部品内蔵基板およびその製造方法
【課題】電子部品を内蔵するための開口部を小さくできる部品内蔵基板を提供する。
【解決手段】第１絶縁層３ｃに第１導電層４ｃ１と層間導通部１ｃ２が形成された第１の基板３Ａと、層間導通部１ｃ２と接続される電子部品２と、第２絶縁層３ｂに第２導電層４ｂ１が形成され、電子部品２を内蔵する位置に開口部６を有する第２の基板２Ａと備えた部品内蔵基板１０。第２導電層４ｂ１は、平面視枠状の枠状部７ｂ１を有する。開口部６は、枠状部７ｂ１の内側領域８ｂ１全域の第２絶縁層３ｂを厚さ方向に貫通して形成されている。
【解決手段】第１絶縁層３ｃに第１導電層４ｃ１と層間導通部１ｃ２が形成された第１の基板３Ａと、層間導通部１ｃ２と接続される電子部品２と、第２絶縁層３ｂに第２導電層４ｂ１が形成され、電子部品２を内蔵する位置に開口部６を有する第２の基板２Ａと備えた部品内蔵基板１０。第２導電層４ｂ１は、平面視枠状の枠状部７ｂ１を有する。開口部６は、枠状部７ｂ１の内側領域８ｂ１全域の第２絶縁層３ｂを厚さ方向に貫通して形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品を内蔵した部品内蔵基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化、高機能化に伴って、機器に組み込まれる電子部品も小型化が進み、電子部品を実装するプリント配線板においても、高密度化、多層化、高速伝送特性の向上が求められている。これらの要求に応えるための技術として、ＥＷＬＰ（Embedded Wafer Level Package）というパッケージ技術がある。
ＥＷＬＰは、ＷＬＣＳＰ（Wafer Level Chip Size Package）などの半導体構成体（電子部品）をプリント配線板に内蔵する技術である。ＥＷＬＰによれば、実装密度を向上させることができ、半導体素子間の配線長が短縮され、高速伝送特性の向上が可能である。
【０００３】
部品内蔵基板としては、電子部品を内蔵する両面配線板の両面側に、それぞれ片面配線板を積層したものがある（特許文献１を参照）。
図１３は、部品内蔵基板の一例であり、この部品内蔵基板１００は、絶縁樹脂層３の両面に導電層４が形成された両面配線板Ａ１０２の一方および他方の面に、絶縁樹脂層３の外面側に導電層４が形成された片面配線板Ａ１０１、Ａ１０３を積層したものである。両面配線板Ａ１０２は、絶縁樹脂層３に形成された開口部６に電子部品２を内蔵している。配線板Ａ１０１〜Ａ１０３は、接着層５を介して互いに接着され、層間導通部１によって互いに電気的に接続されている。
【０００４】
図１４および図１５は、両面配線板Ａ１０２の絶縁樹脂層３に開口部６を形成する工程を示すもので、この図に示すように、開口部６は、例えば個片化前の複数の両面配線板Ａ１０２の絶縁樹脂層３に、レーザ加工やドリル加工などにより形成する。
図１６は、開口部６を形成する工程における両面配線板Ａ１０２の絶縁樹脂層３の平面図であり、図１６（Ａ）に２点鎖線示す領域６ａをレーザ加工やドリル加工などにより除去することによって、図１６（Ｂ）に示す開口部６を形成することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２７０３６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記部品内蔵基板では、開口部６の形成位置にずれが生じて電子部品２の内蔵に支障が生じるおそれがあるため、前記ずれを考慮して開口部６を大きく形成する必要があり、部品内蔵基板の小型化を図るうえで改善が要望されていた。
本発明は、前記事情に鑑みてなされたもので、電子部品を内蔵するための開口部を小さくできる部品内蔵基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、第１絶縁層の一方の面に第１導電層が形成され、前記第１絶縁層を貫通し前記第１導電層から他方の面に至る層間導通部を有する第１の基板と、前記層間導通部と接続される電子部品と、第２絶縁層に第２導電層が形成され、前記第２絶縁層の前記電子部品を内蔵する位置に開口部が形成された第２の基板と、を少なくとも備えた部品内蔵基板であって、前記第２導電層が、平面視枠状の枠状部を有し、前記開口部は、前記枠状部の内側領域全域の前記第２絶縁層を厚さ方向に貫通して形成されている部品内蔵基板を提供する。
前記枠状部は、前記第２絶縁層の両面にそれぞれ形成され、そのうち一方の面側の前記枠状部は、反対面側の前記枠状部に比べて内側領域の面積が大きく、かつ前記一方の面側の内側領域が平面視において前記反対面側の内側領域を包含することが好ましい。
【０００８】
本発明は、第１絶縁層の一方の面に第１導電層が形成され、前記第１絶縁層を貫通し前記第１導電層から他方の面に至る層間導通部を有する第１の基板と、前記層間導通部と接続される電子部品と、第２絶縁層に第２導電層が形成され、前記第２絶縁層の前記電子部品を内蔵する位置に開口部が形成された第２の基板と、を少なくとも備えた部品内蔵基板の製造方法であって、前記第２絶縁層に、前記第２導電層からなる平面視枠状の枠状部を形成し、前記枠状部の内側に位置する前記第２絶縁層にレーザ光を照射することにより、レーザ加工によって前記第２絶縁層を厚さ方向に貫通して前記開口部を形成する工程を含み、前記枠状部の内側の前記第２絶縁層にレーザ光を照射して前記開口部を形成するにあたって、前記レーザ光を、少なくとも前記枠状部の内周縁を含む領域に照射する部品内蔵基板の製造方法を提供する。
本発明は、第１絶縁層の一方の面に第１導電層が形成され、前記第１絶縁層を貫通し前記第１導電層から他方の面に至る層間導通部を有する第１の基板と、前記層間導通部と接続される電子部品と、第２絶縁層に第２導電層が形成され、前記第２絶縁層の前記電子部品を内蔵する位置に開口部が形成された第２の基板と、を少なくとも備えた部品内蔵基板の製造方法であって、前記第２絶縁層に、前記第２導電層からなる平面視枠状の枠状部を形成し、前記枠状部の内側に位置する前記第２絶縁層を、ウェットエッチングにより厚さ方向に貫通して前記開口部を形成する工程を含む部品内蔵基板の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、開口部が、第２導電層からなる枠状部の内側領域に形成されているので、第２導電層（導電回路）に対する開口部の位置にずれが生じることはない。
