（第１研磨剤）を供給しながら、研磨パッド（定盤）とリッド基板用ウエハ５０とを相対的に回転、移動させることで、リッド基板用ウエハ５０の両面５１，５２が鏡面加工される。なお、本実施形態の両面研磨装置では、研磨パッドとリッド基板用ウエハ５０との間から外部へ流出した研磨剤は、回収されて研磨パッドとリッド基板用ウエハ５０との間に再度供給される仕組みとなっている。
【００４１】
この場合、１次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ａ）で用いる研磨剤としては、ガラス面の研磨に一般的に使用される酸化セリウム等の砥粒を水中に分散させたスラリー状のものが好適に用いられている。また、研磨パッドとしては、例えば不織布やスエード状の研磨布であるセリウムパッド等が好適に用いられる。
なお、その他の１次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ａ）における研磨条件は、例えば以下の通りである。
・研磨圧力 ８０ｇ／ｃｍ２程度
・研磨剤の流量 数百ｃｃ／ｍｉｎ
【００４２】
ところで、１次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ａ）では、リッド基板用ウエハ５０の接合面５３の表面精度を向上させるため、上述したセリウムパッド等の比較的軟らかい研磨パッドを使用する必要がある。そのため、図７（ｃ）に示すように、研磨パッドが隔壁５４の周縁まで回り込むことになり、隔壁５４が中心から周縁にかけて漸次厚さが薄くなる。その結果、接合面５３となる隔壁５４の先端面が曲面形状をなすことになる。すなわち、ラッピング工程（Ｓ３４）後における接合面５３の平坦面の面積（接合代Ｄ１）に比べて（図７（ｂ）参照）、１次ポリッシング工程（Ｓ３５Ａ）後における接合面５３の平坦面の面積（接合代Ｄ２）が縮小し、後述する接合工程（Ｓ６０）において、両ウエハ４０，５０を良好に接合することができない虞がある。
【００４３】
そこで、本実施形態では、１次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ａ）を経たリッド基板用ウエハ５０に対して、２次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ｂ）を行う。２次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ｂ）では、リッド基板用ウエハ５０の両側に配置される研磨パッドにそれぞれ異なる材料を使用している。具体的に、リッド基板用ウエハ５０の第１面５１側に配置される研磨パッドに、発砲ウレタンからなる研磨パッドを使用する。発泡ウレタンからなる研磨パッドは、不織布に発泡ウレタン樹脂が含浸されて形成されたものであり、上述したセリウムパッドに比べて硬質な研磨パッドである。
【００４４】
一方、リッド基板用ウエハ５０の第２面５２側に配置される研磨パッドに、不織布ベースの連続発泡構造を持った研磨パッドを採用している。すなわち、第２面５２側に配置される研磨パッドに、発砲ウレタンよりも軟質な研磨パッドを貼着している。これにより、第１面５１（接合面５３）と研磨パッドとの間の抵抗に比べて、第２面５２と研磨パッドとの間の抵抗を減少させることができる。よって、第２面５２の研磨速度に比べて第１面５１（接合面５３）の研磨速度を大きく確保することができるため、接合面５３の面ダレ部分を積極的に研磨することができる。
そして、その他の研磨条件については、上述した１次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ａ）の研磨条件と同様の条件でリッド基板用ウエハ５０を研磨することで、第１面５１のうち主に接合面５３が研磨され、接合面５３が接合代Ｄ３の平坦面となる（図７（ｄ）参照）。なお、本実施形態では接合代Ｄ３を、ラッピング工程後の接合代Ｄ１に比べて９０％〜９５％程度に形成することができる。
【００４５】
図８は片面研磨装置の概略図であって、（ａ）は側面図、（ｂ）は下方から見た平面図である。
続いて、図５，８に示すように、片面研磨装置６１を用いてリッド基板用ウエハ５０の接合面５３を研磨する３次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ｃ）を行う。片面研磨装置６１は、平面視円形状の上定盤６２と、上定盤６２と同じ平面視円形状に形成され研磨パッド（不図示）が設けられた下定盤６３と、上定盤６２の下側に複数配置されて、リッド基板用ウエハ５０を吸着固定する平面視円形状のキャリア６４と、リッド基板用ウエハ５０と下定盤６３の研磨パッドとの間に研磨剤（第２研磨剤）Ｗを流入させる研磨剤流入手段６５と、下定盤６３及び各キャリア６４をそれぞれ独立して回転させる図示しない回転手段と、から概略構成されている。なお、本実施形態の片面研磨装置６１は、例えばリッド基板用ウエハ５０が各キャリア６４にそれぞれ３枚ずつ固定できるようになっている。
