【課題】炭化ケイ素焼結体のポアを無くし、高い耐プラズマ性を有する炭化ケイ素焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素を含む炭化ケイ素焼結体を製造する炭化ケイ素焼結体の製造方法であって、炭化ケイ素を含む混合粉体を形成する工程と、混合粉体を所定の形状に成形し焼成する工程と、炭化ケイ素と同一純度を有する炭化ケイ素をターゲットとして用いて、焼成された炭化ケイ素焼結体の表面に炭化ケイ素膜をスパッタリング法により形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】平均熱膨張係数（２３〜１５０℃）が２〜６ｐｐｍ／Ｋの範囲に任意に調節可能で、ヤング率が高くかつ機械的強度が大きく、焼結性に優れる窒化珪素・メリライト複合焼結体を用いた基板を提供する。
【解決手段】ヒーター基板３００は、板状の基板３１０と、ヒートパターン３２０とを備える。基板３１０は、窒化珪素結晶相と、メリライト結晶相（Ｍｅ２Ｓｉ３Ｏ３Ｎ４、Ｍｅはメリライトを形成する金属元素）と、粒界相とを有する窒化珪素・メリライト複合焼結体を材料として作成されている。窒化珪素・メリライト複合焼結体の切断面におけるメリライト結晶相の占める割合は２０面積％以上である。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法によって製造された炭化ケイ素焼結体と同レベルの耐食性を有する炭化ケイ素焼結体を製造する炭化ケイ素焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素焼結体の製造方法は、不活性雰囲気下において、エチルシリケートとフェノール樹脂とを含む混合物を焼成し、炭化ケイ素粉体を生成する過程で生成され、ケイ素単体と一酸化ケイ素とを含むケイ素源の粉体を抽出する工程と、炭化ケイ素焼結体の表面に前記ケイ素源を蒸着させる蒸着工程を有する。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素焼結体の耐酸化性を向上させることにより、炭化ケイ素焼結体の再利用性を高める。
【解決手段】炭化ケイ素粉末及び炭素源としてフェノール樹脂を含むスラリー溶液を調製する工程と、スプレードライヤー法を用いて、スラリー溶液から炭化ケイ素顆粒を得る工程と、炭化ケイ素顆粒から形成された成形体をホットプレス法を用いて焼結する工程とを含む炭化ケイ素焼結体の製造方法であって、スラリー溶液にフェノール樹脂の沸点よりも高い沸点を有する可塑剤としてグリセリンを添加する。 （もっと読む）

【課題】透光性と耐プラズマ性とを併せ持つセラミックス材料、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウムと炭化ケイ素との比が少なくとも７５：２５であり、焼結助剤としてイットリアとフェノール樹脂とを使用して作製されるセラミックス材料は、透光性を有する。 （もっと読む）

【課題】高充填率であっても加工コストを抑えられるＳｉＣ／Ｓｉ複合材料の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ粉末及び有機バインダーを含む混合物を準備する行程と、前記混合物を成形してプリフォームとする成形工程と、前記プリフォームを所定雰囲気で脱脂する脱脂工程と、脱脂した後の前記プリフォームに加工を施す加工工程と、Ｓｉを浸透させる浸透工程と、を含むＳｉＣ／Ｓｉ複合材料の製造方法。前記有機バインダーの添加量は、前記ＳｉＣ粉末をタップした際にできる空隙の容積の２５〜１００体積％に調整する。 （もっと読む）