従って、開口部の形成位置のずれを考慮して開口部を大きく形成する必要がなく、部品内蔵基板の小型化を図ることができる。
また、開口部は、枠状部の内周縁に沿う形状となるため、開口部の形状（例えば矩形の開口部の角部の形状）はレーザ光のスポット径やドリル径などの影響を受けない。このため、スポット径が大きいレーザ光を用いることにより加工時間の短縮が可能となる。
また、レーザ光のスポット径やドリル径などを考慮する必要ないことから、開口部の大きさや形状について設計の自由度が高められ、部品内蔵基板の小型化を図る上で有利となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態の部品内蔵基板を示す断面図である。
【図２】図１の部品内蔵基板の枠状部および開口部を示す平面図である。
【図３】図１の部品内蔵基板の製造工程を示す工程図である。
【図４】前図に続く工程図である。
【図５】前図に続く工程図である。
【図６】前図に続く工程図である。
【図７】前図に続く工程図である。
【図８】前図に続く工程図である。
【図９】開口部を形成する工程の一例を模式的に示す断面図である。
【図１０】開口部を形成する工程を模式的に示す平面図である。
【図１１】開口部を形成する工程の他の例を模式的に示す断面図である。
【図１２】開口部を形成する前の状態の配線板を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は平面図である。
【図１３】従来の部品内蔵基板の一例を示す断面図である。
【図１４】前図の部品内蔵基板の製造工程を示す工程図である。
【図１５】前図に続く工程図である。
【図１６】開口部を形成する工程を示す平面図であり、（Ａ）は開口部を形成する前の状態を示し、（Ｂ）は開口部を形成した状態を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の一実施形態を、図面を参照して説明する。
図１は、本発明の部品内蔵基板の製造方法である部品内蔵基板１０を示す断面図である。図２は、部品内蔵基板１０の枠状部７および開口部６を示す平面図である。以下、図１における上下位置に基づいて各構成の位置関係を説明することがある。
【００１２】
図１に示すように、部品内蔵基板１０は、例えば電子部品２を内蔵した積層プリント配線板であって、電子部品２を内蔵した両面配線板２Ａの一方および他方の面に、それぞれ片面配線板である配線板１Ａ、３Ａを積層したものである。
配線板１Ａ〜３Ａは、例えばポリイミドなどからなる絶縁樹脂層３の一方または両方の面に、銅などの導電体からなる導電層４を備え、接着層５を介して互いに接着され、層間導通部１によって互いに電気的に接続されている。
【００１３】
上層配線板１Ａは、絶縁樹脂層３（３ａ）の一面３ａ１側（図１の上面）に導電層４（４ａ１）が形成されている。絶縁樹脂層３（３ａ）には、絶縁樹脂層３を貫通して導電層４（４ａ１）から他面３ａ２側（図１の下面）に至る１または複数の層間導通部１（１ａ１）が形成されている。
層間導通部１（１ａ１）は、下端が両面配線板２Ａの一面側（上面）の導電層４（４ｂ１）に達し、これによって、上層配線板１Ａの導電層４（４ａ１）と両面配線板２Ａの導電層４（４ｂ１）とを接続している。
上層配線板１Ａとしては、例えばポリイミドなどからなる絶縁樹脂層３の一方の面に、銅などの導電体からなる導電層４が設けられた片面銅張積層板（ＣＣＬ）を使用できる。
【００１４】
両面配線板２Ａ（第２の基板）は、絶縁樹脂層３（３ｂ）（第２絶縁層）の一面３ｂ１側（上面）に導電層４（４ｂ１）（第２導電層）が形成され、他面３ｂ２側（下面）に導電層４（４ｂ２）（第２導電層）が形成されている。
絶縁樹脂層３（３ｂ）には、電子部品２を内蔵する位置に開口部６が形成されている。
【００１５】
図１および図２に示すように、絶縁樹脂層３（３ｂ）の一面３ｂ１側（上面）の導電層４（４ｂ１）は、平面視枠状の枠状部７ｂ１（反対面側の枠状部）を有する。
枠状部７ｂ１は導電層４（４ｂ１）の一部であり、例えば銅などの導電体からなる層である。導電層４（４ｂ１）の他の部分は導電回路１２（配線層）を構成する。
枠状部７ｂ１の外形（平面視形状）は特に限定されず、例えば矩形（正方形、長方形）、円形、不定形などであってよい。図示例の枠状部７ｂ１の外形は矩形（正方形）である。
【００１６】
枠状部７ｂ１の内側領域８ｂ１の平面視形状（枠状部７ｂ１の内周縁７ｂ１ａがなす形状）は、電子部品２に応じた形状とされ、例えば矩形（正方形、長方形）、円形、不定形などであってよい。図示例の内側領域８ｂ１は矩形（正方形）である。枠状部７ｂ１は一定幅の矩形枠状とすることができる。
【００１７】
絶縁樹脂層３（３ｂ）には、平面視において枠状部７ｂ１の内側領域８ｂ１に、内側領域８ｂ１と同じ平面視形状の開口部６が形成されている。開口部６は、内側領域８ｂ１全域の絶縁樹脂層３（３ｂ）を厚さ方向に貫通して形成されている。
【００１８】
絶縁樹脂層３（３ｂ）の他面３ｂ２側（下面）の導電層４（４ｂ２）は、平面視枠状の枠状部７ｂ２（一方の面側の枠状部）を有する。
枠状部７ｂ２は導電層４（４ｂ２）の一部であり、例えば銅などの導電体からなる層である。導電層４（４ｂ２）の他の部分は導電回路１２（配線層）を構成する。
枠状部７ｂ２の外形（平面視形状）は特に限定されず、例えば矩形（正方形、長方形等）、円形、不定形などであってよい。図示例の枠状部７ｂ２の外形は矩形（正方形）である。枠状部７ｂ２の内側領域８ｂ２の平面視形状（枠状部７ｂ２の内周縁７ｂ２ａがなす形状）は、例えば矩形（正方形、長方形）、円形、不定形などであってよい。図示例の内側領域８ｂ２は矩形（正方形）である。枠状部７ｂ２は一定幅の矩形枠状とすることができる。
【００１９】
図２に示すように、絶縁樹脂層３（３ｂ）の他面３ｂ２側（図１の下面）の内側領域８ｂ２は、一面３ｂ１側（図１の上面）の内側領域８ｂ１に比べて面積が大きく、かつ平面視において内側領域８ｂ１を包含することが望ましい。
枠状部７ｂ２の内周縁７ｂ２ａは、平面視において、全周にわたって枠状部７ｂ１の内周縁７ｂ１ａよりも外方に位置していることが好ましい。内周縁７ｂ２ａは、全周にわたって内周縁７ｂ１ａに対して一定の間隔をおいて外方に位置していることが望ましい。