【００４６】
下定盤６３は、図８中の矢印Ａ１の方向に水平方向に回転する構造であり、その研磨側の面（図８（ａ）中上面）に研磨パッド（不図示）が貼着されている。
キャリア６４は、上定盤６２に水平方向に回転自在に保持されて図８中の矢印Ａ２の方向に自転する構造である。このように下定盤６３が回転するとともに、キャリア６４が回転する構造により、研磨面の片減りを無くし表面を平坦に研磨することができる。なお、本実施形態では、下定盤６３の回転数に対してキャリア６４の回転数が１回転少なくなるように設定している。
【００４７】
研磨剤流入手段６５は、研磨剤Ｗを収容し、攪拌するモータを備える図示しない収容部と、収容部内の研磨剤Ｗを搬送し、上定盤６２に６〜８ヶ所ほど設けられた流入口６５ａから下定盤６３上に流入させる図示しないポンプと、研磨剤ＷのＰＨを測定するＰＨ測定器（不図示）と、を備えている。なお、本実施形態の片面研磨装置６１では、研磨パッドとリッド基板用ウエハ５０との間から外部へ流出した研磨剤Ｗは、回収されて研磨パッドとリッド基板用ウエハ５０との間に再度供給される仕組みとなっている。
【００４８】
３次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ｃ）では、リッド基板用ウエハ５０の第１面５１（接合面５３）が下側となるように、リッド基板用ウエハ５０をキャリア６４に吸着固定させて片面研磨装置６１にセットする。このとき、同一キャリア６４には、上述した２次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ｂ）後の厚みムラが１μｍ以内のリッド基板用ウエハ５０同士をセットする。また、上定盤６２若しくはキャリア６４の下側には、例えばガラスエポキシ樹脂（ＦＲ４）で形成された平板形状のダミー基板６７を設置することが好ましい。ダミー基板６７は、リッド基板用ウエハ５０よりも厚く形成されていることが好ましく、その下端面が接合面５３よりも下方に位置することが好ましい。
【００４９】
そして、下定盤６３のリッド基板用ウエハ５０との対向面に研磨パッド（不図示）を貼着した後、研磨剤Ｗを供給しながら、下定盤６３及びキャリア６４をそれぞれ回転手段により回転させて研磨を行う。このとき、研磨剤Ｗとしてはコロイダルシリカが用いられている。コロイダルシリカは、二酸化珪素（ＳｉＯ2）が水中に分散されたものである。
また、研磨パッドとしては、上述した２次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ｂ）で用いた研磨パッドと同様の材料（発泡ウレタン）を採用している。さらに、３次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ｃ）は、上述した１次、２次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ａ，Ｂ）に比べて、研磨圧力（２１０ｇ／ｃｍ2程度）が大きく、また回転数も多く設定されている。一方で、３次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ｃ）における研磨剤の流量は、１次、２次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ａ，Ｂ）に比べて少なく（例えば、半分程度）設定されている。
【００５０】
上述の条件で研磨を行うと、まず接合面５３よりも先にダミー基板６７が下定盤６３に接触し、ダミー基板６７が研磨され、その後に接合面５３が下定盤６３に接触してダミー基板６７と共に研磨される。
このように、接合面５３よりも先にダミー基板６７が研磨され、その後に接合面５３がダミー基板６７とともに研磨されることにより、下定盤６３からリッド基板用ウエハ５０に対して徐々に圧力を負荷することが可能になり、リッド基板用ウエハ５０の損傷を防止することができる。
【００５１】
次に、図５，６に示すように、リッド基板用ウエハ５０の第１面５１全体（ベース基板用ウエハ４０との接合面５３及び凹部３ａの内面）に接合材２３を形成する接合材形成工程（Ｓ３６）を行う。