【課題】靭性および強度等の機械特性に優れる炭素繊維複合材、及びこの炭素繊維複合材を用いたブレーキ用部材、半導体用構造部材、耐熱性パネル、ヒートシンクを提供する。
【解決手段】炭素繊維と、樹脂とを混合後、成形し、炭素化処理してなる焼成体にシリコンを溶融含浸して得られる炭素繊維複合材であって、Ｘ線回折法による、前記炭素繊維の炭素００２面の面間隔ｄ００２が、３．４６〜３．５１である炭素繊維複合材、及びこの炭素繊維複合材を用いたブレーキ用部材、半導体用構造部材、耐熱性パネル、ヒートシンクである。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高強度な炭素繊維複合材、及びこの炭素繊維複合材を用いたブレーキ用部材、半導体用構造部材、耐熱性パネル、ヒートシンクを提供する。
【解決手段】炭素繊維と、樹脂とを混合後、焼成成形してなる焼成体にシリコンを溶融含浸して得られる炭素繊維複合材であって、Ｘ線回折法による、前記炭素繊維の炭素００２面の面間隔ｄ００２が、３．３６〜３．４３であることを特徴とする炭素繊維複合材、及びこの炭素繊維複合材を用いたブレーキ用部材、半導体用構造部材、耐熱性パネル、ヒートシンクである。炭素繊維はピッチ由来の前駆体から焼成して得られた炭素繊維であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】熱応力による割れを抑制することができる炭化ケイ素セラミックス、および、該炭化ケイ素セラミックスを用いた半導体プロセス用治具を提供する。
【解決手段】本発明による炭化ケイ素セラミックスは、炭化ケイ素の純度が９９．９９９９重量％以上で、かつ、密度が２．０〜３．０ｇ／ｃｍ^３である。また、本発明による半導体プロセス用治具は前記炭化ケイ素セラミックスからなる。 （もっと読む）

【課題】顆粒痕の発生を確実に抑止し、微細構造においても均一な炭化ケイ素焼結体を製造する。
【解決手段】炭化ケイ素焼結体の焼成前の炭化ケイ素前駆体を製造する炭化ケイ素前駆体の製造方法であって、粉砕された炭化ケイ素と非金属系焼結助剤とを多価アルコールに分散し混練することによりペースト状の炭化ケイ素前駆体を形成する工程と、ペースト状の炭化ケイ素前駆体を成形モールドに入れて焼成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 電圧が印加された場合に放電が生じる等の不都合が生じず、かつ高い熱伝導率を維持しつつ、低い体積抵抗率を有する窒化アルミニウム焼結体およびそれを用いた静電チャックを提供すること。
【解決手段】 ＳｍおよびＬａの少なくとも１種を酸化物換算の含有量で、０．５質量％以上、７質量％以下含有し、さらに液相成分の排出を抑制するために窒化チタンを２８質量％以下含有し、残部実質的に窒化アルミニウムからなり、常温での体積抵抗率が１×１０^９〜１×１０^１４Ω・ｃｍであり、電圧を印加した場合に放電が生じ難い窒化アルミニウム焼結体を得る。この窒化アルミニウム焼結体を被吸着体を吸着する誘電体層２として用い、その下に設けられた電極３に電圧を印加することにより被吸着体１０を吸着する。 （もっと読む）

【課題】廃棄等によって発生するＡｌＮ焼結体を粉砕して得られ、ＡｌＮ焼結体の焼結用原料として、安定した焼結性を有する窒化アルミニウム粉末を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム焼結体を粉砕して得られる粉末であって、平均粒子径が２〜１０μｍ、３０００倍の電子顕微鏡写真において観察される、該粉末中の１μｍ以下の微粉の占める割合が、面積比率で５％以下であり、且つ、焼結助剤以外の金属不純物濃度が１５００ｐｐｍ以下の窒化アルミニウム粉末であって、該窒化アルミニウム粉末は、窒化アルミニウム焼結体を、粒界破壊を優先的に生じせしめて所定の大きさに予備粉砕し、次いで、該予備粉砕物を衝突粉砕させることによって得ることができる。 （もっと読む）

本発明は、高熱伝導性材料、すなわち窒化アルミニウム製の機能性成形体、押出しによるそれらの製造方法、及びそれらの使用に関する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ膜のエピタキシャル成長に使用可能なヒータの製造方法を提供する。
【解決手段】ヒータは、通電により発熱する発熱体を備える。発熱体は、所定の形状と電気比抵抗を有するＳｉＣ焼結体１を得た後、ＳｉＣ焼結体１の表面を複数層のＳｉＣ薄膜２〜５で被覆することにより得られる。複数層のＳｉＣ薄膜２〜５は、それぞれ異なる成膜温度で形成され、外側の層ほど高い成膜温度である。各成膜温度は、１４００℃±５０℃、１６００℃±５０℃、１８００℃±５０℃、２０００℃±５０℃とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】炭化ホウ素セラミックスが本来有する高い比剛性を著しく損なうことなく、構造材料とした場合の課題であった破壊靱性値を改善し、比較的高強度化を維持でき、高速で可動する用途に使用した場合の信頼性をも満足できる炭化ホウ素系セラミックスの提供。
【解決手段】室温での曲げ強度が２００ＭＰａ以上、破壊靱性値が２．５ＭＰａ・ｍ^0.5以上であり、かつ、比剛性が１５０乃至１８０ＧＰａ・ｃｍ³／ｇである炭化ホウ素−炭化ケイ素複合セラミックスであって、少なくとも、炭化ホウ素の含有量が５０質量％よりも多く、炭化ケイ素の含有量が５０質量％未満であり、遊離炭素及びその他の成分の合計含有量が３質量％以下であり、該その他の成分のうちの１つであるアルミニウムの含有量が１質量％以下である組成を有し、かつ、セラミックス中の粒子サイズの平均粒径が２０μｍ以下である炭化ホウ素−炭化ケイ素複合セラミックス及び、その製造方法。 （もっと読む）