図示例では、内周縁７ｂ２ａの４つの辺部は、それぞれ対応する内周縁７ｂ１ａの辺部より例えば２０〜５０μｍ外方に位置させることができる。内周縁７ｂ２ａの辺部の長さは、対応する内周縁７ｂ１ａの辺部より例えば３０〜１５０μｍ長いことが好ましい。
図２に示す例では、枠状部７ｂ２の内側領域８ｂ２は、枠状部７ｂ１の内側領域８ｂ１に比べて面積が大きく、かつ平面視において内側領域８ｂ１を包含するため、枠状部７ｂ２の平面視位置が枠状部７ｂ１に対してずれた場合でも開口部６の寸法に影響が及ばない。このため、開口部６への電子部品２の内蔵に支障が生じることはない。
両面配線板２Ａとしては、例えばポリイミドなどからなる絶縁樹脂層３の両面に導電層４が設けられた両面銅張積層板（ＣＣＬ）を使用できる。
【００２０】
図１に示すように、下層配線板３Ａ（第１の基板）は、絶縁樹脂層３（３ｃ）（第１絶縁層）の他面３ｃ２側（下面）（一方の面）に導電層４（４ｃ１）（第１導電層）が形成されている。絶縁樹脂層３（３ｃ）には、絶縁樹脂層３を貫通して導電層４（４ｃ１）から一面３ｃ１側（上面）（他方の面）に至る１または複数の層間導通部１（１ｃ１、１ｃ２）が形成されている。
一部の層間導通部１（１ｃ１）は、上端が両面配線板２Ａの他面３ｂ２側（下面）の導電層４（４ｂ２）に達し、これによって、両面配線板２Ａの導電層４（４ｂ２）と下層配線板３Ａの導電層４（４ｃ１）とを接続している。
他の一部の層間導通部１（１ｃ２）は、上端が電子部品２の導電層４（４ｄ１）に達し、これによって、電子部品２の導電層４（４ｄ１）と下層配線板３Ａの導電層４（４ｃ２）とを接続している。
【００２１】
電子部品２は、抵抗やコンデンサ等の受動部品であってもよいし、ＩＣ、ダイオード、トランジスタ等の能動部品であってもよい。また、半導体素子を有する半導体（ベア）チップやＷＬＣＳＰであってもよい。
電子部品２の他面２ａ２側（下面）には導電層４（４ｄ１）が形成されている。
電子部品２は、両面配線板２Ａの開口部６内に配置されているため、上層配線板１Ａと下層配線板３Ａとの間に配置される。
【００２２】
接着層５は、プリント配線板の製造分野において公知の各種接着材を使用できる。例えばポリイミド系接着材、エポキシ系接着材などが好適である。
層間導通部１は、例えばニッケル、銀、銅、錫、ビスマス、インジウム、鉛などの金属粒子を含む導電性ペーストを加熱、硬化させたものが好適である。
【００２３】
次に、本発明の部品内蔵基板の製造方法の一例を具体的に説明する。
図３に示すように、両面に導電層４Ａが形成された絶縁樹脂層３（３ｂ）を用意し、図４に示すように、レーザ加工等により絶縁樹脂層３に貫通孔９を形成する。
図５に示すように、貫通孔９の内面に、絶縁樹脂層３の両面の導電層４を互いに接続するための導電層４（４ｂ３）を電解メッキなどにより形成する。
図６に示すように、導電層４Ａにフォトリソグラフィーによるパターニングを施して導電層４を形成する。このとき形成される導電層４は、枠状部７ｂ１、７ｂ２と導電回路１２とを含む。
枠状部７ｂ１、７ｂ２は、導電回路１２と同様に導電層４の一部であり、導電回路１２と同時に形成されるため、導電回路１２に対する開口部６の位置にずれが生じることはない。このため、電子部品２の実装位置の精度向上が可能となる。
【００２４】
次いで、図７に示すように、レーザ加工により枠状部７ｂ１の内側領域８ｂ１の絶縁樹脂層３（３ｂ）を除去することにより、内側領域８ｂ１と同形状（平面視形状）を有する開口部６を形成する。
以下、この開口部６の形成工程を、図９および図１０を参照して詳しく説明する。
図９（Ａ）および図９（Ｂ）に示すように、絶縁樹脂層３（３ｂ）の一面３ｂ１側から、レーザ光Ｌ１を枠状部７ｂ１の内側領域８ｂ１の絶縁樹脂層３（３ｂ）に照射する。具体的には、レーザ光Ｌ１は少なくとも内側領域８ｂ１の周縁部８ｂ１ａ（図１０（Ａ）参照）を含む領域に照射される。この例では、レーザ光Ｌ１は、内周縁７ｂ１ａに沿って移動させつつ照射される。なお、レーザ光Ｌ１は内側領域８ｂ１の全域に一度に照射してもよい。レーザ加工には、炭酸ガスレーザやエキシマレーザなどを使用できる。
【００２５】
図９（Ｂ）および図１０（Ａ）に示すように、レーザ光Ｌ１は、少なくとも枠状部７ｂ１の内周縁７ｂ１ａを含む領域にも照射することが好ましい。この例では、レーザ光Ｌ１の一部は内周縁７ｂ１ａを含む部分の枠状部７ｂ１に照射され、他部は内側領域８ｂ１の周縁部８ｂ１ａを含む部分の絶縁樹脂層３（３ｂ）に照射される。
レーザ光Ｌ１を枠状部７ｂ１の内周縁７ｂ１ａを含む領域にも照射することによって、レーザ光Ｌ１を内側領域８ｂ１の周縁部８ｂ１ａに確実に照射し、内側領域８ｂ１と同じ形状の開口部６を確実に形成することができる。
レーザ光Ｌ１は、絶縁樹脂層３のみが加工され、枠状部７ｂ１が損傷を受けないように出力調整されることが好ましい。
レーザ光Ｌ１を内周縁７ｂ１ａに沿って全周にわたって照射することによって、絶縁樹脂層３（３ｂ）に開口部６を形成することができる。
【００２６】
図９（Ｃ）および図９（Ｄ）に示すように、内周縁７ｂ１ａに沿ってレーザ加工を行うことで切り出された絶縁樹脂層３の切出し部分１３を除去する。
図９（Ｄ）および図１０（Ｂ）に示すように、レーザ光Ｌ１は内側領域８ｂ１の周縁部８ｂ１ａを含む領域の絶縁樹脂層３（３ｂ）に照射されるため、内側領域８ｂ１と同じ形状の開口部６を精度よく形成することができる。
開口部６の形成は、個片化した後の絶縁樹脂層３に対して行ってもよいし、個片化される前の絶縁樹脂層３に対して行ってもよい（図１４および図１５を参照）。
【００２７】
図８に示すように、上層配線板１Ａ、両面配線板２Ａ、下層配線板３Ａおよび電子部品２をそれぞれ位置合わせして配置し、配線板１Ａ〜３Ａおよび電子部品２を一括積層法により積層することによって、図１に示す部品内蔵基板１０を得る。
配線板１Ａ〜３Ａおよび電子部品２を積層する際には、両面配線板２Ａには厚さ方向の大きな力が加えられるが、枠状部７ｂ１、７ｂ２が補強部材として機能するため、接着層５の流動の影響により絶縁樹脂層３（３ｂ）に曲げ変形が生じることはなく、部品内蔵基板１０の平坦性を確保できる。
【００２８】
部品内蔵基板１０では、開口部６が、導電層４からなる枠状部７ｂ１の内側領域８ｂ１に形成されているので、導電層４（導電回路１２）に対する開口部６の位置にずれが生じることはない。
従って、開口部６の形成位置のずれを考慮して開口部６を大きく形成する必要がなく、部品内蔵基板１０の小型化を図ることができる。