このように、接合材２３をリッド基板用ウエハ５０の第１面５１全体に形成することで、接合材２３のパターニングが不要になり、製造コストを低減することができる。なお、接合材２３の形成は、スパッタやＣＶＤ等の成膜方法によって行うことができる。また、接合材形成工程（Ｓ３６）の前に接合面５３を研磨しているので、接合材２３の表面精度が確保され、ベース基板用ウエハ４０との安定した接合を実現することができる。
以上により、リッド基板用ウエハ作製工程（Ｓ３０）が終了する。
【００５２】
（組立工程）
次に、ベース基板用ウエハ作製工程（Ｓ２０）で作製されたベース基板用ウエハ４０の引き回し電極２７，２８上に、圧電振動片作製工程（Ｓ１０）で作製された圧電振動片５を、金等のバンプＢを介してマウントする（Ｓ４０）。
そして、上述した各ウエハ作製工程（Ｓ２０，Ｓ３０）で作製されたベース基板用ウエハ４０及びリッド基板用ウエハ５０を重ね合わせる、重ね合わせ工程を行う（Ｓ５０）。
【００５３】
具体的には、図示しない基準マーク等を指標としながら、ベース基板用ウエハ４０及びリッド基板用ウエハ５０を正しい位置にアライメントする。
これにより、マウントされた圧電振動片５が、リッド基板用ウエハ５０に形成された凹部３ａとベース基板用ウエハ４０とで囲まれるキャビティＣ内に収納された状態となる。
【００５４】
重ね合わせ工程（Ｓ５０）後、重ね合わせた２枚のベース基板用ウエハ４０及びリッド基板用ウエハ５０を図示しない陽極接合装置に入れ、図示しない保持機構によりウエハ４０，５０の外周部分をクランプした状態で、所定の温度雰囲気で所定の電圧を印加して陽極接合する接合工程を行う（Ｓ６０）。すると、接合材２３とベース基板用ウエハ４０との界面に電気化学的な反応が生じ、両者がそれぞれ強固に密着して陽極接合される。
これにより、圧電振動片５をキャビティＣ内に封止することができ、ベース基板用ウエハ４０とリッド基板用ウエハ５０とが接合されたウエハ接合体６０を得ることができる。
【００５５】
そして、本実施形態のようにリッド基板用ウエハ５０及びベース基板用ウエハ４０同士を陽極接合することで、接着剤等でリッド基板用ウエハ５０及びベース基板用ウエハ４０を接合した場合に比べて、経時劣化や衝撃等によるずれ、ウエハ接合体６０の反り等を防ぎ、リッド基板用ウエハ５０及びベース基板用ウエハ４０をより強固に接合することができる。
【００５６】
この後、一対の貫通電極８，９にそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極６，７を形成し（Ｓ７０）、圧電振動子１の周波数を微調整する（Ｓ８０）。
そして、接合されたウエハ接合体６０を切断線Ｍに沿って切断し、個片化する個片化工程（Ｓ９０）を行う。
【００５７】
そして、電気特性検査工程（Ｓ１００）では、圧電振動子１の共振周波数や共振抵抗値、ドライブレベル特性（共振周波数及び共振抵抗値の励振電力依存性）等を測定してチェックする。また、絶縁抵抗特性等も併せてチェックする。
最後に、圧電振動子１の外観検査を行って、寸法や品質等を最終的にチェックする。
以上により、圧電振動子１が完成する。
【００５８】
このように、本実施形態では、１次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ａ）、及び２次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ｂ）による前段ポリッシュ工程に加え、研磨剤Ｗにコロイダルシリカを用いて３次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ｃ）を行う構成とした。
この構成によれば、前段ポリッシュ工程の後、コロイダルシリカによる最終研磨を行うことで、リッド基板用ウエハ５０の接合面５３の表面精度の向上を図ることができるとともに、接合面５３の平坦面を大きく確保することができるため、接合面５３の接合代を大きく確保することができる。その結果、接合面５３と接合材２３との密着性を向上させ、両ウエハ４０，５０を強固に接合することができる。
したがって、キャビティＣ内の気密性を確保できるため、振動特性に優れた信頼性の高い圧電振動子１を提供することができる。なお、本実施形態の３次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ｃ）を行うことで、接合面５３の表面粗さはＲａ＝０．３ｎｍ程度となり、従来に比べて１／１０程度に低減することができた。本実施形態において、表面粗さとは例えばＪＩＳ Ｂ ０６０１に規格化されている算術平均粗さＲａの数値である。
【００５９】
