【課題】コンデンサを内蔵すると共に内蔵コンデンサとの接続を適切に取ることができるプリント配線板を提供する。
【解決手段】チップコンデンサ２０をコア基板３０内に収容する。チップコンデンサ２０は、銅めっき膜を被覆した第１、第２電極２１，２２に銅めっきによりなるバイアホール４６で電気的接続を取ってある。銅めっき膜により第１、第２電極２１，２２の表面が平滑になり、接続層４０に非貫通孔を穿設した際に樹脂残さが残らず、バイアホール４６とチップコンデンサ２０との接続信頼性を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】セラミック多層基板が実装された回路基板等から衝撃や応力が基板本体に作用しにくいセラミック多層基板を提供する。
【解決手段】セラミック多層基板は、（ａ）積層されたセラミック層を含み、セラミック層が積層された方向の片側に矩形の主面１２ｂを有する基板本体と、（ｂ）基板本体の主面１２ｂに形成された外部電極１４とを備える。すべて外部電極１４が、基板本体の主面１２ｂの互いに隣接する辺２０ａ〜２０ｄの中点２２ａ〜２２ｄ同士を結ぶ第１の仮想線分３０ａ〜３０ｄに重なり、又は第１の仮想線分３０ａ〜３０ｄで囲まれた第１の仮想領域３０ｘの内側に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 小型化が可能な高反射率の発光素子搭載用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 互いに焼結温度が異なる絶縁層用ガラスセラミック材料および拘束層用ガラスセラミック材料を準備し、それぞれ平板状に形成するとともに積層して、絶縁層11と拘束層12とが交互に、最上層が拘束層12となるように積層された平板状積層体を作製する工程と、平板状積層体の上面に発光素子の搭載部となる領域17を設けるとともに、絶縁層用ガラスセラミック材料を平板状積層体の上面に、搭載部となる領域17を取り囲む枠状に積層して積層体を作製し焼成する工程とを備える発光素子搭載用基板の製造方法である。枠部３の上部と下部との収縮差を利用して枠部３の内側面を傾斜させることができるため、凹部の内側面を破断面とせずに傾斜させることができ、小型化が可能で高反射率の発光素子搭載用基板９の製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】小面積を前提として、横方向、縦方向の配線パターンのレイアウト設計の自由度をあまり犠牲にせずに済む電子モジュールを提供すること。
【解決手段】表面上に部品レイアウト可能領域が設定されている基板と、基板の部品レイアウト可能領域内に収めるようには配置できない数の複数の表面実装型の電気／電子部品と、を具備し、基板の表面上には、複数の電気／電子部品のうちの、基板の部品レイアウト可能領域内に収めるように配置できる数の電気／電子部品が振り分けられて実装されており、基板の厚み方向の内部には、複数の電気／電子部品のうちの、基板の表面上に実装されない電気／電子部品が振り分けられて実装されており、しかも、基板の厚み方向の内部に実装された電気／電子部品がそれぞれ有する面積を積算した総面積が、基板の表面上に実装された電気／電子部品がそれぞれ有する面積を積算した総面積より小さい。 （もっと読む）

【課題】光導波路と電気回路を高密着に複合化でき、受発光素子と光回路の結合損失や、光導波路の損失のない光電気複合配線板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１６上にコア１４を埋設したクラッドを形成する光導波路形成工程と、
前記光導波路の基板１６の反対側に、少なくとも片側の表面が粗面化された金属基材１１が積層された、未硬化の樹脂組成物１２を積層する金属層積層工程と、前記未硬化の樹脂組成物１２を硬化して金属層を形成する金属層形成工程と、前記金属基材１１上に電気回路１１ａを形成する電気回路形成工程と、を有することを特徴とする光電気複合配線板１８の製造方法を用いる。前記金属基材の表面粗さＲｚは、０．５μｍ以上５μｍ以下であることが好適である。また、前記未硬化の樹脂組成物の屈折率は、コアの屈折率と同一、もしくは低いことが好適である。 （もっと読む）

【課題】多層配線の層間導電路を、印刷工程により作製可能な多層配線体を提供する。
【解決手段】
本発明に関する多層配線体は、基材上に形成された第１配線と、第１配線と、第１配線の上層に形成された第２配線とを接続する層間接続部と、基材上に形成され層間接続部を中心として開口を設けた第１絶縁層と、層間接続部を中心として周囲に１つあるいは複数のパターンとして形成され、少なくとも一部を開口内に設けている第２絶縁層とを備え、第２配線は前記層間接続部と第１絶縁層上に形成されていることを特徴とする多層配線体。 （もっと読む）