また、開口部６は、枠状部７ｂ１の内周縁７ｂ１ａに沿う形状となるため、開口部６の形状（例えば矩形の開口部６の角部の形状）はレーザ光のスポット径やドリル径などの影響を受けない。このため、スポット径が大きいレーザ光Ｌ１を用いることにより加工時間の短縮が可能となる。加工時間は、枠状部を形成しない場合に比べて例えば１／３〜１／５程度とすることができる。
また、レーザ光のスポット径やドリル径などを考慮する必要ないことから、開口部６の大きさや形状について設計の自由度が高められ、部品内蔵基板１０の小型化を図る上で有利となる。
【００２９】
上記製造方法ではレーザ加工によって開口部６を形成したが、開口部６は、他の方法によって形成することもできる。以下、ウェットエッチングによって開口部６を形成する方法の一例を説明する。
図３〜図６に示す方法に従って、導電層４を有する絶縁樹脂層３（３ｂ）（以下、配線板２Ｂという）を作製する。
図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）に示すように、枠状部７ｂ１、７ｂ２の内周縁７ｂ１ａ、７ｂ２ａを含む部分（内周部分１４ｂ１、１４ｂ２）および内側領域８ｂ１、８ｂ２を残して、絶縁樹脂層３（３ｂ）の面３ｂ１、３ｂ２と導電層４（４ｂ１、４ｂ２）を保護用の被覆樹脂１１で覆う。
図１１（Ｃ）に示すように、配線板２Ｂを、例えば水酸化カリウムなどを主成分とするエッチング液に接触させることによって、枠状部７ｂ１の内側領域８ｂ１の絶縁樹脂層３（３ｂ）を除去して開口部６を形成する。次いで、図１１（Ｄ）に示すように、被覆樹脂１１を除去する。
エッチングによる開口部６の形成は、個片化される前の絶縁樹脂層３に対して行ってもよい（図１４および図１５を参照）。個片化の前の絶縁樹脂層３に対して開口部６を形成することによって、複数の開口部６を一度に形成することができ、製造効率を高めることができる。
【００３０】
この方法では、エッチングによって、枠状部７ｂ１の内側の絶縁樹脂層３（３ｂ）を除去することによって開口部６を形成するので、容易な操作で、開口部６を精度よく形成することができる。
【００３１】
次に、ウェットエッチングによって開口部６を形成する方法の他の例を、図１２を参照して説明する。
図１２は、開口部６を形成する前の状態の配線板２Ｂを示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は平面図である。
この方法は、導電層４Ａ（図５参照）にパターニングを施して導電層４を形成する際に、内側領域８ｂ１、８ｂ２の導電層を全て除去するのではなく、図１２に示すように、内側領域８ｂ１、８ｂ２の周縁部のみの導電層を除去し、内側領域８ｂ１、８ｂ２の中央部分に導電層４Ｂ１、４Ｂ２を残した状態として、図１１（Ｂ）〜図１１（Ｄ）に示す工程に従って、開口部６を形成する。
この方法では、導電層４Ｂ１、４Ｂ２が補強部材として機能するため、絶縁樹脂層３（３ｂ）に変形が生じにくいことから、開口部６を精度よく形成することができる。
【００３２】
なお、図１等に示す部品内蔵基板１０は、配線板１Ａ〜３Ａを積層したものであるが、本発明で製造される部品内蔵基板は、これら以外の他の配線板を含んでいてもよい。
【符号の説明】
【００３３】
１、１ｃ２・・・層間導通部、２・・・電子部品、２Ａ・・・両面配線板（第２の基板）、３・・・絶縁樹脂層（絶縁層）、３ｂ・・・絶縁樹脂層（第２絶縁層）、３ｃ・・・絶縁樹脂層（第１絶縁層）、３Ａ・・・下層配線板（第１の基板）、４・・・導電層、４ｂ１、４ｂ２・・・導電層（第２導電層）、４ｃ１・・・導電層（第１導電層）、６・・・開口部、７ｂ１・・・枠状部（反対面側の枠状部）、７ｂ１ａ・・・内周縁、７ｂ２・・・枠状部（一方の面側の枠状部）、８、８ｂ１、８ｂ２・・・内側領域、１０・・・部品内蔵基板。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品を内蔵した部品内蔵基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化、高機能化に伴って、機器に組み込まれる電子部品も小型化が進み、電子部品を実装するプリント配線板においても、高密度化、多層化、高速伝送特性の向上が求められている。これらの要求に応えるための技術として、ＥＷＬＰ（Embedded Wafer Level Package）というパッケージ技術がある。
ＥＷＬＰは、ＷＬＣＳＰ（Wafer Level Chip Size Package）などの半導体構成体（電子部品）をプリント配線板に内蔵する技術である。ＥＷＬＰによれば、実装密度を向上させることができ、半導体素子間の配線長が短縮され、高速伝送特性の向上が可能である。
【０００３】
部品内蔵基板としては、電子部品を内蔵する両面配線板の両面側に、それぞれ片面配線板を積層したものがある（特許文献１を参照）。
図１３は、部品内蔵基板の一例であり、この部品内蔵基板１００は、絶縁樹脂層３の両面に導電層４が形成された両面配線板Ａ１０２の一方および他方の面に、絶縁樹脂層３の外面側に導電層４が形成された片面配線板Ａ１０１、Ａ１０３を積層したものである。両面配線板Ａ１０２は、絶縁樹脂層３に形成された開口部６に電子部品２を内蔵している。配線板Ａ１０１〜Ａ１０３は、接着層５を介して互いに接着され、層間導通部１によって互いに電気的に接続されている。
【０００４】
図１４および図１５は、両面配線板Ａ１０２の絶縁樹脂層３に開口部６を形成する工程を示すもので、この図に示すように、開口部６は、例えば個片化前の複数の両面配線板Ａ１０２の絶縁樹脂層３に、レーザ加工やドリル加工などにより形成する。
図１６は、開口部６を形成する工程における両面配線板Ａ１０２の絶縁樹脂層３の平面図であり、図１６（Ａ）に２点鎖線示す領域６ａをレーザ加工やドリル加工などにより除去することによって、図１６（Ｂ）に示す開口部６を形成することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２７０３６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記部品内蔵基板では、開口部６の形成位置にずれが生じて電子部品２の内蔵に支障が生じるおそれがあるため、前記ずれを考慮して開口部６を大きく形成する必要があり、部品内蔵基板の小型化を図るうえで改善が要望されていた。