また、３次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ｃ）において、発泡ウレタンからなる研磨パッドを使用することで、研磨パッドが隔壁５４の角部の周縁に回り込まず、接合面５３上のみを摺動するので、接合面５３を積極的に研磨できる。そのため、リッド基板用ウエハ５０の接合面５３の周縁部に面ダレ部分が発生するのを抑制でき、リッド基板用ウエハ５０の接合代を大きく確保できる。
また、３次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ｃ）における研磨圧力を１，２次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ａ，Ｓ３５Ｂ）に比べて大きく設定することで、リッド基板用ウエハ５０の接合面５３と研磨パッドとの間に研磨剤Ｗを確実に介在させて、接合面５３を効率的に研磨することができる。
【００６０】
次に、本発明に係る発振器の一実施形態について、図９を参照しながら説明する。
本実施形態の発振器１００は、図９に示すように、圧電振動子１を、集積回路１０１に電気的に接続された発振子として構成したものである。この発振器１００は、コンデンサ等の電子部品１０２が実装された基板１０３を備えている。基板１０３には、発振器用の上述した集積回路１０１が実装されており、この集積回路１０１の近傍に、圧電振動子１が実装されている。これら電子部品１０２、集積回路１０１及び圧電振動子１は、図示しない配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。なお、各構成部品は、図示しない樹脂によりモールドされている。
【００６１】
このように構成された発振器１００において、圧電振動子１に電圧を印加すると、この圧電振動子１内の圧電振動片５が振動する。この振動は、圧電振動片５が有する圧電特性により電気信号に変換されて、集積回路１０１に電気信号として入力される。入力された電気信号は、集積回路１０１によって各種処理がなされ、周波数信号として出力される。
これにより、圧電振動子１が発振子として機能する。
また、集積回路１０１の構成を、例えば、ＲＴＣ（リアルタイムクロック）モジュール等を要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器等の他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダー等を提供したりする機能を付加することができる。
【００６２】
本実施形態の発振器１００は、上記のように信頼性に優れた圧電振動子１を備えているので、発振器１００自体の信頼性も確保することができ、長期にわたって安定した高精度な周波数信号を得ることができる。
【００６３】
（電子機器）
次に、本発明に係る電子機器の一実施形態について、図１０を参照して説明する。なお電子機器として、上述した圧電振動子１を有する携帯情報機器１１０を例にして説明する。始めに本実施形態の携帯情報機器１１０は、例えば、携帯電話に代表されるものであり、従来技術における腕時計を発展、改良したものである。外観は腕時計に類似し、文字盤に相当する部分に液晶ディスプレイを配し、この画面上に現在の時刻等を表示させることができるものである。また、通信機として利用する場合には、手首から外し、バンドの内側部分に内蔵されたスピーカ及びマイクロフォンによって、従来技術の携帯電話と同様の通信を行うことが可能である。しかしながら、従来の携帯電話と比較して、格段に小型化及び軽量化されている。
【００６４】
次に、本実施形態の携帯情報機器１１０の構成について説明する。この携帯情報機器１１０は、図１０に示すように、圧電振動子１と、電力を供給するための電源部１１１とを備えている。電源部１１１は、例えば、リチウム二次電池からなっている。この電源部１１１には、各種制御を行う制御部１１２と、時刻等のカウントを行う計時部１１３と、外部との通信を行う通信部１１４と、各種情報を表示する表示部１１５と、それぞれの機能部の電圧を検出する電圧検出部１１６とが並列に接続されている。そして、電源部１１１によって、各機能部に電力が供給されるようになっている。
【００６５】
制御部１１２は、各機能部を制御して音声データの送信及び受信、現在時刻の計測や表示等、システム全体の動作制御を行う。また、制御部１１２は、予めプログラムが書き込まれたＲＯＭと、このＲＯＭに書き込まれたプログラムを読み出して実行するＣＰＵと、このＣＰＵのワークエリアとして使用されるＲＡＭ等とを備えている。
【００６６】