【課題】複数の樹脂絶縁層間に形成された配線層の位置が所定の位置に精度良く配設された樹脂絶縁部を含む電子部品検査用配線基板、および該配線基板を確実に製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】厚み方向に沿って積層された複数の樹脂絶縁層ｚ１〜ｚ４と、該樹脂絶縁層ｚ１〜ｚ４の間に配置した配線層６〜８とを有する樹脂絶縁部ＲＺを含む電子部品検査用配線基板１であって、樹脂絶縁層ｚ１〜ｚ４は、熱硬化性樹脂からなる第１樹脂層４と、該第１樹脂層４の両面に配設され且つ熱可塑性樹脂からなる一対の第２樹脂層５とから構成され、該樹脂絶縁層ｚ１〜ｚ４には、第１樹脂層４と一対の第２樹脂層５とを貫通し且つ一端部のみが上記配線層６〜８と接続されている非通電ビア導体ｄｖ１、あるいは、一端部のみが配線層６，７と接続され且つ該配線層６，７に隣接する一方の第２樹脂層５を貫通し、他端部が第１樹脂層４内で留まっている非通電ビア導体ｄｖ２が形成されている、電子部品検査用配線基板１。 （もっと読む）

【課題】配線基板において位置精度の高い穴部を形成する。
【解決手段】配線層２３と樹脂層２４とが積層され、電子部品搭載用の穴部３０が設けられた配線基板２０の製造方法であって、配線層２３に形成された開口部２５を有する開口パターン２６をマスクとして、開口部２５に対応する樹脂層２４を除去し、樹脂層２４に開口部２８を形成する。これにより、開口部２５および開口部２８を有する穴部を形成する。 （もっと読む）

【課題】 多層プリント配線板の絶縁層としての使用に好適なエポキシ樹脂組成物であって、粗化処理後の粗化面の粗度が比較的小さいにもかかわらず、該粗化面がメッキ導体に対して高い密着力を示す絶縁層（層間絶縁層）を達成し得るエポキシ樹脂組成物の提供。
【解決手段】 （Ａ）１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、（Ｂ）１分子中の平均水酸基含有率Ｐ（（総水酸基数／総ベンゼン環数）の平均値）が０＜Ｐ＜１であるフェノール系硬化剤、（Ｃ）フェノキシ樹脂、及び（Ｄ）ゴム粒子を含有することを特徴とする、エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】内蔵する第１半導体素子と実装する第２半導体素子との距離を近づけ信号線の長さを短くすると共に、第２半導体素子を実装する際に信頼性が低下しない配線板を提供する。
【解決手段】絶縁層３２に形成されるビア導体３４と、層間樹脂絶縁層６８に形成されるビア導体７０とが、テーパの方向が逆であるので、該絶縁層３２と該層間樹脂絶縁層６８とで生じる反りの方向が逆となって、発生する応力を互いに打ち消し合う。このため、ＣＰＵ９０を実装する際のリフロー加熱、ヒートサイクル時の加熱・冷却によるメモリ４２上の絶縁層３２、層間樹脂絶縁層６８の反りによるビア導体３４とビア導体７０との接続信頼性の低下を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】複数の配線層が高精度に配置される多層配線板の製造方法、を提供する。
【解決手段】多層配線板の製造方法は、熱可塑性の樹脂シート２１を複数枚、準備し、樹脂シート２１の表面２１ａ上の中央領域に、配線層となる導体パターン３１を形成する工程と、樹脂シート２１の表面２１ａ上の周縁領域に金属膜４６を形成するとともに、金属膜４６に開口する複数の位置決め用孔４７を形成する工程と、位置決め用孔４７に位置決めピン５２を挿入しつつ、複数枚の樹脂シート２１を積層する工程と、樹脂シート２１を積層する工程の後、複数枚の樹脂シート２１を加熱しつつ、その積層方向に加圧する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路を実装する際に、リフローなどの熱履歴で発生する基板の反りが、最小限に小さく抑制されたハイブリッドコア基板、それを用いた半導体集積回路パッケージ、ビルドアップ基板を提供する。
【解決手段】複数の開口部を有するコア基板に、実装する半導体チップと略同一のサイズの複数のセラミック基板３０２を勘合させ、さらにその表層にコア基板より弾性率の低い絶縁層３０３を積層したハイブリッドコア基板とすることで、該基板を半導体チップのはんだ接合法による実装に用いても、基板の反りを最小限に抑えることができ、かつ加工性に富むビルドアップ基板を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】コンデンサ実装後に半導体パッケージ基板出荷する場合の電気検査において、コンデンサを破壊することなく絶縁性を保証でき、検査工程を増やすことがない検査方法、半導体パッケージ基板を提供する。
【解決手段】フリップチップＢＧＡパッケージ用基板１上にコンデンサ１３を実装するための１対の金属バンプ１５のうち、少なくとも一方に接続する金属配線５の一部が検査用プローブＢ−１、Ｂ−２との接触のためソルダーレジスト４’から露出され、露出されているパッド部１０がコンデンサ１３と導通するパッド部１０ａ、コンデンサ１３と導通しないパッド部１０ｂとに分離されていて、パッド部１０ａ、１０ｂのそれぞれに検査用プローブＢ−１、Ｂ−２を接触させて電気検査を行う。 （もっと読む）