本発明は、前記事情に鑑みてなされたもので、電子部品を内蔵するための開口部を小さくできる部品内蔵基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、第１絶縁層の一方の面に第１導電層が形成され、前記第１絶縁層を貫通し前記第１導電層から他方の面に至る層間導通部を有する第１の基板と、前記層間導通部と接続される電子部品と、第２絶縁層に第２導電層が形成され、前記第２絶縁層の前記電子部品を内蔵する位置に開口部が形成された第２の基板と、を少なくとも備えた部品内蔵基板であって、前記第２導電層が、平面視枠状の枠状部を有し、前記開口部は、前記枠状部の内側領域全域の前記第２絶縁層を厚さ方向に貫通して形成されている部品内蔵基板を提供する。
前記枠状部は、前記第２絶縁層の両面にそれぞれ形成され、そのうち一方の面側の前記枠状部は、反対面側の前記枠状部に比べて内側領域の面積が大きく、かつ前記一方の面側の内側領域が平面視において前記反対面側の内側領域を包含することが好ましい。
【０００８】
本発明は、第１絶縁層の一方の面に第１導電層が形成され、前記第１絶縁層を貫通し前記第１導電層から他方の面に至る層間導通部を有する第１の基板と、前記層間導通部と接続される電子部品と、第２絶縁層に第２導電層が形成され、前記第２絶縁層の前記電子部品を内蔵する位置に開口部が形成された第２の基板と、を少なくとも備えた部品内蔵基板の製造方法であって、前記第２絶縁層に、前記第２導電層からなる平面視枠状の枠状部を形成し、前記枠状部の内側に位置する前記第２絶縁層にレーザ光を照射することにより、レーザ加工によって前記第２絶縁層を厚さ方向に貫通して前記開口部を形成する工程を含み、前記枠状部の内側の前記第２絶縁層にレーザ光を照射して前記開口部を形成するにあたって、前記レーザ光を、少なくとも前記枠状部の内周縁を含む領域に照射する部品内蔵基板の製造方法を提供する。
本発明は、第１絶縁層の一方の面に第１導電層が形成され、前記第１絶縁層を貫通し前記第１導電層から他方の面に至る層間導通部を有する第１の基板と、前記層間導通部と接続される電子部品と、第２絶縁層に第２導電層が形成され、前記第２絶縁層の前記電子部品を内蔵する位置に開口部が形成された第２の基板と、を少なくとも備えた部品内蔵基板の製造方法であって、前記第２絶縁層に、前記第２導電層からなる平面視枠状の枠状部を形成し、前記枠状部の内側に位置する前記第２絶縁層を、ウェットエッチングにより厚さ方向に貫通して前記開口部を形成する工程を含む部品内蔵基板の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、開口部が、第２導電層からなる枠状部の内側領域に形成されているので、第２導電層（導電回路）に対する開口部の位置にずれが生じることはない。
従って、開口部の形成位置のずれを考慮して開口部を大きく形成する必要がなく、部品内蔵基板の小型化を図ることができる。
また、開口部は、枠状部の内周縁に沿う形状となるため、開口部の形状（例えば矩形の開口部の角部の形状）はレーザ光のスポット径やドリル径などの影響を受けない。このため、スポット径が大きいレーザ光を用いることにより加工時間の短縮が可能となる。
また、レーザ光のスポット径やドリル径などを考慮する必要ないことから、開口部の大きさや形状について設計の自由度が高められ、部品内蔵基板の小型化を図る上で有利となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態の部品内蔵基板を示す断面図である。
【図２】図１の部品内蔵基板の枠状部および開口部を示す平面図である。
【図３】図１の部品内蔵基板の製造工程を示す工程図である。
【図４】前図に続く工程図である。
【図５】前図に続く工程図である。
【図６】前図に続く工程図である。
【図７】前図に続く工程図である。
【図８】前図に続く工程図である。
【図９】開口部を形成する工程の一例を模式的に示す断面図である。
【図１０】開口部を形成する工程を模式的に示す平面図である。
【図１１】開口部を形成する工程の他の例を模式的に示す断面図である。
【図１２】開口部を形成する前の状態の配線板を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は平面図である。
【図１３】従来の部品内蔵基板の一例を示す断面図である。
【図１４】前図の部品内蔵基板の製造工程を示す工程図である。
【図１５】前図に続く工程図である。
【図１６】開口部を形成する工程を示す平面図であり、（Ａ）は開口部を形成する前の状態を示し、（Ｂ）は開口部を形成した状態を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の一実施形態を、図面を参照して説明する。
図１は、本発明の部品内蔵基板の製造方法である部品内蔵基板１０を示す断面図である。図２は、部品内蔵基板１０の枠状部７および開口部６を示す平面図である。以下、図１における上下位置に基づいて各構成の位置関係を説明することがある。
【００１２】
図１に示すように、部品内蔵基板１０は、例えば電子部品２を内蔵した積層プリント配線板であって、電子部品２を内蔵した両面配線板２Ａの一方および他方の面に、それぞれ片面配線板である配線板１Ａ、３Ａを積層したものである。
配線板１Ａ〜３Ａは、例えばポリイミドなどからなる絶縁樹脂層３の一方または両方の面に、銅などの導電体からなる導電層４を備え、接着層５を介して互いに接着され、層間導通部１によって互いに電気的に接続されている。
【００１３】
上層配線板１Ａは、絶縁樹脂層３（３ａ）の一面３ａ１側（図１の上面）に導電層４（４ａ１）が形成されている。絶縁樹脂層３（３ａ）には、絶縁樹脂層３を貫通して導電層４（４ａ１）から他面３ａ２側（図１の下面）に至る１または複数の層間導通部１（１ａ１）が形成されている。
層間導通部１（１ａ１）は、下端が両面配線板２Ａの一面側（上面）の導電層４（４ｂ１）に達し、これによって、上層配線板１Ａの導電層４（４ａ１）と両面配線板２Ａの導電層４（４ｂ１）とを接続している。
上層配線板１Ａとしては、例えばポリイミドなどからなる絶縁樹脂層３の一方の面に、銅などの導電体からなる導電層４が設けられた片面銅張積層板（ＣＣＬ）を使用できる。
【００１４】