計時部１１３は、発振回路、レジスタ回路、カウンタ回路及びインターフェース回路等を内蔵する集積回路と、圧電振動子１とを備えている。圧電振動子１に電圧を印加すると圧電振動片５が振動し、この振動が水晶の有する圧電特性により電気信号に変換されて、発振回路に電気信号として入力される。発振回路の出力は二値化され、レジスタ回路とカウンタ回路とにより計数される。そして、インターフェース回路を介して、制御部１１２と信号の送受信が行われ、表示部１１５に、現在時刻や現在日付或いはカレンダー情報等が表示される。
【００６７】
通信部１１４は、従来の携帯電話と同様の機能を有し、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９、増幅部１２０、音声入出力部１２１、電話番号入力部１２２、着信音発生部１２３及び呼制御メモリ部１２４を備えている。
無線部１１７は、音声データ等の各種データを、アンテナ１２５を介して基地局と送受信のやりとりを行う。音声処理部１１８は、無線部１１７又は増幅部１２０から入力された音声信号を符号化及び複号化する。増幅部１２０は、音声処理部１１８又は音声入出力部１２１から入力された信号を、所定のレベルまで増幅する。音声入出力部１２１は、スピーカやマイクロフォン等からなり、着信音や受話音声を拡声したり、音声を集音したりする。
【００６８】
また、着信音発生部１２３は、基地局からの呼び出しに応じて着信音を生成する。切替部１１９は、着信時に限って、音声処理部１１８に接続されている増幅部１２０を着信音発生部１２３に切り替えることによって、着信音発生部１２３において生成された着信音が増幅部１２０を介して音声入出力部１２１に出力される。
なお、呼制御メモリ部１２４は、通信の発着呼制御に係るプログラムを格納する。また、電話番号入力部１２２は、例えば、０から９の番号キー及びその他のキーを備えており、これら番号キー等を押下することにより、通話先の電話番号等が入力される。
【００６９】
電圧検出部１１６は、電源部１１１によって制御部１１２等の各機能部に対して加えられている電圧が、所定の値を下回った場合に、その電圧降下を検出して制御部１１２に通知する。このときの所定の電圧値は、通信部１１４を安定して動作させるために必要な最低限の電圧として予め設定されている値であり、例えば、３Ｖ程度となる。電圧検出部１１６から電圧降下の通知を受けた制御部１１２は、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９及び着信音発生部１２３の動作を禁止する。特に、消費電力の大きな無線部１１７の動作停止は、必須となる。更に、表示部１１５に、通信部１１４が電池残量の不足により使用不能になった旨が表示される。
【００７０】
すなわち、電圧検出部１１６と制御部１１２とによって、通信部１１４の動作を禁止し、その旨を表示部１１５に表示することができる。この表示は、文字メッセージであっても良いが、より直感的な表示として、表示部１１５の表示面の上部に表示された電話アイコンに、×（バツ）印を付けるようにしても良い。
なお、通信部１１４の機能に係る部分の電源を、選択的に遮断することができる電源遮断部１２６を備えることで、通信部１１４の機能をより確実に停止することができる。
【００７１】
本実施形態の携帯情報機器１１０は、上記のように信頼性に優れた圧電振動子１を備えているので、携帯情報機器１１０自体の信頼性も確保することができ、長期にわたって安定した高精度な時計情報を表示することができる。
【００７２】
（電波時計）
次に、本発明に係る電波時計の一実施形態について、図１１を参照して説明する。
本実施形態の電波時計１３０は、図１１に示すように、フィルタ部１３１に電気的に接続された圧電振動子１を備えたものであり、時計情報を含む標準の電波を受信して、正確な時刻に自動修正して表示する機能を備えた時計である。
日本国内には、福島県（４０ｋＨｚ）と佐賀県（６０ｋＨｚ）とに、標準の電波を送信する送信所（送信局）があり、それぞれ標準電波を送信している。４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚのような長波は、地表を伝播する性質と、電離層と地表とを反射しながら伝播する性質とを併せもつため、伝播範囲が広く、上述した２つの送信所で日本国内を全て網羅している。
【００７３】
以下、電波時計１３０の機能的構成について詳細に説明する。
アンテナ１３２は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの長波の標準電波を受信する。長波の標準電波は、タイムコードと呼ばれる時刻情報を、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの搬送波にＡＭ変調をかけたものである。受信された長波の標準電波は、アンプ１３３によって増幅され、複数の圧電振動子１を有するフィルタ部１３１によって濾波、同調される。