【課題】表面のパーティクルや、微少凹凸を高い除去率で取り除くことができる炭化ケイ素部材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る炭化ケイ素部材の製造方法では、炭化ケイ素を含む炭化ケイ素部材１を、酸素含有雰囲気中で８００〜１２００℃の温度範囲で加熱することにより、前記炭化ケイ素部材１の表面２に酸化被膜６を形成する酸化処理工程と、前記炭化ケイ素部材１を酸洗浄することにより、前記酸化被膜６および炭化ケイ素部材１の表面２の少なくとも一部を除去する酸洗浄工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】水を主たるバインダとして用いたシリコン合金製坏土の効果的な脱水・乾燥法を提供すること。
【解決手段】シリコン合金粉末を原料とし、バインダとして、重量％で水１０〜４０を添加し混練する工程と、シリコン合金製坏土を三次元形状に成形する工程を経て、成形後５分以内に冷却媒体に投入し少なくとも５分以上保持して、成形体内の水分を微細分散状態で急速凍結させた後、水の三重点未満の圧力とした容器内に保持する急速冷凍法、及び、成形後５分以内に１気圧未満の減圧環境とした容器に投入し、２.４５０ＧＨｚマイクロ波を少なくとも５分以上継続照射するマイクロ波照射法により、成形体の脱水・乾燥を行う。これにより、成形体内の水分を、凝集前の微細分散の状態で除去し、焼結後の割れを防ぐことができるから、有害な有機溶剤を一切使用せずに高品質な製品を安定的に得ることが可能となり、高速成形、製品の低価格化も実現できる。 （もっと読む）

【課題】μｍオーダーの外径を有し、例えば、高熱伝導プラスチック用のフィラーとして有用な、内部に空洞有する、新規な管状の窒化アルミニウム及びその製造方法を提供する。
【解決手段】平均外径３〜１５０μｍ、好ましくは３〜１５μｍであることを特徴とする管状窒化アルミニウム。また、上記管状窒化アルミニウムにおいて、形成される空洞部の大きさ、即ち、管状窒化アルミニウムの内径は、平均内径が、前記平均外径の２０〜７５％、特に５０〜７５％であることが好ましい。上記管状窒化アルミニウムは、原料として、繊維状アルミナを用い、窒素ガス雰囲気下、１６００℃〜１９００℃で、還元窒化することで製造することができる。 （もっと読む）

【課題】製造工程が簡素でコストが安価であり、剛性が高い熱処理用ヒータを提供する。
【解決手段】本発明による熱処理用ヒータ１は、炭化ケイ素の多孔体を仮焼した仮焼体３と、仮焼体３の外表面を被覆した、絶縁材料からなる被覆材５とを備えている。従って、剛性が低い多孔体の仮焼体３を絶縁材からなる被覆材５で被覆することによって、耐久性および輻射効率が高く、製造工程がシンプルで低コストの熱処理用ヒータ１を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】快削性と共にシリコンに近い熱膨張係数を有し、高い強度を備えたセラミックス部材、このセラミックス部材を用いて形成されるプローブホルダ、及びセラミックス部材の製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくともフォルステライト及び窒化ホウ素を主成分として含み、窒化ホウ素が一方向に配向している焼結体であるセラミックス部材、セラミックス部材を用いて形成されるプローブホルダ、及びセラミックス部材の製造方法。セラミックス部材は、配向度が０．０７以下であり、配向方向と平行な方向の２０〜３００℃における熱膨張係数が（３〜５）×１０^−６／℃であるか、又はＪＩＳ Ｒ １６０１に基づく３点曲げ強度が２５０ＭＰａ以上である。 （もっと読む）