両面配線板２Ａ（第２の基板）は、絶縁樹脂層３（３ｂ）（第２絶縁層）の一面３ｂ１側（上面）に導電層４（４ｂ１）（第２導電層）が形成され、他面３ｂ２側（下面）に導電層４（４ｂ２）（第２導電層）が形成されている。
絶縁樹脂層３（３ｂ）には、電子部品２を内蔵する位置に開口部６が形成されている。
【００１５】
図１および図２に示すように、絶縁樹脂層３（３ｂ）の一面３ｂ１側（上面）の導電層４（４ｂ１）は、平面視枠状の枠状部７ｂ１（反対面側の枠状部）を有する。
枠状部７ｂ１は導電層４（４ｂ１）の一部であり、例えば銅などの導電体からなる層である。導電層４（４ｂ１）の他の部分は導電回路１２（配線層）を構成する。
枠状部７ｂ１の外形（平面視形状）は特に限定されず、例えば矩形（正方形、長方形）、円形、不定形などであってよい。図示例の枠状部７ｂ１の外形は矩形（正方形）である。
【００１６】
枠状部７ｂ１の内側領域８ｂ１の平面視形状（枠状部７ｂ１の内周縁７ｂ１ａがなす形状）は、電子部品２に応じた形状とされ、例えば矩形（正方形、長方形）、円形、不定形などであってよい。図示例の内側領域８ｂ１は矩形（正方形）である。枠状部７ｂ１は一定幅の矩形枠状とすることができる。
【００１７】
絶縁樹脂層３（３ｂ）には、平面視において枠状部７ｂ１の内側領域８ｂ１に、内側領域８ｂ１と同じ平面視形状の開口部６が形成されている。開口部６は、内側領域８ｂ１全域の絶縁樹脂層３（３ｂ）を厚さ方向に貫通して形成されている。
【００１８】
絶縁樹脂層３（３ｂ）の他面３ｂ２側（下面）の導電層４（４ｂ２）は、平面視枠状の枠状部７ｂ２（一方の面側の枠状部）を有する。
枠状部７ｂ２は導電層４（４ｂ２）の一部であり、例えば銅などの導電体からなる層である。導電層４（４ｂ２）の他の部分は導電回路１２（配線層）を構成する。
枠状部７ｂ２の外形（平面視形状）は特に限定されず、例えば矩形（正方形、長方形等）、円形、不定形などであってよい。図示例の枠状部７ｂ２の外形は矩形（正方形）である。枠状部７ｂ２の内側領域８ｂ２の平面視形状（枠状部７ｂ２の内周縁７ｂ２ａがなす形状）は、例えば矩形（正方形、長方形）、円形、不定形などであってよい。図示例の内側領域８ｂ２は矩形（正方形）である。枠状部７ｂ２は一定幅の矩形枠状とすることができる。
【００１９】
図２に示すように、絶縁樹脂層３（３ｂ）の他面３ｂ２側（図１の下面）の内側領域８ｂ２は、一面３ｂ１側（図１の上面）の内側領域８ｂ１に比べて面積が大きく、かつ平面視において内側領域８ｂ１を包含することが望ましい。
枠状部７ｂ２の内周縁７ｂ２ａは、平面視において、全周にわたって枠状部７ｂ１の内周縁７ｂ１ａよりも外方に位置していることが好ましい。内周縁７ｂ２ａは、全周にわたって内周縁７ｂ１ａに対して一定の間隔をおいて外方に位置していることが望ましい。
図示例では、内周縁７ｂ２ａの４つの辺部は、それぞれ対応する内周縁７ｂ１ａの辺部より例えば２０〜５０μｍ外方に位置させることができる。内周縁７ｂ２ａの辺部の長さは、対応する内周縁７ｂ１ａの辺部より例えば３０〜１５０μｍ長いことが好ましい。
図２に示す例では、枠状部７ｂ２の内側領域８ｂ２は、枠状部７ｂ１の内側領域８ｂ１に比べて面積が大きく、かつ平面視において内側領域８ｂ１を包含するため、枠状部７ｂ２の平面視位置が枠状部７ｂ１に対してずれた場合でも開口部６の寸法に影響が及ばない。このため、開口部６への電子部品２の内蔵に支障が生じることはない。
両面配線板２Ａとしては、例えばポリイミドなどからなる絶縁樹脂層３の両面に導電層４が設けられた両面銅張積層板（ＣＣＬ）を使用できる。
【００２０】
図１に示すように、下層配線板３Ａ（第１の基板）は、絶縁樹脂層３（３ｃ）（第１絶縁層）の他面３ｃ２側（下面）（一方の面）に導電層４（４ｃ１）（第１導電層）が形成されている。絶縁樹脂層３（３ｃ）には、絶縁樹脂層３を貫通して導電層４（４ｃ１）から一面３ｃ１側（上面）（他方の面）に至る１または複数の層間導通部１（１ｃ１、１ｃ２）が形成されている。
一部の層間導通部１（１ｃ１）は、上端が両面配線板２Ａの他面３ｂ２側（下面）の導電層４（４ｂ２）に達し、これによって、両面配線板２Ａの導電層４（４ｂ２）と下層配線板３Ａの導電層４（４ｃ１）とを接続している。
他の一部の層間導通部１（１ｃ２）は、上端が電子部品２の導電層４（４ｄ１）に達し、これによって、電子部品２の導電層４（４ｄ１）と下層配線板３Ａの導電層４（４ｃ２）とを接続している。
【００２１】
電子部品２は、抵抗やコンデンサ等の受動部品であってもよいし、ＩＣ、ダイオード、トランジスタ等の能動部品であってもよい。また、半導体素子を有する半導体（ベア）チップやＷＬＣＳＰであってもよい。
電子部品２の他面２ａ２側（下面）には導電層４（４ｄ１）が形成されている。
電子部品２は、両面配線板２Ａの開口部６内に配置されているため、上層配線板１Ａと下層配線板３Ａとの間に配置される。
【００２２】
接着層５は、プリント配線板の製造分野において公知の各種接着材を使用できる。例えばポリイミド系接着材、エポキシ系接着材などが好適である。
層間導通部１は、例えばニッケル、銀、銅、錫、ビスマス、インジウム、鉛などの金属粒子を含む導電性ペーストを加熱、硬化させたものが好適である。
【００２３】
次に、本発明の部品内蔵基板の製造方法の一例を具体的に説明する。
図３に示すように、両面に導電層４Ａが形成された絶縁樹脂層３（３ｂ）を用意し、図４に示すように、レーザ加工等により絶縁樹脂層３に貫通孔９を形成する。
図５に示すように、貫通孔９の内面に、絶縁樹脂層３の両面の導電層４を互いに接続するための導電層４（４ｂ３）を電解メッキなどにより形成する。
図６に示すように、導電層４Ａにフォトリソグラフィーによるパターニングを施して導電層４を形成する。このとき形成される導電層４は、枠状部７ｂ１、７ｂ２と導電回路１２とを含む。
枠状部７ｂ１、７ｂ２は、導電回路１２と同様に導電層４の一部であり、導電回路１２と同時に形成されるため、導電回路１２に対する開口部６の位置にずれが生じることはない。このため、電子部品２の実装位置の精度向上が可能となる。
【００２４】
次いで、図７に示すように、レーザ加工により枠状部７ｂ１の内側領域８ｂ１の絶縁樹脂層３（３ｂ）を除去することにより、内側領域８ｂ１と同形状（平面視形状）を有する開口部６を形成する。
以下、この開口部６の形成工程を、図９および図１０を参照して詳しく説明する。