本実施形態における圧電振動子１は、上述した搬送周波数と同一の４０ｋＨｚ及び６０ｋＨｚの共振周波数を有する水晶振動子部１３８、１３９をそれぞれ備えている。
【００７４】
さらに、濾波された所定周波数の信号は、検波、整流回路１３４により検波復調される。続いて、波形整形回路１３５を介してタイムコードが取り出され、ＣＰＵ１３６でカウントされる。ＣＰＵ１３６では、現在の年、積算日、曜日、時刻等の情報を読み取る。読み取られた情報は、ＲＴＣ１３７に反映され、正確な時刻情報が表示される。
搬送波は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚであるから、水晶振動子部１３８、１３９は、上述した音叉型の構造を持つ振動子が好適である。
【００７５】
なお、上述の説明は、日本国内の例で示したが、長波の標準電波の周波数は、海外では異なっている。例えば、ドイツでは７７．５ＫＨｚの標準電波が用いられている。従って、海外でも対応可能な電波時計１３０を携帯機器に組み込む場合には、さらに日本の場合とは異なる周波数の圧電振動子１を必要とする。
【００７６】
本実施形態の電波時計１３０は、上記のように信頼性に優れた圧電振動子１を備えているので、電波時計１３０自体の信頼性も確保することができ、長期にわたって安定して高精度に時刻をカウントすることができる。
【００７７】
以上、本発明の技術範囲は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上述した実施形態では、本発明に係るパッケージの製造方法を使用しつつ、パッケージの内部に圧電振動片を封入して圧電振動子を製造したが、パッケージの内部に圧電振動片以外の電子部品を封入して、圧電振動子以外のデバイスを製造することも可能である。
また、上述した実施形態では、音叉型の圧電振動片を用いた圧電振動子を例に挙げて本発明のパッケージの製造方法を説明したが、これに限らず、例えばＡＴカット型の圧電振動片（厚み滑り振動片）を用いた圧電振動子等に、本発明を適用しても構わない。
【００７８】
さらに、上述した実施形態においては、リッド基板用ウエハ５０に接合材２３を形成する構成について説明したが、ベース基板用ウエハ４０におけるリッド基板用ウエハ５０の接合面５３に対向する領域に接合材２３を形成しても構わない。この場合にも、陽極接合時において、リッド基板用ウエハ５０とベース基板用ウエハ４０に形成された接合材２３との密着性を向上させることができる。
また、上述した３次ポリッシュ工程（Ｓ３５Ｃ）に片面研磨装置６１を用いる構成について説明したが、両面研磨装置を用いても構わない。
【符号の説明】
【００７９】
１…圧電振動子 ３ａ…凹部 ５…圧電振動片（電子部品） １０…パッケージ ４０…ベース基板用ウエハ（第２基板） ５０…リッド基板用ウエハ（第１基板、ガラス基板） ５１…第１面 ５３…接合面（先端面） ５４…隔壁 １００…発振器 １０１…集積回路 １１０…携帯情報機器（電子機器） １１３…計時部 １３０…電波時計 １３１…フィルタ部 Ｃ…キャビティ Ｗ…研磨剤（第２研磨剤）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨剤を供給しつつガラス基板の表面を研磨する、研磨工程を有するガラス基板の研磨方法であって、
前記研磨工程は、
前記研磨剤に酸化セリウムを主成分とする第１研磨剤を用いて前記ガラス基板の前記表面を研磨する前段ポリッシュ工程と、
前記研磨剤にコロイダルシリカを主成分とする第２研磨剤を用いて前記ガラス基板の前記表面を研磨する後段ポリッシュ工程と、を有することを特徴とするガラス基板の研磨方法。
【請求項２】
請求項１記載のガラス基板の研磨方法であって、
前記ガラス基板の前記表面には、凹部が形成され、
前記研磨工程では、前記凹部の周囲を取り囲む隔壁の先端面を研磨することを特徴とするガラス基板の研磨方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載のガラス基板の研磨方法であって、
前記後段ポリッシュ工程は、発泡ウレタンからなる研磨パッドを用いて行うことを特徴とするガラス基板の研磨方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３の何れか１項に記載のガラス基板の研磨方法であって、
前記後段ポリッシュ工程では、前記前段ポリッシュ工程に比べて研磨圧力を大きく設定することを特徴とするガラス基板の研磨方法。