【課題】簡便・安価に製造可能な浮遊インダクタンスの小さいコンデンサ部品と、その製造方法を提供する。また、前記コンデンサ部品を低背化した部品と、その低背コンデンサを内蔵した多層配線基板を提供する。
【解決手段】有機材料の単分子膜を誘電体とするコンデンサにおいて、コンデンサ用電極のうち少なくとも一つが、誘電体単分子膜に担持された触媒物質によって開始する無電解めっきで形成されることを特徴とするコンデンサ。コンデンサを支持基材の上に形成することで、薄膜コンデンサを部品として扱うことが可能となる。また、前記支持基材を薄く研削することで、部品の低背化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】芯材を備えない層間絶縁層をコア基板に積層しても反りの生じないプリント配線板を提供する。
【解決手段】ガラスクロスの芯材にガラスエポキシ樹脂を含浸させたコア基板３０に無機粒子を添加して、熱膨張係数（ＣＴＥ）を２０〜４０ｐｐｍまで低下させている。そして、コア基板３０の厚みａを０．２mmに、上面側の第１層間絶縁層５０Ａの厚みｂを０．１mmに、下面側の第２層間絶縁層５０Ｂの厚みｃを０．１mmに設定してある。これにより、薄いコア基板３０と、芯材を備えない層間絶縁層５０Ａ、５０Ｂとを用いて、プリント配線板に反りを発生させない。 （もっと読む）

【課題】容易に、品質の優れた積層シートを連続的に製造することができる積層シートの製造方法および積層シートを提供すること。
【解決手段】連続的に供給され、一方の面側に固形または半固形の第１の樹脂組成物で構成された第１の樹脂層３を有する薄板状の支持体５と、連続的に供給される薄板状の繊維基材２とを前記第１の樹脂層３を介して接合して積層シート１を製造する積層シートの製造方法であって、前記支持体５と、前記繊維基材２とを前記第１の樹脂層３を介して圧着する第１の工程と、前記繊維基材２の前記第１の樹脂層３と反対側の面に、液状の第２の樹脂組成物を供給する第２の工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基体と内部電極層との間のセパレーションを防止できるプローブカード用セラミック配線基板とこれを用いたプローブカードを提供する。
【解決手段】 ムライト粒子を主結晶粒子とする焼結体からなる絶縁基体の内部に、銅を４０〜６０体積％と、タングステンまたはモリブデンの少なくとも一方を４０〜６０体積％とを含有する内部配線層を備えている配線基板であって、前記内部電極層の周囲に存在する前記主結晶粒子として、アルミナが多く含まれているムライト粒子を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】表面実装部品をはんだ付けにより実装する際のはんだボイドの発生およびそれによるショート不良の発生を防止することが可能なセラミック多層基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】焼結金属からなる外部電極４を備えたセラミック多層基板において、外部電極４の表面の所定の領域にめっき金属層１１を形成し、外部電極４の表面の一部にはめっき金属層を形成しないようにして、外部電極のめっき金属層が形成されていない領域から水蒸気などのガスが効率よく排出されるようにする。
外部電極の一部を、表面にめっき金属層が付着しない無機絶縁材料からなる多孔質層により被覆し、外部電極の表面の、多孔質層が配設されていない領域にのみめっき金属層を形成するようにして、多孔質層が形成された領域から水蒸気などのガスが効率よく排出されるようにする。
外部電極を、セラミック粒子を含む焼結金属からなるポーラスな電極とする。 （もっと読む）

【課題】最外層の樹脂絶縁層とＩＣチップとの隙間をアンダーフィル材にて確実に封止することができる多層配線基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】多層配線基板を構成する最外層の樹脂絶縁層２５は、内層側の樹脂絶縁層と同じ樹脂絶縁材料を主体として構成されるとともにシリカフィラー５７を含んでいる。穴あけ工程において、最外層の樹脂絶縁層２５に対してレーザ穴加工を施すことで、接続端子４１を露出させる開口部４３を形成する。デスミア工程において、開口部４３内のスミアを除去する。フィラー減少工程において、高圧水洗処理を行い樹脂絶縁層２５の表面にて露出しているシリカフィラー５７を減少させる。 （もっと読む）

【課題】導体層及び樹脂絶縁層が交互に積層されるとともに、第１の主面側とこの第１の主面と相対する第２の主面側の最表面にソルダーレジスト層が形成され、前記ソルダーレジスト層に形成された開口部から前記導体層が露出してなる配線基板において、導体層と半田バンプ等との密着性を改善した新規な配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板の最表面のソルダーレジスト層に形成された開口部から露出した導体層上に、Ｓｎを含む下地層を形成する。次いで、下地層のうち第１の主面側に位置する第１の下地層及び第１の主面と相対向する第２の主面側に位置する第２の下地層上に、それぞれ第１の半田及び第２の半田を供給する。次いで、第１の半田及び第２の半田を同時に加熱して、それぞれ第1の下地層及び第２の下地層と接続する。 （もっと読む）