図９（Ａ）および図９（Ｂ）に示すように、絶縁樹脂層３（３ｂ）の一面３ｂ１側から、レーザ光Ｌ１を枠状部７ｂ１の内側領域８ｂ１の絶縁樹脂層３（３ｂ）に照射する。具体的には、レーザ光Ｌ１は少なくとも内側領域８ｂ１の周縁部８ｂ１ａ（図１０（Ａ）参照）を含む領域に照射される。この例では、レーザ光Ｌ１は、内周縁７ｂ１ａに沿って移動させつつ照射される。なお、レーザ光Ｌ１は内側領域８ｂ１の全域に一度に照射してもよい。レーザ加工には、炭酸ガスレーザやエキシマレーザなどを使用できる。
【００２５】
図９（Ｂ）および図１０（Ａ）に示すように、レーザ光Ｌ１は、少なくとも枠状部７ｂ１の内周縁７ｂ１ａを含む領域にも照射することが好ましい。この例では、レーザ光Ｌ１の一部は内周縁７ｂ１ａを含む部分の枠状部７ｂ１に照射され、他部は内側領域８ｂ１の周縁部８ｂ１ａを含む部分の絶縁樹脂層３（３ｂ）に照射される。
レーザ光Ｌ１を枠状部７ｂ１の内周縁７ｂ１ａを含む領域にも照射することによって、レーザ光Ｌ１を内側領域８ｂ１の周縁部８ｂ１ａに確実に照射し、内側領域８ｂ１と同じ形状の開口部６を確実に形成することができる。
レーザ光Ｌ１は、絶縁樹脂層３のみが加工され、枠状部７ｂ１が損傷を受けないように出力調整されることが好ましい。
レーザ光Ｌ１を内周縁７ｂ１ａに沿って全周にわたって照射することによって、絶縁樹脂層３（３ｂ）に開口部６を形成することができる。
【００２６】
図９（Ｃ）および図９（Ｄ）に示すように、内周縁７ｂ１ａに沿ってレーザ加工を行うことで切り出された絶縁樹脂層３の切出し部分１３を除去する。
図９（Ｄ）および図１０（Ｂ）に示すように、レーザ光Ｌ１は内側領域８ｂ１の周縁部８ｂ１ａを含む領域の絶縁樹脂層３（３ｂ）に照射されるため、内側領域８ｂ１と同じ形状の開口部６を精度よく形成することができる。
開口部６の形成は、個片化した後の絶縁樹脂層３に対して行ってもよいし、個片化される前の絶縁樹脂層３に対して行ってもよい（図１４および図１５を参照）。
【００２７】
図８に示すように、上層配線板１Ａ、両面配線板２Ａ、下層配線板３Ａおよび電子部品２をそれぞれ位置合わせして配置し、配線板１Ａ〜３Ａおよび電子部品２を一括積層法により積層することによって、図１に示す部品内蔵基板１０を得る。
配線板１Ａ〜３Ａおよび電子部品２を積層する際には、両面配線板２Ａには厚さ方向の大きな力が加えられるが、枠状部７ｂ１、７ｂ２が補強部材として機能するため、接着層５の流動の影響により絶縁樹脂層３（３ｂ）に曲げ変形が生じることはなく、部品内蔵基板１０の平坦性を確保できる。
【００２８】
部品内蔵基板１０では、開口部６が、導電層４からなる枠状部７ｂ１の内側領域８ｂ１に形成されているので、導電層４（導電回路１２）に対する開口部６の位置にずれが生じることはない。
従って、開口部６の形成位置のずれを考慮して開口部６を大きく形成する必要がなく、部品内蔵基板１０の小型化を図ることができる。
また、開口部６は、枠状部７ｂ１の内周縁７ｂ１ａに沿う形状となるため、開口部６の形状（例えば矩形の開口部６の角部の形状）はレーザ光のスポット径やドリル径などの影響を受けない。このため、スポット径が大きいレーザ光Ｌ１を用いることにより加工時間の短縮が可能となる。加工時間は、枠状部を形成しない場合に比べて例えば１／３〜１／５程度とすることができる。
また、レーザ光のスポット径やドリル径などを考慮する必要ないことから、開口部６の大きさや形状について設計の自由度が高められ、部品内蔵基板１０の小型化を図る上で有利となる。
【００２９】
上記製造方法ではレーザ加工によって開口部６を形成したが、開口部６は、他の方法によって形成することもできる。以下、ウェットエッチングによって開口部６を形成する方法の一例を説明する。
図３〜図６に示す方法に従って、導電層４を有する絶縁樹脂層３（３ｂ）（以下、配線板２Ｂという）を作製する。
図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）に示すように、枠状部７ｂ１、７ｂ２の内周縁７ｂ１ａ、７ｂ２ａを含む部分（内周部分１４ｂ１、１４ｂ２）および内側領域８ｂ１、８ｂ２を残して、絶縁樹脂層３（３ｂ）の面３ｂ１、３ｂ２と導電層４（４ｂ１、４ｂ２）を保護用の被覆樹脂１１で覆う。
図１１（Ｃ）に示すように、配線板２Ｂを、例えば水酸化カリウムなどを主成分とするエッチング液に接触させることによって、枠状部７ｂ１の内側領域８ｂ１の絶縁樹脂層３（３ｂ）を除去して開口部６を形成する。次いで、図１１（Ｄ）に示すように、被覆樹脂１１を除去する。
エッチングによる開口部６の形成は、個片化される前の絶縁樹脂層３に対して行ってもよい（図１４および図１５を参照）。個片化の前の絶縁樹脂層３に対して開口部６を形成することによって、複数の開口部６を一度に形成することができ、製造効率を高めることができる。
【００３０】
この方法では、エッチングによって、枠状部７ｂ１の内側の絶縁樹脂層３（３ｂ）を除去することによって開口部６を形成するので、容易な操作で、開口部６を精度よく形成することができる。
【００３１】
次に、ウェットエッチングによって開口部６を形成する方法の他の例を、図１２を参照して説明する。
図１２は、開口部６を形成する前の状態の配線板２Ｂを示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は平面図である。
この方法は、導電層４Ａ（図５参照）にパターニングを施して導電層４を形成する際に、内側領域８ｂ１、８ｂ２の導電層を全て除去するのではなく、図１２に示すように、内側領域８ｂ１、８ｂ２の周縁部のみの導電層を除去し、内側領域８ｂ１、８ｂ２の中央部分に導電層４Ｂ１、４Ｂ２を残した状態として、図１１（Ｂ）〜図１１（Ｄ）に示す工程に従って、開口部６を形成する。
この方法では、導電層４Ｂ１、４Ｂ２が補強部材として機能するため、絶縁樹脂層３（３ｂ）に変形が生じにくいことから、開口部６を精度よく形成することができる。
【００３２】
なお、図１等に示す部品内蔵基板１０は、配線板１Ａ〜３Ａを積層したものであるが、本発明で製造される部品内蔵基板は、これら以外の他の配線板を含んでいてもよい。
【符号の説明】
【００３３】