【請求項５】
互いに接合された複数の基板との間に形成されたキャビティ内に、電子部品を封入可能なパッケージの製造方法であって、
前記複数の基板のうち、第１基板の表面に前記キャビティ用の凹部を形成する凹部形成工程と、
請求項１記載のガラス基板の研磨方法を用い、前記凹部の周囲を取り囲む隔壁の先端面を研磨する研磨工程と、
前記隔壁の先端面に、前記複数の基板のうち第２基板を陽極接合する工程と、を有することを特徴とするパッケージの製造方法。
【請求項６】
請求項５記載のパッケージの製造方法によって製造されたことを特徴とする圧電振動子。
【請求項７】
請求項６記載の圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする発振器。
【請求項８】
請求項６記載の圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。
【請求項９】
請求項６記載の圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする電波時計。
【請求項１】
研磨剤を供給しつつガラス基板の表面を研磨する、研磨工程を有するガラス基板の研磨方法であって、
前記研磨工程は、
前記研磨剤に酸化セリウムを主成分とする第１研磨剤を用いて前記ガラス基板の前記表面を研磨する前段ポリッシュ工程と、
前記研磨剤にコロイダルシリカを主成分とする第２研磨剤を用いて前記ガラス基板の前記表面を研磨する後段ポリッシュ工程と、を有することを特徴とするガラス基板の研磨方法。
【請求項２】
請求項１記載のガラス基板の研磨方法であって、
前記ガラス基板の前記表面には、凹部が形成され、
前記研磨工程では、前記凹部の周囲を取り囲む隔壁の先端面を研磨することを特徴とするガラス基板の研磨方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載のガラス基板の研磨方法であって、
前記後段ポリッシュ工程は、発泡ウレタンからなる研磨パッドを用いて行うことを特徴とするガラス基板の研磨方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３の何れか１項に記載のガラス基板の研磨方法であって、
前記後段ポリッシュ工程では、前記前段ポリッシュ工程に比べて研磨圧力を大きく設定することを特徴とするガラス基板の研磨方法。
【請求項５】
互いに接合された複数の基板との間に形成されたキャビティ内に、電子部品を封入可能なパッケージの製造方法であって、
前記複数の基板のうち、第１基板の表面に前記キャビティ用の凹部を形成する凹部形成工程と、
請求項１記載のガラス基板の研磨方法を用い、前記凹部の周囲を取り囲む隔壁の先端面を研磨する研磨工程と、
前記隔壁の先端面に、前記複数の基板のうち第２基板を陽極接合する工程と、を有することを特徴とするパッケージの製造方法。
【請求項６】
請求項５記載のパッケージの製造方法によって製造されたことを特徴とする圧電振動子。
【請求項７】
請求項６記載の圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする発振器。
【請求項８】
請求項６記載の圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。
【請求項９】
請求項６記載の圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする電波時計。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１３−３１９０９（Ｐ２０１３−３１９０９Ａ）
【公開日】平成２５年２月１４日（２０１３．２．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１７００９６（Ｐ２０１１−１７００９６）
【出願日】平成２３年８月３日（２０１１．８．３）
【出願人】（０００００２３２５）セイコーインスツル株式会社 (3,629)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年２月１４日（２０１３．２．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年８月３日（２０１１．８．３）
【出願人】（０００００２３２５）セイコーインスツル株式会社 (3,629)
【Ｆターム（参考）】
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