１、１ｃ２・・・層間導通部、２・・・電子部品、２Ａ・・・両面配線板（第２の基板）、３・・・絶縁樹脂層（絶縁層）、３ｂ・・・絶縁樹脂層（第２絶縁層）、３ｃ・・・絶縁樹脂層（第１絶縁層）、３Ａ・・・下層配線板（第１の基板）、４・・・導電層、４ｂ１、４ｂ２・・・導電層（第２導電層）、４ｃ１・・・導電層（第１導電層）、６・・・開口部、７ｂ１・・・枠状部（反対面側の枠状部）、７ｂ１ａ・・・内周縁、７ｂ２・・・枠状部（一方の面側の枠状部）、８、８ｂ１、８ｂ２・・・内側領域、１０・・・部品内蔵基板。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層の一方の面に第１導電層が形成され、前記第１絶縁層を貫通し前記第１導電層から他方の面に至る層間導通部を有する第１の基板と、
前記層間導通部と接続される電子部品と、
第２絶縁層に第２導電層が形成され、前記第２絶縁層の前記電子部品を内蔵する位置に開口部が形成された第２の基板と、を少なくとも備えた部品内蔵基板であって、
前記第２導電層が、平面視枠状の枠状部を有し、
前記開口部は、前記枠状部の内側領域全域の前記第２絶縁層を厚さ方向に貫通して形成されていることを特徴とする部品内蔵基板。
【請求項２】
前記枠状部は、前記第２絶縁層の両面にそれぞれ形成され、そのうち一方の面側の前記枠状部は、反対面側の前記枠状部に比べて内側領域の面積が大きく、かつ前記一方の面側の内側領域が平面視において前記反対面側の内側領域を包含することを特徴とする請求項１記載の部品内蔵基板。
【請求項３】
第１絶縁層の一方の面に第１導電層が形成され、前記第１絶縁層を貫通し前記第１導電層から他方の面に至る層間導通部を有する第１の基板と、
前記層間導通部と接続される電子部品と、
第２絶縁層に第２導電層が形成され、前記第２絶縁層の前記電子部品を内蔵する位置に開口部が形成された第２の基板と、を少なくとも備えた部品内蔵基板の製造方法であって、
前記第２絶縁層に、前記第２導電層からなる平面視枠状の枠状部を形成し、前記枠状部の内側に位置する前記第２絶縁層にレーザ光を照射することにより、レーザ加工によって前記第２絶縁層を厚さ方向に貫通して前記開口部を形成する工程を含み、
前記枠状部の内側の前記第２絶縁層にレーザ光を照射して前記開口部を形成するにあたって、前記レーザ光を、少なくとも前記枠状部の内周縁を含む領域に照射することを特徴とする部品内蔵基板の製造方法。
【請求項４】
第１絶縁層の一方の面に第１導電層が形成され、前記第１絶縁層を貫通し前記第１導電層から他方の面に至る層間導通部を有する第１の基板と、
前記層間導通部と接続される電子部品と、
第２絶縁層に第２導電層が形成され、前記第２絶縁層の前記電子部品を内蔵する位置に開口部が形成された第２の基板と、を少なくとも備えた部品内蔵基板の製造方法であって、
前記第２絶縁層に、前記第２導電層からなる平面視枠状の枠状部を形成し、前記枠状部の内側に位置する前記第２絶縁層を、ウェットエッチングにより厚さ方向に貫通して前記開口部を形成する工程を含むことを特徴とする部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１】
第１絶縁層の一方の面に第１導電層が形成され、前記第１絶縁層を貫通し前記第１導電層から他方の面に至る層間導通部を有する第１の基板と、
前記層間導通部と接続される電子部品と、
第２絶縁層に第２導電層が形成され、前記第２絶縁層の前記電子部品を内蔵する位置に開口部が形成された第２の基板と、を少なくとも備えた部品内蔵基板であって、
前記第２導電層が、平面視枠状の枠状部を有し、
前記開口部は、前記枠状部の内側領域全域の前記第２絶縁層を厚さ方向に貫通して形成されていることを特徴とする部品内蔵基板。
【請求項２】
前記枠状部は、前記第２絶縁層の両面にそれぞれ形成され、そのうち一方の面側の前記枠状部は、反対面側の前記枠状部に比べて内側領域の面積が大きく、かつ前記一方の面側の内側領域が平面視において前記反対面側の内側領域を包含することを特徴とする請求項１記載の部品内蔵基板。
【請求項３】
第１絶縁層の一方の面に第１導電層が形成され、前記第１絶縁層を貫通し前記第１導電層から他方の面に至る層間導通部を有する第１の基板と、
前記層間導通部と接続される電子部品と、
第２絶縁層に第２導電層が形成され、前記第２絶縁層の前記電子部品を内蔵する位置に開口部が形成された第２の基板と、を少なくとも備えた部品内蔵基板の製造方法であって、
前記第２絶縁層に、前記第２導電層からなる平面視枠状の枠状部を形成し、前記枠状部の内側に位置する前記第２絶縁層にレーザ光を照射することにより、レーザ加工によって前記第２絶縁層を厚さ方向に貫通して前記開口部を形成する工程を含み、
前記枠状部の内側の前記第２絶縁層にレーザ光を照射して前記開口部を形成するにあたって、前記レーザ光を、少なくとも前記枠状部の内周縁を含む領域に照射することを特徴とする部品内蔵基板の製造方法。
【請求項４】
第１絶縁層の一方の面に第１導電層が形成され、前記第１絶縁層を貫通し前記第１導電層から他方の面に至る層間導通部を有する第１の基板と、
前記層間導通部と接続される電子部品と、
第２絶縁層に第２導電層が形成され、前記第２絶縁層の前記電子部品を内蔵する位置に開口部が形成された第２の基板と、を少なくとも備えた部品内蔵基板の製造方法であって、
前記第２絶縁層に、前記第２導電層からなる平面視枠状の枠状部を形成し、前記枠状部の内側に位置する前記第２絶縁層を、ウェットエッチングにより厚さ方向に貫通して前記開口部を形成する工程を含むことを特徴とする部品内蔵基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２０１３−５５１０９（Ｐ２０１３−５５１０９Ａ）
【公開日】平成２５年３月２１日（２０１３．３．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１９０５２７（Ｐ２０１１−１９０５２７）
【出願日】平成２３年９月１日（２０１１．９．１）
【出願人】（０００００５１８６）株式会社フジクラ (4,463)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年３月２１日（２０１３．３．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月１日（２０１１．９．１）
【出願人】（０００００５１８６）株式会社フジクラ (4,463)
【Ｆターム（参考）】
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